UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE

CENTRO DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA E DE
COMPUTAO

Uso de Metamaterial em Antenas de Microfita com Supercondutor

Carlos Gomes de Moura

Orientador: Prof. Dr. Humberto Csar Chaves Fernandes

Tese de Doutorado apresentada ao

Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Eltrica e de Computao da
UFRN (rea de concentrao: Engenharia
Eltrica, Telecomunicaes) como parte
dos requisitos para obteno do ttulo de
Doutor em Cincias.

Nmero de ordem: D137

Natal, RN, fevereiro de 2015
 UFRN / Biblioteca Central Zila Mamede
Catalogao da Publicao na Fonte

Moura, Carlos Gomes de

Uso de metamaterial em antenas de microfita com supercondutor / Carlos Gomes de Moura. Natal,
RN, 2015.
146 f. : il.

Orientador: Prof. Dr. Humberto Csar Chaves Fernandes.

Tese (Doutorado) Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Centro de Tecnologia. Programa de
Ps-Graduao em Engenharia Eltrica e de Computao.

1. Antena de Microfita Tese. 2. Metamaterial Tese. 3. Supercondutividade Tese. 4. Ressoador em

Anel Tese. 5. Mtodo de linha de transmisso transversa Tese. I. Fernandes, Humberto Csar Chaves.
II. Universidade Federal do Rio Grande do Norte. III. Ttulo.

RN/UF/BCZM CDU 621.396.67

II
Uso de Metamaterial com Supercondutor em Antenas
de Microfita

Carlos Gomes de Moura

Tese de Doutorado aprovada em Fevereiro de 2015 pela banca examinadora composta

pelos seguintes membros:

Prof. Titular Dr. Humberto Csar Chaves Fernandes (Orientador)................ DEE/UFRN

Prof. Dr. Jos Patrocnio da Silva (Examinador interno)..................................DEE/UFRN

Prof. Dr. Dr. Humberto Dionsio de Andrade (Examinador externo)..........DCAT/UFERSA

Prof. Dr. Ronaldo de Andrade Martins (Examinador externo).................................UFRN

Prof. Dr. Marinaldo Pinheiro de Sousa Neto (Examinador externo)........................ ........IFRN

III
Dedico

A Deus, ao meu pai, Josu Gomes de

Moura, na espiritualidade, minha me,
Maria Ivete Galvo de Moura, aos meus
filhos Clarissa de Almeida Moura,
Carlos Gomes de Moura Filho e Helena
Maria de Sousa Moura, os quais sempre
me apoiaram em minha caminhada.

IV
O que eu ouo, esqueo...
O que eu vejo, lembro...
O que eu fao, aprendo...

Confcio

V
Agradecimentos

Agradeo a Deus, inteligncia suprema e causa primria de tudo que existe no

Cosmos, por me permitir o equilbrio, a paz e a iluminao, nos momentos obscuros.
Ao Prof. Dr. Humberto Csar Chaves Fernandes pela orientao, amizade,
pacincia e comprometimento com o trabalho de pesquisa.
Aos meus familiares em geral.
Aos amigos da ps-graduao e da iniciao cientfica, Francisco Assis Jnior,
Thiago Valneir, Marinaldo Pinheiro de Sousa Neto, Jos Lucas Silva, Almir Neto e
Otvio Lavor, ao funcionrio Paulo Yvens, pela sincera amizade e colaborao.
UFRN, por proporcionar o desenvolvimento deste trabalho e por consequncia
a realizao do meu doutorado.
Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior (CAPES) pela
bolsa de estudos de doutorado.
Ao Prof. Jonathan Paulo Pinheiro Pereira, do Instituto Federal de Educao,
Cincia e Tecnologia do Rio Grande do Norte, pela cooperao na construo das
antenas, e ao Prof. Ronaldo de Andrade Martins, por colaborao em medidas realizadas.

VI
Resumo

Os metamateriais tem atrado uma grande ateno nas ultimas dcadas, em

decorrncia de suas propriedades eletromagnticas no serem encontradas na natureza.
Desde que os metamateriais passaram a ser sintetizados atravs da insero de incluses
artificialmente fabricadas num meio homogneo especificado, facilitou ao pesquisador
uma larga coleo de parmetros independentes, como, por exemplo, as propriedades
eletromagnticas do material. Foram realizadas investigaes das propriedades dos
ressoadores em anel e dos metamateriais. Foi apresentado um estudo das principais
teorias que explicam com clareza a supercondutividade. As teorias BCS, Equaes de
London e modelo dos Dois Fluidos so as teorias que do suporte a aplicao dos
supercondutores nas antenas de microfita. Assim, esta Tese de Doutorado apresenta uma
anlise terica, numrico-computacional e experimental, utilizando o formalismo de onda
completa, atravs da aplicao do mtodo da Linha de Transmisso Transversa LTT,
aplicado no Domnio da Transformada de Fourier (FTD). O LTT um mtodo de onda
completa, que tem como regra a obteno dos campos eletromagnticos em termos dos
componentes transversais estrutura. A incluso do patch supercondutor feita
utilizando-se a condio de contorno complexa resistiva. So obtidos resultados da
freqncia de ressonncia em funo dos parmetros da antena. Para validao das
anlises foram elaborados programas computacionais na linguagem Fortran, simulaes
no software comercial, sendo as curvas traadas no software comercial e no software
Matlab, alm de se comparar o patch convencional com o supercondutor e depois se
comparar um substrato metamaterial com um convencional, juntando o substrato com o
patch, verificando o que melhora em ambos os quesitos, demonstrando a utilizao
prtica destas estruturas em antenas fabricadas em laboratrio.

Palavras-chave: Metamaterial, Supercondutividade, Ressoador em Anel, mtodo

de Linha de Transmisso Transversa, Antena de Microfita.

VII
Abstract

Metamaterials have attracted great attention in recent decades, due to their

electromagnetic properties which are not found in nature. Since metamaterials are now
synthesized by the insertion of artificially manufactured inclusions in a specified
homogeneous medium, it became possible for the researcher to work with a wide
collection of independent parameters, for example, the electromagnetic properties of the
material. An investigation of the properties of ring resonators was performed as well as
those of metamaterials. A study of the major theories that clearly explain
superconductivity was presented. The BCS theory, London Equations and the Two-Fluid
Model are theories that support the application of superconducting microstrip antennas.
Therefore, this thesis presents theoretical, numerical and experimental-computational
analysis using full-wave formalism, through the application of the Transverse
Transmission Line LTT method applied in the Fourier Transform Domain (FTD). The
LTT is a full wave method, which, as a rule, obtains the electromagnetic fields in terms of
the transverse components of the structure. The inclusion of the superconducting patch is
performed using the complex resistive boundary condition. Results of resonant frequency
as a function of antenna parameters are obtained. To validate the analysis, computer
programs were developed using Fortran, simulations were created using the commercial
software, with curves being drawn using commercial software and MATLAB, in addition
to comparing the conventional patch with the superconductor as well as comparing a
metamaterial substrate with a conventional one, joining the substrate with the patch,
observing what improves on both cases, demonstrating the practical use of these
structures in lab manufactured antennas.

Keywords: Metamaterial, Superconductivity, Ring Resonator, Method for

Transverse Transmission Line, Microstrip Antenna.

VIII
Sumrio

Lista de Figuras.............................................................................................................XIII
Lista de Tabelas ..........................................................................................................XVII
Lista de Abreviaturas e
Sigla.............................................................................................................................XVIII

CAPTULO 1 Introduo ...........................................................................................21

1.1 Introduo....................................................................................................................21
1.2 Objetivos.....................................................................................................................23
1.3 Motivao...................................................................................................................24
1.4 Organizao da Tese...................................................................................................25

Captulo 2 Levantamentos do Estado da Arte ..............................................................27

2.1 Antenas de Microfita e Suas Aplicaes.....................................................................27
2.1.1. Estruturas da Antena...............................................................................................27
2.1.2 Aplicaes ............................................................................................................... 28
2.2 Materiais Supercondutores ..........................................................................................29
2.2.1. Introduo................................................................................................................29

2.2.2 Caractersticas dos Materiais Supercondutores ........................................................29

2.2.3 Aplicaes.................................................................................................................29
2.3 Metamateriais .............................................................................................................29
2.3.1 Introduo ................................................................................................................29
2.3.2 A Nova Classe de Materiais: Metamateriais ............................................................30
2.3.3 Aplicaes ................................................................................................................31
2.4 Tese de Doutorado.......................................................................................................32

CAPTULO 3 Supercondutores ..................................................................................33

IX
3.1 Introduo.................................................................................................................33

3.2 Caractersticas dos Materiais Supercondutores............................................................33

3.3 Teoria BCS na Condutividade....................................................................................36
3.4 Equaes de London ...................................................................................................37
3.5 Modelo dos Dois Fluidos.............................................................................................38
3.6 Impedncia de Superfcie ............................................................................................39
3.7 Concluses ..................................................................................................................41

CAPTULO 4 Antenas de Microfita..................................................................42

4.1 Estruturas da Antena ..................................................................................................42
4.2 Vantagens e Limitaes das Antenas de Microfita ....................................................44
4.3 Parmetros de Antena .................................................................................................45
4.3.1 Diagramas de Irradiao ..........................................................................................45
4.3.2 Polarizao ..............................................................................................................46
4.3.3 Diretividade ............................................................................................................48
4.3.4 Largura de Banda....................................................................................................48
4.3.5 Perda de Retorno.....................................................................................................49
4.4 Tcnicas de Alimentao ...........................................................................................50
4.5 Mtodos de Anlise ...................................................................................................53
4.6 Caractersticas dos Substratos ...................................................................................55
4.7 Tipos de Substratos ...................................................................................................56
4.8 Eficincia...................................................................................................................57
4.9 Concluses ...............................................................................................................57

CAPTULO 5 Substrato Metamaterial ...........................................................58

5.1 Introduo ..................................................................................................................58
5.2 A Nova Classe de Materiais: Metamateriais ..............................................................59
5.3 Propagao de Ondas Eletromagnticas em um Meio Metamaterial .........................61
5.4 Velocidade de Grupo e de Fase ..................................................................................64
5.5 Projeto do Meio Metamaterial ....................................................................................65

CAPTULO 6 Aplicao do Mtodo da Linha de Transmisso Transversa LTT

..........................................................................................................................................72

X
 6.1 Introduo .................................................................................................................72
6.2 Desenvolvimento dos Campos Transversais .............................................................73
6.3 Concluses .................................................................................................................78

CAPTULO 7 Anlise Geral dos Campos Eletromagnticos na Antena com

Substrato Metamaterial e Patch Supercondutor .........................................................80
7.1 Introduo ................................................................................................................. 80
7.2 Antenas de Microfita com Substrato Metamaterial e Patch Supercondutor.............. 80
7.3 Determinao das Equaes de Campo Eletromagntico.......................................... 81
7.4 Expanso das Densidades de Corrente em Termos de Funes de Base ................. 91
7.5 Clculo do Diagrama de Radiao no Plano-E e Plano-H ........................................ 95
7.6 Concluses ................................................................................................................ 96

CAPTULO 8 Arranjos de Antenas ...................................................................98

8.1 Introduo ...................................................................................................................98
8.2 Arranjos Lineares.........................................................................................................98
8.2.1 Fase e Espaamento entre os Elementos em um Arranjo Linear ...........................101
8.3 Arranjo Planar............................................................................................................104
8.3.1 Fase e Espaamento entre os Elementos em um Arranjo Planar ...........................106

CAPTULO 9 Resultados..............................................................................................108
9.1 Introduo .................................................................................................................108
9.2 Descrio da Antena ................................................................................................108
9.2.1 Antena Metamaterial com Patch Supercondutor ..................................................108
9.3 Resultados Numricos ..............................................................................................110
9.4 Anlise de um Ressoador em Anel Partido numa Antena Planar UWB ...................123
9.4.1 Introduo ..............................................................................................................123
9.4.2 Projeto da Antena ..................................................................................................124
9.4.3 Simulaes e Anlise de Resultados .....................................................................126
9.4.4 Concluses..............................................................................................................129
9.4.5 Resultados Experimentais e Discusses ................................................................130

CAPTULO 10 Concluses ........................................................................................ 137

XI
10.1 Concluses .............................................................................................................137
10.2 Sugestes para Trabalhos Futuros .........................................................................139

Trabalhos Publicados pelo Autor ................................................................................140

Referncias Bibliogrficas ............................................................................................142

XII
Lista de Figuras

Figura 2.1 Antena de microfita convencional ....................................................... .........27

Figura 3.1 Resistividade do mercrio em funo da temperatura em Kelvin ...............34
Figura 3.2 Efeito Meissner na transio da temperatura crtica. (a) Temperatura do
supercondutor acima da temperatura crtica; (b) Supercondutor
resfriado abaixo de sua temperatura crtica.........................................35
Figura 3.3 Impedncia de superfcie de um dieltrico, de um metal normal e de um
supercondutor ................................................................................... ...40
Figura 4.1 Antena de Microfita Convencional .......................................................... .....43
Figura 4.2 - Geometrias utilizadas em patches de antenas de microfita ...........................43
Figura 4.3 - Propagao de ondas de superfcie em uma antena patch.............................45
Figura 4.4 - Configurao de campos em uma antena patch ............................................46
Figura 4.5 - Sistema de coordenadas para obteno do diagrama de radiao .................47
Figura 4.6 - (a) Diagrama de Irradiao Linear; (b) Diagrama de Irradiao Polar..........47
Figura 4.7 - Alimentao via Linha de Microfita inset-fed...............................................51
Figura 4.8 - Alimentao via Conector Coaxial................................................................51
Figura 4.9 - Alimentao via Acoplamento por Abertura.................................................52
Figura 4.10 - Alimentao via Acoplamento por proximidade.........................................52
Figura 4.11 - Circuito Equivalente para Antena de Microfita, pelo Modelo da Linha de
transmisso.......................................................................................................53
Figura 4.12 - (a) Efeito franja com um incremento l (b) Distribuio dos campos
eltricos ao longo da antena..............................................................................................53
Figura 5.1 - Diagrama de permissividade () e permeabilidade () para os quatro tipos de
meios. Reproduzido de [40]...............................................................................................60
Figura 5.2 - Ilustrao da propagao em um meio com ndice de refrao positivo
(RHM) e com ndice de refrao negativo (LHM). 1 o ngulo de incidncia e 2 o
ngulo de refrao. Reproduzido de [30]...........................................................................61
Figura 5.3 - Ilustrao das direes do campo eltrico, do campo magntico, do vetor de
Poyting e do vetor de onda (a) RHM e (b) LHM. Reproduzido de [41]............................61
XIII
Figura 5.4 - (a) estrutura composta por fios milimtricos (thin wire TW). (b) estrutura
composta pelos ressoadores de anel partido (split-ring resonator SRRs).
Reproduzido de [29].........................................................................................65
Figura 5.5 - Modelo de circuito equivalente do SRR, (a) SRR configurao dupla e (b)
configurao simples. Reproduzido de [29].....................................................68
Figura 5.6 - Primeiras estruturas LH de TW e SRRs. (a) Estrutura LH unidimensional. (b)
Estrutura LH bidimensional. Reproduzido de [29]............................................................68
Figura 5.7 - Resultados tericos computacionais para uma estrutura TW-SRR, (a)
permeabilidade, (b) permissividade.[27]...........................................................................69
Figura 7.1 Antena de microfita com substrato metamaterial e patch supercondutor ..... 81
Figura 8.1 Geometria de um arranjo linear de N elementos.... ....................................... 99
Figura 8.2 Arranjo de fase em uma antena ................................................................... 101
Figura 8.3 Diagrama do fator de arranjo Linear em duas dimenses com substrato FR-
4.. ....................................................................................................... 102
Figura 8.4 Diagrama do fator de arranjo Linear em duas dimenses com substrato RT-
Duroid.... ............................................................................................ 104
Figura 8.5 Geometria de um arranjo planar de NxM elementos. ................................. 105
Figura 9.1a Estrutura da antena de microfita metamaterial com patch supercondutor 109
Figura 9.1b Antena de microfita metamaterial com patch supercondutor. .................. 110
Figura 9.2 Grfico comparativo da Frequncia em funo do comprimento da fita
condutora, considerando as temperaturas crticas de 90K e 160K. ...112
Figura 9.3 Frequncia em funo da Perda de Retorno para uma antena metamaterial
com caixas de FR-4 e patch supercondutor. .................................... ..113
Figura 9.4 Diagramas de radiao em 2D do plano E e plano H da antena metasuper,
com metamaterial, FR-4; 4, 4 GHz . ..................................................113
Figura 9.5 Frequncia em funo da Perda de Retorno para uma antena metamaterial
com caixas de FR-4 e patch PEC(Condutor Eltrico Perfeito). ........114
Figura 9.6 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena sobre
substrato metamaterial, FR-4, com 4, 4 GHz, patch pec.................................................115
Figura 9.7 - Frequncia em funo da Perda de Retorno para uma antena metamaterial
com caixas de FR-4 e patch cobre...................................................................................115
Figura 9.8 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena sobre
substrato metamaterial, com FR-4; 4, 4 GHz, patch cobre..............................................116

XIV
Figura 9.9 - Frequncia e, funo da Perda de Retorno para uma antena metamaterial com
caixas de FR-4 e patch prata............................................................................................116
Figura 9.10 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena
metamaterial, com FR-4; 4, 4 GHz, patch prata..............................................................117
Figura 9.11 - Frequncia em funo da Perda de Retorno uma antena metamaterial com
caixas de RT-Duroid 6006 e patch supercondutor...........................................................118
Figura 9.12 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena
metamaterial, com RT Duroid 6006; 4, 4 GHz, patch supercondutor.............................118
Figura 9.13a - Antena sobre substrato metamaterial, com caixas de FR-4 e patch
supercondutor, circular.....................................................................................................119
Figura 9.13b - Frequncia em funo da Perda de Retorno para uma antena sobre
substrato metamaterial com caixas de FR-4 e patch supercondutor,
circular.............................................................................................................................119
Figura 9.14 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena sobre
substrato metamaterial, com caixas de FR-4 e patch supercondutor, circular.................119
Figura 9.15Perda de retorno em funo da frequncia, comparando o patch
supercondutor com o patch de cobre.. .............................................................................121
Figura 9.16 - Perda de retorno em funo da frequncia, comparando o supercondutor
com o condutor perfeito...................................................................................................121
Figura 9.17 - Perda de Retorno em funo da Frequncia, comparando o FR-4 com o RT
Duroid 6006.....................................................................................................................122
Figura 9.18 Perda de retorno em funo da frequncia, comparando o FR-4 com o RT
Duroid 6006 e o RT Duroid 5880....................................................................................122
Figura 9.19 - Geometria da antena proposta....................................................................125
Figura 9.20 - Geometria do SRR proposto......................................................................125
Figura 9.21- Geometria do plano de terra da antena 1, 2 e 3 ..........................................126
Figura 9.22- Valores das perdas de retorno (S11) simuladas em funo da frequncia de
operao da antena padro e das configuraes propostas. ............................................127
Figura 9.23- Resultados simulados dos diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E
(azul) e plano H (vermelho) para 5,8 GHz. a) padro, b)antena 1, c) antena 2, d)
antena3.............................................................................................................................129
Figura 9.24- Antena padro construda. ..........................................................................130

Figura 9.25 - Antena 1 construda...................................................................................130

XV
Figura 9.26 - Medio da perda de retorno e carta de Smith para a antenapadro.
.........................................................................................................................................131
Figura 9.27 - Medio da perda de retorno e carta de Smith para a antena 1
.........................................................................................................................................132
Figura 9.28 - Valor medido da impedncia de entrada na carta de Smith, para a antena 2.
.........................................................................................................................................133
Figura 9.29 - Valor medido da impedncia de entrada na carta de Smith, para a antena
3.......................................................................................................................................134
Figura 9.30 - Perda de retorno simulada e medida para a antena padro........................135
Figura 9.31 - Perda de retorno simulada e medida para a antena 1.................................135

XVI
Lista de Tabelas

Tabela 3.1 - Comparao da lmina supercondutora com lminas de cobre e ouro (Hugo
Michel, 2013)....................................................................................................................41
Tabela 4.1 Materiais dieltricos comerciais e suas caractersticas eltricas..................56
Tabela 9.1 - Materiais usados na simulao (HFSS) com metamaterial.........................109
Tabela 9.2- Dimenses entre a antena convencional e a metamaterial............................110

XVII
Lista de Abreviaturas e Siglas

Impedncia Intrnseca do Espao Livre

t Componente tangencial do operador nabla
l Comprimento da fita
Comprimento de onda, =c/f
g Comprimento de onda guiada

L Comprimento do patch
Condutividade
n Condutividade Normal
s Condutividade do Supercondutor
Constante de Propagao na Direo y
I Corrente eltrica
dy, dx Distncia dos elementos de um arranjo na direo Y e X
ti Espessura da ensima camada da microfita
Fase progressiva; constante de fase
FA Fator de Arranjo
Frequncia Angular Complexa
W Largura do patch
Permeabilidade Magntica
Permissividade Eltrica
Nmero de Onda
ki Nmero de Onda da Ensima Regio Dieltrica

J Nmero Imaginrio Unitrio, j 1

eff Permeabilidade Magntica efetiva

xx Permeabilidade Magntica Relativa na Direo x

yy Permeabilidade Magntica Relativa na Direo y

zz Permeabilidade Magntica Relativa na Direo z

XVIII
0 Permeabilidade Magntica no Espao Livre

eff Permissividade Eltrica efetiva

xx Permissividade Eltrica Relativa na Direo x

yy Permissividade Eltrica Relativa na Direo y

zz Permissividade Eltrica Relativa na Direo z

0 Permissividade Eltrica no Espao Livre

ef Profundidade de penetrao efetiva
l Profundidade de penetrao de London
Profundidade pelicular
n Quantidade de partculas
T Temperatura
Tc Temperatura crtica
Tensor Permissividade Eltrica

Tensor Permeabilidade Magntica

n Varivel Espectral na Direo x

k Varivel Espectral na Direo z

x Versor na Direo x
y Versor na Direo y
z Versor na Direo z
E Vetor Campo Eltrico
H Vetor Campo Magntico
n ndice de refrao
Constante de Propagao
SRR Split Ring Resonator
MTSLR Metallic-type Spirial Loop Resonator
TW Thin Wire
LHM Left-Handed Materials
LTT Mtodo da Linha de Transmisso Transversa
RHM Right-Handed Materials
UWB Ultra-Wideband
MMIC Circuito Integrado de Micro-Ondas Monolticos
XIX
Captulo 1
Introduo

1.1 Introduo

Nas comunicaes modernas as antenas so usadas frequentemente. Antenas so

dispositivos que transformam energia eltrica guiada pela linha de transmisso em energia
eletromagntica irradiada, ou transforma energia eletromagntica irradiada em energia
eletromagntica guiada para a linha de transmisso. As antenas so elementos de extrema
importncia para o correto dimensionamento de uma rede sem fio, e seu objetivo
focalizar ou direcionar a energia transmitida, pois elas no amplificam o sinal [1]. As
antenas so usadas tanto para transmitir quanto para receber os sinais. Com os avanos das
telecomunicaes, diversas antenas se comportam de maneira inteligente. E essas antenas
inteligentes so sistemas (conjuntos) de antenas que reagem s mudanas do ambiente
dinamicamente, com o objetivo de fornecer um sinal de maior qualidade e gerar um
melhor aproveitamento das faixas de frequncia nas comunicaes sem fio. A utilizao
de algoritmos mais eficientes, aliado a melhorias significantes no hardware, fez com que o
uso de antenas inteligentes aumentasse consideravelmente na ltima dcada. As
comunicaes sem fio acabaram se tornando a rea mais promissora para a aplicao das
antenas, devido qualidade das pesquisas que vm sendo feitas, e demanda daquele
servio por parte da populao [2].
As antenas convencionais so caracterizadas por baixos valores de diretividade,
contudo, em muitas aplicaes necessrio projetar antenas com alta diretividade, para
atender aos requisitos de comunicao longa distncia. Alm do mais, o padro de
irradiao da antena uma caracterstica muito particular e imutvel. Em algumas
situaes necessrio mud-lo, eletronicamente, para atender, com eficincia, aos
requisitos de comunicao exigidos por alguns sistemas [4].
Em relao aos supercondutores, uma teoria microscpica muito utilizada, chamada
teoria BCS (elaborada por Bardeen, Cooper e Schrieffer) e as teorias macroscpicas, mais
conhecidas so: o Modelo dos Dois Fludos e as Equaes de London. As teorias BCS,
Equaes de London e modelo dos Dois Fluidos so as teorias que do suporte a aplicao
dos supercondutores nas antenas de microfita. Os arranjos de fase so analisados em

21
configuraes lineares e planares de suas antenas, de forma que so obtidos os fatores de
arranjos para tais configuraes e os critrios da fase e do espaamento entre os elementos
que compe o arranjo, so examinados com o objetivo de obter um lbulo principal com
alta diretividade e alto ganho. [5]
Na antena utilizada h dados comparativos entre a frequncia de ressonncia em
funo do comprimento da fita condutora, considerando duas temperaturas crticas, sendo
as dimenses da antena com substrato metamaterial e patch supercondutor, com uma
temperatura crtica de 90K a 160K, h = 2 cm, w = 25 mm e o supercondutor YBCO e
(Tl4Ba)Ba2Ca2Cu7O13+ com parmetros: n = 2,0 .105 S/m, ef = 150 nm e t = 0.05 mm.
Em relao s antenas de microfita observamos que, com o avano da eletrnica
digital, tm surgido dispositivos eletrnicos cada vez menores. Ao mesmo tempo, a
engenharia de telecomunicaes tem buscado acompanhar essa evoluo com o projeto de
sistemas radiantes igualmente reduzidos. A possibilidade de diminuir cada vez mais as
dimenses dos sistemas radiantes uma vantagem, j que deixam de ser um impedimento
miniaturizao dos dispositivos que fazem uso de antenas e, nesse sentido, as estruturas
planares tem recebido ateno especial, uma vez que possuem propriedades interessantes,
tais como: baixo custo, facilidade de acomodao em pequenos espaos, alm de
apresentarem estrutura fina em perfil. A forma mais simples das antenas de microfita
consiste de uma placa condutora sobre um plano de terra, separados por um substrato
dieltrico, de forma que a permissividade dieltrica relativa do dieltrico seja baixa,
tipicamente menor que 2,5, para garantir que o dieltrico no interfira muito na radiao
do campo magntico. Essas antenas so finas em perfil, e so facilmente aplicveis a
comunicaes mveis e aeroespaciais. Sua utilizao no uma novidade no mundo das
comunicaes e se pode considerar que esta tecnologia j tem um razovel grau de
maturidade e vrias limitaes de seu uso j foram superadas. Essas antenas
desempenham, atualmente, um papel importante em telecomunicaes, sendo disponveis
em uma grande variedade de configuraes [6].
Em relao aos metamateriais, pesquisadores vm estudando as possibilidades
associadas a um tipo artificial de matria conhecido como metamaterial. No caso dos
metamateriais, a soma das partes, e no as partes por si ss, que determinam a maneira
pela qual o material se comporta. Os pesquisadores descobriram que, com o uso de certos
materiais - como ouro e cobre dispostos em certas formas e padres - possvel combinar
as propriedades dos materiais envolvidos. Em outras palavras, diferentemente da matria
natural, o comportamento dos metamateriais depende das propriedades dos materiais que
o compem, mas tambm da forma como esses materiais foram combinados. Assim, os22
metamateriais poderiam fazer com que um objeto parecesse invisvel. Para simplificar a
explicao, David Smith, da Universidade Duke, prope o seguinte paralelo: imagine um
tecido formado de fios. No tecido, a luz s pode viajar pelos fios (ou seja, no poderia
percorrer os espaos e cavidades entre os fios). Caso voc faa um buraco no tecido com
um alfinete, a luz contornaria esse orifcio e retomaria seu percurso original mais adiante,
j que ela s poderia viajar pelos fios. Assim, para as ondas de luz, o buraco no existe.
Caso voc insira um objeto no buraco, as ondas de luz contornariam tambm o objeto, o
que na prtica o tornaria invisvel [7].
E desde o primeiro trabalho terico do Fsico Russo Victor G. Veselago publicado
em 1968 a respeito dos materiais denominados de Left Handed Metamaterials (LHM) ou
simplesmente Metamateriais[3], pesquisadores ao redor do mundo vem realizando estudos
a respeito do uso desses metamateriais em antenas planares, como as antenas de microfita,
para diversas aplicaes nas reas de Telecomunicaes, Medicina, Defesa, etc. Nesse
contexto enfatizam-se os mtodos de fabricao e vrias geometrias s incluses como
condies de contorno indispensveis na obteno do sucesso da tarefa proposta [8].
Assim, a antena de microfita sobre substrato metamaterial e patch supercondutor
foi analisada atravs do mtodo da Linha de Transmisso Transversa (LTT), aplicado no
domnio da transformada de Fourier (FTD). O LTT um mtodo de onda completa, que
tem como regra a obteno dos campos eletromagnticos em termos das componentes
transversais estrutura. A incluso do patch supercondutor feita utilizando-se a condio
de contorno complexa resistiva. Foram obtidos resultados da frequncia de ressonncia em
funo dos parmetros da antena bem como diagramas de radiao do Plano-E e Plano-H.

1.2 Objetivos
O principal objetivo desta tese realizar um estudo de metamateriais em antenas
de microfita, com a utilizao de um patch supercondutor.
De incio, foi realizado um estudo a respeito do uso do metamaterial como
substrato em antenas de microfita, com a utilizao do patch supercondutor, fazendo uma
anlise terica, com um formalismo matemtico, utilizando o Mtodo da Linha de
Transmisso Transversa - LTT [9-10] em conjunto com o mtodo de Galerkin, caso
particular do mtodo dos Momentos [11], os quais so mtodos de anlise rigorosa no
domnio espectral.
Numa outra etapa se comparou o patch convencional com o supercondutor e
depois se comparou um substrato metamaterial com um convencional, juntando o23
substrato com o patch, verificando o que melhorou em ambos os quesitos, demonstrando,
assim, a utilizao prtica destas estruturas em antenas fabricadas em laboratrio.
Este trabalho uma anlise terica, numrica, computacional e experimental,
aplicando-se o mtodo da Linha de Transmisso Transversa LTT, e para validao das
anlises foram elaborados programas computacionais na linguagem Fortran, simulaes
no software comercial, sendo as curvas traadas no software grfico. Neste trabalho se
compara o patch convencional com o supercondutor e depois se compara um substrato
metamaterial com um convencional, juntando o substrato com o patch, verificando o que
melhora em ambos os quesitos, demonstrando a utilizao prtica destas estruturas em
antenas fabricadas em laboratrio.

1.3 Motivao

A indstria de comunicaes sem fio, com o crescimento vertiginoso nos ltimos

anos, mostra que um mecanismo confivel para transportar dados, voz e vdeo.
Outra questo, ainda, que a atual condio da sociedade da Era Digital fez com
que todos dependessem cada vez mais de aplicaes sem fio. Aps algum tempo, com a
intensificao do uso desses aparelhos (celulares, internet sem fio, rdios), a comunicao
comea a apresentar falhas e reduo na qualidade da transmisso. A interferncia que
passava a incomodar levou pesquisa de formas alternativas para se transmitir dados,
diminuindo a interferncia entre canais de comunicao diferentes. Dessa procura por
novas formas de transmisso surgiu, dentre outros, o conceito de antenas inteligentes.
A utilizao de algoritmos mais eficientes, aliado a melhorias significantes no
hardware, fez com que o uso de antenas inteligentes aumentasse consideravelmente na
ltima dcada. As comunicaes sem fio acabaram se tornando a rea mais promissora
para a aplicao das antenas, devido qualidade das pesquisas que vm sendo feitas, e
demanda daquele servio por parte da populao.
As necessidades de diferentes tipos de trfego e de requisitos de alta mobilidade
em sistemas de comunicaes, apontam para o desenvolvimento de antenas especiais
nesse contexto que surgem as antenas de microfita, como soluo mais vivel, j que so
antenas de pequena espessura e baixo peso, com facilidades de integrao a circuitos
eletrnicos e conformao s estruturas de suporte. Alm dessas propriedades apresentam
baixo custo de produo, com poucas desvantagens. Nas formas mais comuns da antena
de microfita (retangular e circular), sua desvantagem principal a largura de banda
estreita, normalmente de 1 a 2 %, em relao frequncia central da banda, para24
determinada condio de casamento de impedncia entre a alimentao e a antena [12].
Diante dessas abordagens, o caminho para a utilizao de antenas inteligentes em
comunicaes modernas, com a construo de antenas de microfita envolvendo
metamateriais e supercondutores, criou um fator motivacional, razo pelo qual se props
este trabalho.

1.4 Organizao da Tese

Este trabalho est composto por 10 captulos. No captulo 1 enfatiza-se a

introduo, objetivos, motivao e organizao da tese. No captulo 2, destacou-se o
levantamento do Estado da Arte, com informaes sobre as antenas de microfita, os
supercondutores, os metamateriais e uma proposta de doutorado. No captulo 3, foi
apresentado um resumo terico sobre o fenmeno supercondutivo [13]-[14], os mais
importantes mtodos de anlise dos supercondutores [15]-[16], os principais efeitos
temperatura abaixo da temperatura crtica desses materiais e os efeitos em relao s
frequncias elevadas. No captulo 4, so exibidos os conceitos fundamentais das antenas
planares de microfita, onde a estrutura padro e as caractersticas principais dessas antenas
so discutidas e analisadas bem como os mtodos de alimentao e anlise mais utilizados
por essas antenas. No captulo 5, descrevem-se os metamateriais, enfatizando um estudo
geral do ndice de refrao, permeabilidade e permissividade, definidos os principais tipos
de metamateriais, descrevendo-se suas estruturas, equacionamentos e curvas
caractersticas. No captulo 6, apresenta-se a aplicao do mtodo da Linha de
Transmisso Transversa LTT. O Captulo 7 aborda a obteno da equao dos campos
magnticos e eltricos utilizando o mtodo LTT, onde, a partir das equaes de Maxwell
sero determinadas as expresses gerais dos componentes dos mesmos em uma regio
qualquer e, dessa forma, obtm um conjunto de equaes, nas quais os componentes dos
campos nas direes x e z so determinadas em funo dos componentes na direo y,
considerando uma propagao virtual nesta direo. O mtodo ser empregado no
desenvolvimento de todas as equaes dos campos eletromagnticos das estruturas de
antenas de microta com substrato metamaterial e patch supercondutor, sendo essas
equaes o ponto de partida para todo o desenvolvimento analtico. No Captulo 8, ser
abordada a teoria sobre arranjo de fase em antenas, em configuraes lineares e planares
de seus elementos [17]-[18], mostrando como determinar o fator de arranjo, que de
fundamental importncia na determinao dos diagramas de radiao das estruturas
analisadas. O capitulo 9 mostra os resultados numricos para a antena de microta com25
substrato metamaterial e patch supercondutor, alm de simulaes com outros substratos e
outros elementos ressoadores. No Captulo 10, so apresentadas as concluses e as
perspectivas para trabalhos futuros. Em seguida so exibidos os trabalhos publicados e as
referncias bibliogrficas.

26
Captulo 2
Levantamento do Estado da Arte

2.1 Antenas de Microfita e Suas Aplicaes

2.1.1 Estruturas das Antenas

As pesquisas na rea de telecomunicaes aplicada, aliada a construo cada vez

mais sofisticada de circuitos integrados de microondas, tem como resultado um maior
estudo envolvendo antenas lineares e planares. As primeiras publicaes a respeito de
antenas patch ocorreram na dcada de 50 com Deschamps [19] nos Estados Unidos e com
Gutton e Baissinot na Frana [20], mas pesquisas envolvendo antenas planares somente
ganhou fora a partir da dcada de 70, com o trabalho de Byron [21].
Aps anos de investigao, verificou-se que o desempenho e funcionamento de
antenas de microfita dependem principalmente da geometria usada para o elemento
radiante (quadrada, retangular, etc.) e das caractersticas do substrato onde a antena est
impressa.
Na sua estrutura mais simples a antena de microfita composta de um elemento
metlico (patch) depositado num substrato que por sua vez est sobre um plano de terra,
como mostrado na Figura 2.1. O patch ou elemento ressoador pode ter vrias geometrias
tais como: quadrada, retangular, circular, elptica, triangular ou qualquer outra
configurao de acordo com a caracterstica desejada. As antenas so dispositivos que so
capazes de transformar ondas guiadas em ondas radiadas ou vice-versa, e tem como
objetivo complementar e/ou otimizar a radiao em determinadas direes e minimiz-las
em outras.

Figura 2.1: Antena de microfita convencional.

27
 No entanto, este dispositivo planar tem uma escassa largura de banda que
normalmente exigida para aplicaes prticas. Alm disso, as aplicaes atualmente na
rea de sistemas de comunicaes mveis, normalmente exigem antenas de menor
dimenso, com o objetivo de satisfazer a miniaturizao das unidades mveis. Desta
forma, tamanho e boa largura de banda esto a tornar-se importantes para a concepo nas
aplicaes prticas de antenas de microfita.
Por esta razo, os estudos para a uma maior compactao e de uma maior largura
de banda das antenas de microfita tem aumentado bastante e avanos significativos na
concepo de antenas compactas com maior largura de banda, frequncia dupla,
polarizao dupla, polarizao circular e melhoramento das operaes de ganho, foram
apresentados nos ltimos anos [22].

2.1.2 Aplicaes

As antenas de microfita foram usadas na dcada de 1970, principalmente para

aplicaes espaciais, contudo atualmente elas so utilizadas em vrios tipos de aplicaes
comerciais.
Alm da facilidade da fabricao dessas antenas, elas apresentam boa robustez
mecnica quando montados em superfcies rgidas e so muito versteis em termos de
frequncia ressonante, polarizao, padro de radiao e impedncia de entrada.
Nas comunicaes mveis, esta tecnologia utilizada em GPS, telemveis,
portteis, pagers e PDA's. Esses dispositivos necessitam de antenas pequenas, leves e
compactas.
Nas torres das estaes base de comunicaes mveis h uma necessidade de
instalar estruturas com pouco peso e tamanho para serem de mais fcil construo e
instalao e, alm disso, preciso ter antenas com diagramas de radiao setoriais, com o
objetivo de realizar uma cobertura adequada. Com antenas de microfita, podem-se obter
estas caractersticas, a partir da construo de agrupamentos de antenas deste tipo. Estas
antenas tambm so usadas em navios, barcos ou outro tipo de veculo quando til ter
antenas pequenas, leves e adaptveis estrutura onde so instaladas por forma a no
afetarem o desempenho do veculo. Nas comunicaes via satlite tambm se usam este
tipo de antenas.
Desta forma, extremamente importante o aprofundamento de estudos de
melhoramento na construo desta tecnologia, tendo em vista a importncia para as
comunicaes sem fio. 28
 2.2 Materiais Supercondutores

2.2.1 Introduo
Sobre a supercondutividade, uma teoria microscpica muito utilizada a chamada
teoria BCS [13]-[23] (elaborada por Bardeen, Cooper e Schrieffer, da o nome dessa sigla)
e as teorias macroscpicas usadas, mais conhecidas so o Modelo dos Dois Fludos e as
Equaes de London [24]-[25].

2.2.2 Caractersticas dos Materiais Supercondutores

Em 1908, H. Kamerlingh Ones iniciou a fsica de baixas temperaturas,

liquefazendo o Hlio em laboratrio, na Holanda. Trs anos depois, quando analisava a
resistividade de uma amostra de mercrio, notou que abaixo de 4,15 K, a resistividade
desta caa abruptamente ao zero. A transio da condutividade normal ocorre em uma
faixa muito estreita da ordem de 0,05 K.

2.2.3 Aplicaes
As aplicaes so vrias, como construo de bobinas com fios supercondutores,
que possibilitam gerar campos magnticos intensos, os quais seriam impraticveis se
fossem utilizados fios comuns, como exemplo, fios de cobre. Essas bobinas podem ser
usadas na construo de Maglev, trens que levitam; aparelhos de ressonncia magntica
nuclear, que geram um campo magntico homogneo na regio onde o paciente
colocado e um sensor capta informaes que formaro as imagens e, por fim, sensores
SQUID (Superconducting Quantum Interference Device), que permitem realizar medidas
magnticas extremamente sensveis [26].

2.3 Metamateriais

2.3.1 Introduo

As propriedades eltricas e magnticas dos materiais podem ser determinadas por

dois parmetros constitutivos, denominados permissividade eltrica () e permeabilidade
magntica (). Em conjunto, a permeabilidade e a permissividade determinam a resposta
do material, quando uma onda eletromagntica se propaga atravs do mesmo. Geralmente,
e so ambos positivos em meios convencionais. Enquanto pode ser negativo em29
alguns materiais (por exemplo, pode apresentar valores negativos abaixo da frequncia
de plasma dos metais), nenhum material natural com negativo conhecido. Porm,
certos materiais, chamados de materiais LHM (Left-Handed Materials), possuem
permissividade efetiva (eff) e permeabilidade efetiva (eff) apresentando,
simultaneamente, valores negativos [27]. Em tais materiais, o ndice de refrao (n)
negativo, fator este que resulta na inverso de fenmenos eletromagnticos conhecidos, os
quais foram investigados, teoricamente, pelo fsico russo Veselago[3]. Na poca da
publicao do estudo, o prprio Veselago ressaltou que tais materiais no estavam
disponveis na natureza, o que fez com que suas observaes ficassem apenas no territrio
das curiosidades.
Esses novos materiais so denominados de metamateriais, onde o prefixo meta
uma aluso natureza excntrica de seus parmetros eletromagnticos. Entretanto,
existem outras denominaes para estes meios, na literatura, de acordo com as
propriedades do material, tais como materiais left-handed (LHM), materiais de ndice de
refrao negativo (NRI), materiais de ndices negativos (NIM), materiais duplo-negativos
(DNG), dentre outros.
Os metamateriais surgiram como a mais promissora tecnologia, capaz de atender
s exigncias excepcionais dos sistemas atuais e futuros de comunicaes. Baseados em
uma atraente e revolucionria classe de materiais que possuem novas e poderosas
propriedades de propagao eletromagntica, eles foram considerados pela revista Science
como sendo um dos maiores avanos da cincia no ano de 2006 [28].

2.3.2 A Nova Classe de Materiais: Metamateriais

As caractersticas desses meios artificiais vo alm de sua funcionalidade, j que
permitida a combinao de sinais entre os parmetros de permissividade e permeabilidade.
Esses parmetros so relacionados ao ndice de refrao n dado por [29]:

n r r

onde r e r so a permeabilidade e permissividade relativas, respectivamente, e que so

relacionadas com a permeabilidade e a permissividade no espao livre, como
0 = /r = 410-7 e 0 = /r = 8.85410-12, respectivamente. Na eq. 3.1 o sinal para um
duplo valor da funo raiz quadrada admitido a priori para casos gerais. As quatro
possibilidades de combinaes de sinais para e so (+,+), (+,-), (-,+) e (-,-),
30
 Veselago determinou que se ou fossem negativos, ou seja, tivessem sinais
opostos, o material no suportaria a propagao de ondas eletromagnticas [3].
Vale ressaltar que estes materiais artificiais, com ndice de refrao negativo,
possuem os valores de e dependentes da frequncia, ou seja, so meios dispersivos,
sendo simultaneamente negativos dentro de uma estreita faixa de frequncia [29].
Os metamateriais tambm podem ser projetados de modo que possam apresentar
os mesmos parmetros eletromagnticos dos materiais pertencentes aos outros trs
quadrantes. Da, muitos trabalhos tm sido desenvolvidos e validados experimentalmente
[30-31], [32].

2.3.3 Aplicaes

Essa a ideia por trs do funcionamento dos metamateriais. De produo sinttica

e artificial, eles tm propriedades capazes de curvar as ondas eletromagnticas de tal
maneira que seja possvel para a luz, por exemplo, contornar um objeto e retornar seu
percurso atrs dele, sem refletir ou produzir sombras no processo.

Para manipular as ondas eletromagnticas, o metamaterial usado precisa ser menor

que o comprimento de onda em questo. Como essas ondas em geral j tm dimenses
na ordem dos nanmetros, necessrio criar metamateriais pequenos o suficiente para
distorcer essas ondas, fazendo com que elas contornem um objeto. Por essa razo, a
aplicao de metamateriais depende diretamente do desenvolvimento da nanotecnologia
e da possibilidade de fabricar nanoestruturas com materiais de ondas mais curtas. Para
conduzir ondas na faixa da luz visvel, por exemplo, os metamateriais precisam chegar a
estruturas de 50 nanmetros. As experincias mais avanadas nesse campo produziram
materiais de 100 nm, que ainda no produz uma invisibilidade completa dos objetos, mas
j capaz de refratar algumas cores.
Nas telecomunicaes, os sinais de telefonia celular e internet wireless poderiam
ter melhor alcance e desempenho, sem perder a frequncia por obstruo de objetos. Na
eletrnica, chips em nanoestruturas podem ter tamanhos reduzidos e ainda ter um
aumento de velocidade no processamento de dados. Na produo energtica, estruturas
criadas com metamateriais poderiam contribuir para a captura de raios solares e a
produo de energia solar em painis menores do que os utilizados atualmente. Nas
cmeras e sistemas de vigilncia, cmeras que utilizem imagens comprimidas em micro-
ondas, sem lentes e sem partes mveis poderiam substituir os portes de segurana em
aeroportos, por exemplo. 31
 2.4 Tese de Doutorado

Este trabalho uma anlise terica, numrica, computacional e experimental,

aplicando-se o mtodo da Linha de Transmisso Transversa LTT, e para validao das
anlises foram elaborados programas computacionais na linguagem Fortran, simulaes
no software comercial, sendo as curvas traadas no software grfico. Compara-se o patch
convencional com o supercondutor e um substrato metamaterial com um convencional, e
em conjunto, o substrato metamaterial com o patch supercondutor, verificando-se uma
melhoria na utilizao destas novas estruturas de antenas.

32
Captulo 3
Supercondutores

3.1 Introduo

Num mundo globalizado como o nosso, novas descobertas despertam interesse no

s pelo potencial tecnolgico, mas tambm pela contribuio que a compreenso dos
mecanismos desses materiais poder trazer no campo da fsica bsica e na engenharia em
geral.
O fenmeno da supercondutividade foi descoberto em 1911 por Heike
Kammerlingh Onnes, em Leiden, Holanda. Ele foi o primeiro a conseguir a liquefao do
gs hlio, que acontece em 4,2 K (aproximadamente -269,2 C). Onnes estava
pesquisando as propriedades de diversos metais em temperaturas extremamente baixas,
colocando o material no banho de hlio lqido. A descoberta da supercondutividade
aconteceu por acaso e, inicialmente, o fenmeno foi chamado supracondutividade,
evoluindo para supercondutividade. Com essa descoberta, uma nova classe de condutores
foi desenvolvida: os materiais supercondutores. A supercondutividade se converteria
assim em um dos fenmenos fsicos mais fascinantes e desafiadores do sculo XX.
Kammerlingh Onnes ganhou o Prmio Nobel de Fsica em 1913 pelo seu descobrimento.
A teoria microscpica da supercondutividade, muito utilizada chamada teoria
BCS [13]-[23] (elaborada por Bardeen, Cooper e Schrieffer) e as teorias macroscpicas,
sendo as mais conhecidas, o Modelo dos Dois Fludos e as Equaes de London [24]-[25].

3.2 Caractersticas dos Materiais Supercondutores

At pouco mais de uma dcada atrs, a supercondutividade ocorria apenas em

temperaturas muito baixas, da ordem de 25 K (ou -248 C). Entretanto, a descoberta de
novos materiais supercondutores, como os xidos cermicos, os fullerenos, os
borocarbetos e o composto intermetlico MgB2, tem despertado um enorme interesse na
comunidade cientfica mundial, em razo do seu potencial tecnolgico em termos de
dispositivos (mquinas, sensores, detectores etc.) e pela contribuio que a compreenso
dos seus mecanismos poder trazer no campo da fsica bsica. A transio da
condutividade normal ocorre em uma faixa muito estreita da ordem de 0,05 K, conforme33
Figura 3.1.

Figura 3.1 - Resistividade do mercrio em funo da temperatura em Kelvin.

Existem algumas caractersticas experimentais que os materiais supercondutores

apresentam tais como:

Corrente persistente;
Resistividade nula;
Efeito Istopo;
Excluso de fluxo;
Efeito da freqncia;
Efeito do campo magntico;

Um disco de material supercondutor sendo resfriado em um campo magntico a

uma temperatura inferior temperatura crtica (T < Tc), temperatura na qual o material se
torna supercondutor, e o campo sendo desligado de modo a produzir correntes induzidas
no disco. A corrente (corrente persistente) que tem sido analisada no se reduz com o
passar do tempo. Em experimentos utilizando uma espira de 700 metros de um cabo no
indutivo no foi possvel obter decrscimos na corrente num perodo de observao de 12
horas.
Em 1933, Walther Meissner e Robert Ochsenfeld descobriram que, ao expor um
material supercondutor a um campo magntico externo, este exclua todo fluxo de seu
interior at um campo crtico, Hc, acima do qual o efeito supercondutor era destrudo.
Esse efeito ficou conhecido por Efeito Meissner-Ochsenfeld, comumente chamado Efeito
Meissner. Teorias fenomenolgicas, como a de Ginzburg e Landau, que data de 1950,
apareceram na tentativa de explicar a supercondutividade. Mais tarde, com sua34
demonstrao a partir da teoria BCS (J. Bardeen, L. Cooper e J. R. Schriffer), ela ganhou
respeito e popularidade no meio devido a sua simplicidade.
Observou-se que em um supercondutor longo e resfriado a uma temperatura abaixo
da crtica em um campo magntico, as linhas de induo no interior do supercondutor
eram expulsas para fora. O efeito Meissner conforme mostrado na figura 3.2 mostra que o
supercondutor apresenta diamagnetismo perfeito (diamagntico). Sugere assim, que o
diamagnetismo perfeito e a resistividade nula so efeitos independentes do estado
supercondutor.

(a) (b)
Figura 3.2: Efeito Meissner na transio da temperatura crtica. (a) Temperatura do supercondutor
acima da temperatura crtica; (b) Supercondutor resfriado abaixo de sua temperatura crtica.

Em corrente contnua a medio da resistividade no estado supercondutor nula.

No infravermelho a resistividade a mesma que a do estado normal, medida no
coeficiente de reflexo pela passagem do campo magntico crtico. A transio entre a
baixa e a alta frequncia ocorre gradualmente ao longo da faixa de micro-ondas. Medies
indicam que a resistividade a do estado normal para comprimentos de onda abaixo de
100 m (3000 GHz).
Os compostos supercondutores e ligas so frequentemente caracterizados por uma

alta temperatura crtica (Tc), alto campo crtico ( H c ), efeito Meissner incompleto, entre35
outras. Devido a estas propriedades eles so conhecidos como supercondutores no-ideais
ou rgidos. Estas propriedades anmalas no tm encontrado ainda uma completa
explicao. Os materiais supercondutores formados por apenas um nico elemento so
chamados supercondutor do tipo I, enquanto que as ligas so denominadas supercondutor
do tipo II.

3.3 Teoria BCS da Supercondutividade

Em 1957, John Bardeen, Leon Cooper e J. Robert Schriffer propuseram uma teoria
microscpica que assume os supereltrons como os portadores de carga do estado
supercondutor. Eles so formados por dois eltrons com spins e movimentos lineares
opostos, atrados pelos fnons (vibraes) da rede. Uma interao atrativa entre eltrons
pode ser conduzida a um estado fundamental separado de estados excitados por uma
lacuna de energia, que separa os eltrons supercondutores abaixo da lacuna dos eltrons

normais. O campo crtico ( H c ), as propriedades trmicas e muitas outras propriedades
eletromagnticas so consequncias dessa lacuna de energia.

A teoria BCS, analisando detalhadamente o acoplamento entre eltrons e fnons,

mostra que os eltrons dos pares de Cooper tm energia ligeiramente inferior energia dos
eltrons individuais no pareados. Em termos tcnicos, diz-se que existe um "gap" de
energia separando os eltrons emparelhados dos eltrons normais,
quando um eltron, em um condutor normal, interage com os tomos da rede, d-se uma
troca de energia, como costuma acontecer em toda interao. Na interao, o eltron pode
transferir energia para os tomos, como uma bola de sinuca se chocando com outra, e, no
processo, os tomos so "excitados". Isto , a energia da interao gera uma vibrao nos
tomos da rede. Foi o que vimos em uma das animaes da seo anterior. Isso provoca o
aquecimento do material, resultando em uma resistncia ao deslocamento dos eltrons
livres. No entanto, se dois eltrons j estiverem ligados em um par de Cooper, essa
interao com outros tomos da rede s ser possvel se a energia trocada for maior que a
energia do "gap". Quando a temperatura alta, h muita disponibilidade de energia
trmica para isso, e os pares de Cooper nem conseguem se formar, ou, quando se formam,
so logo aniquilados. No entanto, baixando-se a temperatura, pode-se chegar a um valor
no qual a energia disponvel para trocas trmicas menor que a energia do "gap". Quando
isso acontece, alguns pares de Cooper no so aniquilados pela agitao trmica. Mesmo
que os eltrons de um par se choquem com tomos da rede, no haver troca de energia36
entre eles. Em processos qunticos, como so esses choques, s pode haver troca de
energia se o "gap" for vencido. No pode haver troca parcial de energia. O choque, se
houver, ser "elstico", sem perda de energia pelos eltrons.

A temperatura na qual o material fica supercondutor, chamada de temperatura

crtica, TC, uma medida do tamanho do "gap" de energia. Em um supercondutor tpico,
do tipo conhecido at a dcada de 80, a energia do "gap" era bem pequena, da ordem de
0,01 eltrons-volt. Por isso, as temperaturas crticas desses supercondutores so to
baixas.

3.4 Equaes de London

Pode-se fazer uma aproximao nas equaes da eletrodinmica, permanecendo

iguais permeabilidade () e a permissividade () e utilizando-se a hiptese de que a
resistividade nula conduz equao da acelerao, conforme apresentado abaixo [13]-
[23]:

dv
eE m (3.1)
dt

j
E (3.2)
r

j B (3.3)
Sendo:
j nev (3.4)

m
(3.5)
ne2

Das equaes acima pode-se obter as equaes abaixo:

B
2 B (3.6)
l2
Sendo:

mc 2
l2 (3.7)
4 ne2
37
l a profundidade de penetrao de London, que mede a penetrao do campo magntico
no supercondutor. O m a massa da partcula, n a quantidade de partculas e e a
carga do eltron. O c a velocidade da luz no vcuo e v a velocidade de
arrastamento da partcula.
A equao (3.6) explica o efeito Meissner, no permitindo uma soluo uniforme
no espao, no podendo existir um campo magntico uniforme num supercondutor. A
soluo para a equao (3.6) a indicada abaixo:

x
B x B0e l
(3.8)

Um campo magntico aplicado penetrar numa pelcula fina, de modo

aproximadamente uniforme, se a espessura for muito menor do que l; portanto num filme
fino o efeito Meissner no completo.

3.5 Modelo dos Dois Fluidos

No h uma teoria macroscpica que descreva com exatido as propriedades

eltricas do supercondutor a temperaturas abaixo da crtica. O modelo mais comumente
usado para essas temperaturas o modelo dos dois fluidos, que tem sido aplicado com
muito sucesso. Mesmo antes da teoria BCS, em 1934 Gorter e Casimir desenvolveram o
modelo dos dois fluidos, baseado no conceito de que h dois fluidos em um
supercondutor: uma corrente supercondutiva e uma corrente condutiva normal [34].
A teoria BCS muito utilizada em supercondutores com baixa temperatura crtica,
enquanto que o modelo dos dois fluidos usado em supercondutores com alta temperatura
crtica.
A condutividade complexa obtida do modelo dos dois fluidos expressa por (3.9),
enquanto que para um supercondutor do tipo II, utiliza-se o modelo dos dois fluidos
avanado, sendo a condutividade expressa em (3.10) [24]-[34]:

4
T 1
n j
2 T
(3.9)
Tc ef

1
T 2 1
n j
T
2
(3.10)
Tc ef
38
Sendo: n a condutividade normal Tc; ef a profundidade de penetrao efetiva do
campo magntico, dada pela equao abaixo para o modelo dos dois fluidos normal e
avanado [24]-[34]

1
T 4
ef T ef 0 1 (3.11)
Tc

1
T 2

ef T ef 0 1 (3.12)
Tc

Sendo 1,4 < <1,8 [34].

Nas teorias desenvolvidas tem-se que a profundidade de penetrao efetiva
maior que a profundidade de penetrao de London para materiais de alta Tc devido a
irregularidades do material. O efeito de outros mecanismos de perdas, como as perdas
dos contornos da superfcie e perdas residuais so freqentemente includas em n.

Apesar dessas incertezas o modelo dos dois fluidos ainda uma ferramenta emprica
poderosa e fornece importantes resultados qualitativos.

3.6 Impedncia de Superfcie

As impedncias de superfcie de um material dieltrico, um metal comum e um

supercondutor so mostradas na Figura 3.3 [35].

Figura 3.3 - Impedncia de superfcie de um dieltrico, de um metal normal e de um supercondutor.

A impedncia de superfcie de um material dieltrico sem perdas ou de baixas

perdas real positivo. A impedncia de superfcie de um metal normal se encontra ao 39
longo da linha de 45 e para um supercondutor, que tambm pode ser tratado como
dieltrico negativo (de acordo com alguns autores) a impedncia de superfcie se encontra
no eixo imaginrio positivo. No caso limite em que a condutividade () tender a infinito
no condutor, ou a constante dieltrica (r) tender a infinito no dieltrico, a impedncia de
superfcie tender a zero. Quando se aproximam da origem no possvel distinguir
macroscopicamente o supercondutor do condutor perfeito. Para um condutor, a reatncia
indutiva igual resistncia, porm, para o supercondutor, a parte reativa muito maior
que a parte resistiva. A impedncia de superfcie dada por:

ET j
ZS (3.13)
J
Sendo:

t
J Jvdz (3.14)
0

Considerando-se a profundidade de penetrao efetiva (ef) maior que a espessura

do filme supercondutivo pode-se aproximar a impedncia de superfcie por [24]-[34]:
t
J J v d z J vt (3.15)
0

ET E 1
ZS T (3.16)
J J vt t

Sendo J v a densidade de corrente volumtrica uniforme e t a espessura da lmina
supercondutora.
Para uma fina lmina supercondutora, ou fita condutora normal, onde o campo
interno da fita aproximadamente uniforme, a componente tangencial do campo eltrico
dada por:
ET Z S J t (3.17)

sendo E T a componente do campo eltrico tangencial lmina e J T a densidade de
corrente de superfcie.
Abaixo, so dadas algumas informaes com o interesse de comparar o
supercondutor aos metais no-supercondutores como o ouro e o cobre. Com isto
fornecida uma vista global dos supercondutores.
40
 Tabela 3.1 - Comparao da lmina supercondutora com lminas de cobre e ouro (Hugo Michel, 2013)

Supercondutor Metal Metal

YBa2Cu3O7-x Supercondutor Normal Normal
(YBCO) SnBaCaCuOy Cobre Ouro (Au)
(Cu)

ef(T=0 K) 1500 3655,3 0 0

n 1.5 105 S/m 2.0 105 S/m 61.5 S/m 43.5 S/m

Tc 90 K (-180,15o C) 160K (-19C) - -

3.7. Concluses
A supercondutividade tem proporcionado conhecer novos mecanismos bsicos da
natureza, utilizando suas propriedades para importantes aplicaes em equipamentos
cientficos e tecnolgicos nas mais diversas reas. Contudo, h muito, ainda, a ser
descoberto e aperfeioado, principalmente em relao obteno de novos materiais, com
melhores parmetros. A obteno de materiais supercondutores, com temperaturas crticas
mais altas esto em fase de pesquisas internacionais.

41
Captulo 4
Antenas de Microfita

4.1 Estruturas da Antena

A configurao como conhecida nos dias atuais para antenas de microfita foi
proposta por [Howell, 1972] e [Munson, 1974]. No entanto, o primeiro trabalho
relacionado com esse tipo de antenas patch ocorreram na dcada de 50 com Deschamps
[19] nos Estados Unidos e com Gutton e Baissinot na Frana [20]. No entanto, pesquisas
envolvendo antenas planares ganhou fora a partir da dcada de 70, com o trabalho de
Byron [21].
Atravs de pesquisas foi-se verificando que o bom funcionamento e desempenho
das antenas de microfita dependem principalmente da geometria usada para o elemento
radiante (quadrada, retangular, etc.) bem como das caractersticas do substrato onde a
antena est impressa.
Tambm conhecidas como antenas impressas, em sua configurao mais simples,
consistem em um elemento irradiador (patch) com espessura 910 Antenas de Microfita t,
sobre um dos lados de um substrato dieltrico com altura h, e no outro um plano de terra,
como mostrado na Figura 4.1. O elemento irradiador, geralmente de cobre ou ouro, pode
assumir virtualmente qualquer formato, mas freqentemente so adotados formatos
convencionais, tais como retngulos, crculos e quadrados, para simplificar a anlise
matemtica e a predio de desempenho [Garg, 1996]. Os diferentes tipos de antenas
impressas so distinguveis principalmente pela geometria do elemento irradiador.
Logo aps a dcada de 70, projetos envolvendo antenas de microfita foram mais
explorados, tendo em vista o surgimento de substratos com baixas perdas e boas
caractersticas mecnicas e trmicas. O aumento de aplicaes sem fio, como GSM
(Global Service Mobile), WLL (Wireless Local Loop), WLAN (Wireless Local Area
Network) e GNSS (Global Navigation Satellite Systems), gerou uma necessidade de
miniaturizao das estruturas utilizadas na comunicao e, juntamente com a demanda no
setor aeroespacial, continuam mantendo a rea de antenas de microfita em grande
expanso. Alm disso, antenas impressas tm sido muito utilizadas em aplicaes
clssicas de microondas, incluindo radares, comunicao mvel, GPS, satlites,
42
instrumentao e aplicaes mdicas [Richards, 1988, Drabowitch et al., 1998].
As tcnicas de fabricao para otimizar a estrutura das antenas, na maioria das
vezes, atuam sobre um conjunto reduzido de atributos fsicos da antena, pois a
manipulao simultnea de mltiplos atributos produz efeitos de difcil predio e
controle.

Figura 4.1: Antena de Microfita Convencional.

A forma do elemento metlico influencia na distribuio de corrente e por
consequncia na distribuio dos campos na superfcie da antena. Logo, a irradiao da
pode ser determinada atravs da distribuio de campo entre o patch metlico e o plano de
terra, bem como, em termos de distribuio de corrente de superfcie no patch. Alguns
exemplos de geometrias so mostrados na Figura 4.2.

Figura 4.2: Geometrias utilizadas em patches de antenas de microfita.

43
 4.2 Vantagens e Limitaes das Antenas de Microfita

As antenas de microfita possuem vrias vantagens quando comparadas as antenas

convencionais para microondas, podendo ser aplicadas em uma larga faixa de frequncias
que vo de aproximadamente 100 MHz 50 GHz, tais como:
Pequenas dimenses (pouco volume e leve);
Baixo custo de produo;
Possibilidade de polarizao linear e circular pode ser conseguida, em alguns
casos, pela simples troca da posio do ponto de alimentao;
Dupla Polarizao e frequncia de ressonncia podem ser facilmente obtidas;
Podem facilmente ser projetadas para operar em conjunto com circuitos integrados
de microondas;
Fabricao simultnea das linhas de alimentao e circuitos de casamento de
impedncias com a estrutura da antena.
Configurao de perfil plano, permitindo adaptao superfcie de montagem
Ausncia de construo de cavidades externas (cavity backing), na maioria dos
casos;
Configurao de perfil plano, permitindo adaptao superfcie de montagem.

Mas estes dispositivos tm algumas desvantagens em relao s antenas

convencionais:

Largura de banda estreita.

Baixo ganho.
Perdas devido capacitncia parasita num conjunto de antenas.
Complexas estruturas de alimentao so necessrias para conjunto de antenas de
alto desempenho.
Fraca radiao end-fire.
Radiao indesejvel pelas estruturas de alimentao, junes e possveis circuitos
de casamentos;
Excitao de ondas de superfcie;
Baixa capacidade de potncia, devido s prprias caractersticas da estrutura.
Existem muitas formas de diminuir o efeito destas limitaes, como por exemplo, a
reduo da excitao de ondas de superfcie atravs da utilizao de substratos PBG. Um
44
aumento na largura de banda pode ser obtido com antenas com estrutura de patches
empilhados ou com multicamadas dieltricas.
A excitao das ondas de superfcie nas antenas de microfita ocorre sempre que a
constante dieltrica maior que um [36].
As ondas de superfcie so lanadas dentro do substrato a um ngulo de elevao
encontrando-se entre 2 e sen 1 1 r . Estas ondas incidem no plano de terra, a um
ngulo , sendo refletidas por este plano, encontram ento a interface dieltrico-ar que por
sua vez, tambm refletem as ondas.
Seguindo este percurso em zig-zag, a onda finalmente alcana o contorno da
estrutura de microfita onde refletida de volta ao substrato e difratada pela borda dando
ascenso irradiao final [6]. Se existir qualquer outra antena nas proximidades da borda
desta, as ondas de superfcie sero acopladas a esta outra antena, tal qual ilustrado na
Figura 4.3.

Figura 4.3: Propagao de ondas de superfcie em uma antena patch.

4.3 Parmetros de Antenas

4.3.1 Diagramas de Irradiao

Os diagramas de irradiao so definidos em planos E e H. O plano E definido

como sendo aquele que contm o vetor campo eltrico na direo de mxima irradiao e
o plano H como aquele que contm o vetor campo magntico na direo de mxima
irradiao. O plano x-y (chamado de plano de elevao) o plano E e o plano x-z
(chamado de plano azimutal) o plano H, para as antenas de microfita retangular.

45
 Figura 4.4: Configurao de campos em uma antena patch.

A antena retangular de microfita projetada para ter o diagrama de irradiao

mximo na direo normal ao patch, ou seja, na direo perpendicular ao plano de terra os
campos se somam em fase dando uma irradiao mxima normal ao patch, dessa forma a
antena tem irradiao chamada broadside [15]. O dispositivo em estudo, apresenta
comportamento de irradiao endfire, desta forma, a irradiao mxima ocorre ao longo
do eixo z.

4.3.2 Polarizao

A polarizao de uma antena em uma dada direo definida como a polarizao

da onda eletromagntica que por sua vez, pode ser definida como sendo o plano no qual se
encontra a componente eltrica (ou magntica) desta onda. Aqui sero definidas as
polarizaes lineares e circulares.
Uma onda harmnica no tempo tem polarizao linear se em qualquer ponto do
espao o vetor campo eltrico ou magntico orientado ao longo da mesma linha reta em
qualquer instante de tempo. Patches retangulares geralmente apresentam polarizao
linear. No caso da polarizao circular, uma onda harmnica no tempo circularmente
polarizada se o vetor campo eltrico ou magntico em qualquer ponto do espao traa um
crculo em funo do tempo. A antena de microfita a antena mais usada para gerar
polarizao circular. Vrias formas de patches so capazes de gerar este tipo de
polarizao, tais como: quadrado, circular, pentagonal, triangular e elptico, porm as
formas circulares e quadradas so mais usadas na prtica [15].
A figura 4.5 mostra o sistema de coordenadas utilizado para o equacionamento do
diagrama de radiao da antena. O desenvolvimento ser feito em termos de campo
distante, considerando a fonte de campo eltrico fora da origem. Na figura observa-se o46
ponto P, onde ser analisado o campo eltrico; nessa figura, R a distncia do elemento
radiador at o ponto P, r a distncia da origem at P, r a distncia da origem at o
elemento radiador, o ngulo entre a projeo de r no plano xy e o eixo x, o ngulo
r e o eixo x , o ngulo entre r e o eixo z e o ngulo entre r e o eixo z. Quando a
Figura 4.6 esta apresenta exemplos de diagrama de radiao das formas linear polar.

Figura 4.5: Sistema de coordenadas para obteno do diagrama de radiao.

(a) (b)
Figura 4.6: (a) Diagrama de Irradiao Linear; (b) Diagrama de Irradiao Polar.

Considerando o diagrama de irradiao da Figura 4.6, podem-se extrair as

seguintes propriedades:
Lbulo principal - ocorre na direo que contm a maior concentrao de
potncia irradiada, lbulos secundrios - todos os que no so principal;
HPBW (Half Power Beam Width), largura de feixe com centro no
mximo de F(; )dB, para a qual a potncia irradiada ca metade. Tal 47
 grandeza tambm conhecida como ngulo de meia potncia;
FNBW (First Null Beam Width), largura de feixe com centro no mximo
de F(; )dB, para a qual a potncia irradiada ca ao seu primeiro valor
mnimo.

4.3.3 Diretividade

A diretividade uma medida das propriedades direcionais de uma antena

comparada s caractersticas de uma antena isotrpica. Sendo a antena isotrpica a base
para o clculo da diretividade, ela possui a distribuio de energia no espao mais
uniforme possvel, levando assim a uma diretividade unitria. A diretividade definida
como sendo a razo entre a intensidade de radiao em uma dada direo da antena e a
intensidade de radiao mdia sobre todas as direes [20].
Se a direo no for especificada, a direo de intensidade mxima de radiao
(mxima diretividade) expressa por:

U max 4U max
Dmax D0 (4.1)
U0 Prad
Onde,

D diretivida de
D0 diretivida de mxima
U max int ensidade mxima de radiao
U 0 int ensidade de radiao de uma fonte isotrpica
Prad potncia total radiada

4.3.4 Largura de Banda

A largura de banda de uma antena definida como a faixa de frequncias, em

torno da frequncia central de operao desta, de acordo com determinadas caractersticas,
tais como: impedncia de entrada, diagrama de irradiao, largura de feixe, polarizao e
ganho [15].
A largura de banda das antenas para faixa estreita definida em valores
percentuais, por exemplo, definir a largura de banda de uma antena em 5%, significa que a
diferena da frequncia maior menos a frequncia menor, dividida pela frequncia48
central, vezes 100, igual a 5%. Um dos maiores problemas das antenas de microfita a
largura de banda estreita (entre 2 e 5%), porm algumas tcnicas para aumentar a largura
de banda vm sendo empregadas, tais como antenas com substratos PBG e antenas com
patches empilhados (entre 10 e 20%) [35].
Para antenas de banda larga, a largura de banda expressa como a relao entre a
frequncia maior e a frequncia menor, tendo como referncia a frequncia central de
operao da antena. Por exemplo, uma largura de banda de 10:1 indica que a frequncia
superior 10 vezes maior que a frequncia inferior. Sendo representada pela expresso:

f 2 f1
BW (4.2)
f
Onde,

f a frequncia central de operao, f 1 a frequncia inferior e f 2 a frequncia

superior da faixa.

4.3.5 Perda de Retorno

A razo de ondas estacionrias de tenso indica o grau de desvio entre a

impedncia da carga ligada linha de transmisso e a impedncia caracterstica da linha
de transmisso. baseado nos mdulos de valores mximos e mnimos e est relacionado
com o mdulo do coeficiente de reflexo. Indica o grau de desvio na terminao.
Devido as reflexes na fronteira de uma linha de transmisso, o meio contendo a
onda incidente tambm contm a onda refletida e a superposio destas duas ondas forma
um padro de ondas estacionrias. O coeficiente ou razo de onda estacionria de tenso,
VSWR (Voltage Stationary Wave Radio), desta linha de transmisso, definido como
sendo a razo entre os valores mximos e mnimos da amplitude da onda estacionria,
estabelecida ao longo do comprimento l da linha expresso por [17]

(4.3)

Onde o coeficiente de reflexo dado por:

49
 (4.4)

A Perda de Retorno (RL Return Loss) indica a proporo entre a potncia

incidente e a refletida, ou seja, corresponde ao parmetro S11 na matriz de espalhamento.
definida como:

(4.5)

Tanto a perda de retorno quanto o coeficiente de onda estacionria, so excelentes

ndices para a determinao do desempenho de antenas, sendo aceito na prtica, valores
menores que 1,3 e para acima de -10dB , respectivamente.

4.4 Tcnicas de Alimentao

Antenas de microfita podem ser alimentadas por uma variedade de mtodos. Esses
podem ser classificados em duas categorias: conectados e no conectados. Nas tcnicas
por contato, a fonte de RF ligada fisicamente ao patch usando linhas de microfita ou
conector coaxial. Enquanto que, nas tcnicas no-conectada, a ligao feita por
acoplamento eletromagntico. As quatro tcnicas mais comuns so: linha de microfita,
sonda coaxial (conexo direta), acoplamento por abertura e proximidade.
Na construo do dispositivo em estudo, fora utilizado como forma de alimentao
o uso de cabo coaxial. A alimentao por linha de microfita, conforme ilustra a Figura 4.7,
foi a primeira tcnica empregada, inicialmente por Munson em 1974, para anlise de
antenas patch em microfita [15]-[20].
Neste modelo, a regio interior da antena patch modelada como uma seo de
linha de transmisso, ou seja, tambm uma fita condutora, normalmente de comprimento
menor comparado ao patch. As vantagens em se usar tal processo a facilidade de
construo, pois implementado diretamente sobre o substrato, alm de se integrar
facilmente a circuitos impressos.

50
 Figura 4.7: Alimentao via Linha de Microfita inset-fed.
.
Uma outra tcnica de alimentao a por cabo coaxial. Como visto na Figura 4.8,
o condutor interno do conector coaxial transpe o dieltrico, e soldado ao patch,
enquanto o outro condutor (externo) conectado diretamente ao plano de terra. A
principal vantagem, que a alimentao pode ser feita em qualquer local do patch, de
fcil fabricao e tem baixos esprios de radiao. Entretanto, impe limitaes largura
de banda e ocorre tambm uma degradao do plano de radiao devido a gerao de
lbulos secundrios e aumento da relao frete-costa e diretividade do dispositivo planar.

Figura 4.8: Alimentao via Conector Coaxial.

Os mtodos de acoplamento so os de mais difcil fabricao, principalmente o51

acoplamento por abertura. Essa tcnica consiste de dois substratos separados por um plano
de terra. Abaixo do substrato que se encontra localizado sob o plano o plano de terra h
uma linha de alimentao de microfita que fornece energia atravs de um slot no plano de
terra, como visto na Figura 4.9.

Figura 4.9: Alimentao via Acoplamento por Abertura.

Quanto ao acoplamento por proximidade, essa tcnica de alimentao consiste em

uma linha de alimentao colocada entre dois substratos dieltricos, conforme Figura 4.10,
onde o patch colocado sobre o substrato superior, enquanto que o plano de terra
colocado sob o substrato inferior. As principais vantagens nessa tcnica a eliminao da
radiao de alimentao superior e oferece alta largura de banda. O casamento de
impedncia atingido variando-se a largura da linha de transmisso e espessura dos
substratos.

Figura 4.10: Alimentao via Acoplamento por proximidade.

52
 4.5 Mtodos de Anlise

Os principais mtodos de anlise de antenas de microfita so: o da linha de

transmisso, o modelo da cavidade, ambos aproximados e os de onda completa - dentre os
quais se incluem o Mtodo da Linha de Transmisso Equivalente - LTE ou Mtodo da
Imitncia, o Mtodo dos Potenciais Vetoriais de Hertz e o Mtodo da Linha de
Transmisso Transversa - LTT, o qual ser usado neste trabalho.
No modelo da Linha de Transmisso (LT), o patch e a linha de alimentao so
modeladas por sees de LT. A antena por der representada como um arranjo de duas
fendas radiantes, ambas de largura W e altura h, separadas por uma linha de transmisso
de comprimento L e admitncia Y0, conforme Figura 4.11. O campo varia ao longo do
comprimento L, e a radiao ocorre atravs das fendas que funcionam como dipolos
magnticos. Cada fenda radiante representada por uma admitncia equivalente em
paralelo e separada por um conjunto de linha de transmisso de comprimento L e
admitncia caracterstica Y0. Considerando um patch retangular alimentado por uma linha
de microfita conforme Figura 4.12, quando os campos eletromagnticos que se propagam
ao longo da linha encontram uma descontinuidade (incio do patch), nesse ponto, devido
mudana de largura W da microfita, so gerados campos de fuga (de franja) nas bordas do
patch [34].

Figura 4.11 : Circuito Equivalente para Antena de Microfita, pelo Modelo da Linha de transmisso.

(a) (b)
Figura 4.12: (a) Efeito franja com um incremento l (b) Distribuio dos campos eltricos ao longo da
antena.
53
 Portanto, atravs desse modelo acima, pode-se obter algumas caractersticas da
antena, tais como: efeito de borda, largura e comprimento efetivos, frequncia de
ressonncia e impedncia de entrada. Conforme descrito acima a antena pode ser
modelada atravs do circuito da Figura 4.12, os seus parmetros e as dimenses so dados
pelas equaes abaixo.

W
( reff 0.3) 0.264
g (4.6)
L 0.412h
W
( reff 0.258) 0.8
g

1\ 2
r 1 r 1 12h
eff 1 (4.7)
2 2 W

1\ 2
c r 1
W (4.8)
2 fr 2

c
L 2l (4.9)
2 fr eff

c
fr (4.10)
2L r

O Modelo da Cavidade pode manipular qualquer geometria de patch, tratando a

antena como sendo uma cavidade com paredes ressonantes, onde na base e no topo h
paredes eltricas e nas laterais paredes magnticas [15]. Os campos na antena so
considerados como sendo os campos na cavidade, dessa forma, sero expandidos em
termos de modos ressonantes na cavidade, onde cada modo tem a sua frequncia de
ressonncia dada pela equao 4.10, onde c a velocidade da luz; e os ndices m, n, p
representam os modos de propagao.

54
 (4.10)
Embora esse modelo seja relativamente simples de implementar e aplicar a
diversos formatos de antenas, h algumas limitaes em seu uso, principalmente devido s
aproximaes iniciais. Dessa forma, esse modelo no oferece um resultado satisfatrio
para antenas com substratos mais espessos, com patch empilhados e arranjos de antenas.
Com relao aos mtodos de onda completa, a anlise de estrutura planar a partir
de modelos aproximados (descritos acima), oferece relevante rapidez nas formulaes, no
entanto, incluem uma parcela de erro devido as simplificaes feitas, sobretudo quando se
trata de aplicaes em altas frequncias e substratos anisotrpicos. Assim, a anlise a
partir de um mtodo rigoroso imprescindvel para a preciso dos resultados. sabido
que o modo de propagao da microfita se modifica devido interface dieltrico-ar,
tornando-se um modo hbrido no - TEM. Logo, o mtodo de anlise deve considerar a
natureza hbrida dos modos de propagao, por esse motivo tais mtodos so chamados de
anlise dinmica ou de onda completa. Os mais relatados na literatura so: o Mtodo da
Linha de Transmisso Equivalente - LTE ou Mtodo da Imitncia, o Mtodo dos
Potenciais Vetoriais de Hertz e o Mtodo da Linha de Transmisso Transversa - LTT. Este
ltimo ser o utilizado ao longo deste trabalho, com uma nova formulao para estrutura
em estufo. Por esse motivo ele ser mais detalhado, apresentando com todo o formalismo
matemtico no captulo 6.

4.6 Caractersticas dos Substratos

O substrato tem sua constante dieltrica usualmente na faixa de 2,2 r 12.

Sendo que os substratos mais desejveis para a melhoria do desempenho da antena so os
mais espessos, cujas constantes dieltricas so mais baixas, pois eles possibilitam maior
eficincia e largura de banda, contudo, so mais onerosos em sua fabricao devido ao
maior consumo de material dado maior espessura do substrato.
Substratos mais finos com altas constantes dieltricas so desejveis para circuitos
de microondas, pois eles requerem limites de campo para minimizar irradiaes e
acoplamentos indesejveis. So vantajosos por conseguirem dimenses dos elementos
menores, entretanto devido a suas grandes perdas, so menos eficientes e tem largura de
banda estreita.
A excitao de onda de superfcie ocorre em toda a antena construda sobre
substrato, devido ao fato de o modo da onda de superfcie TM0 ter sua frequncia de corte
igual zero [20]. Dessa forma, o aumento na espessura do substrato provoca um maior55
acoplamento de energia na onda de superfcie.
O efeito de borda, inerente s antenas de microfita, d-se devido ao fato das
dimenses do patch serem finitas (tanto em seu comprimento quanto em sua largura). Os
campos na borda do patch sofrem esse efeito, ou seja, as dimenses do patch so
eletricamente maiores que as suas dimenses fsicas. Deste modo, algumas ondas viajam
no substrato e outras viajam no ar. Uma constante dieltrica efetiva (eff) introduzida
para explicar o efeito de borda e a propagao da onda na linha.

4.7 Tipos de Substratos

So caractersticas necessrias para fabricao de um substrato para compor um

projeto de uma antena patch de microfita: baixas perdas e elevadas taxas de
homogeneidade. Os subtratos mais usados atualmente utilizam constantes dieltricas entre
2,2 r 12. A Tabela 1 apresenta alguns substratos com suas respectivas constantes
dieltricas e tangentes de perdas. So eles: Alumina; RT/Duroid; Ferrita; FR4-Epoxi e
PTFE (Teflon).

Tabela 4.1 Materiais dieltricos comerciais e suas caractersticas eltricas.

Caractersticas da antena, como: dimenses fsicas, frequncia de ressonncia e

largura de banda so influenciadas durante o processo de escolha de um substrato. Dos
tipos de substratos existentes podemos citar: Isotrpicos, Anisotrpicos, Material PBG
(Photonic Bang Gap), MTF(Multi Frame Joiner) e outros.
Substratos isotrpicos so aqueles onde o comportamento do campo eltrico
aplicado independe da direo do campo. Eles apresentam permissividade eltrica
0 r , onde 0 a permissividade eltrica no espao livre e r uma funo escalar.
Nos substratos anisotrpicos o comportamento de um campo eltrico aplicado
depende da direo do campo eltrico ou dos eixos do material. As direes dos eixos so
determinadas pelas propriedades cristalinas do material, onde a permissividade eltrica 56
apresentada como um tensor r .
Materiais PBG (Photonic Band Gap) so uma nova classe de substratos peridicos.
As ondas eletromagnticas comportam-se em substratos fotnicos como eltrons
comportam-se em semicondutores [37].
MTF (Multi Frame Joiner) um exemplo de substrato moderno que
desenvolvido com tecnologia proprietria em filme fino. Esse substrato utilizado em
antena planares para aplicao em laptops, espessura de 0,2 mm, r=3 e a sua finalidade
oferecer estabilidade a antena, isolamento aos dispositivos metlicos internos e maiores.

4.8 Eficincia

A ecincia () medida pela razo entre potncia irradiada e potncia de entrada

(Pent), ou seja, indica quanto de potncia transmitida, dada a potncia recebida. Em
antenas planares, observado que esse parmetro depende, antes de tudo, da espessura do
substrato e da permissividade e que, no muito afetado nem pelo formato do elemento
irradiador, nem pelo tipo de alimentao [30]. H vrios tipos eficincia, so elas: a
eficincia de radiao (rad) e a ecincia total (tot) sendo:

(4.11)

(4.12)

4.9 Concluses

Foi abordada neste captulo a teoria de antena de microfita. As suas vantagens,

desvantagens e caractersticas foram apresentadas, de tal forma que as tornam especiais
em relao s outras antenas bem como a apresentao de conceitos e grandezas essenciais
ao entendimento dos temas que sero abordados nos captulos seguintes, facilitando a
compreenso do leitor acerca do trabalho realizado.

57
Captulo 5
Substrato Metamaterial

5.1 Introduo

O eletromagnetismo vem se destacando por grupos de pesquisas, ao redor do

mundo, devido gama de aplicaes prticas possibilitadas por estes estudos, de forma
que os avanos gerados pelas guerras mundiais e pela guerra fria impulsionaram a
demanda por materiais e abriram uma nova rea de trabalho ao eletromagnetismo. Estes
avanos chegaram ao desenvolvimento de materiais artificiais, com caractersticas
dieltricas e magnticas desejveis. Assim, meios de fabricao e tcnicas inovadoras vem
proporcionando a fabricao de materiais com caractersticas que no podem ser
encontradas na natureza [38]. Esses materiais so chamados metamateriais MTM e
podem ser definidos, tambm, como estruturas eletromagnticas efetivas, homogneas,
artificiais, com propriedades incomuns, que no so encontradas em materiais na natureza
[39].
O substrato tem papel importante no desempenho da estrutura. Um dos principais
efeitos da presena do substrato o aumento da largura debanda e eficincia. Podem ser
utilizados materiais dieltricos com e sem perdas - semicondutores, ferritas e mais
recentemente metamateriais. Ceros materiais, chamados de materiais LHM (Left-Handed
Materials), possuem permissividade efetiva (eff) e permeabilidade efetiva (eff)
apresentando, simultaneamente, valores negativos [27]. Em tais materiais, o ndice de
refrao (n) negativo, fator este que resulta na inverso de fenmenos eletromagnticos
conhecidos, os quais foram investigados, teoricamente, pelo fsico russo Veselago [3]. Na
poca da publicao do estudo, o prprio Veselago ressaltou que tais materiais no
estavam disponveis na natureza, o que fez com que suas observaes ficassem apenas no
territrio das curiosidades.
Materiais artificiais so desenvolvidos com caractersticas dieltricas e magnticas
desejveis. Atualmente novas tcnicas e meios de fabricao vm possibilitando o
desenvolvimento de novos materiais com caractersticas que no podem ser encontradas
na natureza. Tais materiais artificiais com propriedades que no so encontradas em
materiais ubquos so chamados metamateriais. Esses tambm podem ser definidos como 58
estruturas eletromagnticas efetivas homogneas artificiais, com propriedades incomuns
que no so encontradas em materiais na natureza.
O surgimento dos metamateriais trouxe inovaes na rea tecnolgica, com
condies de atender s exigncias excepcionais dos sistemas atuais e futuros de
comunicaes. Baseados em uma atraente e revolucionria classe de materiais que
possuem novas e poderosas propriedades de propagao eletromagntica, eles foram
considerados pela revista Science como sendo um dos maiores avanos da cincia no ano
de 2006 [28].

5.2 A Nova Classe de Materiais: Metamateriais

Tendo em vista que permitida a combinao de de sinais entre os parmetros de
permissividade e permeabilidade, as caractersticas desses meios artificiais seguem alm
de sua funcionalidade. Esses parmetros so relacionados ao ndice de refrao n dado por
[29]:

n r r (5.1)

Em que r e r so a permeabilidade e permissividade relativas respectivamente

relacionadas permeabilidade e permissividade no espao livre dadas por 0 = /r =
410-7 e 0 = /r = 8.85410-12, respectivamente. Na equao 5.1 o sinal para um duplo
valor da funo raiz quadrada admitido a priori para casos gerais. As quatro
possibilidades de combinaes de sinais para e so (+,+), (+,-), (-,+) e (-,-),
A Figura 5.1 ilustra uma representao grfica de quatro diferentes possibilidades
de materiais para aplicaes eletromagnticas, baseados em suas permissividades e
permeabilidades. So tambm ilustradas a refrao e a reflexo considerando uma
interface entre o ar e cada meio em questo. Existem quatro regies no diagrama.

59
 Figura 5.1 Diagrama de permissividade () e permeabilidade () para os quatro tipos de meios.
Reproduzido de [40].

Veselago determinou que se ou fossem negativos, ou seja, tivessem sinais

opostos, o material no suportaria a propagao de ondas eletromagnticas [3]. Este
fenmeno veio a ser conhecido como band gap eletromagntico (EBG). Ainda temos a
regio onde e so positivos, que o caso dos materiais convencionais (RHM Right-
Handed Materials) onde a refrao ocorre positivamente; e a regio onde e so
negativos, simultaneamente, onde se encontram os metamateriais (LHM Left-Handed
Materials), nos quais a refrao ocorre negativamente.
A presena de ndice de refrao negativo nos meios LH implica em uma
velocidade de grupo antiparalela velocidade de fase, causando interessantes efeitos,
como por exemplo, uma inverso da direo do efeito Doppler ou uma inverso do raio
refratado na Lei de Snell comparado aos meios convencionais (ndice de refrao
negativo). Como Veselago apontou, estas reverses da onda eletromagntica contem
implicaes para muitos fenmenos. Muitos dos efeitos do ndice de refrao negativo
tm sido examinados pelos pesquisadores, do ponto de vista experimental ou
computacional.
O ndice de refrao determina como o feixe defletido na interface de separao
entre dois meios distintos. Se o ndice positivo, o feixe defletido no lado oposto da
normal superfcie em relao ao feixe incidente. Enquanto se o ndice negativo ele
defletido no mesmo lado da normal superfcie. Considerando um prisma de RHM e
LHM, Figura 5.2, possvel observar o fenmeno da refrao nos dois meios. Para o
prisma RHM, o raio refratado produz um ngulo positivo com a normal, no prisma de60
LHM, o raio refratado produz um ngulo negativo com a normal. Alm disso, a
velocidade de grupo, que caracteriza o fluxo de energia, e a velocidade de fase, que
caracteriza o movimento das frentes de onda, aponta em direes opostas, como mostra a
Figura 5.3.

Figura 5.2 Ilustrao da propagao em um meio com ndice de refrao positivo (RHM) e com ndice de
refrao negativo (LHM). 1 o ngulo de incidncia e 2 o ngulo de refrao. Reproduzido de [30].

Figura 5.3 Ilustrao das direes do campo eltrico, do campo magntico, do vetor de Poyting e do vetor
de onda (a) RHM e (b) LHM. Reproduzido de [41].

Vale ressaltar que estes materiais artificiais, com ndice de refrao negativo,
possuem os valores de e dependentes da frequncia, ou seja, so meios dispersivos,
sendo simultaneamente negativos dentro de uma estreita faixa de frequncia [29].
Os metamateriais tambm podem ser projetados de modo que possam apresentar
os mesmos parmetros eletromagnticos dos materiais pertencentes aos outros trs
quadrantes. Da, muitos trabalhos tm sido desenvolvidos e validados experimentalmente
[30-31], [32].

5.3 Propagao de Ondas Eletromagnticas em um Meio

Metamaterial
Partindo das equaes de Maxwell e sintetizando para a equao de onda:
61
 2 n2 2
2 2 0 (5.2)
c t

Onde n o ndice de refrao, c a velocidade da luz no vcuo, e n/c = . Como o

ndice de refrao est elevado ao quadrado, ele insensvel a mudanas de sinal na
permeabilidade e na permissividade. As equaes da onda plana com dependncia do
tempo so:

E E0e jk r jt (5.3)

H H 0e jk r jt (5.4)

Onde E0 e H 0 so vetores em direes arbitrrias, k o vetor da constante de propagao

cuja magnitude k (nmero de onda) e cuja direo a direo da propagao de onda e
r a posio de observao do vetor.

r xx yy zz (5.5)

As componentes de E so

Ex Ae jk r e jt (5.6)

Ey Be jk r e jt (5.7)

Ez Ce jk r e jt (5.8)

Onde A, B e C so constantes arbitrrias. Sabendo que o rotacional do campo eltrico

dado por

x y z
Ez E y E y Ez E y Ex
E x y z (5.9)
x y z y z z y x y
Ex Ey Ez

Aplicando, o conjunto de equaes (5.6)-(5.8) em (5.9)

62
 E j k y Ez k z Ey x k z Ex k x Ez y k x Ey k y Ex z (5.10)

Por outro lado

x y z
k E kx ky k z k y Ez k z E y x k z Ex k x Ez y k x E y k y Ex z (5.11)
Ex Ey Ez

Comparando (5.10) e (5.11) fcil, ento, perceber que

k E j E (5.12)

Sabe-se que a primeira equao de Maxwell dada por:

E j H (5.13)

Substituindo (5.13) em (5.12), a equao de Maxwell para E se reduz forma

k E H (5.14)

Processo semelhante pode ser usado para a segunda equao de Maxwell que
dada por:

H j E (5.15)

Obtendo assim,

k H E (5.16)

Portanto, para valores positivos de e , E, H e k forma um sistema de vetores

ortogonais RH, ou seja dada pela regra da mo direita. Entretanto, se <0 e <0, as
equaes (5.12) e (5.14) podem ser reescritas como

k E H (5.17)

k H E (5.18)

Neste caso pode ser visto que agora esses vetores compem uma trade dada pela
regra da mo esquerda (left-handed), como mostra a Figura 5.3, da o nome de meios LH.
A principal implicao fsica da anlise acima a propagao de ondas backward, o que
equivale inverso no sentido das ondas. Na verdade, a direo do fluxo de energia
63
mdio no tempo, determinada pela parte real do vetor de Poyting,

1
S E H (5.19)
2

no afetada pela mudana simultnea de sinal de e . Logo, E, H e S ainda compem

uma trade RH em um meio LH. Assim, em tais meios, energia e frente de onda viajam em
direes opostas (propagao backward). No entanto, a propagao de ondas backward
em um meio isotrpico homogneo uma propriedade nica dos meios LH.

5.4 Velocidade de Grupo e de Fase

Essas velocidades denotam aspectos distintos da onda propagante e a diferena

entre elas fundamental na compreenso dos metamateriais [41]. A velocidade de fase a
taxa com a qual a fase de uma onda se propaga no espao. Ela comum s fases de os
componentes (harmnicas) dessa onda e na anlise de sinais comumente dada por:

vp (5.20)
T

Onde T o perodo e o seu comprimento.

No mbito da teoria eletromagntica, ela dada pela relao entre a frequncia
angular e o nmero de onda, ou seja,

vp (5.21)
k

A velocidade de fase da radiao eletromagntica pode, sob circunstncias restritas

atingir valores superiores da luz no vcuo. Apesar disso, trata-se de um fenmeno a nvel
pontual e, portanto, no ocorre transferncia de energia nem qualquer tipo de transmisso
de informaes.
A velocidade de grupo, por outro lado, a taxa com que mudanas de amplitude se
propagam na onda. De certo modo, uma comparao pode ser feita com processos de
modulao: a velocidade de fase representa a velocidade da portadora, enquanto o valor de
grupo corresponde taxa de modulao dessa onda. Matematicamente, a velocidade de
64
grupo tem a forma

vg (5.22)
k

5.5 Projeto do Meio Metamaterial

Os metamateriais podem ser definidos como estruturas eletromagnticas efetivas

homogneas artificiais com propriedades incomuns que no so encontradas em materiais
na natureza [29]. Estruturas nano-compostas de banda eletromagntica proibida so
exemplos de metamateriais.
Uma estrutura efetiva homognea uma estrutura cuja mdia do comprimento
estrutural de clula p muito menor que um comprimento de onda guiada g. Assim, esse
comprimento mdio de clula pode ser pelo menos, menor que um quarto de comprimento
de onda, p < g/4. Esta condio de referncia p=g/4 ser denominada como o limite de
homogeneidade efetiva, para garantir que o fenmeno refrativo ir dominar em relao ao
fenmeno de espalhamento/difrao quando a onda se propaga dentro do meio
metamaterial. A Figura 5.4 mostra o primeiro metamaterial proposto por Pendry[42],
constitudo de metais e dieltricos e seguindo a condio de homogeneidade efetiva (p <
g/4).

Figura 5.4 (a) estrutura composta por fios milimtricos (thin wire TW). (b) estrutura composta pelos
ressoadores de anel partido (split-ring resonator SRRs). Reproduzido de [29].

O metamaterial descrito na Figura 5.4 (a) o fio fino de metal (thin-wire TW). Se

a excitao do campo eltrico E paralela ao eixo dos fios E z , para induzir corrente
65
ao longo destes e gerar o momento de dipolo eltrico equivalente, esse metamaterial exibe
uma funo de frequncia do tipo plasmtica para a permissividade na seguinte forma
[42],

pe
2
pe
2
pe
2

r 1 2 1 2 j
j 2 2 2
(5.23)

onde pe
2
2 c 2 / p 2 ln p / r (c: velocidade da luz, r: raio dos fios) a frequncia

plasmtica eltrica, ajustado na faixa de GHz, e 0 p pe / r / (: condutividade

2

do metal) o fator de amortecimento devido s perdas do metal. Pode ser notado nessa
formula que:

Re r 0, para 2 pe 2 , (5.24)

Que reduzida se 2 0 para

r 0, para 2 pe , (5.25)

Por outro lado a permeabilidade simplesmente = 0, uma vez que no h

presena de material magntico e o momento de dipolo magntico no gerado. Deve ser
notado que os fios so muito maiores que um comprimento de onda (teoricamente
tendendo ao infinito), significando que os fios so excitados em frequncias situadas bem
abaixo de sua primeira ressonncia.
O metamaterial descrito na Figura 5.4 (b) o ressoador de anel partido (split-ring
resonator SSR). Se a excitao do campo magntico H perpendicular ao plano dos

anis H y para induzir a corrente na malha fechada e gerar o momento dipolo

magntico, esse metamaterial exibe uma funo de frequncia do tipo plasmtica para a
permissividade na seguinte forma [42],

66
 F 2
r 1 2
02m j
F 2 2 02m F 2
(5.26)
1 j
02m 02m
2 2 2 2 2 2

3p
Onde F r / p (r: raio interno do anel menor), 0 m c
2
(d: largura
ln 2dr 3 / s

dos anis, s: espao radial entre os anis) a frequncia de ressonncia magntica, que
pode ser ajustada para GHz, e 2 pR '/ r 0 (R: resistncia do metal por unidade de
comprimento) o fator de preenchimento devido s perdas. Deve ser notado que a
estrutura SRR possui uma resposta magntica apesar do fato de no incluir materiais
condutores magnticos devido presena de momentos de dipolo magntico artificial
gerado pelos anis ressoadores. A equao 3.6 revela que uma faixa de frequncia pode
existir quando Re r 0 em geral 0 . No caso sem perdas 0 temos que,

0m
r 0, para 0 m pm (5.27)
1 F

Onde pm chamada de frequncia de plasmtica magntica. Uma diferena essencial

entre as expresses plasmticas para a permissividade e a permeabilidade que o ultimo
de natureza ressonante 0m da estrutura devido ressonncia dos SRRs,

3 pc 2
dados por [43] como sendo 0 m .
ln 2d / s r 3

O circuito equivalente do SRR mostrado na Figura 5.5 [42]. Na configurao de

anel duplo, Figura 5.5(a) acoplamento capacitivo e indutivo entre os anis maiores e
menores so modelados por uma capacitncia de acoplamento (Cm) e por um
transformador (de raio n). Na configurao de um anel, Figura 5.5(b) o modelo do circuito
um simples ressoador RLC com frequncia ressonante 0 1/ LC . O SRR duplo
essencialmente equivalente ao SSR nico se o acoplamento mtuo fraco, porque as
dimenses dos dois anis so muito prximas umas das outras, assim L1 L2 L e C1 C2
C, resultando em uma frequncia ressonante combinada prxima a do SRR simples com
as mesmas dimenses porem com um maior momento magntico devido maior
densidade de corrente. 67
 Figura 5.5 Modelo de circuito equivalente do SRR, (a) SRR configurao dupla e (b) configurao
simples. Reproduzido de [29]

Exemplos de estrutura unidimensional (a) e bidimensional (b) so apresentadas na

Figura 5.6 [29]. Vale ressaltar que o SRR exibe uma resposta magntica ressonante s
ondas eletromagnticas quando o vetor campo magntico H for paralelo ao eixo dos
SRRs.

Figura 5.6 Primeiras estruturas LH de TW e SRRs. (a) Estrutura LH unidimensional. (b) Estrutura LH
bidimensional. Reproduzido de [29].

Resultados para a estrutura da Figura 5.6 (a) podem ser vistos na Figura 5.7.

68
 (a)

(b)
Figura 5.7 Resultados tericos computacionais para uma estrutura TW-SRR, (a) permeabilidade, (b)
permissividade. [27]

Recentemente, novos substratos artificiais com propriedades dieltricas e/ou

magnticas tm sido empregados para a miniaturizao de antenas e circuitos planares de
micro-ondas [43]. O uso destes materiais tambm investigado em antenas de microfita69
com patch retangular [44].
Neste trabalho, ser utilizado o metamaterial na faixa de frequncia onde a
permeabilidade e a permissividade possuem valores positivos, para aplicaes em antenas
de microfita. No contexto dos metamateriais, devido ao fato de apresentarem uma
anisotropia tanto dieltrica quanto magntica, estes meios podem ser considerados como
meios bianisotrpicos. Com isto, a incluso destes materiais em formalismos numricos,
tais como, MoM, FDTD, entre outros, pode ser realizada.
Na anlise, utilizando o mtodo de onda completa da Linha de Transmisso
Transversa preciso que os parmetros constitutivos do meio sejam definidos. Neste caso,
o metamaterial considerado caracterizado por permissividade e permeabilidade
tensoriais [29].

xx 0 0
0 0 yy 0 (5.28)
0 0 zz

xx 0 0
0 0 yy 0 (5.29)
0 0 zz

Quando uma estrutura LH unidimensional (1D) somente permitida para a dupla

E, H . Tem-se ento que xx ( < pe) < 0 e yy = zz > 0, xx > 0 e xx = zz (0m < <

pm) < 0. Logo, o tensor para o metamaterial 1D, dado por [29].

r 0 0
0 0 eff ( ) 0 (5.30)
0 0 r

r 0 0
0 0 r 0

(5.31)
0 0 eff ( )

70
 No caso de uma estrutura bidimensional (2D), embora E tenha que ser orientado

ao longo do eixo dos fios, so possveis duas direes para H ; o [] inalterado, mas xx
= yy (0m < < mp) < 0 e zz > 0. Portanto, o tensor para o metamaterial 2D, dado por
[29], [45]:

eff ( ) 0 0
0 0 eff ( ) 0 (5.32)
0 0 r

r 0 0
0 0 r 0

(5.33)
0 0 eff ( )

71
Captulo 6
Aplicao do Mtodo da Linha de
Transmisso Transversa - LTT

6.1 Introduo

Em relao ao estudo dos circuitos, dispositivos e linhas de transmisso, torna-se

necessrio a anlise dos campos eletromagnticos principalmente quando esses elementos
so de uso efetivo em altas frequncias.
Ento, foram desenvolvidos os mtodos de anlise quase-estticas ou aproximados
e os mtodos de anlise dinmica ou de onda completa. Os mtodos aproximados tm
como vantagem a simplificao no desenvolvimento das equaes que descrevem o
funcionamento do dispositivo bem como uma boa aproximao nos resultados obtidos
atravs da anlise quando comparados com os resultados reais, porm muitas vezes torna-
se necessrio a obteno de resultados mais precisos sem falar que a partir de certos
valores elevados de frequncia ( 10 GHz) os mtodos quase-estticos tornam-se
completamente obsoletos j que os erros apresentados nos resultados so cada vez mais
inconcebveis.
Entre os diversos mtodos de onda completa hoje existentes esto: Mtodo da
Linha de Transmisso Equivalente - LTE ou Mtodo da Imitncia, Mtodo de Gallerkin,
Mtodo da Linha de Transmisso Transversa. LTT [66]-[67], etc. Vrios mtodos se
utilizam do recurso matemtico de mudana de domnio passando para o domnio
espectral como uma boa maneira de simplificar e facilitar a anlise da estrutura.

Todos os dispositivos estudados e apresentados neste trabalho foram analisados

dinamicamente atravs do mtodo da Linha de Transmisso Transversa LTT, que se
utiliza de um termo de propagao na direo y transversa direo real de propagao
z e trata as equaes gerais dos campos eltricos e magnticos como funes de seus
componentes Ey e Hy.
Diferentemente de outros mtodos de onda completa o Mtodo da Linha de
Transmisso Transversa utiliza direo de propagao y, transversa a direo real de
propagao z. Dessa forma h uma diminuio do tempo computacional quando este
mtodo implementado em alguma linguagem computacional.
72
 6.2 Desenvolvimento dos Campos Transversais

Como exemplos de aplicao, so determinados os campos para a regio do

substrato metamaterial de uma linha de lmina bilateral. As equaes gerais dos campos
so obtidas com a utilizao do mtodo LTT [10], a partir das equaes de Maxwell:

x E j[ ]H (6.1)

x H j[ ]E (6.2)

Os vetores campo eltrico e magntico no mtodo LTT so decompostos nas suas

trs componentes [10],

H H y Ht H x x H y y H z z (6.3)

E Ey Et Ex x Ey y Ez z (6.4)

y t t y x y z (6.5)
y x y z

t x z x z (6.6)
x z x
onde

Ht Hx Hz campo magntico na direo transversa (6.7)

Et E x Ez campo eltrico na direo transversa (6.8)
j constante de propagao (6.9)

Para o caso do metamaterial temos que [29],

xx 0 0
0 0 yy 0 (6.10)
0 0 zz

73
 xx 0 0
0 0 yy 0 (6.11)
0 0 zz

Substituindo (6.4) a (6.6) em (6.3)

xx 0 0 Ex x

x
x y z

y z H x x H y y H z z j 0 0 yy 0 E y y (6.12)
0 0 zz Ez z


H y z H z y H x z H z x H x y H y x
x x y y z z (6.13)

j 0 Ex xx E y yy Ez zz

Separando os componentes transversais x e z de (6.13), teremos:

x y y z

H y z H x z H z x H y x j 0 Ex xx Ez zz (6.14)

Reescrevendo:

y y x z

H z x H x z H y z H y x j 0 Ex xx Ez zz (6.15)

Como:

H z x H x z y H t (6.16)
y y y
e

H
z H y x t H y (6.17)
x z
y

Ento:
74


y H t t H y j 0 Ex xx Ez zz (6.18)
y

Assim:

1
Ex HZ H y (6.19)
j 0 xx y z

1
EZ H y Hx (6.20)
j 0 zz x y

xx 0 0 H x x

x y z

x y z Ex x E y y Ez z j0 0 yy 0 H y y (6.21)
0 0 zz H z z


E y z Ez y Ex z Ez x Ex y E y x
x x y y z z
(6.22)

j 0 H x xx H y yy H z zz

Separando os componentes transversais x e z de (6.22), teremos:

x y y z

E y z Ex z Ez x E y x j 0 H x xx H z zz
(6.23)

reescrevendo,

x z y y

E y z E y x Ez x Ex z j 0 H x xx H z zz (6.24)

Como:
75

Ez x Ex z y Et (6.25)
y y y
e

E
z E y x t E y (6.26)
x z
y

Ento:

y Et t Et j 0 H x xx H z zz
y
(6.27)

Assim:

j
Hx Ez E y (6.28)
0 xx y z
e

j
HZ E y Ex (6.29)
0 zz x y

Aplicando a eq.(6.19) em (6.29) temos:

j 1
Hz Ey H Z H y (6.30)
0 zz x y 0 xx y z

1 2
Hz 2 n 0 xx E y Hy (6.31)
K y K0 zz xx yz
2

E assim,

76
 1 2
Hz 2
K y K02 zz xx n 0 xx E y yz H y (6.32)

Agora, aplicando a eq. (6.29) em (6.19), temos:

1
j

Ex E y Ex H y (6.33)
j 0 xx
y 0 zz x y z

1 2
Ex 2
K y K02 xx zz yx E y k0 zz H y (6.34)

Manipulando as equaes (6.20) e (6.28), temos:

j
1

Hx H H x E y (6.35)
0 xx y j 0 zz x y
y z

1 2
Hx 2 H E
K y K0 2 zz xx yx
y K 0 zz y (6.36)

Por final, aplicando a eq. (6.28) em (6.20), temos:

1
j

EZ H E E y (6.37)
j 0 zz
x y 0 xx y z
y Z

1 2
EZ 2 E y n0 xx H y (6.38)
K y K0 2 zz xx yz

Assim, temos as equaes de campo eltrico e magntico:

1 2
Ex 2 E H
K y K02 xx zz yx (6.39)
y K 0 zz y

77
 1 2
EZ 2 E H y
K y K02 zz xx yz (6.40)
y n 0 xx

1 2
Hx 2 H
0 zz y
E
K y K02 zz xx yx (6.41)
y k

1 2
HZ 2
n 0 xx y
E H y
K y K02 zz xx yz
(6.42)

Onde:

2
K y2 2 (6.43)
y 2

2 n K Ki 2 (6.44)

j n (6.45)
x

jK (6.46)
z

6.3 Concluses

As equaes gerais dos campos eltricos e magnticos so equaes no domnio

espectral que podem ser aplicadas a qualquer dispositivo ou estrutura de transmisso de
microondas, inclusive antenas, ou estruturas de ondas milimtricas independente de suas
peculiaridades.

Nos captulos seguintes constantes da presente dissertao sero apresentadas as

anlises e resultados de estruturas nas quais so aplicadas as referidas equaes e78
desenvolvidas de acordo com as exigncias das mesmas.
Durante a anlise efetiva do dispositivo em estudo foram observadas as inmeras
vantagens oferecidas pelo mtodo da Linha de Transmisso Transversa - LTT, sobretudo
em relao simplificao e reduo nos clculos.

79
Captulo 7
Anlise Geral dos Campos Eletromagnticos
na Antena com Substrato Metamaterial e
Patch Supercondutor

7.1 Introduo

A anlise atravs de mtodos rigorosos de onda completa se faz necessria para a

obteno de resultados mais exatos e eficientes que se aproximam dos resultados reais.
Partindo das equaes de Maxwell, as componentes dos campos eltrico e
magntico ~ ~ ~ ~ ~ ~
Ex , Ez , H x e Hz so escritos em funo das componentes Ey e Hy no domnio

da transformada de Fourier. Tomando uma soluo geral da equao de onda e aplicando

as condies de contorno adequadas, so obtidas as constantes envolvidas nesta soluo
em funo do campo eltrico fora da fita e tambm equao matricial no homognea
envolvendo as densidades de corrente nas fitas. Aplicando o mtodo dos momentos, as
densidades de corrente so expandidas em funes de base e uma equao matricial
homognea obtida. A soluo no trivial gera a equao caracterstica, na qual as razes
permitem a obteno da frequncia de ressonncia da antena.
Neste captulo apresentada a antena de microfita retangular com substrato
metamaterial, a qual uma modificao da antena retangular.

7.2 Antena de Microfita com Substrato Metamaterial e patch

supercondutor

As equaes de campo eletromagntico so desenvolvidas para a obteno da

frequncia de ressonncia da antena de microfita convencional atravs do mtodo de onda
completa LTT e em combinao com este, ser utilizado o modelo da Linha de
Transmisso para a obteno do diagrama de irradiao da antena.
A antena composta por um patch de material supercondutor sobre um substrato
metamaterial que tem na parte inferior um plano de terra, como ilustrado na Figura 7.1.
Para esta anlise, considera-se o material supercondutor muito fino, pois de acordo
com as equaes de London apresentadas no segundo captulo deste estudo, o material80
supercondutor se apresenta como um dieltrico das mesmas propriedades fsicas
(Isotrpicos) [3]-[48], necessitando apenas de uma modificao em uma das equaes de
Maxwell [49], [50]. Para o estudo da antena de microfita com fita supercondutora, o efeito
do material supercondutor considerado nas condies de contorno da estrutura.
De acordo com o efeito Meissner, o supercondutor um material diamagntico
perfeito. Porm, para o supercondutor do tipo II, ou supercondutor de alta temperatura
crtica (Tc), esse efeito no completo [3]-[48], [49]. Ento, existem campos
eletromagnticos no interior do supercondutor, que podem usar a aproximao de que um
material supercondutor muito fino se comporta como um dieltrico homogneo e
isotrpico [51].

Figura 7.1 Antena de microfita com substrato metamaterial e patch supercondutor.

7.3 Determinao das Equaes de Campos Eletromagnticos

Nessa seo, so desenvolvidas as solues das equaes de ondas para antena de

microta com substrato metamaterial na regio 1. Para regio 2 considerado o espao
livre.
Das equaes de Maxwell tem-se:

x E j[ ]H (7.1)

x H J j[ ]E (7.2)

81
 Equaes de London:

j
e2ff T E (7.3)
a

e2ff T j H (7.4)

Como a densidade de corrente total devida a trs parcelas e conhece-se apenas a

densidade de corrente de conduo e a de deslocamento, com a utilizao das equaes
acima, se encontra a densidade de corrente de superconduo. A densidade de corrente
total apresentada logo abaixo, podendo-se dizer que existe uma condutividade complexa.
1
J nE E (7.5)
je2ff T

J 2E (7.6)

sendo:
1
i n (T ) (7.7)
j2
Um material dieltrico (isolante) possui uma baixa condutividade e certa
permissividade relativa finita. J um material condutor possui uma altssima
condutividade e uma baixssima permissividade relativa. Se forem analisados casos
extremos, o material dieltrico, neste caso hiper dieltrico, possuiria uma condutividade
inexistente e uma permissividade relativa que tenderia a infinito. J um material condutor,
neste caso perfeito, possuiria uma condutividade tendendo ao infinito e uma
permissividade relativa nula. Em ambos os casos, para que as equaes de Maxwell sejam
vlidas nas condies de contorno, os efeitos do campo eltrico se anulam para
contrabalanar esses extremos. No caso do supercondutor, a condutividade finita e a
permissividade relativa tende a infinito. Porm, como os efeitos do campo eltrico se
anulam, para que nas condies de contorno as equaes de Maxwell sejam vlidas, pode-
se considerar que ao invs do campo eltrico se anular, quem se anula a permissividade
relativa. Isso no retira a legitimidade da aproximao.
Analisando a Figura 7.3, evidencia-se que o material supercondutor o simtrico
do material dieltrico. Por isso, alguns autores chamam o supercondutor de dieltrico 82
negativo. A partir do que foi exposto, a equao (6.34) se reduz equao apresentada
abaixo [49]:

H j S* E (7.8)
Ento, considera-se que o material supercondutor possui uma permissividade
complexa negativa, nessa regio dada por:
s n 1 1
S* 2 2 2 2 j n
j j eff T eff T
(7.9)

Para o caso de substrato metamaterial uniaxial:

xx 0 0
[ ] 0 0 yy 0 (7.10)
0 0 zz

xx 0 0
[ ] 0 0 yy 0 (7.11)
0 0 zz

Como as solues das equaes de onda so feitas considerando a direo de

propagao, as equaes 7.3 e 7.4 se tornam:

[ ] 0 yy (7.12)

[ ] 0 yy (7.13)

Calculando-se o rotacional da eq. 5.1, tem-se:

E j[ ] H (7.14)

Substituindo a eq. 5.2 em 5.7,

E 2 0 yy 0 yy E (7.15)
83
 Assim,

( E ) 2 E 2 0 yy 0 yy E (7.16)

Como a regio livre de cargas e correntes eltricas, tem-se pelas equaes de

Maxwell que:

E 0 (7.17)

logo, pode-se escrever 7.9 como segue,

2 E 2 0 yy 0 yy E 0 (7.18)

esta relao vlida para todas as componentes de E e, em particular, para E y , ou seja:

2 Ey 2 0 yy 0 yy Ey 0 (7.19)

decompondo o operador 2 , tem-se:

2 2 2
2 2 2
2
(7.20)
x y z

Assim: 7.12 dada por:

2 Ey 2 Ey 2 Ey
2 0 yy 0 yy E y 0 (7.21)
x 2 y 2 z 2

Da teoria da transformada de Fourier, tem-se:

2 Ey
n 2 E y (7.22)
x 2

84
 2 Ey
k 2 Ey (7.23)
z 2

Transformando a equao (7.14) para o domnio da transformada de Fourier, tem-

se que:

2 Ey
n 2 E y k 2 E y 2 0 yy 0 yy E y 0 (7.24)
y 2

ou, ainda
2 Ey
( n 2 k 2 k 2 ) E y 0 (7.25)
y 2

Onde k 2 0 yy 0 yy Ey

Logo,

2 Ey
2 Ey 0 (7.26)
y 2

Onde: n k k
2 2 2 2

A equao 7.19 a equao de onda para E y . De maneira anloga, mostra-se que:

2 H y
2H y 0 (7.27)
y 2

As solues das equaes dos campos em y para as duas regies da estrutura em

estudo (onde a regio 1 representa ressonncia e a regio 2 a propagao atravs do ar),
atravs das equaes de onda de Helmholtz, so dadas por:

Regio 1:
85
 E y1 A1e cosh 1 y (7.28)

H y1 A1h senh 1 y (7.29)

Regio 2:
~
E y 2 A2e e 2 ( yh ) (7.30)

~
H y 2 A2h e 2 ( y h) (7.31)

Substituindo as componentes em y (7.21) (7.24) nas equaes (6.43) (6.46)

obtm-se as demais componentes dos campos eltricos e magnticos para as duas regies
da estrutura:

Regio 1:

j
Ex1 A cosh( 1 y) j kzz A1h sinh( 1 y) (7.32)
12 K0 2 xx zz n 1 1e

j
E z1 A cosh( 1 y) j n0 xx A1h sinh( 1 y) (7.33)
K0 2 zz xx k 1 1e
1
2

j
H x1 A cosh( 1 y) j k 0 zz A1e cosh( 1 y) (7.34)
K0 2 zz xx n 1 1h
1
2

j
H z1 j n 0 xx A1e cosh( 1 y) k 1 A1h cosh( 1 y) (7.35)
K0 2 xx zz
2

Regio 2
~
Ex2
1
j A2e e 2 y h k A2 h e 2 y h (7.36)
2 k2
2 2 n 2

~
Ez2
1
j A2e e 2 y h n A2 h e 2 y h (7.37)
2 k2
2 2 k 2

~
H x2
1
j A2 h e 2 y h 2 k A2e e 2 y h (7.38)
2 k22 2 n 2

86
 ~
H z2
1
j A2 h e 2 y h 2 n A2e e 2 y h (7.39)
2 k2
2 2 k 2

As constantes dos campos eltricos e magnticos (A1e, A1h, A2e e A2h) so obtidas
atravs da aplicao das condies de contorno da estrutura na direo y. As condies de
contorno so dadas por [9], [52]:

Os campos eltricos tangentes s paredes eltricas so iguais a zero ( Et 0 );

Os campos eletromagnticos no infinito tendem a zero;

Os campos eletromagnticos tangenciais as interfaces dieltrico-dieltrico so

iguais ( Eti Etj e Hti Htj );

Os campos eltricos tangentes a uma interface dieltrico-dieltrico que possua fitas

metlicas so iguais aos campos eltricos a essa interface ( Eti Etj E fita ).

A aplicao destas condies de contorno gera um sistema de equaes, no qual a

quantidade de equaes e de incgnitas igual a 4 vezes a quantidade de regies
dieltricas consideradas para a estrutura em estudo. A resoluo deste sistema no
homogneo de equaes fornece os valores das constantes dos campos eltricos e
magnticos.
Aplicando as condies de contorno estrutura em estudo, tm-se:
Em y = h

~ ~ ~
E x1 E x 2 E xh (7.40)

~ ~ ~
E z1 E z 2 E zh (7.41)

Com a aplicao destas condies de contorno, as constantes dos campos eltricos

~ ~
e magnticos so obtidas em funo dos campos eltricos tangenciais E xh e E zh :

k Exh1 ( 12 K0 2 xx zz ) n Ezh1 ( 12 K0 2 zz xx )
A1h (7.42)
0 sinh( 1 y)( n2 xx k2 zz )

87
 j zz k Ezh1 ( 12 K02 zz xx ) j xx n Exh1 ( 12 K02 xx zz )
A1e (7.43)
1 sinh( 1 y)(k2 zz n2 xx )

A2e

j n Exh k Ezh
(7.44)
2

A2 h
Ek xh n Ezh
(7.45)
0

Aps a obteno das constantes dos campos, aplicada a condio de contorno

magntica, na interface onde se localiza a fita condutora. A condio de contorno utilizada
apresentada abaixo [9], [53]:

~ ~ ~
H x1 H x 2 J zh (7.46)
~ ~ ~
H z1 H z 2 J xh (7.47)

A aplicao das condies de contorno (7.39) e (7.40), pode ser escrita na forma
matricial, gerando uma matriz que relaciona os campos eltricos tangenciais interface da
fita e s densidades de corrente tangenciais. Essa matriz chamada de matriz admitncia
ou impedncia, dependendo da forma como a equao matricial representada. A matriz
admitncia e a matriz impedncia so representadas abaixo [9], [54]

Y E~ J~ (7.48)

Z J~ E~ (7.49)

Onde: Y a matriz admitncia, Z a matriz impedncia, J~ o vetor da densidade

de corrente na fita condutora e E~ o vetor campo eltrico tangencial interface da fita.
Sendo a matriz impedncia o inverso da admitncia e vice-versa, ou seja, Z =
Y -1 e a matriz impedncia uma matriz simtrica, a sua inversa Z tambm , ento
Yij Y ji [6], [40].
88
 Ento, analisando as condies de contorno magnticas (7.39) e (7.40), conclui-se
que o sistema de equaes obtido o (7.41), desta forma para a obteno do sistema de
equaes (7.42), apropriado para a microfita, necessria a inverso da matriz admitncia,
ou seja, deve-se utilizar a matriz impedncia.
Substituindo as constantes dos campos em funo dos campos eltricos tangenciais
(7.35) - (7.38) nas condies de contorno magnticas (7.40) e (7.41) e aps algumas
manipulaes algbricas obtm-se a matriz admitncia, como pode ser observado em
(7.43) e (7.44) [9], [55]:

~ ~ ~
Yxx E xh Yxz E zh J xh (7.50)

~ ~ ~
Yzx E xh Yzz E zh J zh (7.51)

Ou na forma matricial:

~ ~
Yxx Yxz E xh J xh
Y ~ ~
zx Yzz E zh J zh (7.52)

os elementos desta matriz podem ser observados de (7.46) a (7.49):

j 2 cot gh( 1h)(k02 xx xx n2 k2 12 )

Yxx 1 (k22 k2 ) (7.53)
1 2 0 ( k zz n xx )
2 2

j n k 2 cot gh( 1h)(k02 zz xx 1 )

Yxz 1 (7.54)
1 20 ( k2 zz n2 xx )

j n k 2 cot gh( 1h)(k02 xx zz 1 )

Yzx (7.55)
1 20 ( k2 zz n2 xx )
1

j 2 cot gh( 1h)( n2 12 k2 k02 xx xx )

Yzz 1 ( n2 k22 ) (7.56)
1 2 0 ( k zz n xx )
2 2

89
 importante ressaltar que a inverso matricial s possvel se as matrizes
admitncia e impedncia forem simtricas, isto , sendo Y a inversa de Z , ento Z
a inversa de Y (7.57):

1
Z xx Z xz Yxx Yxz
Z
zx Z zz Yzx Yzz (7.57)

Assim, obtm-se a equao matricial da impedncia Z em funo das

densidades de corrente J~ .

~ ~
Z xx Z xz J xh E xh
Z ~ ~
zx Z zz J zh E zh (7.58)

na qual os termos Zxx, Zxz, Zzx, Zzz so as componentes da funo didica de Green da
estrutura em estudo.
A incluso da fita supercondutora feita utilizando-se a condio de contorno
complexa resistiva. Esta condio de contorno relaciona o campo eltrico dentro da fita
supercondutora com a densidade de corrente, atravs de impedncia de superfcie.

ET Z S JT (7.59)

Sendo ET e J T o campo eltrico e a densidade de corrente tangenciais fita

supercondutora, respectivamente, e zs a impedncia de superfcie, definida por:
1
ZS (7.60)
s 2t2
sendo s2 a condutividade da fita supercondutora e t2 a espessura da fita. Aps a
aplicao das condies de contorno obtm-se:

Z xx Z S Z x J xh Exh
Z
Z xx Z S J zh Ezh
(7.61)
zx

7.4 Expanso das Densidades de Corrente em Termos de Funes

de Base

O mtodo de Galerkin um caso particular do mtodo dos momentos, onde as 90

funes de peso so consideradas iguais s funes de expanso ou funes de base [55].
Assim, efetua-se o produto interno da equao matricial da impedncia pelos conjugados
das funes de base como ser abordado mais adiante. Esse mtodo usado com
eficincia na anlise de estruturas planares na faixa de frequncias de micro-ondas e ondas
milimtricas. Para sua aplicao estrutura em estudo, so definidas funes de base que
devem representar as caractersticas fsicas das distribuies de corrente na ta condutora.
A escolha dessas funes de fundamental importncia para a expanso dos campos
eltricos tangenciais interface da ta condutora ou para a expanso das densidades de
corrente que existem na superfcie da ta condutora. Logo, condicionam a estabilidade e
convergncia do mtodo dos momentos [56]. A escolha das funes de base deve ser tal,
que obedeam s condies de contorno da estrutura [56]. No estudo de estruturas de
microta, tanto os campos eltricos quanto as densidades de corrente podem ser
expandidos em funes de base. Como existe campo eltrico apenas fora da ta condutora,
seria necessrio utilizar-se de mais funes de base do que para o caso da expanso das
densidades de corrente, pois a rea que contm os campos (fora da ta condutora) muito
maior do que a rea que contm as densidades de corrente (superfcie da ta), assim
prefervel expandir as densidades de corrente (que esto presentes apenas na ta
condutora), pois, utilizam-se menos funes de base.
Ao se obter a equao (7.58), aplicam-se as funes de base adequadas para
aproximar os valores das densidades de corrente forma da funo real, conforme
apresentado por:

M
J xh x, z axi f xi x, z (7.62)
i 1

N
J zh x, z azi f zi x, z (7.63)
i 1

Onde: M e N so nmeros inteiros e positivos que podem ser feitos iguais a 1 (um)
mantendo os resultados com uma tima aproximao dos resultados reais.

Fazendo-se a aproximao M = N = 1 e calculando a dupla transformada de

Fourier conforme definida em [42] as equaes (7.52) e (7.53) tomam a seguinte forma:

91
 J xh ( n , k ) a x f x n , k
~ ~
(7.64)

J zh ( n , k ) a z f z n , k
~ ~
(7.65)

Os termos a x e az so constantes desconhecidas.

Para este trabalho foram utilizadas duas funes de bases nas direes cartesianas
x e z. As suas escolhas basearam-se em trabalhos anteriores, onde foram comprovadas as
suas funcionalidades [9]. E so definidas por:

Para a direo z:

f z x, z f z x f z z (7.66)

Com

f z x
1
(7.67)
w 2 x
2
2

z
f z z cos (7.68)
l
que no domnio espectral so:

Componente espectral da funo em Z, variando com a varivel espectral n

~ w
f z n J 0 n
~
(7.69)
2

Componente espectral da funo em Z, variando com a varivel espectral k

l
2l cos k
f z k 2 2
~ 2
k l
(7.70)

sendo as variveis espectrais n e k dadas por

92
 nx
n (7.71)
b
com

dB
b (7.72)
2

dB 15w (7.73)

nz
k , (7.74)
dL

Com

L
dL , (7.75)
2

L = 15l. (7.76)

A combinao dos duas componentes (7.59) e (7.60) resulta na transformada de

Fourier de (9.56), como segue:

2 2 l cos k l ~ w
f z n , k
~
J 0 n (7.77)
k l
2 2
2

onde J 0 a funo de Bessel de primeira espcie e ordem zero.

Por se tratar de uma estrutura simtrica foi utilizada a mesma funo de base tanto
para a direo OX quanto OZ, necessariamente, fazendo as devidas adequaes quanto s
variveis espectrais e as dimenses da estrutura. Conforme o supracitado tem-se:

Para a direo OX

f x ( x, z ) f x ( x) f x ( z ) (7.78)
Onde:

1
f x ( z) (7.79)
( 2l )2 z 2
93
e

x
f x ( x) cos (7.80)
w

Que no domnio espectral so:

Componente espectral da funo em X, variando com a varivel espectral k

l
f x (k ) J 0 k (7.81)
2

Componente espectral da funo em X, variando com a varivel espectral n

2 cos( 2n w )
f x ( n ) 2 ,
( n w)2 (7.82)

A combinao dos dois componentes (7.71) e (7.72) resulta na transformada de

Fourier de (7.68), com abaixo:

2 2 w cos( 2n w ) l
f x ( n , k ) 2 J
( n w)2 0 k 2
(7.83)

onde J0 a funo de Bessel de primeira espcie de ordem zero.

Aplicando-se o produto interno do sistema de equaes com uma funo teste
existente apenas na regio da fita, de acordo com o mtodo de Galerkin que utiliza uma
funo teste igual funo de base da densidade de corrente. Como a funo teste existe
em uma regio complementar funo de base do campo eltrico, este produto interno
nulo, fazendo com que o sistema de equaes se torne homogneo.

K xx K xz a x 0
K
K zz a z 0
(7.84)
zx

Onde cada elemento da matriz [K] representado abaixo: 94


K xx f x Z xx Z S . f x* (7.85)

K xx f z .Z xx . f x* (7.86)

K zx f x .Z zx . f z* (7.87)

K zz f z Z zz Z s . f z* (7.88)

O determinante da matriz de parmetros K da equao (6.73) deve ser nulo para

que o mesmo sistema tenha uma soluo no-trivial. A equao formada por este
determinante fornece uma raiz que a Freqncia Complexa de Ressonncia.

7.5 Clculo do Diagrama de Radiao no Plano-E e Plano-H

Uma antena de microfita possui um campo distante que pode ser descrito como
[57]:

E r
jk jkr
2 r
e
Ex , sen a Ez , cos Ex , sen a (7.89)

Sendo os campos E e E podendo ser representado por:

E Ez , sen (7.90)

E Ez , cos cos Ex , sen (7.91)

e sendo as variveis espectrais dadas por k sen cos e k cos .

O plano-E obtido quando fazemos = /2, resultando em [57], [58]:

E z f z 0, k cos Z zz 0, k cos (7.92)

95
 E 0 (7.93)

O plano-H obtido

E sen z f z k cos ,0 Z zz k cos,0 fazendo-se = /2 [57],

[24]:
(7.94)

E 0 (7.95)

Os diagramas de radiao do arranjo linear para o plano-H e plano-E so

determinados, respectivamente, por:

E F FA (7.96)

E F FA (7.97)

O arranjo de antenas um conjunto de elementos irradiantes cujo padro de

irradiao total depende da combinao do campo de cada antena
Sendo que a equao do fator de arranjo (FA) para o arranjo linear foi definida no
Captulo 8 pela equao (8.9). Para os arranjos planares utilizou-se a equao (8.29) do
fator de arranjo, tambm definida no Captulo 8.

7.6 Concluses

O estudo apresentado neste captulo sobre o Antena de Microfita sobre Substrato

Metamaterial e Patch Supercondutor retrata uma anlise dinmica da estrutura atravs do
mtodo LTT, que a partir das equaes de Maxwell chega-se s equaes gerais dos
campos eletromagnticos, permitindo o clculo da frequncia de ressonncia complexa.
Para a obteno efetiva dos resultados propostos, foi escrito um programa
computacional na linguagem FORTRAN, que atravs do mtodo numrico de NEWTON
RAPHSON consegue chegar raiz da equao caracterstica a partir de uma aproximao
inicial.
As principais vantagens e contribuies do presente trabalho so a utilizao de
96
um mtodo de onda completa para o clculo da frequncia de ressonncia de uma antena
de patch retangular com substrato bianisotrpico, j que se trata de uma estrutura nova,
ainda no caracterizada na literatura. Alm de fornecer os campos eletromagnticos
tangenciais ta essencial ao clculo dos campos distantes da antena. O programa
desenvolvido oferece o potencial para projetar antenas de alto desempenho e com largo
grau de liberdade de projeto, pois os parmetros e podem assumir qualquer valor.

97
Captulo 8
Arranjos de Antenas

8.1 Introduo
Um arranjo de fase de antenas constitudo por um nmero limitado de antenas
idnticas e associa os sinais induzidos nessas antenas para formar a sada do arranjo. Cada
antena do arranjo recebe o nome de elemento do arranjo. A direo onde o ganho do
arranjo ser o mximo possvel controlada pelo ajuste da fase do sinal nos diferentes
elementos. A fase induzida nos vrios elementos ajustada de forma que os sinais em uma
determinada direo, na qual se deseja mximo ganho, so somados em fase. Isso resulta
em um ganho do arranjo, que aproximadamente a soma dos ganhos individuais dos
elementos naquela direo.
Em estruturas simples (apenas um elemento radiador), verifica-se que certas
caractersticas como: ganho, diretividade e largura de feixe de meia-potncia nem sempre
so adequadas para aplicaes prticas. Alternativamente, usa-se arranjos para solucionar
tais problemas. Aplicaes de arranjos de antenas de microfita usando material
supercondutor, tambm so empregadas na aplicao de sistemas de comunicao por
satlite, por exemplo [59].
Neste captulo sero descritos os arranjos de fase em configuraes geomtricas
lineares e planares. No arranjo linear seus elementos radiadores esto dispostos ao longo
de uma linha, enquanto que, no arranjo planar seus elementos esto dispostos em uma
malha retangular. Em todos os casos os elementos so constitudos do mesmo material e
possuem espaamento constante entre os elementos adjacentes.

8.2 Arranjos Lineares

Conforme a Figura 8.1, verifica-se um arranjo linear de N elementos em um campo

distante de fontes isotrpicas ao longo do eixo z. O fator de arranjo pode ser obtido
considerando os elementos como uma fonte pontual, sendo determinado por [60], [61]:

j kd cos j 2 kd cos j N 1 kd cos

FA 1 e e e (8.1)
98
 Figura 8.1 - Geometria de um arranjo linear de N elementos.

Com manipulao algbrica obtm-se:

N
FA e
j n 1 kd cos
(8.2)
n 1

onde (8.2) pode ser reescrito como:

N
FA e
j n 1
(8.3)
n 1

sendo:

kd cos (8.4)

Multiplicando-se ambos os lados da equao (8.3) por ej, obtm-se:

FA e j e j e j 2 e j 3 e
j N 1
e jN (8.5)
Subtraindo-se (5.3) de (5.5), obtm-se:

FA 1 e j 1 e jN (8.6)

logo, a equao anterior pode ser reescrita como: 99

 N 1
e jn 1 j 2
e j N / 2 e j N / 2
FA j e j 1/ 2 j 1/ 2 (8.7)
e 1 e e

N
N 1
sen 2
FA e
j
2
(8.8)

sen
1

2
Se for tomado como referncia um ponto localizado no centro fsico do arranjo, o
fator de arranjo pode ser reduzido para:

N
sen 2
FA (8.9)
sen
1

2
Para valores pequenos de , obtm-se:

N
sen 2
FA (8.10)

2

Realizando-se uma normalizao em relao ao nmero mximo de elementos do

arranjo, as equaes (8.9) e (8.10) podem ser apresentadas da seguinte forma:

N
sen
1 2
FAn (8.11)
N 1
sen
2
e
N
sen 2
FAn (8.12)
N
2

100
 8.2.1 Fase e Espaamento entre os Elementos em um Arranjo
Linear

Em um arranjo de fase, a mxima radiao pode ser orientada em qualquer direo.

Assumindo que a mxima radiao do arranjo necessria para ngulos 0 variando de 0o
180o, a fase de excitao entre os elementos deve ser ajustada, tal que:

kd cos 0 (8.13)

resultando em:

kd cos0 (8.14)
ou

0 cos 1 (8.15)
kd
A variao da fase ir mudar 0, causando um deslocamento no feixe. Este
mecanismo a base do arranjo de fase em antenas, como mostra a Figura 8.2. A variao
na fase realizada por deslocadores de fase (phase shifters), conectados em cada um dos
elementos que compe o arranjo.

Figura 8.2 - Arranjo de fase em uma antena.

Quando as correntes que alimentam os elementos esto em fase e com igual

amplitude, resultar em um feixe na direo broadside (arranjo cujos elementos
contribuem com campos de igual amplitude e fase), como mostra a Figura 8.3.

101
 Figura 8.3 - Diagrama do fator de arranjo Linear em duas dimenses com substrato FR-4.

O fator de arranjo da equao (8.2) pode ser escrito em termos da varivel v =

cos:

N 1
FA v e
jnkd v v0
(8.16)
n 0

onde a direo de maior radiao v0 relacionada com a diferena de fase por = -

kdv0.
FA(v) e FA() so relacionados ponto-a-ponto na regio |v|1, que referida como
a regio visvel do espao correspondente a ngulos reais de . Tambm se nota que FA(v)
uma funo peridica de v de perodo [62]:

2 1
(8.17)
kd d d

e que a equao (8.16) est na forma da representao da srie de Fourier. O mximo de
FA(v) ocorre sempre que o argumento da equao (8.16) mltiplo de 2i;

102
 kd v v0 2i (8.18)

ou

i
vi v0 (8.19)
d

Sendo i = 0, 1, 2 ...,
Quando vi = vo ou i = 0 ocorre, o mximo geralmente refere-se como lbulo
principal e os outros mximos so conhecidos como lbulos secundrios. No projeto de
arranjos de fase, necessrio que os lbulos secundrios sejam eliminados ou
minimizados. Este lbulo reduz a potncia do lbulo principal, diminuindo o ganho da
antena. O espaamento d entre os elementos deve ser escolhido de forma a evitar lbulos
de grade na regio visvel do espao. Quando o lbulo principal est em uma direo vo, o
lbulo de grade mais prximo da regio visvel do espao localizado por [61], [35]:

1
vi v0 (8.20)
d

O lbulo de grade apenas aparecer no espao visvel quando vo 1/(d/) -1,
desta forma o critrio para o espaamento entre os elementos em termos do maior ngulo
de radiao omax [61], [35]:

d 1
(8.21)
1 sen 0max

A Figura 8.4 mostra o diagrama do fator de arranjo linear, para os plano E e H .

103
 Figura 8.4 - Diagrama do fator de arranjo Linear em duas dimenses com substrato RT- Duroid.

8.3 Arranjo Planar

Para obtermos ngulos de radiao em duas dimenses, deve ser usado um arranjo
planar de elementos radiadores. Para uma disposio em um grid retangular, o elemento
(m,n)-simo localizado por xm=mdx e yn=mdy. Devido suas caractersticas geomtricas,
os arranjos planares apresentam maiores simetrias em seus campos radiados.
Se M elementos so posicionados ao longo do eixo x como ilustrado na Figura
8.5, o fator de arranjo dado por [60], [61]:

M
FA I m1 e
j m 1 kd x sen cos x
(8.22)
m 1

sendo Im1 o coeficiente de excitao de cada elemento. O espaamento e o deslocamento

de fase entre os elementos ao longo do eixo x so representados, respectivamente, por dx
e x.

104
 Figura 8.5 - Geometria de um arranjo planar de NxM elementos.

Conforme a Figura 8.5, observa-se que N elementos so dispostos ao longo do eixo

y, sendo dy a distncia entre eles e y o deslocamento de fase. Desta forma, o fator de
arranjo pode ser calculado assumindo o vetor contribuio de cada elemento do arranjo em
cada ponto no espao.

e j n 1 kd y sen cos y
N
FA I n1 I m1 e x
j m 1 kd sen cos x
(8.23)
n 1

ou
FA S xm S yn (8.24)

Sendo:

M
S xm Im1e
j m 1 kd x sen cos x
(8.25)
m 1

N
j n 1 kd y sen cos y
S yn In1e (8.26)
n 1

As equaes (8.25) e (8.26) mostram que o fator de arranjo de um arranjo planar

o produto dos fatores nas direes x e y.
Se as amplitudes dos coeficientes de excitao dos elementos do arranjo na direo
y so proporcionais em relao aqueles na direo x, a amplitude do (m,n)-ssimo
pode ser escrita como:

I mn I m1 I n1 (8.27)
Considerando a excitao de amplitude uniforme, a excitao total poder ser
definida por Imn=Io. Logo, o fator de arranjo ser expresso como:
105
 M N
j n1 kd y sen cos y
FA I 0 e e
j m 1 kd x sen cos x
(8.28)
m 1 n 1

Normalizando-se (8.28), obtm-se [60]:

M N
sen x sen y
1 2 1 2
FA (8.29)
M sen x N sen y

2 2
sendo:

x kd x sen cos x (8.30)

y kd y sen cos y (8.31)

8.3.1 Fase e Espaamento entre os Elementos em um Arranjo

Planar

Em um arranjo retangular, o lbulo principal (m=n=0) e os secundrios so

orientados a partir de:

kd x sen cos x 2m m 0,1, 2, (8.32)

kd y sen cos y 2n n 0,1, 2, (8.33)

As fases x e y so independentes, ou seja, os seus valores podem ser diferentes. Quando

se deseja mxima radiao em uma certa localizao =o e =o, a variao da fase
progressiva entre os elementos nas direes x e y definida por [60]:

x kd x sen0 cos 0 (8.34)

y kd y sen0 cos 0 (8.35)

O lbulo principal e os lbulos de grade podem ser localizados por:

kd x sen cos sen0 cos 0 2m m 0,1, 2, (8.36)

kd y sen sen sen0 cos 0 2n n 0,1, 2, (8.37)

106
ou:
m
sen sen sen0 cos m 0,1, 2, (8.38)
dx
n
sen sen sen0 cos n 0,1, 2, (8.39)
dy

Manipulando-se, simultaneamente, as equaes (8.38) e (8.39) obtm-se [60]:

n
sen 0 sen0 d
tan 1 y
(8.40)
sen cos
m
0 0
d x

e
m n
sen0 cos 0 d sen0 sen0 d
sen 1 x
sen 1 x
(8.41)
cos sen

O nmero de lbulos de grade que podem ser projetados no espao visvel depende
dos parmetros dx / e dy / . Para evitar formao de lbulos de grade no espao visvel,
definido por [62]:
cos2 ax cos2 ay 1 (8.42)

sendo:

cos ax sen cos (8.43)

cos ay sen sen (8.44)

O espaamento entre os elementos dx / e dy / deve ser escolhido de forma que

ocorra apenas um mximo do fator de arranjo. Esse ajuste de parmetro de forma similar
ao apresentado para os arranjos lineares, sendo, portanto definidos por [63], [35]:

dx 1
(8.45)
1 sen0max

dy 1
(8.46)
1 sen0max
107
Captulo 9
Resultados

9.1 Introduo

Neste captulo relatam-se resultados simulados e medidos concernentes a este

trabalho. Levando em considerao os conceitos discutidos em captulos anteriores, fez-se
simulaes referentes s antenas de microfita sobre substrato metamaterial com patch
supercondutor. Realizou-se, no primeiro momento, uma anlise numrica e uma
investigao experimental para o referido projeto. Tal anlise numrica ocorre atravs do
uso do uso do mtodo da Linha de Transmisso Transversa- TTL, fazendo-se uma
comparao do dispositivo projetado e, consequentemente, da realizao de simulaes
atravs do uso do software comercial. Com o intuito de validar os resultados obtidos, o
prottipo foi construdo e medido. O equipamento utilizado nas medies foi o analisador
de rede vetorial da Rohde & Schwarz marca e modelo ZVB-14 para comparao e
validao.
No primeiro momento da concepo deste trabalho foi utilizada uma anlise
numrica a partir da determinao da frequncia de ressonncia, sendo esta gerada atravs
do Mtodo LTT, utilizando a ferramenta computacional nas linguagens Fortran
PowerStation e Matlab 9.0, este ltimo segundo para elaborao dos grficos

9.2 Descrio da Antena

9.2.1 Antena Metamaterial com Patch Supercondutor
A Tabela 1 refere-se aos materiais utilizados na simulao da antena de microfita
com substrato de metamaterial, com elemento ressoador (Patch) na estrutura do substrato
retangular, de forma que a antena excitada por uma linha de alimentao.

108
 Tabela 9.1 - Materiais usados na simulao (soft comercial) com metamaterial (MTM)

Nome Material
Elemento ressoador Pec (condutor perfeito)
Linha de alimentao Pec
SRR (Split Ring Resoator) anis partidos Pec
Fita posterior ao SRR Pec
Plano de terra Pec
Caixas distribuidas periodicamente (substrato MTM) FR4-epoxy (=4,4 e =1)
1 caixa para simulao do vcuo Vcuo
1 caixa de radiao Ar
Alimentao Linha de alimentao

As Figuras 9.1a e 9.1b ilustram uma antena de microfita com substrato

metamaterial e patch supercondutor. Esta antena foi projetada no software comercial.

Figura 9.1a - Estrutura da antena de microfita metamaterial com patch supercondutor.

A antena constituda por um elemento ressoador sobre um substrato dieltrico,

tendo na parte inferior um plano de terra, como ilustrado na Figura 9.1b.

109
 Figura 9.1b - Antena de microfita simulada.

Foram simuladas algumas antenas com substratos e patchs diferentes e, para efeito
de comparao, uma simulao de uma antena convencional com substrato de fibra de
vidro (FR-4) que possui constante dieltrica r = 4.4 e uma com substrato metamaterial,
para a mesma frequncia de ressonncia. As dimenses usadas na antena com substrato
metamaterial e patch supercondutor e a antena com substrato FR-4 e patch cobre podem
ser vista na Tabela 2 (Marinaldo Sousa, 2014).

Tabela 9.2- Dimenses entre a antena convencional e a metamaterial.

Dimenso (mm) Antena FR-4 Antena metamaterial com SRR

W 45.5 34
L 42.5 30
Wp 41.5 12
Lp 31.5 12
yo 9 8
w0 3.0 2.5
t 1 8

9.3 Resultados Numricos

Atravs das expresses matemticas e de toda a teoria desenvolvida no Captulo 7,
obtiveram-se resultados para a antena de microfita retangular metamaterial com patch
supercondutor. Os resultados simulados dos parmetros analisados so obtidos, usando o
software comercial, o qual baseado no mtodo dos elementos finitos.
Em uma etapa posterior realizaram-se as medies com o Matlab. Resultados de
110
frequncia de ressonncia e perda de retorno so apresentados.
Na anlise, considera-se que os metamateriais, usados como substratos no projeto
de antenas de microfita, so caracterizados pelos tensores permissividade eltrica e
permeabilidade magntica dados, respectivamente, por [64]:

xx 0 0
0 0 yy 0 (9.1)
0 0 zz

xx 0 0
0 0 yy 0 (9.2)
0 0 zz

A investigao numrica feita levando-se em considerao as caractersticas do

metamaterial [65] e do patch supercondutor. Considera-se que os elementos do tensor
permissividade assumam valores zz = eff e xx = yy = 1. De maneira oposta, zz = 1 e xx
= yy = eff [66]. Portanto, os tensores permissividade e permeabilidade passam a ser
definidos, respectivamente, por:

1 0 0
0 0 1 0
(9.3)
0 0 eff

eff 0 0
0 0 eff 0 (9.4)
0 0 1

O metamaterial caracterizado com os tensores dados pelas equaes (9.3) e (9.4)

com eff = 10,2 e eff = 3,1.

Com o objetivo de validar a anlise realizada no captulo 7, foram elaborados

programas computacionais na linguagem Fortran, utilizando essas variaes descritas
acima como dados de entrada, assim como dados de entrada do software comercial e as
curvas foram traadas com a utilizao do software Matlab.

A Figura 9.2 mostra os resultados comparativos entre a frequncia de ressonncia

em funo do comprimento da fita condutora, considerando duas temperaturas crticas, 111
 sendo as dimenses da antena com substrato metamaterial e patch supercondutor, com
uma temperatura crtica de 90K a 160K, h = 2 cm, w = 25 mm e o supercondutor
YBCO(Supercondutor cermico, baseado no trio) e o composto (Tl4Ba)Ba2Ca2Cu7O13+
com parmetros: n = 2,0 .105 S/m, ef = 150 nm e t = 0.05 mm.

No YBCO, as cadeias de Cu-O so conhecidas por desempenhar um papel

importante para a supercondutividade. Tc mxima perto de 92 K quando x 0,15 e sua
estrutura ortorrmbica. A supercondutividade desaparece quando x 0.6, onde a
transformao estrutural do YBCO muda de ortorrmbica para tetragonal.

Figura 9.2 Grfico comparativo da Frequncia em funo do comprimento da fita condutora, considerando
as temperaturas crticas de 90K e 160K.

Como mostrado acima, as curvas se comportam de forma diferente medida que a

temperatura crtica varia, ou seja, quando so aumentadas as temperaturas crticas de 90K
para 160K, observa-se que o comprimento do patch diminui [67]- [68].

A curva, abaixo, na Figura 9.3, representa o resultado para a antena de microfita

com substrato metamaterial e patch supercondutor. Na simulao foi utilizado como
substrato o metamaterial, uma tangente de perdas dieltricas de 0.02 e espessura t = 1,56
mm.

112
 Figura 9.3 Perda de retorno em funo da frequncia para uma antena de microfita sobre substrato
metamaterial e patch supercondutor.

A Figuras 9.4 mostra os diagramas de radiao em 2D e 3D no plano E ( = 0) e

plano H ( = 90), para 6,15 GHz, onde a antena proposta possui diagramas de radiao
omnidirecional no plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano E (plano y-z,
vermelho). Tambm se pode observar na Figura 9.4 que a antena possui um ganho baixo,
sendo esta um prottipo apropriado para aplicao em equipamentos de comunicao sem
fio UWB, como esperado.

Figura 9.4 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena de microfita sobre

substrato metamaterial com patch supercondutor.

113
 Outras simulaes foram efetuadas, com a antena de microfita sobre substrato FR-
4, RT Duroid 6006 e patch supercondutor, condutor eltrico perfeito (PEC), cobre, prata e
supercondutor, mas circular e no retangular, as quais so mostradas nas figuras abaixo.

Caso 1: A curva, abaixo, na figura 9.5, representa o resultado para a antena de

microfita sobre substrato metamaterial e patch PEC (Condutor Perfeito).

Figura 9.5 Perda de retorno em funo da frequncia para uma antena de microfita sobre substrato
metamaterial e patch PEC (Condutor Perfeito).

A Figura 9.6 ilustra os diagramas de radiao em 2D e 3D no plano E ( = 0) e

plano H ( = 90), onde a antena proposta possui diagramas de radiao omnidirecional no
plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano E (plano y-z, vermelho).

114
 Figura 9.6 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena de microfita sobre
substrato metamaterial com patch condutor perfeito(pec).

Caso 2: A curva da Figura 9.7 produz o resultado para a antena de microfita sobre
substrato FR-4 com elemento ressoador(patch) de Cobre.

Figura 9.7 Perda de retorno em funo da frequncia para uma antena de microfita sobre substrato FR-4 e
patch cobre.

A Figura 9.8, abaixo, ilustra os diagramas de radiao em 2D e 3D no plano E ( =

0) e plano H ( = 90), onde a antena proposta possui diagramas de radiao
115
omnidirecional no plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano E (plano y-z,
vermelho), para o caso 2.

Figura 9.8 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena de microfita sobre

substrato FR-4, patch cobre.

Caso 3: A curva da figura 9.9, abaixo, sinaliza o resultado para a antena de

microfita sobre substrato FR-4 e patch prata.

Figura 9.9- Perda de retorno em funo da frequncia para uma antena de microfita sobre substrato FR-4 e
patch prata.

116
 A figura 9.10 mostra os diagramas de radiao em 2D e 3D no plano E ( = 0) e
plano H ( = 90), onde a antena proposta possui diagramas de radiao omnidirecional no
plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano E (plano y-z, vermelho), para o
caso 3.

Figura 9.10 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena de microfita sobre

substrato FR-4 e patch prata.

Caso 4: A curva da Figura 9.11 menciona o resultado para a antena de microfita

sobre substrato RT-Duroid 6006 e patch supercondutor.

117
 Figura 9.11 Perda de retorno em funo da frequncia da antena de microfita sobre substrato RT-Duroid
6006 e patch supercondutor.

A Figura 9.12 expressa os diagramas de radiao em 2D e 3D no plano E ( = 0) e

plano H ( = 90), para 6,15 GHz, onde a antena proposta possui diagramas de radiao
omnidirecional no plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano E (plano y-z,
vermelho), para o caso 4.

Figura 9.12 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena de microfita

sobre substrato RT Duroid 6006 e patch supercondutor. 118
 Caso 5: A curva da figura 9.13 representa o resultado para a antena de microfita
sobre substrato metamaterial e patch supercondutor, circular. Na figura 9.13a est a
representao da antena e na figura 9.18b a curva da perda de retorno em funo da
frequncia.

Figura 9.13a - Antena de microfita sobre substrato metamaterial e patch supercondutor, circular.

Figura 9.13b Perda de retorno em funo da frequncia para uma antena de microfita sobre substrato
metamaterial e patch supercondutor, circular.
119
 A Figura 9.14 exibe os diagramas de radiao em 2D e 3D no plano E ( = 0) e
plano H ( = 90), onde a antena proposta possui diagramas de radiao omnidirecional no
plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano E (plano y-z, vermelho), para o
caso 5.

Figura 9.14 - Diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E e plano H da antena de microfita sobre

substrato metamaterial e patch supercondutor, circular.

A figura 9.15, abaixo, registra o grfico da perda de retorno em funo da

frequncia para os substratos de metamaterial e fibra de vidro (FR-4), utilizando uma
antena com patch supercondutor e patch de cobre. Os grficos foram simulados utilizando
o software comercial. A curva de preto mostra os resultados utilizando FR-4 de substrato
com r = 4,4, comprimento = 60,0 mm, largura = 50,0 mm, a espessura do substrato = 1,54
mm, enquanto a curva azul mostrada nos resultados, utilizando com patch supercondutor
SnBaCaCuOy, com substrato metamaterial.

120
 Figura 9.15 Perda de retorno em funo da frequncia, comparando o metamateria/supercondutor com o
FR-4.
De acordo com a figura 9.15, o patch supercondutor apresenta frequncia de
ressonncia mais eficiente, usando o metamaterial como substrato, em que a frequncia de
ressonncia de 6,48 GHz, com um coeficiente de reflexo (S11) de -13 dB, enquanto que
a utilizao do patch de cobre apresenta 6,42 GHz, com um coeficiente de reflexo (S11)
de -19 dB.
A figura 9.16, abaixo, registra o grfico da perda de retorno em funo da
frequncia, para o supercondutor e o condutor perfeito (pec).

Figura 9.16 Perda de retorno em funo da frequncia, comparando o supercondutor com o condutor
perfeito.
Esta comparao mostra uma boa concordncia entre os resultados simulados do
supercondutor e do condutor perfeito, onde podemos dizer que o supercondutor
121
praticamente um condutor perfeito.
A figura 9.17, abaixo, mostra o grfico da perda de retorno em funo da
frequncia, comparando o FR-4 com o RT Duroid 6006. O RT Duroid 6006 so
compsitos cermicos, para aplicaes em eletrnica e circuitos de micro-ondas que
exigem constante dieltrica de 6,15. O RT Duroid 5880 so compsitos reforados com
microfibras de vidro. Estas microfibras so orientadas aleatoriamente para maximizar os
benefcios de reforo de fibra na direo de maior valor para os produtores do circuito e
nas aplicaes de circuito finais.

Figura 9.17 Perda de Retorno em funo da Frequncia, comparando o FR-4 com o RT Duroid 6006.

A figura 9.18, abaixo, mostra o grfico da perda de retorno em funo da

frequncia, comparando o FR-4 com o RT Duroid 6006 e com o RT Duroid 5880.

Figura 9.18 Perda de retorno em funo da frequncia, comparando o FR-4 com o RT

Duroid 6006 e o RT Duroid 5880.
122
 9.4 Anlise de um Ressoador em Anel Partido numa Antena Planar
UWB

9.4.1 Introduo
Nesta etapa analisada uma nova configurao de uma antena planar UWB (Ultra-
Wideband). Um ressoador em anel partido (Split Ring Resonator SRR) inserido
dentro de uma abertura circular no lado oposto do patch. A estrutura do Ressoador em
Anel Partido funcionar como um filtro rejeita-faixa e trs configuraes so analisadas,
onde uma destas configuraes apresenta uma largura de banda de 3,2 a 10,6 GHz,
rejeitando uma faixa de frequncia de 5,3 a 6,0 GHz

A priori, pode-se analisar que, dentre os vrios tipos de antenas existentes, um dos
tipos mais utilizados devido s suas caractersticas para aplicao em sistemas de
comunicao modernos so as antenas de microfita [70]. Dentre as vantagens das antenas
de microfita, podem-se destacar: facilidade de se moldar s superfcies planas e no
planas, construo simples, baixo custo, versatilidade em termos da frequncia de
ressonncia, polarizao, diagrama de radiao e impedncia. Esses tipos de antenas
apresentam algumas desvantagens, tais como: baixa eficincia, baixa potncia, baixa
diretividade e pequena largura de banda (de alguns poucos por cento) [71].
O sistema de comunicao de banda ultralarga (UWB) ocupa a faixa de frequncia
de 3,1 a 10,6 GHz, que aprovado pela Comisso Federal de Comunicaes [72]. A
tecnologia UWB uma tecnologia sem fio de curto alcance para a transmisso de grandes
quantidades de dados e altas velocidades com potncia muito baixa. Para estabelecer a
comunicao entre dois ns, os transceptores exigem antenas UWB, de preferncia de
tamanho pequeno e baixo custo de produo [73]. Vrias antenas de fenda para aplicao
UWB foram relatadas at agora [74-77]. Para evitar a interferncia entre o sistema UWB e
o sistema (WLAN), rede local sem fio, com banda 5,15-5,825 GHz, um filtro rejeita-faixa
no sistema UWB necessrio. No entanto, a utilizao de um filtro ir aumentar a
complexidade do sistema de UWB. Portanto, uma antena UWB ter caracterstica de
rejeita-faixa para algumas frequncias uma alternativa para superar este problema.
Vrias antenas com caracterstica de rejeita-faixa j foram relatadas [77-81].
Prope-se, ento, uma nova antena de microfita com patch circular UWB com
banda de corte, projetada para uma frequncia de ressonncia de 5,8 GHz. A banda de
corte obtida atravs da insero de um ressonador de anel partido convencional (SRR)
na abertura circular feita no plano de terra, que magneticamente excitado por meio de
um patch circular colocada no lado oposto do substrato dieltrico. 123
 O SRR geralmente composto de duas tiras de anis concntricos com uma
abertura. Os dois anis so posicionados de tal modo que a abertura de cada anel
colocada em frente ao outro. Esta abertura controla fortemente a frequncia de
ressonncia. Basicamente, o SRR se comporta como um ressoador LC e a frequncia de
ressonncia pode ser calculada, como segue [82],

2
0 (9.5)
r0 L0C

onde Lo a indutncia por unidade de comprimento dos anis, C a capacitncia total do

SRR, e ro o raio mdio dos dois anis.
O SRR pode ser magneticamente excitado, se os anis so orientados
corretamente. Para excitar apropriadamente SRR por meio de um campo magntico
varivel no tempo, um componente significativo na direo axial necessrio.

9.4.2 Projeto da Antena

A geometria da antena padro uma estrutura planar com patch circular com um
raio r = 6,0 mm que est ligado linha de alimentao com largura w0 = 3,0 mm e
comprimento l0 = 4,0 mm. A antena construda sobre um substrato FR4 de 30 (a) x 30
(b) mm2 e 1,56 mm de espessura, constante dieltrica r = 4,4 e tangente de perda tan =
0,02. Um plano condutor colocado em um dos lados do substrato, o qual representa o
plano de terra. Para a nova antena proposta, considera-se a antena paralela ao plano x-y e
centrada na origem de um sistema de coordenadas cartesiano ( x , y , z ). Neste caso, uma
abertura circular centrada na origem de raio R = 11,0 mm feita no plano de terra. O
centro do sistema est alinhado ao longo do eixo y. Para implementar a propriedade de
rejeita-faixa, o SRR inserido no concntrico dentro da abertura circular, no plano de
terra, por baixo do patch irradiando, como mostrado na Figura 9.19. Esse arranjo pode
atingir alto acoplamento magntico entre o patch e os anis na ressonncia. A presena
dos anis leva a uma permeabilidade negativa efetiva numa banda estreita, acima da
ressonncia, onde a propagao de sinal inibida, sendo esta antena construda para uma
frequncia de ressonncia de 5,8 GHz.

124
 Figura 9.19 - Geometria da antena proposta.

A Figura 9.20 mostra a geometria do ressoador de anel partido proposto. As

dimenses do SRR so as seguintes: R1 = 5,5 mm, r2 = 3,0 mm, W = 1,0 mm, D = 1,5
mm, e L = 0,5 mm.

Figura 9.20 - Geometria do SRR proposto.

O efeito do SRR na antena investigado. A Figura 9.22 mostra os resultados

simulados do parmetro S11 para a antena padro UWB proposta e outras configuraes
propostas usando o SRR.

Para otimizar a posio do SRR trs diferentes configuraes foram testadas

(Figura 9.21): uma abaixo do patch (10,15), uma segunda posicionada no centro do plano
de terra (15, 15) e uma terceira acima do patch (20,15 ). Estas antenas propostas so
denominadas antenas 1, 2 e 3, respectivamente. A antena padro a antena sem alteraes
no plano de terra.

125
 Figura 9.21 - Geometria do plano de terra da antena 1, 2 e 3.

Aps a modelagem da antena padro proposta e das configuraes propostas,

foram realizadas simulaes utilizando o software comercial, visando obter dados
comparativos. Um prottipo foi construdo para a configurao da antena 1 e antena
padro. Os resultados das simulaes realizadas, bem como os resultados medidos dos
prottipos construdos so descritos na prxima seo.

9.4.3 Simulaes e Anlise de Resultados

Para a antena padro proposta e para as demais configuraes propostas, descritas

na seo anterior, foram realizadas simulaes, visando obter valores das perdas de
retorno em funo da frequncia. Todos esses valores obtidos foram comparados a fim
de se verificar as caractersticas de todas as configuraes.

126
 Perda de Retorno (dB)

Padro

Frequncia (GHz)

Figura 9.22 - Valores das perdas de retorno (S11) simuladas em funo da frequncia de operao da
antena padro e das configuraes propostas.

possvel perceber que com a insero deste plano de terra modificado com a
insero do SRR, a antena funciona bem em algumas frequncias na faixa de 2 a 13 GHz,
o que no ocorre com a antena padro, proposta. A banda de rejeio aparece devido ao
ressoador e a antena 1 aquela que apresenta melhor largura de banda com a banda de
rejeio desejada. A largura de banda desta antena 3,2 a 10,6 GHz, com uma banda de
rejeio de 5,3 a 6,0 GHz, o que a torna uma antena candidata aos sistemas de
comunicao UWB.

O ganho tambm foi analisado e a Figura 9.23 exibe os diagramas de radiao em

2D e 3D no plano E ( = 0) e plano H ( = 90), onde a antena proposta possui diagramas
de radiao omnidirecional no plano H (plano x-z, azul) e quase omnidirecional no plano
E (plano y-z, vermelho), para todas as configuraes.

127
a)

b)

128
 c)

d)

Figura 9.23 - Resultados simulados dos diagramas de radiao em 2D e 3D do plano E (azul) e plano H
(vermelho) para 5,8 GHz. a) padro, b) antena 1, c) antena 2, d) antena3.

9.4.4 Concluses
Neste trabalho, uma antena de microfita com ressoador em anel partido foi
analisada, utilizando o software de simulao. Tr configuraes so analisadas fazendo
variar a posio do SRR. A estrutura proposta apresentou uma largura de banda excelente,
de 3,2 a 10,6 GHz. Uma banda de rejeio de 5,3 a 6,0 GHz obtida, utilizando SRR que
ressoa na frequncia de corte necessria. Observou-se que a estrutura da antena proposta
se torna uma candidata para a utilizao em sistemas de comunicaes sem fio.
Prottipos so construdos e os dados medidos foram comparados com os simulados. 129
 9.4.5 Resultados Experimentais e Discusses
Durante a simulao observa-se que o efeito do SRR na antena investigado. E
para otimizar a posio do SRR, trs diferentes configuraes foram testadas: uma abaixo
do patch (10,15), uma segunda, posicionada no plano de terra em (12.5,15) e uma terceira,
no centro do plano de terra (15,15 ).
Logo aps a simulao, os parmetros das antenas foram obtidos. Em seguida, as
antenas foram construdas, mas com substrato FR-4 e patch de cobre.

Os prottipos para a antena padro e para a antena 1 so construdos e as imagens

so apresentadas nas Figuras 9.24 e 9.25, respectivamente.

Figura 9.24 - Antena padro construda.

Figura 9.25 - Antena 1 construda.

Foram realizadas simulaes no software comercial e medies de perda de

retorno em funo da frequncia da antena no Rohde & Schwarz ZVB14, que um
Analisador de Redes Vetoriais (VNA- Vectorial Networks Analyzer), equipamento que
permite aferir e testar: antenas, guia de ondas, acopladores, filtros; atenuadores,
misturadores, osciladores e etc.
130
 As medies da perda de retorno e da carta de Smith foram realizadas com
varredura de frequncia de 1 GHz a 14 GHz, conforme mostra a Figura 9.26, para a antena
padro e a Figura 9.27, para a antena 1.

Figura 9.26 - Medio da perda de retorno e carta de Smith para a antenapadro.

131
 Figura 9.27 - Medio da perda de retorno e carta de Smith para a antena 1

muito importante a medio da impedncia na entrada de um dispositivo, de tal

forma que exista uma mxima transferncia de energia do gerador para a carga (antena). A
carta de Smith fornece a impedncia de entrada da antena, determinando a relao entre a
tenso e a corrente, que funo das dimenses fsicas da antena e da permissividade
eltrica usada na sua construo. Para medio dos parmetros de dispositivos planares,
este colocado numa cmara anecrica, conectada ao VNA atravs de um cabo especial
de baixas perdas, com a finalidade de evitar medies com reflexes e difraes das ondas
no ambiente.
Os valores medidos da impedncia de entrada para a linha de microfita, nas
antenas padro e antena 1, so 57,157 e 50,965 , respectivamente, como mostra as
Figuras 9.28, 9.29.

132
Figura 9.28 - Valor medido da impedncia de entrada na carta de Smith, para a antena padro.

133
 Figura 9.29 - Valor medido da impedncia de entrada na carta de Smith, para a antena 1.

A impedncia de entrada considerada um fator de normalizao na Carta de

Smith, de forma que o seu valor poder no permanecer constante, pois varia com a
frequncia ou a faixa de frequncia pretendida na operao. Estes valores possuem uma
boa preciso em relao ao valor de uma impedncia caracterstica de 50,00 .

O grfico do comportamento da perda de retorno em funo da frequncia foi

obtido neste analisador de redes vetoriais, num intervalo de frequncia entre 2 GHz e 12
GHz, para a antena padro e antena 1. Os resultados foram comparados com os simulados.
Tal comparao apresentada nas Figuras 9.30 e 9.31, respectivamente.

134
 Perda de Retorno (dB)

Simulado
Medido

Frequncia (GHz)

Figura 9.30 - Perda de retorno simulada e medida para a antena padro.

Perda de Retorno (dB)

Simulado
Medido

Frequncia (GHz)

Figura 9.31 - Perda de retorno simulada e medida para a antena 1.

135
 Esta comparao mostra uma boa concordncia entre os valores medido e
simulado da perda de retorno. Diferenas entre essas duas curvas se do provavelmente
pelo desalinhamento entre os dois lados durante o processo de fabricao, alm de
imprecises nas dimenses.

136
Captulo 10
Concluses

10.1 Concluses
As anlises tericas descritas nesta Tese foram efetuadas atravs do mtodo da
Linha de Transmisso Transversa LTT no domnio da transformada da Fourier, onde
antenas de microfita do tipo patch retangular, foram apresentadas, com uma anlise
numrica das caractersticas ressonantes desta antena, atravs de um formalismo rigoroso
de onda completa, utilizando metamateriais como substratos e patch supercondutor bem
como patch circular e quadrada, para aplicaes em sistema de comunicaes UWB,
usando configuraes de anis de ressonncia ( SRR ), como elementos parasitas, com o
propsito de melhorar a performance destas antenas, em relao interferncia com
alguns sistemas de comunicaes de banda estreita.

Foram apresentadas as caractersticas dos supercondutores, com um breve histrico

de alguns de seus principais efeitos, sua dependncia com a temperatura e com a
freqncia, chegando at os HTS utilizados na prtica, os do tipo II. As principais
teorias, microscpica e macroscpica, que explicam a teoria supercondutiva foram
apresentadas.

As vantagens, desvantagens e caractersticas das antenas de microfita foram

abordadas, observando que estas antenas se tornam especiais em relao s outras
antenas e foram apresentados conceitos e grandezas essenciais ao entendimento dos
temas.

A antena foi modelada atravs do mtodo da Linha de Transmisso Transversa

LTT, em combinao com o mtodo de Galerkin e foi necessrio desenvolver uma teoria
aplicada ao caso do metamaterial com elemento ressoador supercondutor, com o objetivo
de obter-se as equaes gerais de campos eletromagnticos no domnio espectral e as
equaes gerais dos campos foram aplicadas estrutura em estudo, com condies de
contorno adequadas para obteno das solues eletromagnticas. Funes de base
adequadas estrutura foram aplicadas, com o mtodo dos momentos, para obter-se os
campos tangenciais fita e frequncia de ressonncia complexa da antena, de forma
que os resultados foram obtidos com a utilizao de programas desenvolvidos em137
 Fortran e Matlab. Com a utilizao de sub-rotinas, para a inverso matricial complexa,
invertendo a matriz de admitncia complexa Y , obteve-se a matriz de impedncia

complexa Z da estrutura, que adequada para o estudo de microfita. Para a extrao

das razes complexas da equao caracterstica da estrutura, utilizou-se o mtodo
iterativo de Newton Raphson, o qual, atravs de aproximaes iniciais, sofre um
processo de convergncia para os zeros da equao, assim como sub-rotinas internas do
Fortran. Os resultados apresentados sinalizaram a interferncia direta da permissividade e
permeabilidade efetiva do meio metamaterial com patch supercondutor, na frequncia de
ressonncia, bem como a influncia de cada um deles diretamente nos resultados.

Tambm foi feito a anlise de uma antena de microfita do tipo patch retangular
usando substrato metamaterial com patch supercondutor no software comercial, sendo
feita uma comparao dos resultados simulados de uma antena convencional (utilizando
substrato FR-4) com a antena com substrato metamaterial e elemento ressoador
supercondutor, constatando a eficcia deste substrato no que diz respeito
miniaturizao da antena em relao a sua rea, contudo no se pode constatar o mesmo
no que diz respeito ao volume, limitando o uso do substrato metamaterial em
determinadas aplicaes, sendo uma delas em uma Estao Rdio Base, por exemplo.

Foi feita tambm uma investigao terica da antena de fenda circular usando
SRR. A banda de rejeio obtida utilizando SRR que ressoa na frequncia de corte
necessria. Observou-se que a estrutura de antena proposta levou a uma largura de banda
excelente, maior do que 2,5:1, quando calculado da perda de retorno inferior a -10 dB, o
que o torna um candidato para a utilizao em sistemas de comunicao sem fio.

Vale ressaltar que o tempo computacional gasto pelo Matlab foi bem inferior que o
necessrio utilizando-se o software comercial Essa caracterstica de fundamental
importncia para o estudo de antenas de microfita.

Deve-se deixar claro que tanto os modelos apresentados quanto o software

utilizado nas simulaes consideram o plano de terra como sendo infinito, onde toda a
energia irradia no sentido positivo do eixo z.
Como contribuies deste trabalho, temos o desenvolvimento das equaes gerais
dos campos eletromagnticos de uma antena de microfita sobre substrato metamaterial
com patch supercondutor, utilizando o mtodo da Linha de Transmisso Transversa -
LTT, para antenas, atravs do estudo de seus parmetros constitutivos, permissividade
tensorial e permeabilidade tensorial, alm do desenvolvimento de alguns prottipos para
o sistema de comunicaes UWB, com algumas bandas de rejeio, com o objetivo de138
evitar possveis interferncias com alguns sistemas de banda estreita.

Na comparao entre os valores medidos e simulados, das antenas construdas,

verifica-se uma boa concordncia entre os valores medidos e simulados da perda de
retorno. Diferenas entre essas duas curvas se do provavelmente pelo desalinhamento
entre os dois lados durante o processo de fabricao, alm de imprecises nas dimenses.

10.2 Sugestes para Trabalhos Futuros

Pode-se, como sugesto para trabalhos futuros, dar continuidade a este trabalho,
atravs das seguintes sugestes:

Anlise de antenas de microfita sobre substrato metamaterial com PBG e

patch supercondutor;
Anlise de antenas de microfita sobre substrato metamaterial com EBG.
Anlise de antenas de microfita sobre substrato metamaterial com EBG e
patch supercondutor;
Uso do mtodo LTT na determinao de outras caractersticas ressonantes
da antena, como diagrama de radiao, impedncia de entrada, ganho e
diretividade;
Antenas de microfita com outras formas de patch sobre substrato
metamaterial;
Efetuar um estudo mais detalhado da antena com substrato metamaterial
adequando sua rea e volume para uma aplicao especifica;
Estudo de metamateriais em estruturas esfricas e estruturas compostas.

139
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