Ingeniera Elctrica
Electrnica De Potencia I
PRIMER PARCIAL
Cristian Cuji
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Indicaciones Generales
Bienvenid@s
Las presentaciones deben ser vistas como una gua
de estudios, la mayor cantidad de contenidos sern
discutidas en clase. Por tal motivo es necesario
asistir a las mismas.
Respeto, consideracin y libertad
Evitemos problemas Repasar ejercicios y estudiar
Respetar los tiempos asignados
La investigacin, la curiosidad Conceptos propios
Todo trabajo, ejercicio, contribuye al proceso de
aprendizaje ( No hay puntos extras ) Todos los
trabajos son muy IMPORTANTES.
EXAMEN Pasaporte al siguiente semestre
5. RECTIFICADORES CONTROLADOS
1. Principio de operacin del convertidor controlado por fase
2. Convertidores monofsicos completos con carga R Y RL
3. Convertidores monofsicos duales
4. Principio de operacin de los convertidores trifsicos de media onda
5. Convertidores trifsicos completos
6. Convertidores trifsicos duales
7. Mejoras al factor de potencia
8. Semiconvertidores monofsicos
9. Semiconvertidores trifsicos
10. Convertidores monofsicos en serie
11. Convertidores de doce pulsos
12. Diseo de circuitos convertidores
Niels Bohr
Compresin de la estructura
atmica y mecnica cuntica
1922
Max Plank
Terica de Mecnica
Cuntica
1918
Joseph Thomson
Descubri el electrn Rayos
Catdicos
1897
Congreso de Electrnica y Fotones ( Solvay 1927)
Cristian Cuji
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Generalidades - Historicas
Lee De Forest patenta el Triodo (bulbo), No se poda explicar en
detalle - Lo importante es que funciona!! (Edwin Armstrong
(inventor de la FM) explic como operaba el triodo.
En 1947 funciono el primer transistor Walter Brattain : conecto
el circuito al osciloscopio y dijo Esta cosa tiene ganancia
Entre los 3 fsicos Shockley, Bardeer y Brattain surguieron
problemas para asumir el crdito del transistor. Por lo que
Shockley por orgullo propio decidi crear el transistor de unin.
Los 3 recibieron el premio Nobel de Fisica en 1956.
La fascinacin de poder ver los electrones.
Shockley primer fsico en crear una empresa de semiconductores
Valle de San Jos California Silicon Valley
Los 8 traidores: grupo de estudiantes y pasantes de Shockley que
fundaron la Fairchild.
Dos de los co-fundadores de Fairchild crearon INTEL
La eficiencia se
encuentra
directamente
relacionada con la
pureza del silicio
Industria Electrnica
Czochralski 80%
vs
Zona Flotante 20%
Industria Fotovoltaica
Fabricacin de
Lingote de Silicio
Multicristalino
Defectos producidos en la
fabricacin en la superficie
de la oblea
Texturizado
1mm = 1000m
1 nm = 0,001m
Tipo P
Se obtiene aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Grupo 13 de la tabla peridica, Aluminio (Al), Galio (Ga), Boro (B), Indio
(In)
En este caso los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritario
MOSFET (Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor)
Para el FET las cargas presentes establecen un campo elctrico, el cual controla la ruta de
conduccin del circuito de salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades
de control y las controladas.
Uno de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada.
Las ganancias de voltaje de ca tpicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que
para los FET.
Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos
que los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de circuitos integrados (CI).
El nivel de VGS que produce ID = 0 mA, est definido por VGS = Vp,
con Vp convirtindose en un voltaje negativo para dispositivos de
canal n y en voltaje positivo para JFET de canal p.
Cristian Cuji
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1. AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON TRANSISTORES BJT Y FET
MOSFET - transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor
(Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor)
Pre AMPLIFICACIN
Seal Acoplamiento CARGA
Amplificacion POTENCIA
Clasificacin de etapas de
potencia
Etapa clase AB: El dispositivo se polariza en la zona lineal pero en un punto muy prximo al extremo de
respuesta lineal. Esta configuracin es una variante de la etapa de tipo B en la que se sacrifica la
disipacin de una pequea cantidad de potencia cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona
muerta de respuesta3
Etapa clase C: El dispositivo se polariza en zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos
activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal. De esta forma se consiguen
rendimientos mximos, aunque se necesitan elementos reactivos que acumulen la energa durante la
conduccin y la liberen en el resto del ciclo en el que el dispositivo no conduce. Se puede utilizar para
amplificar seales de banda muy estrecha.