Simulación de Una Planta Fotovoltaica en Atp-Emtp PDF

UNIVERSIDAD DE SEVILLA
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES
Departamento de Ingeniera Elctrica
Trabajo Fin de Mster

Energa solar fotovoltaica.
Simulacin de una planta fotovoltaica en ATP-EMTP.
Autor: Juan Antonio Rodrguez Gonzlez
Director: Dr. Antonio de la Villa Jan
Titulacin: Ingeniera Industrial.
Mster Oficial: Sistemas de Energa Elctrica.
Sevilla, Julio de 2010.

El Imperio romano finiquita por falta de tcnica.
Al llegar a un grado de poblacin grande y exigir
tan vasta convivencia la solucin de ciertas
urgencias materiales, que solo la tcnica poda
hallar, comenz el mundo antiguo a involucionar,
a retroceder y consumirse.
Jos Ortega y Gasset.

Energa Solar Fotovoltaica
Captulo 1
Introduccin
El futuro est en la energa. Este sector est llamado a ser el nuevo motor de la economa
mundial, igualmente de la economa espaola. La Organizacin Internacional del Trabajo (OIT)
apunta a que en el horizonte de 2030 habr en todo el mundo 20 millones de puestos de trabajo
relacionados con las energas renovables.
Conviene decir en primer lugar que la energa se puede obtener de fuentes:
No renovables (contaminantes). Fundamentalmente carbn, petrleo y gas

natural.
Renovables (limpias). Son aquellas que no varan el ecosistema y aprovechan los

recursos de la naturaleza sin modificarla o perjudicarla, son inagotables desde el
punto de referencia del periodo de existencia de la humanidad. Por ejemplo:
hidroelctrica, elica, fotovoltaica, solar termoelctrica, biomasa, marina,
geotrmica.
Figura. Consumo de energa elctrica en Espaa en funcin del tipo de generacin

entre abril de 2007 y abril de 2008.
Trabajo Fin de Mster 7 Juan Antonio Rodrguez Gonzlez

Actualmente en Espaa el sector de las energas renovables cuenta con ms de mil

empresas, que dan empleo a 200.000 personas de forma directa o indirecta. Son compaas
jvenes, con una media de 16 aos de vida y dos de cada tres de ellas han aumentado su oferta de
trabajo en los ltimos tiempos.
Se calcula que para hacer frente al cambio climtico y minimizar sus consecuencias,
debemos conseguir una reduccin del 80 % de las emisiones de gases de efecto invernadero para el
2050 sobre niveles de 1990. Para conseguirlo la comunidad internacional ha fijado como Ley
Internacional de cumplimiento obligatorio, desde febrero de 2005, del Protocolo de Kyoto. Cabe
destacar, sin embargo, todava hoy la existencia de puntos de controversia en dicha ley entre los
diferentes pases, como la exclusin de la energa nuclear como una fuente de energa til en la
reduccin de emisiones de gases contaminantes.
El dixido de carbono es responsable de ms del 50 % del efecto invernadero producido

por el ser humano, y el mayor contribuyente al cambio climtico. Se produce sobre todo al quemar
combustibles fsiles. El gas natural es el menos sucio de los combustibles fsiles ya que produce
aproximadamente la mitad de CO2 que el carbn, y menos cantidad de otros gases contaminantes.
Las consecuencias del cambio climtico que ya son visibles hoy en da incluyen (fuente:
Greenpeace):
La proporcin de CO2 en la atmsfera ha aumentado en un 30 % desde el inicio de la

industrializacin.
Los siete aos ms calurosos de los ltimos 130 se han registrado en los ltimos 11 aos.
La masa de glaciares se ha reducido a la mitad desde que comenz la industrializacin.
La pluviosidad y temperatura de latitudes norte ha aumentado un 5 % desde 1950. La

velocidad medio del viento tambin ha aumentado significativamente.
El nivel del mar se ha elevado 10-20 centmetros en los ltimos 100 aos, 9-12 cm de los
cuales en los ltimos cincuenta.
La energa nuclear es costosa, sus residuos son altamente contaminantes a largo plazo y
no cuenta con el visto bueno de la opinin pblica, aunque parece que cada da tiene menos
oposicin. Sin embargo, no emite gases contaminantes y, una vez construida la central que la
produce, el coste de produccin no resulta tan caro como otras fuentes de energa.
Sus detractores recuerdan los problemas de seguridad, la futura escasez de uranio, la difcil
gestin de los residuos radiactivos y aseguran que son un freno para las energas renovables.
Adems, sealan el alto coste para construir una central nuclear y para almacenar los residuos.

Francia ha apostado por la energa nuclear y se ha afanado en firmar acuerdos con otros
pases, sobre todo del mundo rabe. El sector atmico francs vende as centrales, uranio de
combustible y trata los residuos. Francia cuenta con 58 reactores nucleares y est construyendo
otro. Con ellos genera el 78 % de su electricidad, lo que le convierte en el pas del mundo con
mayor porcentaje de este tipo de energa.
Quince de los 27 estados miembros de la UE tienen centrales nucleares en

funcionamiento, con 145 reactores en operacin que producen un tercio de la electricidad
consumida en Europa.
En trminos energticos, cabe destacar la fuerte dependencia exterior de Espaa, que

obliga a acudir a los mercados vecinos para comprar el 81 % de la energa primaria que se
consume. La promocin de energas renovables se considera la nica estrategia vlida para reducir
nuestra dependencia exterior. Actualmente, existen seis centrales nucleares en Espaa con ocho
reactores operativos que producen un 20 % de la energa elctrica que se consume. Evitan as la
emisin anual de 40 millones de toneladas de CO2, la mitad del parque automovilstico espaol.
Adems, trabajan en el sector unas 30.000 personas, entre puestos directos e indirectos. El debate
est abierto.
Figura. Centrales nucleares en Espaa.
El impacto ambiental en la generacin de electricidad de las energas convencionales es

31 veces superior al de las energas renovables segn los resultados del estudio Impactos
Ambientales de la Produccin de Electricidad, elaborado por AUMA y auspiciado por ocho
instituciones entre las que se encuentran los rganos competentes de cinco gobiernos autonmicos
(Catalua, Aragn, Pas Vasco, Navarra y Galicia), el IDEA, el CIEMAT y la Asociacin de
Productores de Energas Renovables-APPA.

En Europa, un tercio de las emisiones de CO2 provienen de la generacin de electricidad

con fuentes convencionales. Cada segundo, se envan a la atmsfera 1000 toneladas de gases
nocivos.
Figura. Ecopuntos de impacto medioambiental de diferentes fuentes de energa.

Tabla. Comparacin de emisiones t/GWh. Fuente: US Department of Energy, Council for

Renewable Energy Education y Worldwatch Institute.
Por otra parte, reducir el consumo de energa, a travs del ahorro y la eficiencia, es tan
necesario como sustituir las fuentes de energa contaminantes por limpias y renovables.
El cambio climtico no es el nico de los grandes problemas que causa la utilizacin

masiva de los combustibles fsiles en el actual modelo energtico. El petrleo, el gas y el carbn
son recursos limitados y no distribuidos equitativamente por el planeta.
En 2008, el precio del petrleo alcanz los 140 dlares el barril antes de hundirse con el
resto de la economa, lo que indica los riesgos de supeditar el futuro a alto tan poco predecible
como el petrleo.
El Consejo Europeo aprob un plan energtico obligatorio en mazo de 2007 que

incluye un recorte del 20 % de sus emisiones de dixido de carbono antes del ao 2020, y
recomend cubrir con energas renovables el 20 % del consumo total de energa. Adems
reconoci el papel de la energa nuclear en la reduccin de la emisin de gases de efecto
invernadero, correspondiendo a cada Estado miembro decidir si recurrir o no a esta tecnologa.
Estos objetivos se concretaron en la Directiva 2009/28/CE, aprobada en diciembre de 2008.
En abril de 2010 se present en Bruselas el informe de la European Climate

Foundation. El informe concluye que el desarrollo del sector de las energas renovables en
Europa necesitar unas inversiones de unos 52.000 millones de euros anuales de media hasta el
ao 2050 para que la energa solar y la elica puedan reemplazar progresivamente al petrleo, el
gas y el carbn como principales fuentes de energa. Esta cantidad representa el 2.5 % de los
gastos anuales de la UE. Los Estados miembros invierten al ao 58.000 millones de euros en
carreteras.
Figura. Camino ejemplar, energa primaria global. Fuente: German Advisory Council on Global
Change, www.wbgu.de.

En Espaa, el Plan de Fomento de las energas renovables ha asumido el mismo

objetivo global asumido por la UE en el Libro Blanco de las Energas Renovables. El importe total
de los incentivos a la produccin de electricidad mediante energas renovables ascender a 1.818
millones de euros en el ao actual, como compensacin por las externalidades evitadas, dado que
las energas renovables evitan la emisin de millones de toneladas de CO2, reducen nuestra
dependencia energtica y crean miles de empleos.
Los proyectos puestos en servicio en Espaa hasta el ao 2010 supondrn una inversin de
23.598 millones de euros, y tan slo el 2.9 % de los fondos invertidos correspondern a fondos
pblicos (680.9 millones de euros).
Existen sin embargo ciertas barreras que dificultan la instalacin de energas renovables en
Espaa. Entre ellas encontramos barreras financieras: debido a que resulta imprescindible la
financiacin de los proyectos a travs de entidades financieras, es necesario demostrar una
rentabilidad atractiva. Para ello, es fundamental un marco normativo estable, adems de establecer
mecanismos basados en primas a la produccin.
Cuando se anunci en el verano de 2007, la prima en Espaa para la energa solar era la
ms generosa del mundo (58 cntimos por kilovatio-hora1). Con el tiempo, se ha visto que era
demasiado alta (se construyeron plantas de baja calidad y mal diseadas). Ahora se ajusta
trimestralmente: es de unos 39 cntimos por kilovatio-hora de electricidad de plantas de energa
solar independientes, y ligeramente superior para los paneles en tejados.
Por otro lado se ha de hacer notar el laberinto administrativo que ha de afrontar el

promotor de instalaciones de energas renovables para materializar su proyecto: actualmente se
encuentran en vigor hasta sesenta normas, y cuarenta trmites que han de presentarse en las
diversas administraciones a nivel local, regional y central, llegando a existir confusin en materia de
competencias. Situacin que se agrava con el incumplimiento de plazos por parte de las distintas
administraciones. Para superar esta barrera, solamente sera necesario que las administraciones se
comprometiesen a cumplir en tiempo y forma la normativa vigente, definida en el artculo 6 de la
Directiva Europea 2001/77/CE, en el que se fomenta la agilidad y racionalidad de los procesos
administrativos, as como la objetividad y transparencia de las normas.
Otro de los factores que suponen una barrera a la promocin de las energas renovables en
Espaa, es el tratamiento de acceso de conexin a la red.
La creciente demanda de conexin de nueva generacin, unida a la escasez de capacidad de

red en muchos puntos, y la ausencia de una normativa nacional que garantice la preferencia de
acceso a las energas renovables a travs de unos criterios claros y generales, est ocasionando
conflictos entre las nuevas instalaciones y las existentes, a efectos de capacidad de red.
El presupuesto del gobierno de Barack Obama para 2010 prev duplicar en tres aos la
capacidad nacional de produccin de energas renovables. Las turbinas elicas y los
biocombustibles sern una aportacin importante. Pero ninguna forma de energa es ms
abundante que la del sol.
1
Un kilovatio-hora har brillar una bombilla de 100 vatios durante 10 horas.

Cada hora, el sol inunda la Tierra con un torrente de energa trmica equivalente a 21.000
millones de toneladas de carbn.
La energa total que necesitamos en todo el mundo es de unos 16 teravatios (un teravatio
equivale a un billn de vatios). Para 2020 necesitaremos 20 teravatios, y el sol derrama 120.000
teravatios sobre las tierras emergidas del planeta. O, dicho de otro modo, una energa 6.000 veces
superior al consumo mundial de electricidad se derrama constantemente sobre la Tierra. Desde
este punto de vista, podemos decir que la energa solar es virtualmente ilimitada.
Bastara cubrir con paneles fotovoltaicos tres milsimas de la superficie de Estados Unidos
(un cuadrado de 160 kilmetros de lado) para suministrar electricidad a todo el pas.
La mitad de la energa solar instalada en todo el mundo en 2008 se instal en Espaa.

Aunque el objetivo de Espaa a largo plazo era producir 400 megavatios de electricidad de paneles
solares para 2010, alcanz ese nivel a finales de 2007. En 2008, la nacin conect 2.5 gigavatios de
energa solar a la red elctrica, aumentando ms de cinco veces su capacidad y convirtindola en la
segunda del mundo, por detrs de Alemania, la lder mundial.
Los expertos predicen que, posiblemente el ao que viene, Italia ser el primer lugar donde
la electricidad de origen solar no necesitar subvenciones para competir con la electricidad
producida con combustibles fsiles.
La energa solar fotovoltaica ofrece el mayor potencial de utilizacin en forma dispersa y

diversificada. Por su carcter modular, puede aprovecharse en el campo y en la ciudad, en lugares
poblados y despoblados, o en pequeos y grandes emplazamientos.
De modo general, el presente trabajo se centrar en el estudio de la energa solar

fotovoltaica, los conceptos fsicos que la hacen posible, los componentes y materiales que
implican su desarrollo, sus modos de aprovechamiento, y los aspectos tcnicos que requieren la
atencin de los ingenieros, tales como los diferentes mtodos de deteccin en isla conocidos, el
control pq y el modo de modulacin PWM empleados en la mayora de inversores presentes en
de plantas de generacin fotovoltaica.
Desde un punto de vista tcnico, se realizar adems la simulacin de una planta

fotovoltaica conectada a red en el programa informtico ATP-EMTP, con el fin de comprobar
el comportamiento del sistema elctrico ante las tensiones de alta frecuencia generadas por los
inversores que componen la planta fotovoltaica.
El paquete informtico ATP-EMTP permite simular procesos transitorios

electromagnticos y de sistemas de control en sistemas elctricos polifsicos de potencia. Los
estudios ms habituales son: transitorios de maniobras, impulsos atmosfricos, coordinacin de
protecciones, ferroresonancia, anlisis de armnicos, arranque de motores, sistemas de control y
sistemas de alta tensin en corriente continua (HVDC), entre muchos otros posibles.

ATP-EMTP posee herramientas propias, TACS y MODELS, que permiten la modelacin

de sistemas de control y sistemas fsicos complejos en el dominio del tiempo. El primero usa la
representacin en diagramas de bloques para la modelacin del sistema y el segundo lo hace
mediante una programacin estructurada. La flexibilidad del lenguaje MODELS permite editar
ampliar los modelos existentes e inclusive implementar y experimentar con nuevos modelos. Cabe
destacar por tanto su modularidad y facilidad de uso.
El trabajo prosigue con la presentacin de los resultados grficos de las simulaciones

realizadas, y con un captulo dedicado al anlisis y conclusiones de dichos resultados.
Finalmente, en el Captulo 6, se ponen de manifiesto las tendencias futuras del sector

fotovoltaico mundial, prestando atencin a la posibilidad de integracin de esta energa renovable
de un modo competitivo en el mix elctrico, as como su presencia en la vida cotidiana de un
nmero cada vez mayor de ciudadanos por todo el mundo.
Para concluir, se facilita al lector un apndice dedicado al programa de simulacin ATP-

EMTP, con el fin de mostrar su manejo y las posibilidades que ofrece.

Captulo 2
Energa solar fotovoltaica

2.1 Energa solar.
Puede decirse que el sol es un gigantesco reactor nuclear. En estado gaseoso y formado
fundamentalmente por Helio, Hidrgeno y Carbono, su tamao es 330.000 veces mayor que la
Tierra. En el seno del mismo se producen continuas reacciones nucleares de fusin, mediante las
cuales se unen los ncleos de dos tomos de hidrgeno para formar un ncleo de Helio, librando
en dicho proceso una gran cantidad de energa.
El Sol es una fuente de energa de 3,81020 MW, lo que equivale a una densidad de energa
por cada metro cuadrado de superficie solar de 62,5 MW. Sin embargo, como consecuencia de la
distancia que nos separa, solo una pequea parte, aproximadamente 1 kW, llega a la superficie de
la Tierra.
Llegados a este punto hay que decir que la potencia radiante que alcanza a nuestro planeta
es atenuada por diferentes fenmenos en la atmsfera. Estos fenmenos son:
Reflexin. Propiciada por la propia atmsfera.
Absorcin. Debida a las molculas que componen la misma: O3, H2O, O2, CO2,
etc.
Difusin. Originada por los componentes atmosfricos.
La difusin debida al polvo y a la contaminacin del aire (aerosoles) depende en buena

medida del lugar donde se mida, siendo mayor en los lugares industriales y en las ciudades que en
los pueblos o zonas sin habitar. Los efectos meteorolgicos locales como nubosidad, lluvia, nieve,
etc., afectan tambin a la irradiancia solar que llega a un determinado lugar.

Figura. Distribucin espectral de la constante solar.
Adems se ha de tener en cuenta que la energa emitida por el Sol no llega a la Tierra de
manera uniforme. Vara en funcin de la hora del da, la inclinacin estacional del globo terrqueo
respecto al Sol, la zona de la superficie terrestre, etc.
Un da claro, al medioda, la irradiancia alcanza un valor mximo de unos 1.000 W/m2 en

un plano de la superficie terrestre. Lgicamente este valor depende del lugar y, sobre todo, de la
nubosidad.
La intensidad de la radiacin solar sobre la superficie de la tierra est influenciada por tanto
por la forma de la Tierra, los movimientos de la misma, fenmenos atmosfricos o la propia
atmsfera, el ciclo da/noche e, incluso, la actividad humana.
Si se suma toda la radiacin global que incide sobre un lugar determinado en un periodo de
tiempo definido (hora, da, mes o ao), se obtiene la energa en kWh/m2. Se obtiene as un valor
diferente para cada regin.

Figura. El movimiento de la Tierra.
Figura. Calentamiento de la Tierra.

En funcin de cmo reciben la radiacin solar los objetos situados en la superficie terrestre
se pueden distinguir los siguientes tipos de radiacin:
Directa. Es aquella que llega directamente del Sol sin haber sufrido cambio alguno
en su direccin. Se caracteriza por proyectar una sombra definida de los objetos
opacos que la interceptan.
Difusa. Parte de la radiacin que atraviesa la atmsfera es reflejada por las nubes o
absorbida por stas. Esta radiacin se orienta en todas las direcciones, como
consecuencia de las absorciones y reflexiones sucesivas, no solo de las nubes, sino
de las partculas de polvo atmosfrico, montaas, rboles, edificios, el propio suelo,
etc. Se caracteriza por no producir sombra alguna respecto a los objetos opacos
interpuestos.
Reflejada. La radiacin reflejada es, como su nombre indica, aquella reflejada por
la superficie terrestre. La cantidad de radiacin depende el coeficiente de reflexin
de la superficie, tambin llamado albedo. Las superficies horizontales no reciben
ninguna radiacin reflejada, porque no ven ninguna superficie terrestre y las
superficies verticales son las que ms radiacin reflejada reciben.
Global. La radiacin total es la suma de las tres radiaciones.
En un da despejado, con cielo limpio, la radiacin directa es preponderante sobre la

radiacin difusa. Por el contrario, en un da nublado no existe radiacin directa y la totalidad de la
radiacin que incide es difusa.
Figura. La radiacin solar.

A la hora de estudiar la inclinacin ms adecuada con la que se deben orientar los mdulos
fotovoltaicos, es necesario precisar la posicin del Sol en cada instante, optimizando as el
rendimiento de la captacin. Para definir cada una de estas posiciones se recurre al sistema de
coordenadas polares.
La situacin del sol en un lugar cualquiera viene determinada por la altura y el azimut del
Sol.
Figura. Posicin del Sol.

Figura. Estaciones meteorolgicas instaladas en Espaa por Iberdrola.
Equipos:
Pirihelimetro (Radiacin Directa).
Piranmetro (Radiacin Global).
Anemoveleta (Velocidad y Direccin del viento)
Termohidrmetro (Humedad relativa y temperatura).

2.2 Modos de aprovechamiento de la energa solar.

Hay dos maneras principales de aprovecharla. La primera consiste en producir vapor, ya
sea con espejos cilindro parablicos, o con un parque de espejos planos llamados heliostatos,
orientados por ordenador, que concentran la luz solar en un receptor situado en la cima de una
enorme torre central, para hacer funcionar una turbina o motor. Son por tanto planta de
concentracin solar (CSP). La segunda es convertir directamente la energa solar en electricidad
con paneles fotovoltaicos (FV) fabricados con un material semiconductor como el silicio.
Cada sistema tiene sus ventajas. En este momento, la generacin de vapor, tambin
conocida como energa solar termoelctrica, es ms eficiente que la fotovoltaica, ya que transforma
en electricidad un mayor porcentaje de la luz solar recibida. Sin embargo, requiere muchas
hectreas de terreno y largos tendidos de cables de alta tensin para poner la energa en el
mercado. Los paneles fotovoltaicos, en cambio, se pueden instalar en los tejados, en el lugar donde
se necesita la energa. Los dos procedimientos comparten un inconveniente obvio: su produccin
disminuye cuando el cielo est nublado y desaparece por la noche. Pero los ingenieros ya estn
trabajando para desarrollar sistemas que permitan almacenar la energa y utilizarla en las horas de
oscuridad.
El calor solar recogido durante el da puede tambin almacenarse en medios lquidos,

slidos o que cambian de fase, como sales fundidas, cermicas, cemento, o en el futuro, mezclas
de sales que cambian de fase.
En 2008, se inaugur en Espaa, en la localidad granadina de La Calahorra, la primera

planta solar comercial con capacidad de almacenamiento de calor. Durante el da, la luz solar de un
parque de espejos calienta sal fundida. Por la noche, cuando la sal se enfra, desprende el calor y
produce ms vapor.
Figura. Energa solar trmica. Concentrador cilindroparablico.

Factor de concentracin de la radiacin entre 30 y 80 veces.

Figura. Energa solar trmica. Central de torre.

Figura. Energa solar trmica. Disco parablico.


Figura. Colector solar cilndrico-parablico.
Figura. Central solar termoelctrica de torre.

Figura. Central solar termoelctrica de torre PS10 de Abengoa (en construccin).
Figura. Disco parablico. Motor Stirling.

Figura. Planta solar fotovoltaica. Lucainena de las Torres, Andaluca, Espaa.
Figura. Mayor planta fotovoltaica construida en Asia. Corea del Sur, 2008.

Tabla. Comparacin de caractersticas entre energa fotovoltaica y energa solar termoelctrica.

Figura. Prediccin futura de produccin de energa elctrica.

Las centrales elctricas termosolares pueden convertirse en los parques elicos marinos del
desierto. No hay barreras tcnicas, econmicas o de recursos para suministrar el 5 % de las
necesidades elctricas mundiales con slo electricidad solar trmica en el 2040, incluso asumiendo
que la demanda elctrica global se podra doblar para entonces. La industria termosolar podra as
convertirse en un negocio dinmico e innovador de 15.000 millones de euros anuales en 20 aos,
suministrando electricidad a 100 millones de personas que viven en las partes ms soleadas del
mundo.
En muchas regiones del mundo, un kilmetro cuadrado de tierra basta para generar unos
100-200 Gigavatios hora (GWh) de electricidad al ao usando la tecnologa solar termoelctrica.
Esto equivale a la produccin anual de una central trmica convencional de carbn o de gas de 50
MW. A nivel mundial, la explotacin de menos del 1 % del potencial solar trmico total sera
suficiente para estabilizar el clima mundial mediante reducciones masivas de CO2.
Tecnologas avanzadas, produccin en masa, economas de escala y mejoras en la

operacin, permitirn una reduccin en el coste de la electricidad solar a un nivel competitivo con
las centrales trmicas de combustibles fsiles en los prximos 10 a 15 aos.
En el desarrollo actual se han abierto dos grandes vas para el suministro a gran escala de
electricidad generada con energa solar trmica. Una es el tipo ISCC, operacin hbrida de
coleccin solar combinada con una planta de ciclo combinado alimentada por gas. La otra es la
operacin solar nica, con una turbina de vapor convencional, y cada vez ms con el uso de un
medio como la sal fundida para el almacenamiento. Se elimina el aceite trmico, se genera vapor
directamente (GDV) en el tubo absorbedor, mejorando la eficiencia energtica y reduccin de
campo solar. Existe una planta piloto de este tipo en Almera, Proyecto DISS, que entr en
funcionamiento en 1998.
Tabla. Energa elctrica termosolar. Escenario 2020.
Capacidad de Electricidad Solar Trmica en 2020 21.540 MW

Produccin elctrica en 2020 54.600.000 MWh (54.6 TWh)
Inversin acumulada 41.800 millones de $
Empleo generado 200.000 puestos de trabajo
Emisiones de carbono evitadas 2002-2020 154 millones de toneladas de CO2
Emisiones anuales de carbono evitadas en 2020 32.7 millones de toneladas de CO2
Tabla. Energa elctrica termosolar. Proyeccin 2021-2040.
Capacidad elctrica solar trmica en 2040 630.000 MW

Produccin elctrica en 2040 1.573 TWh
Porcentaje de demanda global 5%

Figura. Central elctrica de CCP con tanque de almacenamiento trmico calor-fro y

generador de vapor de fuel.
Figura. Esquema de operacin de una central solar termoelctrica.

Figura. Sistema de ciclo combinado integrado solar (ISCC).
Figura. Planta DGV (Generacin Directa de Vapor) con agua-vapor. Se elimina el aceite trmico.

Figura. Diagrama de AndaSol: configuracin del campo solar, sistema de almacenamiento y ciclo
de vapor en el proyecto AndaSol-1, en el sur de Espaa.
Tabla. Comparativa de tecnologas de energa elctrica termosolares.

2.3 El sistema elctrico espaol y la energa solar.

En primer lugar se presentan los datos energticos ms relevantes del sistema elctrico
espaol, con el fin de dar a conocer ste antes de exponer la situacin de Espaa y Europa en el
campo de la energa solar.

Demanda de energa elctrica en tiempo real, estrutura de generacin y emisiones de CO2

1
Rgimen especial. Produccin de energa elctrica realizada en instalaciones cuya potencia instalada no supera
los 50 MW, a partir de cogeneracin u otras formas de produccin de electricidad asociadas a actividades no
elctricas, siempre que supongan un alto rendimiento energtico, o en grupos donde se utilicen como fuente de
energa primaria alguna de las energas renovables no consumibles, biomasa o cualquier tipo de biocarburante, o
residuos no renovables o procedentes de los sectores agrcola, ganadero y de servicios, con una potencia instalada
igual o inferior a 25 MW, cuando supongan un alto rendimiento energtico. La produccin en rgimen especial
est acogida a un rgimen econmico singular.

El Plan de Energas Renovables requerir una inversin de 9.000 millones de euros. En

Andaluca, pasan de los 1.500 millones de euros. Esto es as porque la red tiene que ser capaz de
llevar la energa desde los centros en que se genera, que son dispersos y estn alejados de los
centros de consumo, hasta esos centros de consumo. La apuesta por las energas renovables es
muy demandante de red de transporte.

En el difcil equilibrio permanente que hay que tener entre generacin y demanda, el tener
unas energas con una proporcin muy alta de energas menos gestionables que las convencionales
dada las potencias que se han instalado y que se van a instalar en el futuro-, obliga a un gran reto
al operador del sistema. Sobre todo, si tenemos en cuenta nuestra escasa capacidad de
interconexin con Francia. El pas vecino es nuestra unin con un sistema diez veces mayor que el
nuestro y, por tanto, nos da la suficiente estabilidad y garanta de que an, con esta apuesta por las
energas renovables, vamos a seguir teniendo un sistema seguro.
Espaa es un pas privilegiado para el desarrollo de las tecnologas y aplicaciones de la

energa solar, tanto por sus condiciones geogrficas y climatolgicas (con una media anual de
insolacin superior a las 2.500 horas y una radiacin media de 688 kcal/hm2), como por contar ya
con un nivel industrial adecuado para el desarrollo de estas tecnologas.
Cabe destacar la creacin, en 1974, del Centro de Estudios de la Energa con el fin de
actuar ordenadamente en el campo de las energas alternativas. Desde entonces este organismo ha
promovido la utilizacin de energa solar, posibilitando as el surgimiento de una industria nacional
en este sector. Espaa es hoy el primer pas europeo productor de clulas y paneles fotovoltaicos,
con el 10 % de la produccin mundial.
Figura. Mapa de irradiacin solar de Europa.
Directamente relacionado con la Directiva 2009/28/CE, se ha propuesto el Plan Solar

Mediterrneo, con el objetivo de instalar unos 20.000 MW de energa renovable en los pases de la
orilla Sur del Mediterrneo en 2020 y exportar su produccin a los pases de la orilla Norte gracias
a potentes interconexiones elctricas.

Figura. Recurso de radiacin solar directa en el Mediterrneo.
Figura. Mapa de radiacin solar en Espaa.
En 1994, se inaugur en Espaa la primera planta fotovoltaica. Se ubic en Toledo, con

una potencia de 1 MW.

Figura. Planta fotovoltaica. Puebla de Montalban, Toledo (Espaa).
Contexto regulatorio de la energa fotovoltaica en Espaa
Ley 54/1977.
Establece un Rgimen Especial para las instalaciones de produccin de energas

renovables con potencia inferior a 50 MW.
RD 661/2007.
Rgimen jurdico y econmico para toda la vida de la instalacin. A revisar a finales de

2010.
Resolucin 27 de septiembre de 2008.
Establece el plazo de mantenimiento de la tarifa regulada fijada en el RD 661.
RD 1578/2008.
Rgimen jurdico y econmico para las instalaciones posteriores a la fecha lmite del
mantenimiento de la retribucin del RD 661/2007. Dispone la realizacin de
inspecciones aleatorias anuales con el objeto de verificar, entre otros aspectos, el
cumplimiento de los requisitos tcnicos.
RD 1663/2000.
Conexin a la red elctrica de baja tensin.
Resolucin de 31 de mayo de 2001 de la DGEPM.
Modelo de contrato tipo con la empresa distribuidora.



La energa solar fotovoltaica cubri en 2008 el 1 % de la demanda elctrica espaola,

rcord mundial absoluto.

RD 661/2007, tipologa de instalaciones y retribucin.
Establece 3 tipos de instalaciones fotovoltaicas a efectos de la retribucin basndose

exclusivamente en la potencia instalada.
Potencia igual o inferior a 100 kW 440 /MWh (primeros 25 aos)
Potencia entre 100 kW y 10 MW 417 /MWh (primeros 25 aos)
Potencia entre 10 MW y 50 MW 229 /MWh (primeros 25 aos)
Complemento por energa reactiva:
Si cos=1, la bonificacin es del 4 % de un precio regulado, aprox. 85 /MWh.
RD 1578/2008, tipologa de instalaciones y retribucin.
Tipo I. Instaladas en cubiertas o fachadas.
- Tipo I.1: Potencia hasta 20 kW.

- Tipo I.2: Potencia superior a 20 kW.
Tipo II. El resto de instalaciones (suelo).
Cupos de potencia por tipo y subtipo.
Primer ao: 400 MW:
o Tipo I (cubiertas y fachadas): 267 MW.
~ 10 % subtipo I.1 y 90 % subtipo I.2
o Tipo II (suelo): 133 MW.
Potencia mxima de proyectos.
Tipo I: 2 MW y Tipo II: 10 MW.

Retribucin.
Primera convocatoria:
Tipo I: 340 /MWh para el subtipo I.1 y 320 /MWh para el subtipo I.2
Tipo II: 320 /MWh
Esta retribucin ir disminuyendo segn frmula de ajuste.
Durante el ao 2012, a la vista de la evolucin tecnolgica del sector y del mercado, y del
funcionamiento del rgimen retributivo, se podr modificar la retribucin de la actividad de
produccin de electricidad mediante tecnologa solar fotovoltaica.


FIT (Feed In Tariff) Tarifa regulada.
Fuente: Global Market Outlook for Photovoltaics until 2013 (EPIA).

En cuanto a la potencia total acumulada, Espaa (3.300 MW) se alza al segundo puesto
mundial, slo por detrs de Alemania (5.308 MW) y por delante de Japn (2.149 MW) y EEUU
(1.137 MW). Ya muy por detrs se sitan Corea del Sur (352 MW), Italia (350 MW), Francia (146
MW), China (145 MW), Australia (100 MW) e India (90 MW).
En enero de 2010, las mayores plantas fotovoltaicas en Espaa eran:
Capacidad (MW) Nombre Localizacin Notas

70 Parque Fotovoltaico Ciudad Real Noviembre 2009
Puertollano
60 Parque Fotovoltaico Cuenca Septiembre 2008
Olmedilla de Alarcn
34.5 Planta sola fotovoltaica Cceres 2008
La Magascona y La
Magasquilla
34 Planta Solar Arrend La Rioja Octubre 2008
30 Planta Solar Osa de la Cuenca 2008
Vega
30 Parque Solar SPEX Badajoz Septiembre 2008
Mrida/Don lvaro
28 Parque Fotovoltaico Cuenca 2008
Casas de Los Pinos
26 Planta Solar Fuente Murcia Agosto 2008
lamo
23.2 Planta Fotovoltaica Almera Agosto 2008
de Lucaina de las Torres
23.1 Parque Fotovoltaico Cceres 2008
Abertura Solar
23 Parque Solar Hoya de Los Murcia Enero 2008
Vicentes
22.1 Huerta Solar Almaraz Cceres Septiembre 2008
La instalacin en Espaa de cerca de 2600 MW fotovoltaicos en 2008 reducir la

obtencin de las ventajas resultantes de la evolucin en la curva de aprendizaje de esta tecnologa.
Los objetivos de potencia instalada establecidos en los pases de nuestro entorno estn ms en
lnea con los cupos de potencia que establece la nueva regulacin espaola.
El impacto del 1578/2008 en su primer ao ha sido un estancamiento del crecimiento de la

capacidad instalada. Orienta el mercado solar fotovoltaico hacia la edificacin (en detrimento de
las instalaciones en suelo).

Figura. Mdulos fotovoltaicos en edificacin.
El modelo en el RD 1578/2008, semejante al alemn, supone alcanzar ms de 11 GW de

capacidad instalada en 2020. La curva de costes y la dinmica de mercado, que aaden complejidad
al diseo normativo, hacen de estos 11 GW en realidad el escenario base. La rentabilidad de la
tecnologa para el consumidor domstico, sin ningn tipo de ayudas pblicas, se alcanzar varios
aos antes, abrindose con ello un mercado de enormes proporciones.
En 2008, gracias a las facilidades crediticias concedidas por las entidades financieras, en
Espaa se invirtieron en fotovoltaica ms de 16.000 millones de euros. La inmensa mayora de la
potencia que se conect corresponde a grandes plantas en suelo. El sistema elctrico y las redes de
distribucin pudieron absorber el enorme volumen de instalacin. El comportamiento del
mercado fotovoltaico fue totalmente inesperado.
El sobrecoste de la energa fotovoltaica en nuestro pas rond los 2.000 millones de euros
en 2009. El coste total de la energa del sistema elctrico espaol ascendi a 7.755 millones de
euros en dicho ao.


El 44 % de los sistemas fotovoltaicos espaoles tienen una potencia superior de 5 MW y el

20 % estn entre 2 MW y 5 MW. La gran mayora se encuentra en suelo y utiliza mdulos de silicio
cristalino, dejando en un plano muy secundario a las instalaciones en cubierta y a las tecnologas de
concentracin y de capa delgada, que se hallan tanto en suelo como en cubiertas.
Por otro lado, el 37 % de las instalaciones tiene seguidores, de los cuales el 24 % son con
seguimiento a dos ejes y el 14 % a un solo eje. Estos sistemas se encuentran incluso en
instalaciones de unos pocos kW de potencia.
Aproximadamente 1 GW de la potencia instalada corresponde a sistemas solares de

pequeas dimensiones, ubicadas en cubiertas y tejados.
Con ms de 48.000 instalaciones, la fotovoltaica es una fuente de energa muy socializada.

No obstante, la gestin de este gran volumen es un desafo para el sistema elctrico.
Con la llegada del RD 1578/08, la fotovoltaica empez a hacer ofertas al Mercado

Elctrico.
La industria fabricante china, totalmente volcada en la exportacin, se mantiene en el

primer puesto del ranking mundial.

En 2009, 24 empresas produjeron mdulos o clulas solares en Espaa. En total, la

industria espaola produjo 195 MW en clulas y 498 MW en mdulos (el 7% de la produccin
mundial), la gran mayora de silicio cristalino. Por otra parte, la industria espaola ha registrado
tasas muy bajas de exportacin, dada la gran fuerza de la demanda interna en 2008. Tan slo se
exportaron el 16 % de los mdulos producidos, el 2% de los inversores y apenas un 4 % de los
seguidores.
Las principales compaas fotovoltaicas espaolas son Isofoton, BP Solar, Atersa, Gamesa,
Solar, Siliken, Grupo Solar, Guascor, Solaria, Instalaciones Pevafersa. Mientras que las principales
compaas proveedoras de inversores son Atersa, Ingeteam y Enertron.

Se han identificado 48 centros espaoles (universidades, centros privados y centros

pblicos) que potencialmente desarrollan actividad de I+D en el campo de la energa fotovoltaica.
En total se han registrado 167 programas de I+D en fotovoltaica, que se reparten de una forma
relativamente irregular. De estos, aproximadamente el 38 % ha alcanzado o tiene muchas
probabilidades de alanzar la madurez comercial. Destacan el Instituto de Energa Solar de la
Universidad Politcnica de Madrid, CIEMAT y CENER. En la figura siguiente vemos la
distribucin de proyectos por centro. En total, se ha destinado en 2008 un presupuesto de poco
ms de 12 millones de euros a la actividad de I+D. El 64 % de los fondos fue de origen pblico y
el resto estuvo financiado por iniciativas privadas. El nmero de personas empleadas en
actividades de I+D se acerca a las 360.

Ejemplo: Una planta solar en el Sur de Espaa de 50 MW.

Dentro del marco de la Unin Europea, probablemente ms significativo an para el

desarrollo inmediato de la energa solar sea el lanzamiento del SET Plan, que debe concentrar y
coordinar los esfuerzos comunitarios en I+D en las tecnologas energticas identificada como
estratgicas para cubrir las futuras necesidades europeas: bioenerga, captura de carbono, elica,
nuclear, redes inteligentes y, cmo no, solar.
Se estima que con un 1 % de la superficie desrtica del planeta sera suficiente para cubrir
la demanda elctrica mundial con sistemas CST. En Espaa se mantendra dicha proporcin. El
potencial tcnico-econmico de produccin solar termoelctrica en Espaa, asumiendo
emplazamientos apropiados con irradiancias superiores a los 2.000 kW/m2/ao, es de 1.278
TWh/ao, siendo la demanda actual inferior a los 300 TWh/ao. Todo el sur peninsular situado
por debajo del paralelo 40, as como amplias zonas de las cuencas del Ebro y el Duero, presentan
excelentes condiciones para el aprovechamiento de la radiacin solar. Los costes de generacin
solar termoelctrica en Espaa estn todava por encima de los 0.18 /kWh y los costes de
inversin se sitan en torno a los 4.000 /kW. El objetivo espaol para la nueva generacin de
plantas termosolares estara en bajar de los 2.500 /kW y 0.12 /kWh hacia el ao 2020.
En marzo de 2007, fue inaugurada en Europa la primera planta de energa solar cerca de
Sevilla. La planta de 11 MW conocida como PS10, produce electricidad mediante 634 helistatos.
Cada uno de estos helistatos tiene una superficie de 121 metros cuadrados que concentra los
rayos del sol en lo alto de una torre de 114 metros de altura donde est instalado un receptor solar
y un caldern, desde ah, el vapor es enviado a una turbina de vapor situada en un edificio anexo a
la torre.
Tambin en Andaluca se han construido dos plantas de 50 MW cada una, Andasol 1 y

Andasol 2. Cada una de ellas posee 510.120 m2 de colectores solares cilindroparablicos y 6 horas
de almacenamiento de energa trmica. Las centrales Andasol sern las primeras en Europa de su
tipo. Cada una de ellas generar la energa necesaria para 200.000 personas y sern las ms grandes
del mundo por superficie colectora.

Tabla. Centrales solares termoelctricas en operacin en Espaa.
Capacidad Tecnologa Nombre Localizacin Notas

(MW)
50 Concentrador solar Andasol Granada Nov. 2008
50 Concentrador solar Andasol Granada 2009
50 Concentrador solar Puertollano Ciudad Real Mayo 2009
50 Concentrador solar Alvarado I Badajoz Julio 2009
20 Central solar de torre PS20 Sevilla Abril 2009
11 Central solar de torre PS10 Sevilla Marzo 2007
1.4 Reflector de Fresnel Puerto Errado I Murcia Abril 2009
En Espaa hay actualmente en construccin 1757 MW ms, y anunciadas 1080 MW.
Figura. Tres centrales solares, desde la izquierda: PS20, Eureka5, PS10.
Conviene apuntar que los grandes candidatos a revolucionar la tecnologa solar

termoelctrica son los sistemas operando a altas temperatura (500-1200 C) y altos flujos de
radiacin solar concentrada (> 1000 W/m2), basados tanto en sistemas disco-Stirling, como en
sistemas de torre central. Parece oportuno que desde los agentes tecnolgicos e industriales ligados
a las centrales solares termoelctricas en Espaa, se aborde una iniciativa estratgica que permita
desarrollar una tecnologa propia en sistemas disco-Stirling. Asimismo resulta esencial potenciar la
investigacin en dispositivos y sistemas de almacenamiento electroqumico, fundamentalmente
bateras, que doten de capacidad de despacho a la red elctrica a estos motores solares.
La otra aproximacin de futuro se centrara en el desarrollo de los llamados sistemas

modulares multitorre, consistentes en campos ultra-compactos de pequeos heliostatos y torres de
pequea altura. Permiten una integracin mejor en el entorno y la utilizacin de ciclos
termodinmicos ms eficientes. Actualmente en Espaa no existen lneas de investigacin en esta
materia, pero la base cientfica y tecnolgica acumulada en la tecnologa de grandes plantas de
receptor central tras las primeras experiencias comerciales como PS10 y PS20 de la empresa
Abengoa Solar y la planta Gemasolar de la empresa Torresol Energy, puede ser adapta para esta
tecnologa.

2.4 El efecto fotoelctrico.

El principio fsico por el cual una clula fotovoltaica convierte luz solar en electricidad se
denomina efecto fotoelctrico. Descubierto por A. Einstein2, puede describirse como sigue: un
cuanto de luz o fotn que penetra en un metal transmite, total o parcialmente, su energa h a un
electrn; el electrn adquiere entonces una energa cintica, que es mxima si el cuanto de luz le
transfiere la totalidad de su energa. La energa mxima de los fotoelectrones emitidos se obtiene
sustrayendo de h el trabajo T necesario para extraer el electrn del metal, esto es: Emax= h-T.
La teora de Einstein concuerda con las observaciones experimentales: la energa cintica

mxima Emax no depende de la intensidad de la radiacin y crece linealmente con la frecuencia de la
radiacin incidente, con independencia (Einstein insiste en este punto) de la sustancia utilizada. Se
ha de hacer notar, sin embargo, que en ese momento no era posible demostrar experimentalmente
ninguna de tales hiptesis.
Figura. El efecto fotovoltaico.
2
Por sus explicaciones sobre el efecto fotoelctrico y sus numerosas contribuciones a la fsica terica, en 1921
obtuvo el Premio Nobel de Fsica.

2.5 La clula solar.

La clula fotovoltaica solar es un dispositivo semiconductor capaz de convertir los fotones
procedentes del Sol (luz solar), en electricidad de una forma directa e inmediata. Esta conversin
se conoce con el nombre de efecto fotovoltaico.
Las clulas solares han sido utilizadas frecuentemente para producir electricidad en lugares
donde no llega la red de distribucin elctrica, tanto en reas remotas de la Tierra como del
Espacio, haciendo posible el funcionamiento de todo tipo de dispositivos elctricos como satlites
de comunicaciones, radiotelfonos o bombas de agua. Ensambladas en paneles o mdulos y
dispuestas sobre los tejados de las casas, por medio de un inversor, pueden inyectar la electricidad
generada en la red de distribucin para el consumo, favoreciendo la produccin global de energa
primaria de un pas, de manera limpia y sostenible. Igualmente estos ltimos pueden configurarse
en amplias zonas no urbanas, dando lugar a plantas de generacin elctrica fotovoltaica.
Figura. Clula fotovoltaica.
Las clulas fotovoltaicas se fabrican a partir de materiales semiconductoes. El elemento

primordial es el Silicio. Es un elemento del grupo IV de la tabla peridica; es decir, tiene cuatro
electrones por tomo en su rbita externa. Un material de silicio o semiconductor posee una
resistividad demasiado baja para ser un aislador y demasiado alta para ser un conductor.
Material tipo n: Si el silicio puro se dopa con una pequea cantidad de un

elemento del grupo V, como fsforo, arsnico o antimonio, cada tomo del dopante
forma un enlace covalente dentro de la red cristalina del silicio y queda un electrn
suelto. Estos electrones sueltos aumentan mucho la conductividad del material.
Material tipo p: Si el silicio puro se dopa con una pequea cantidad de un

elemento del grupo III, como boro, galio o indio, se introduce un sitio vacante,
llamado hueco en la red cristalina del silicio. A semejanza de un electrn, se puede
considerar que un hueco es un portador mvil de carga, porque puede llenarse con
un electrn adyacente, el cual a su vez deja atrs un agujero. Esos huecos
aumentan mucho la conductividad del material.

Figura. Estructuras semiconductoras de Silicio.
El Silicio es el segundo elemento ms abundante de la corteza terrestre y se encuentra en

forma de slice (cuarzo). Por el momento, este material domina el mercado fotovoltaico,
especialmente el tipo de silicio cristalino, aunque tambin existen otras tecnologas fotovoltaicas,
como la del silicio amorfo, teluro de cadmio, seliniuro de cobre e indio, arseniuro de galio, fosfuro
de indio o las clulas orgnicas,
Con distintas impurezas, concentraciones y formas de dopado, alta tecnologa de

fotolitografa, y con corte con lser, grabado, aislamiento y empaquetado se producen las clulas
fotovoltaicas partiendo de diversas estructuras de capas semiconductoras tipo p y tipo n.
Clasificacin de clulas fotovoltaicas:
Monocristalinas: son las que proporcionan el rendimiento ms elevado (entre el

15 y el 18 % para las fabricadas en serie y hasta el 24 % en modelos de laboratorio).
Se obtienen de silicio puro fundido y dopado con boro. Tienen el inconveniente de
ser caras. Estas clulas son las ms utilizadas en la actualidad.
Policristalinas: proporcionan un rendimiento del 12 al 14 %. Tienen la ventaja de

un menor espesor, incluso de algunas micras. Se presentan en forma cuadrada
aprovechando mejor el espacio, y tienen un menor coste al ser ms delgadas. Su
proceso de elaboracin no es tan complicado como en el caso de la clula
monocristalina.
Silicio amorfo: tienen una capacidad superior de absorcin de la luz en relacin

con las clulas de silicio cristalino, pero proporcionan un rendimiento inferior al 10
%. Estas clulas se degradan con el paso del tiempo, pero se siguen estudiando
porque los precios pueden ser muy competitivos.
Arseniuro de galio: son las clulas ms indicadas para la fabricacin de paneles, ya

que su rendimiento terico alcanza lmites cercanos al 27/28 % en su versin
monocristalina. Sin embargo, tiene el problema de que este material no es
abundante, encareciendo por tanto el producto final.

Bifaciales: estas clulas estn constituidas por una doble unin N+-P-P+,
permiendo as aprovechar tanto la radiacin frontal como la reflejada del suelo (la
radiacin del albedo). El rendimiento de estas clulas puede llegar al 30 % siempre
que se tenga especial cuidado con la calidad de la superficie reflejada y las
condiciones mecnicas de colocacin del panel.
Figura. Clulas solares en mdulos fotovoltaicos.
Puede situarse en 1954 el inicio del uso de clulas y paneles fotovoltaicos para producir
electricidad, al estar incorporados en los primeros satlites artificiales.

Hoy da, los investigadores del Laboratorio Nacional de Energas Renovables de Golden,
Colorado, Estados Unidos, intentan aprovechar la propiedad de diferentes semiconductores de
captar diferentes colores de los rayos de luz. Superponiendo capas de unos compuestos llamados
fosfuro de indio-galio y arseniuro de galio-indio, y utilizando una lente3 para concentrar la luz
solar, el ao pasado lograron fabricar una clula fotovoltaica con una eficiencia del 40.8 %. Pero la
produccin masiva de estas clulas an es un objetivo lejano: ahora mismo pueden fabricarse a un
precio de unos 7.000 euros por centmetro cuadrado. La tecnologa es de una complejidad
increble.
En la actualidad, el rcord de eficiencia est en una clula de triple unin, basada en el

germanio, que ha alcanzado el 42.8 %.
Otra posibilidad es renunciar a una mayor eficiencia a cambio de un coste menos elevado.
Los semiconductores de capa fina generan menos energa, pero requieren menos materia prima, lo
que los convierte en una alternativa econmica para las grandes instalaciones fotovoltaicas. Existen
ya clulas solares de capa fina a un coste de unos 80 cntimos de euro por vatio.
La cantidad de silicio necesario para producir un Wp se reduce a un ritmo del orden del 5
% anual.
Con la mirada puesta en un futuro ms lejano, los ingenieros del NREL estn trabajando
con lquidos fotovoltaicos. El objetivo es que cuesten lo que un litro de pintura. La eficiencia no
ser del 50 o el 40 %, sino del 10 %. Pero si es barato, la gente puede pintar las paredes de su casa,
conectarse y listo.
Figura. Representacin de una clula solar convencional.
3
Lentes de Fresnel. Permiten concentrar hasta 500 veces los rayos del sol.

Figura. Funcionamiento de una clula solar.
Figura. Circuito equivalente de una clula solar.

As pues, el modelo matemtico de una clula solar puede expresarse como:
{
I = I ph I o e ko (V + Rs I ) 1 } V
RSH
Donde I es la corriente a travs de la carga, Iph es la corriente fotovoltaica a travs de la

unin PN, Rs es la resistencia serie de la clula, RSH es la resistencia paralelo, ko=q/AkT, siendo k
la constante de Boltzman, q la carga de un electrn, A el factor de complexin, T la temperatura
absoluta, y Io la corriente de saturacin inversa.
A continuacin se presentan los parmetros de funcionamiento de la clula solar ms

significativos:
Intensidad de cortocircuito, ISC: es la intensidad obtenida cuando se ponen en

contacto los terminales de la clula. Adems sta ser la mxima corriente que
pueda obtenerse. Normalmente toma valores entre 10 y 40 mA por centmetro
cuadrado de la clula.
Tensin en circuito abierto, VOC: es la tensin mxima que puede alcanzar la

clula, y se da en el caso de que no haya ninguna carga conectada a ella. La
intensidad es por tanto nula, y la corriente del diodo ID ser igual a la corriente de
generacin IL.
Potencia mxima o pico, Pmx: punto de operacin de la clula (IMPP, VMPP; MPP
maximum power point) para el cual la potencia generada es mxima, esto es:
Pmax=IMPPVMPP
Factor de forma, FF: se trata de la relacin entre el rectngulo de mxima

potencia y el rectngulo de lados VOC e ISC:
I MPP VMPP
FF = Pmx = FF I SC VOC
I SC VOC
Eficiencia o rendimiento, : es el cociente entre la energa elctrica generada por

la clula, Egenerada, y la enrga recibida del Sol, Erecibida:
E generada I MPP VMPP

= =
E recibida I Sol S celula
Donde:
ISol es la irradiancia sobre la placa.
Scelula es la superficie de la clula.

La ecuacin que describe el funcionamiento de la clula solar puede escribirse entonces

como sigue:
V
I = I sc 1 C1 e 2 oc 1
C V
Donde
1
I C2 Voc
VMPP
V I MPP
C1 = 1 MPP e C2 = MPP 1 ln 1
I SC Voc I SC

Figura. Curvas I-V y P-V caractersticas de una clula solar.

Las condiciones de operacin que ms influyen son:
Irradiancia.
Como sabemos, la intensidad de cortocircuito de una clula solar es directamente

proporcional a la intensidad de la iluminacin incidente. La tensin de circuito
abierto sin embargo no vara significativamente al aumentar o disminuir la
radiacin solar. La potencia elctrica generada por la clula es por tanto
proporcional a la radicacin incidente.
Temperatura.
Afecta fundamentalmente a la tensin de circuito abierto, disminuyendo el valor de

sta cuando aquella aumenta. El factor de forma y el rendimiento de la clula se
ven as reducidos.
Figura. Influencia de la temperatura en el comportamiento de la clula.

2.6 Los mdulos fotovoltaicos.

Los mdulos fotovoltaicos estn formados por un conjunto de clulas fotovoltaicas que
producen electricidad a partir de la luz que incide sobre ellos. La mayor parte de los paneles solares
se construyen asociando primero clulas en serie hasta conseguir el nivel de tensin deseado, y
luego asociando en paralelo varias asociaciones serie de clulas para alcanzar el nivel de corriente
deseado.
Los paneles o mdulos se fabrican en una amplia gama de tamaos, con el fin de servir a
diferentes aplicaciones.
Figura. Elementos y construccin de un mdulo fotovoltaico.

Un conjunto de mdulos o paneles conectados elctricamente en serie forman una rama.

Varias ramas conectadas en paralelo, para obtener la potencia deseada, constituyen un generador
fotovoltaico. Se consigue as proporcionar las caractersticas de tensin y de potencia requeridas
por las diferentes aplicaciones.
La representacin tpica de salida de un dispositivo fotovoltaico (clula, mdulo o sistema),

como se ha mostrado en el apartado anterior, es la curva intensidad-tensin.
Figura. Curva I-V caracterstica de um mdulo fotovoltaico.
Puede observarse en la figura anterior que la intensidad de salida se mantiene

prcticamente constante dentro del rango de tensiones de operacin.
La intensidad y la tensin de trabajo del dispositivo fotovoltaico vienen determinadas,

fundamentalmente, por la radiacin solar incidente, por la temperatura ambiente, y por las
caractersticas de la carga conectada.

Figura. Curvas caractersticas de un sistema fotovoltaico,

en funcin de la irradiancia y la temperatura.
Lgicamente, la intensidad que genera el mdulo fotovoltaico aumenta con la radicacin

solar, permaneciendo prcticamente constante la tensin. Este hecho concede especial importancia
a la colocacin de los paneles, habiendo de tenerse en cuenta tanto su orientacin como su
inclinacin, ya que los valores de la radiacin varan a lo largo del da.
El aumento de la temperatura en las clulas supone un incremento de la intensidad, pero

una disminucin de la tensin. El efecto global es una disminucin de la potencia generada. Una
radiacin de 1000 W/m2 puede calentar un panel 30 C por encima de la temperatura del aire
circundante, lo que puede traducirse en una disminucin de potencia de hasta un 15 %. Por este
motivo los paneles han de colocarse favoreciendo el paso de aire.


Figura. Paneles fotovoltaicos de silicio monocristalino en cubierta.
Entre los paneles fotovoltaicos ha de existir una cierta distancia, para evitar el efecto de
sombra.
Para estructuras fijas la distancia entre paneles se calcula mediante la siguiente expresin:
h
d=
tg (61 latitud )
Figura. Distancia entre mdulos.
Se ha de hacer notar que los mdulos fijos pueden disponerse a distancias menores que los
colocados en estructuras de seguimiento solar, puesto que estos ltimos producen mayores
superficies de sombra.

2.7 Instalaciones fotovoltaicas.

La potencia de las instalaciones fotovoltaicas se da en Wp (vatios pico), que corresponde a
la potencia que dan los mdulos a 25 de temperatura y bajo condiciones de insolacin de 1000
W/m2 (insolacin aproximada de un da soleado de verano al medioda). La potencia en Wp del
mdulo corresponde, aproximadamente, a la potencia mxima que puede generar.
Existen tres rangos de potencia representativos de los distintos tipos de instalaciones de

generacin FV, adems de una cuarta tipologa, correspondiente a las centrales:
Instalaciones pequeas de 3 kWp como planta tipo (con rango hasta 5 kW).
Son aplicaciones rurales aisladas por ser una solucin limpia y muchas veces econmica,
o aplicaciones conectadas a red sobre tejados, azoteas de casas, hechas por particulares
en zonas de su propiedad o influencia; la motivacin es generalmente medioambiental.
Con la generacin de 3 kWp se cubrira el consumo propio de una casa tipo medio en el
que vivan 2-3 personas, excluyendo el consumo de calefaccin y aire acondicionado.
Figura. Electrificacin rural en zonas aisladas.

Figura. Electrificacin rural. Abastecimiento de agua.
Instalaciones medianas de 30 kWp como planta tipo (entre 5 y 100 kWp).
Son generadores en electrificaciones rurales centralizadas, o conectadas a red en

edificios, normalmente integrados en la arquitectura de los mismos, instalaciones
diseadas por arquitectos innovadores y realizadas por comunidades de vecinos,
empresas constructoras o corporaciones pblicas y privadas que desean incorporar
energa fotovoltaica en sus edificios o construcciones emblemticas como valor aadido.
Una instalacin de 30 kWp en un edificio supondra cubrir las necesidades elctricas de
diez viviendas medias.

Figura. Conexin a red. Integracin arquitectnica.
Instalaciones grandes de 300 kWp como planta tipo (entre 100 kW y 1MWp).
Son generalmente instalaciones conectadas a red, de superficies extensas, promovidas

generalmente por empresas que, adems de contribuir a una generacin limpia, desean un
refuerzo de la imagen de la empresa o entidad promotora. Una planta de 300 kWp cubre
el consumo de un edificio de tipo medio.

Figura. Conexin a red. Central fotovoltaica.
Centrales fotovoltaicas de 3 MWp como planta tipo (entre 1 y 40 MWp).
Son centrales de generacin, promovidas generalmente por empresas o consorcios de

empresas, siendo generalmente una de ellas la empresa local de distribucin; estas
empresas desean conseguir cierto rendimiento econmico y una componente de
generacin verde. Una planta de 3 MWp cubre el consumo de una poblacin o
urbanizacin de aproximadamente 500 vecinos.

Figura. Conexin a red. Centrales Fotovoltaicas.
2.7.1 Instalaciones aisladas.

La aplicacin exclusiva de la energa fotovoltaica durante dcadas ha sido la de permitir
disponer de energa elctrica en instalaciones situadas en sitios remotos, aislados o donde no se
poda utilizar otro tipo de generador o fuente de energa elctrica.
Figura. Esquema de un sistema fotovoltaico aislado.

Adems de los paneles fotovoltaicos que alimentan los satlites artificiales, ya a nivel
terrestre el sector de las telecomunicaciones es tambin uno de los mayores usuarios de este tipo
de energa, ya que sus equipos usualmente se encuentran en lo alto de las montaas, en lugares de
difcil acceso o en zonas deshabitadas.
Figura. Estaciones repetidoras de comunicacin.
Otra de las aplicaciones de la energa fotovoltaica es poder disponer de energa elctrica en

casos de emergencia o de desastres naturales, en los que no se puede recurrir a las fuentes de
energa elctrica tradicionales.
Otro grupo clsico de aplicaciones fotovoltaicas es la alimentacin de viviendas y pequeos

ncleos rurales donde la posibilidad de conectarse a la red de distribucin de energa elctrica no
es posible o econmicamente no es factible.
Un tipo de aplicaciones distintas a las anteriores son las que no requieren la utilizacin de
acumuladores y que funcionan siempre que haya sol, consumiendo la energa que generan los
paneles. Se trata de sistemas relativamente simples, siendo los sistemas de bombeo de agua el caso
ms utilizado.
En pases subdesarrollados, en los que el acceso a redes elctricas o la utilizacin de otro

tipo de generadores no es posible, la energa fotovoltaica se ha convertido en la nica posibilidad
de acceder a la electricidad y a la posibilidad de una mejora en la calidad de vida.

Figura. Alumbrado pblico.
El generador fotovoltaico se estima que tiene una vida til superior a 30 aos, siendo la
parte ms fiable de la instalacin. La experiencia indica que los paneles nunca dejan de producir
electricidad, aunque su rendimiento pueda disminuir ligeramente con el tiempo.
Los paneles que forma el generador apenas requieren mantenimiento, basta limpiarlos con
algn producto no abrasivo cuando se detecte suciedad solidificada.
El regulador de carga no requiere mantenimiento, pero s necesita ser revisado para

comprobar su buen funcionamiento. La funcin de control del estado de carga de la batera la
realiza el regulador de carga. Una de sus funciones principales es el control y limitacin de la
tensin mxima.
Por otro lado, las bateras con un correcto mantenimiento tienen una vida
aproximada de diez aos. Se debe controlar que el nivel de agua del electrolito est dentro de unos
lmites aceptables. Para reponerlo se utiliza agua desmineralizada o destilada. Se debe revisar su
nivel mensualmente en cada uno de los elementos y mantener los bornes de conexin libres de
sulfato. Actualmente existen bateras sin mantenimiento o de electrolito gelificado que no
necesitan reposicin de agua.
2.7.2 Instalaciones conectadas a red.

En instalaciones conectadas a red en vivienda o edificio, el tamao de la instalacin no
depende del consumo de electricidad, lo que simplifica su diseo. Para dimensionar la instalacin
es necesario conocer el espacio disponible, la inversin inicial, y la rentabilidad que se quiere
obtener, ya que el consumo de electricidad es independiente de la energa generada por los paneles
fotovoltaicos. El usuario sigue comprando la electricidad proveniente de la distribuidora al precio
establecido y adems es propietario de una instalacin generadora de electricidad que puede
facturar los kWh producidos a un precio superior.

Entre las principales aplicaciones de los sistemas conectados a la red elctrica son los
tejados de vivienda. Son sistemas modulares de fcil instalacin donde se aprovecha la superficie
de tejado existente para sobreponer los mdulos fotovoltaicos. El peso de los paneles sobre el
tejado no supone una sobrecarga para la mayora de los tejados existentes. Una instalacin de unos
3 kWp que ocupa cerca de 30 metros de tejado inyectara a la red la energa necesaria para una
pequea vivienda. El mantenimiento se reduce a la limpieza de los paneles, cuando se detecte
suciedad solidificada.
Figura. Esquema de un sistema fotovoltaico conectado a red.
Figura. Paneles fotovoltaicos en viviendas.

Al inicio de la dcada de los 80, dos compaas elctricas norteamericanas instalaron en

California las dos primeras centrales elctricas cuya energa era producida por paneles
fotovoltaicos. Sus potencias eran de 1 MWp y de 7 MWp y los paneles eran de silicio
monocristalino, con sistema de seguimiento de dos ejes. Desde entonces, el nmero de
instalaciones fotovoltaicas conectadas a la red ha ido en aumento en todo el mundo con el
objetivo, adems de producir electricidad para inyectarla a la red, de investigar y probar nuevas
tecnologas, materiales y equipos.
La gran ventaja de este tipo de solucin es la simplicidad del diseo de la instalacin, ya

que se eliminan las bateras que son la parte ms cara y compleja de la misma, sobre todo al
aumentar la potencia.
Figura. Inversor TAURO PR. Conexin a red.
2.7.3 Bateras de almacenamiento.

La naturaleza variable de la radiacin solar y por lo tanto de la energa elctrica generada,
hace que en los sistemas fotovoltaicos aislados sea necesario un almacenamiento de energa que
permita poder disponer de sta en periodos en los que no es posible la generacin. En los sistemas
fotovoltaicos el almacenamiento de energa elctrica se realiza mediante bateras.
Una batera consiste de dos o ms elementos, pilas o celdas, conectados en serie o en

paralelo. Estos elementos convierten la energa qumica en energa elctrica mediante dos
electrodos de distinto material, aislados elctricamente uno del otro y sumergidos en un electrolito
que hace de conductor inico.

Figura. Batera para sistemas de energas renovables.
Cuando la batera es recargable, el proceso qumico es reversible, y la energa elctrica

inyectada puede convertirse en energa qumica y almacenarse de este modo.
Los tipos de bateras ms utilizadas son:
Plomo-cido.
Nquel-cadmio.
Nquel-hierro.
Plata-cadmio.
Zinc-xido de plata.
En el mbito fotovoltaico la ms utilizada es la batera de plomo-cido ya que posee la mejor

relacin capacidad de almacenamiento y coste, aunque ha ampliarse su vida til y su
almacenamiento de energa por unidad de volumen (y peso). Es necesario el desarrollo de nuevos
tipos de bateras especficamente para aplicaciones fotovoltaicas
Pueden conectarse en paralelo, en serie, o mixto.
Es muy importante destacar que no se deben conexionar bateras de distintas caractersticas.

Figura. Bateras estacionarias. Gran capacidad de funcionamiento en regmenes

de carga y descarga lentas.
Figura. Bateras de gel. Tambin son estacionarias. El electrodo est gelificado, de modo que no
precisan mantenimiento y pueden funcionar colocadas en cualquier posicin.
2.7.4 Mecanismos de seguimiento.

Como se ha expuesto anteriormente, la cantidad de energa diaria entregada por los paneles
fotovoltaicos variar dependiendo de la orientacin, de la localizacin, del clima y de la poca del
ao.
Los mecanismos de seguimiento se utilizan para mantener los paneles fotovoltaicos

directamente frente al sol. Estos mecanismos pueden ser estructuras fijas, en las cuales la
inclinacin del panel solar habr de ser la ptima para recibir la mayor irradiacin a lo largo de
todo el ao. Depende de la latitud, la longitud y la altura de instalacin del panel. Existe la
posibilidad de regular dicha inclinacin, en cuyo caso se elegir una para verano y otra para
invierno.

Figura. Estructura-soporte de paneles.
Para una planta de 1 MW que utilice estructuras fijas, la superficie de ocupacin ser
aproximadamente de 1,4 hectreas, es decir x = y =120 metros.
Por otra parte, cabe destacar la utilizacin de estructuras mviles o seguidores en

plantas de generacin fotovoltaica. As, son habituales en zonas con media y alta radiacin. Los
seguidores pueden ser de uno o dos ejes.
Figura. Seguidor de un eje.

Figura. Seguidor de dos ejes.
Figura. Seguidos de dos ejes.
La superficie ocupada por una planta fotovoltaica de 1 MW con seguidores de un solo eje
ser aproximadamente de 4,6 hectreas (x = y = 215 metros), considerando condiciones de
radiacin en torno a 2.120 kWh/m2ao. Igualmente, con seguidores de dos ejes la superficie
ocupada sera de 5 hectreas (x = y = 225 metros).
La regulacin del seguimiento del sol por dos ejes se realiza bsicamente mediante los
siguientes modos:

Sistemas mecnicos: el seguimiento se realiza por medio de un motor y de un

sistema de engranajes. Requiere ajustes peridicos a lo largo del ao.
Sistemas de ajuste automtico: a travs de sensores que detectan cundo la

radiacin no incide perpendicularmente al panel, se corrige empleando motores
elctricos la posicin del mismo.
Sistemas sin motor: el seguimiento solar se consigue mediante la expansin de

gases en un sistema neumtico.
2.7.5 Vida til.

La vida til de una planta fotovoltaica, la define la vida til de sus componentes,
principalmente el generador o mdulo fotovoltaico, que constituye ms del 50 % del valor de la
instalacin.
Los mdulos tienen una vida esperada de ms de 40 aos. Realmente no se tienen datos
para saber con exactitud la vida real de un generador conectado a red porque no se tiene suficiente
perspectiva.
La vida til de los restantes elementos que componen la planta FV, inversores y medidores,
as como los elementos auxiliares, cableado, canalizaciones, cajas de conexin, etc., es la vida til
tpica de todo tipo equipo electrnico y material elctrico, la cual es compatible con la larga vida
til del generador FV, con el adecuado mantenimiento.
Los fabricantes dan como periodo garantizado de generacin de potencia, entre 20 y 25

aos (se asegura as que los mdulos darn una potencia superior a 80 % de la especificada
inicialmente en el momento de la compra).
2.8 El inversor.
Se denominan inversores a los convertidores de corriente continua (Direct Current, DC) a
corriente alterna (Alternating Current, AC). La funcin de un inversor es cambiar una tensin de
entrada de DC a una tensin simtrica de salida de AC, con la magnitud y frecuencia deseadas.
Las formas de onda de la tensin de salida de los inversores prcticos no son senoidales y
contienen ciertas armnicas. En aplicaciones de potencia baja e intermedia se pueden aceptar
tensiones de onda cuadrada o de onda casi cuadrada, y para aplicaciones con alta potencia se
requieren formas de onda senoidal con poca distorsin. Con la disponibilidad de los dispositivos
semiconductores de potencia de alta velocidad, se pueden minimizar los contenidos de armnicos
en la tensin de salida, o al menos reducirlos de forma importante, mediante tcnicas de
conmutacin.

Es habitual su uso en aplicaciones industriales, por ejemplo como accionamientos

(variadores, reguladores o controles) de motores de AC y velocidad variable, o en hornos de
induccin, en sistemas de potencia ininterrumpida (UPS) u otras fuentes de alimentacin.
Los dispositivos semiconductores de potencia utilizados pueden ser transistores bipolares

de unin (BJT), transistores de efecto de campo, de metal xido semiconductor (MOSFET),
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT), o tiristores controlados por compuerta
(GTO).
Figura. Caractersticas de tensin, intensidad y frecuencia de distintos

dispositivos semiconductores de potencia.
Hoy da, en energas renovables el principal dispositivo semiconductor empleado es el

transistor de puerta aislada IGBT. Ofrece menores prdidas de conmutacin y conduccin, y su
circuito de control es muy simple. Su frecuencia de conmutacin no supera los 20 kHz, y su rango
de potencia es intermedio: 1200 V y 400 A.

Figura. Seccin transversal de la estructura de silicio de un IGBT.
Figura. Curva caracterstica esttica de un IGBT de canal n.

Figura. Smbolo del IGBT (como BJT).
Un IGBT es un dispositivo controlado por tensin, parecido a un MOSFET de potencia.

Como en un MOSFET, para el encendido se hace positiva la compuerta con respecto al emisor,
los portadores n son atrados al canal p cerca de la regin de la compuerta; esto produce una
polarizacin en directa de la base del transistor npn, que con ello se enciende. Un IGBT slo se
enciende aplicndole una tensin de compuerta positiva, para que los portadores n formen el
canal, y se apaga eliminando la tensin de compuerta, para que el canal desaparezca.
La entrada del inversor puede ser una batera, una celda de combustible, celda solar u otra
fuente de DC.
Un inversor se llama inversor alimentado por tensin (Voltage Source Inverter, VSI) si la
tensin de entrada permanece constante; inversor alimentado por corriente (Current Source Inverter,
CSI) si la corriente de entrada permanece constante, y convertidor enlazado con DC variable si la
tensin de entrada es controlable.
Figura. (a) Topologa CSI. (b) Topologa VSI.

La mayora de los convertidores electrnicos de potencia pueden ser analizados a partir de

una clula de conmutacin. La transformacin de una tensin a otra se realiza troceando o
conmutando tensiones y corrientes. Con el fin de cumplir la Ley de Kirchhoff sobre intensidades,
cuando un interruptor est abierto el otro ha de estar cerrado (y viceversa).
Figura. Clula de conmutacin.
Para obtener tensiones negativas, es necesario contar con dos clulas de conmutacin. Tal
es el caso del siguiente puente inversor monofsico:
Figura. Inversor monofsico de puente en H.

Para asegurar un flujo de corriente unidireccional se recurre a la accin de un simple diodo

en paralelo con el interruptor. Cuando estos diodos conducen, la energa regresa a la fuente de
DC. A esos diodos se les llama diodos de retroalimentacin.
Cualquier dispositivo de conmutacin puede sustituir a los transistores. Si toff es el tiempo

de apagado de un dispositivo, debe haber un tiempo mnimo de retardo td (=toff) entre el
dispositivo a la salida y el disparo del siguiente dispositivo en la entrada. De no ser as, se
producira una condicin de cortocircuito a travs de los dos dispositivos. Todos los dispositivos
prcticos requieren cierto tiempo de encendido y apagado. Para que el funcionamiento de los
inversores sea adecuado, el circuito lgico los debe tener en cuenta.
En aplicaciones de elevada potencia normalmente se usan inversores trifsicos:
Figura. Puente inversor trifsico.

Estos inversores usan en general seales de control por modulacin por ancho de pulso
(PWM) para producir una tensin de salida de AC.
2.8.1 Topologas de inversores fotovoltaicos.

1. Con convertidor DC/DC.
Con aislamiento (galvnico).
Sin aislamiento (galvnico).
2. Sin convertidor DC/DC.
Con aislamiento (galvnico).
Sin aislamiento (galvnico).
Topologas ms comunes en sistemas FV de pequea y media potencia:
Elevador y puente en H
Es la topologa convencional. El elevador DC/DC permite realizar el seguimiento del

punto de mxima potencia. La modulacin del inversor se realiza mediante PWM, por banda de
histresis (bang-bang) o por espacio vectorial.

Reductor, puente en H y transformador de baja frecuencia
Posee un convertidor reductor DC/DC. El inversor invierte uno de cada dos

semiperiodos. No conmuta en alta frecuencia. La corriente generada es de alto valor.
Inversor, transformador de alta frecuencia y puente en H
El transformador de alta frecuencia eleva la tensin. Es ms pequeo, ligero y barato que el

de baja frecuencia.
2.8.1.1 Inversores multinivel.

En este caso la tensin alterna se obtiene a partir de ms de dos niveles de tensin
continua. El objetivo general del convertidor multinivel es sintetizar una tensin casi senoidal a
partir de varios niveles de tensiones DC, que en forma tpica se obtienen con fuentes de tensin
con condensadores. Un inversor de m niveles necesita (m-1) condensadores.

Figura. Topologa de inversores multinivel.
Figura. Tensiones de lnea de inversores de dos y tres niveles
Inversores de dos niveles requieren conmutacin en alta frecuencia, junto con diversas
estrategias de modulacin por ancho de pulso (PWM), para obtener una forma de onda de tensin
o corriente de alta calidad. Sin embargo, en aplicaciones con alta potencia y alta tensin, tienen
algunas limitaciones para operar en alta frecuencia, principalmente a causa de las prdidas por
conmutacin y limitaciones de las especificaciones nominales de los dispositivos.

Figura. Tensin tpica en la salida de un inversor multinivel en cinco niveles.
En trminos generales, puede ser ms fcil producir un inversor de alta potencia y alta
tensin con la estructura multinivel, al aumentar la cantidad de niveles de tensin sin necesidad de
mayores especificaciones nominales de los dispositivos semiconductores. Cabe destacar, adems,
que a medida que aumenta la cantidad de niveles de tensin se reduce en forma importante el
contenido de armnicos en la forma de onda de la tensin de salida, permitiendo el empleo de
filtros de menor tamao. Se debe sealar, sin embargo, que un elevado nmero de dispositivos
semiconductores aumenta el coste y complejidad de control del convertidor. Supone, adems, un
reto para este ltimo el equilibrado de tensiones debidas al elevado nmero de condensadores.
Los convertidores multinivel son particularmente interesantes en aplicaciones de elevada

potencia, tales como FACTS, ya que la necesidad de filtros es reducida, y la eficiencia alta debido a
que los dispositivos electrnicos conmutan a la frecuencia fundamental. Su empleo en energas
renovables permite operar en mayores rangos de potencia, con un mayor rendimiento, ofreciendo
una mayor calidad de suministro y, en algunos casos, el control de potencias activa y reactiva.
Conviene decir, por otra parte, que los sistemas fotovoltaicos (FV) conectados a red,
en particular de baja potencia e integrados en las arquitecturas o tejados de los edificios, son
reconocidos cada vez en mayor medida en todo el mundo por su contribucin a la generacin
limpia de energa elctrica. Este tipo de sistemas FV generalmente son propiedad de un particular
o particulares, llegando a alcanzar una potencia de hasta 10 kW. Lgicamente, el principal objetivo
de estos operadores privados es maximizar la produccin de energa. Cuestiones como la vida til
del sistema (20 aos o ms), elevada eficiencia y buenas condiciones medioambientales
(disponibilidad de radiacin solar) son de importancia para estos operadores. Otros requerimientos
importantes de estos sistemas FV son el cumplimiento de las normas de calidad de la energa
elctrica, compatibilidad electromagntica, limitacin de ruidos, o requerimientos de seguridad y
proteccin. A pesar de ello, su implantacin o aceptacin depender en buena medida de su
fiabilidad y bajo coste.

Figura. Cuestiones de importancia en sistemas FV de baja potencia.
La tendencia actual en este campo se basa en unidades dispuestas en cadena (ver apartado
siguiente) de potencias de 1 kW sin transformador (en particular en inversores con tensiones de
entrada elevadas), debido a su elevada eficiencia. Evitar el transformador trae consigo beneficios
como la reduccin del coste, tamao, peso y complejidad del inversor. Sin embargo, prescindir del
transformador y por consiguiente del aislamiento galvnico que proporciona debe ser considerado
cuidadosamente.
Las topologas de convertidores multinivel son especialmente apropiadas en aplicaciones

fotovoltaicas, debido a que la estructura modular de los paneles fotovoltaicos puede proporcionar
fcilmente los diferentes niveles de tensin DC requeridos.
Debido a las rpidas transiciones de tensin e intensidad, la mayora de equipos

electrnicos de potencia emiten perturbaciones que se propagan por conduccin o por radiacin.
En sistemas FV sin transformador, adems, pueden originarse corrientes de fuga debidas al efecto
capacitivo entre el sistema fotovoltaico y tierra, incrementado de esta manera las emisiones
electromagnticas. Cabe decir, sin embargo, que el empleo de convertidores multinivel reduce el
riesgo de interferencia con otros dispositivos por induccin electromagntica, al no recurrir a
tcnicas PWM. La frecuencia de conmutacin no es por tanto tan alta, aunque significativa.
La ausencia de transformador en topologas de inversores FV da lugar a una conexin

galvnica entre el sistema FV y la red. Debido a la capacidad existente entre el mdulo FV y tierra,
el sometimiento de la misma a una diferencia de potencial debida a las acciones de conmutacin
existentes en el inversor inyecta una corriente capacitiva a tierra. Este condensador forma parte de
un circuito resonante compuesto por el conjunto FV, filtros DC y AC y la impedancia de la red.
Debido a la necesaria optimizacin de la eficiencia de estos sistemas FV, el amortiguamiento de
este circuito resonante puede ser muy pequeo. La corriente a tierra puede entonces alcanzar
amplitudes bien por encima de niveles permitidos.

Dependiendo de la topologa, estados de conmutacin y condiciones ambientales, la

corriente capacitiva a tierra puede causar interferencias electromagnticas (conduccin o
radiacin), distorsin de la corriente de la red y adicionales prdidas en el sistema ms o menos
severas.
La magnitud de la capacidad a tierra del sistema FV depende de condiciones ambientales y

de la estructura fsica del conjunto.
Figura. (a) Mxima (~nF) y (b) mnima (~pF) capacidad a tierra de un mdulo FV.
2.8.1.1.1 Medio puente con fijacin de nivel por diodos.

La siguiente figura muestra un inversor medio puente con fijador de nivel por diodos de
tres niveles (half-bridge diode clamped three-level inverter), como parte de un sistema FV conectado a red
sin transformador monofsico. Cuando se activan los interruptores S1 y S2 se genera una tensin
positiva en los terminales de salida del inversor. Una tensin de salida nula se obtiene con el
encendido de los interruptores S2 y S3, y una tensin negativa cuando se activan los interruptores
S3 y S4. Las tensiones VPVA1 y VPVA2 han de ser siempre mayores que la amplitud de la tensin de la
red vgrid para posibilitar la transferencia de energa del bus DC a la red.

Figura. Sistemas FV conectados a red con (a) inversor de medio puente con fijador
de nivel por diodos de tres niveles y (b) inversor de medio puente con fijador
de nivel por diodos de cinco niveles
La conexin a tierra del sistema FV en su punto medio supone una clara ventaja, ya que
elimina las corrientes capacitivas a tierra y su influencia negativa en la compatibilidad
electromagntica del circuito.
Entre sus desventajas pueden apuntarse el elevado nmero de dispositivos

semiconductores requeridos y la necesidad de un diseo cuidadoso de cada subconjunto FV para
asegurar la mxima transferencia de energa desde cada uno de ellos, ya que la carga del
subconjunto 1 y 4 difiere del subconjunto central 2 y 3.
Ya que actualmente hay disponibles mdulos FV que operan alrededor de 17 V, se

requieren un gran nmero de mdulos para conseguir un tamao mnimo de aproximadamente 3
kW.

2.8.1.1.2 Puente completo con fijacin de nivel por interruptores.

El inversor de puente completo con fijacin de nivel por interruptores (full-bridge single leg
switch clamped) se sugiere para sistemas FV residenciales. Su topologa se compone de un puente
completo convencional (interruptores Sa1, Sa2, Sb1 y Sb2), ver figura a continuacin, y el control del
flujo de corriente a y desde el punto medio del bus DC mediante un interruptor bidireccional
(realizado con los dispositivos semiconductores Sa3, Sa4, Da1 y Da2). Cuando se aplica en un sistema
FV sin transformador, la potencia mnima del puente inversor es aproximadamente 1.5 kW.
Figura. Sistemas FV conectados a red con (a) inversor de puente completo con fijador de nivel por
interruptores y (b) inversor de puente completo con fijador de nivel con diodos
Un sistema FV sin transformador con similares caractersticas puede ser realizado con un
inversor de puente completo con fijador de nivel con diodos (ver figura anterior). En ambas
topologas los subconjuntos FV estn simtricamente cargados.
2.8.1.1.3 Cascada.
Para la conversin de energa DC a AC se muestra a continuacin un sistema FV
conectado a red sin transformador con un inversor en cascada (cascaded inverter). La topologa se
compone de dos puentes completos con sus salidas AC conectadas en serie. Cada puente puede
crear tres niveles diferentes de tensin AC, permitiendo generar una salida de tensin global de
cinco niveles. La ventaja de esta topologa es su carcter modular. En la bibliografa especializada
este concepto se sugiere en sistemas con una tensin de 40 V en cada bus DC, adems de en
aplicaciones de alta potencia.

Figura. Sistema FV conectado a red con inversor en cascada.
2.8.1.1.4 Paso.
Un convertidor de paso (step converter) conmuta subconjuntos FV de diferentes tensiones
para obtener una tensin AC de salida. J. Mller, en su artculo Assesment and Optimisation of Step-
Inverters for Photovoltaic Systems, expone una topologa compuesta por cinco mdulos con tensiones
nominales de 11 V, 22 V, 44 V, 88 V y 176 V para un sistema FV conectado a red como se
muestra en la siguiente figura:
Figura. Sistema FV conectado a red mediante un inversor de paso.

La energa generada por cada subconjunto FV crece con la tensin del bus DC.
2.8.1.1.5 Con acoplamiento magntico.

La siguiente figura muestra un sistema FV monofsico con un inversor acoplado
magnticamente (magnetic coupled inverter). El inversor se compone de tres puentes completos o en
H, conectados cada uno de ellos a un transformador. Los secundarios de cada transformador se
conectan en serie.
Figura. Sistema FV conectado a red con inversor acoplado magnticamente.
Debido a las diferentes relaciones de transformacin de cada transformador y a la

posibilidad de crear por parte de cada puente de conversin tres niveles de tensin (+VPVA, -VPVA y
0), en los terminales AC puede obtenerse 27 niveles de tensin. La ventaja de esta topologa reside
en la consecucin de una forma de onda relativamente aproximada a una onda senoidal a bajas
frecuencias de conmutacin. Sin embargo, su mayor desventaja es la necesidad de tres
transformadores.
2.8.1.1.6 Con condensadores flotantes.

En la siguiente figura se presenta un inversor de medio puente y tres niveles con
condensadores flotantes (half-bridge three-level flying capacitor inverter) para la conexin a red sin
transformador de un sistema FV. Las caractersticas de esta topologa son similares a la topologa
con fijacin de nivel por diodos. Para la operacin de este convertidor es importante una relacin
estable de tensin de VPVA1/VC2=VPVA2/VC2=1. Para ello se requiere mtodos de control que
aseguren que la media de la corriente a travs del condensador C2 sea cero. Esto complica el
control del inversor y excluye soluciones con ciclos de trabajo variables (por ejemplo, control por
histresis).

Figura. Sistema FV conectado a red con un inversor de medio puente

y tres niveles con condensador flotante.
2.8.2 Parmetros de rendimiento.

Como sabemos, la salida de los inversores prcticos contiene armnicas, y la calidad de un
inversor se suele evaluar en trminos de los siguientes parmetros de rendimiento:
1. Factor armnico de la n-sima armnica (HFn).
El factor armnico (de la n-sima armnica), que es una medida de la contribucin

individual de esa armnica, se define como
V0 n
HFn = n >1
V01
donde V1 es el valor eficaz de la componente fundamental, y V0n es el valor eficaz de la n-sima

componente armnica.

2. Distorsin armnica total (THD).
La distorsin armnica total, que es una medida de la coincidencia de formas entre una
onda y su componente fundamental, se define como
1 2
THD = V02n
V01 n =02, 3, ...
3. Factor de distorsin (DF).
La THD expresa el contenido total de armnicos, pero no indica el nivel de cada

componente armnico. Si se usa un filtro a la salida de los inversores, las armnicas de orden
mayor se atenan con ms eficacia. Por consiguiente, es importante conocer tanto la frecuencia
como la magnitud de cada armnica. El DF indica la cantidad de distorsin armnica que queda
en determinada forma de onda despus de someter a las armnicas de esa onda a una atenuacin
de segundo orden, es decir, dividirlas entre n2. As, el factor de distorsin es una medida de la
eficacia de reduccin de armnicas no deseadas, sin tener que especificar los valores de un filtro de
carga de segundo orden, y se define como sigue:
1 V0 n 2
DF = 2
V01 n = 2, 3, ... n
El DF de un componente armnico individual (o el n-simo) se define como
V0 n
DF =
V01 n 2
4. Armnica de orden ms bajo (LOH).
La LOH es aquel componente armnico cuya frecuencia se acerca ms a la de la

fundamental, y su amplitud es mayor o igual al 3 % de la componente fundamental.

2.8.3 Configuraciones de sistemas fotovoltaicos e inversores.

Inversor central.
Es la configuracin habitual en plantas fotovoltaicas de hasta varios MW.
Figura. Planta fotovoltaica con inversor central.
Figura. Inversor central en planta fotovoltaica.

Inversor en cadena (string).
Habituales en sistemas fotovoltaicos urbanos y en huertos solares de similares

potencias. Cada cadena comprende de 2 a 5 kW. El inversor realiza su propio
seguimiento del punto de mxima potencia (Maximum Power Point Tracking, MPPT),
mejorando la eficiencia de la topologa anterior.
Figura. Sistema fotovoltaico con inversores en cadena.
Inversor integrado (mdulo AC).
Se emplea en pequeas instalaciones debido a su elevado coste. Cada inversor

realiza su propio MPPT, extrayendo de esta manera la mxima potencia posible de
la instalacin.

Figura. Inversores integrados en un sistema FV.
El pequeo nivel de potencia y modularidad favorece su flexibilidad y expansin, y

bajo coste de inversin. Ya que la salida de los paneles pueden conectarse
directamente a la red, no es necesario cableado DC ni instaladores expertos,
reducindose tambin de esta manera los costes. Aunque un mayor coste por vatio es
esperado de esta configuracin, su produccin mediante economas de escala puede
incrementar su competitividad. Conviene decir, adems, que su mantenimiento es
mucho ms complejo que los inversores de cadena tradicionales.
La trinidad eficiencia, coste y vida til da en general la orientacin en la eleccin de la

topologa. Las topologas ms simples son preferibles con la condicin de que sus
componentes no estn bajo estrs severo de tensin y corriente.
Cuando uno analiza los costes de los componentes de la energa fotovoltaica (ver
figura a continuacin), se muestra claramente que pagar un precio mayor por el
convertidor probablemente pueda ser justificado por una potencial superior reduccin
de los costes de la instalacin.
Entre todos los elementos activos y pasivos, los condensadores electrolticos tienen
una menor vida til, y con la desventaja de que incrementan el valor de la resistencia
serie equivalente y consecuentemente tambin las prdidas. Esta topologa no
requerir un alto valor de este condensador a fin de permitir el uso de la tecnologa de
pelcula, especialmente del tipo polipropileno, la cual tiene una larga vida til, buena
estabilidad trmica y elctrica y finalmente una baja resistencia serie.

Figura. Composicin de los costes de energa fotovoltaica.
Inversor en multicadena (multi-string).
Los grupos de mdulos no alcanzan una potencia superior a los 2 kW. Su potencia
total puede alcanzar varios MW, pero su implantacin no es an efectiva.
Figura. Sistema FV con inversores multicadena.

2.8.4 Inversores del mercado.

Solar Inverter SI 2000
Es apropiado para pequeas instalaciones fotovoltaicas, como una nica vivienda familiar.
Figura. Inversor. Fabricante Delta.

Central Inverter CI 100
Figura. Inversor central. Fabricante Delta.

2.9 Modulacin por ancho de pulso (PWM).

Un inversor controlado mediante modulacin por ancho de pulso (Pulse Width Modulation,
PWM) permite el control de la tensin y la frecuencia de un sistema elctrico. El inversor se
alimenta de una fuente de tensin DC. Claramente, un control correcto o la generacin de
patrones de conmutacin impuestos a los dispositivos semiconductores exige equipos electrnicos
complejos, pero esto hoy da no es un problema serio, debido a la existencia de microprocesadores
de bajo coste, procesadores de seal y otros chips digitales.
La representacin frecuencial de la tensin de salida as obtenida requiere considerar en

primer lugar la teora de la transformada de Fourier.
En 1807, el fsico y matemtico Joseph Baptiste Fourier estaba estudiando cuestiones

sobre la transmisin del calor, y observ que el problema sera ms sencillo si las funciones que
aparecan fuesen sumas de senos y cosenos. De esta manera, una funcin f(t) dependiente del
tiempo puede ser expresada como una suma de componentes armnicas:
a0
f (t ) = + [a m cos( mwt ) + bm sen( mwt ) ]
2 m =1
donde

1
am =
f (t ) cos(mwt ) dwt

m = 0,1, ...

1
bm =
f (t ) sen(mwt ) dwt

m = 1, 2, ...
Para una mejor comprensin, se muestra la siguiente figura, donde una seal peridica es
suma de dos funciones seno:

Figura. Suma de funciones senoidales.
Es interesante adelantar que la Transformada de Fourier determina la frecuencia de estas

senoides partiendo de la seal original. Se habla entonces de componentes frecuenciales, tonos o
armnicos de una seal.
Igualmente, esta teora puede desarrollarse para una forma de onda f(x,y) dependiente de
dos variables, esto es:
A00
f ( x, y ) = + [A0 n cos(ny ) + B0 n sen(ny )] + [Am 0 cos(mx) + Bm 0 sen( mx)]
2 n =1 m =1

+ [A
m =1 n =
mn cos(mx + ny ) + Bmn sen(mx + ny )]
( n0)
donde

1
Amn =
2 2 f ( x, y) cos(mx + ny) dxdy

1
Bmn =
2 2 f ( x, y)sen(mx + ny) dxdy


Sustituyendo x por wct+c e y por w0t+0, referidas respectivamente a la onda

portadora (carrier) y la seal de referencia, se tiene en funcin del tiempo la expresin anterior:
A00
f (t ) = + [ A0 n cos(n[ w0 t + 0 ]) + B0 n sen( n[ w0 t + 0 ])]+
2 n=1
DC Offset Armni cos de la componente fundamental de la onda senoidal

+ [Am 0 cos(m[ wc t + c ]) + Bm 0 sen( m[ wc t + c ])]+
m =1
Armni cos de la seal portadora

+ [A
m =1 n =
mn cos(m[ wc t + c ] + n[ w0 t + 0 ]) + Bmn sen( m[ wc t + c ] + n[ w0 t + 0 ])]
( n0 )
Armni cos de banda lateral de la seal portadora

El primer sumatorio, ... donde m=0, define la forma de onda de salida fundamental y
n=1
los armnicos asociados a ella (si existen). Estos ltimos deben ser minimizados o preferiblemente
eliminados con el proceso de modulacin.

El segundo sumatorio, ... donde n=0, corresponde a los armnicos de la onda
m =1
portadora, los cuales son relativamente componentes de alta frecuencia, ya que el trmino de ms
baja frecuencia es la propia frecuencia de la seal portadora.

El doble sumatorio final, ... donde m, n 0, se refiere a los armnicos
m =1 (nn=
0)
constituidos en torno a los armnicos de la seal portadora. Puede apreciarse su dependencia

tambin de los armnicos asociados a la componente fundamental.
Para ilustrar esta idea, se considera la estructura general de un inversor alimentado por
tensin monofsico (single-phase VSI). El apagado y encendido de cada dispositivo semiconductor
se realiza mediante la comparacin de una seal moduladora triangular (portadora) y una seal
senoidal de referencia.

Figura. Inversor de puente completo monofsico alimentado con fuente de tensin.
Ser la seal de referencia, a travs de su frecuencia fr la que controle la frecuencia de salida

del inversor fo, y por medio de su amplitud Ar modifique el ndice de modulacin y, por tanto, la
tensin eficaz de salida Vo.
Ar
M=
Ac
Se ha de tener cuidado con la sobremodulacin (M>1) o aumento de la tensin de salida,

ya que tambin aumenta la distorsin armnica. Es por ello que se evita donde sea un factor
importante a tener en cuenta (por ejemplo, en fuentes de potencia ininterrumpida, UPS).

Independientemente del sentido de la corriente en la carga, resultan las siguientes tensiones

de salida:
Vref > Vtri , T1 ENCENDIDO , Vaz = Vdc

T3 APAGADO
Vref < Vtri , T3 ENCENDIDO, Vaz = Vdc

T1 APAGADO
Igualmente, para los interruptores T2 y T4 se obtiene la tensin Vbz desfasada 180 de Vaz:
Vref > Vtri , T2 ENCENDIDO, Vbz = Vdc

T4 APAGADO
Vref <Vtri , T2 ENCENDIDO, Vbz = Vdc

T4 APAGADO
La tensin de lnea sera:
Vab = Vaz Vbz
A modo de resumen, la siguiente figura ilustra las consideraciones anteriores:

Figura. Proceso PWM para un VSI monofsico de tres niveles.

El desarrollo armnico de la tensin en los puntos a y b sera entonces:
vaz (t ) = Vdc + Vdc M cos ( w0 t ) +
Vdc
1
+ 4 mJ m M sen [ m + n] cos( m wc t + n w0 t )
m =1 n =
n
2 2
vbz (t ) = Vdc + Vdc M cos ( w0 t ) +
Vdc
1
+ 4 mJ m M sen [ m + n] cos( m wc t + n [ w0 t ])
m =1 n =
n
2 2
Por tanto, la tensin de salida y sus componentes armnicas seran:
vab (t ) = 2 Vdc M cos ( w0 t ) +

+ 8
Vdc
2m J
1
2 n 1 (mM ) sen ([m + n + 1] ) cos(2m wc t + [2n 1]w0 t )
m =1 n =
Esta expresin muestra que los armnicos impares y de banda laterales presentes en la
tensin de fase debidos a la seal triangular, son completamente cancelados en le tren de pulsos de
la tensin de lnea de salida. En ella quedan sin embargo los trminos impares (2n-1) debidos a la
seal de referencia y los trminos pares (2m) de la seal triangular.
Fsicamente, dicha cancelacin puede observarse detallada en la figura anterior, ya que la

frecuencia de activacin de la tensin de lnea es dos veces la frecuencia de la seal triangular.
La siguiente figura ilustra el espectro frecuencial de las tensiones de fase y de lnea de salida
expuestas anteriormente:

Figura. Espectro armnico terico de un inversor monofsico modulado por PWM: (a) Fase a y
(b) Tensin de lnea de salida, M=0.9, fc/fo=21.

Las tcnicas de modulacin por ancho de pulso (PWM) ms frecuentes son:
1. Modulacin por ancho de un solo pulso.

2. Modulacin por ancho de pulsos mltiples.
3. Modulacin por ancho de pulso senoidal.
4. Modulacin por ancho de pulso senoidal modificado.
5. Control por desplazamiento de fase.
Las ms utilizadas en aplicaciones industriales son la tercera y, sobre todo, la cuarta, debido
a su mejor factor de potencia y baja distorsin armnica, por lo que nos centraremos en ellas.
Empecemos por la modulacin por ancho de pulso senoidal, ya presentada anteriormente:
Figura. Modulacin por ancho de pulso senoidal.

En lugar de mantener igual el ancho de todos los pulsos, como en el caso de la modulacin
de varios pulsos, se hace variar el ancho de cada pulso en proporcin con la amplitud de una onda
senoidal. El DF y la LOH se reducen en forma apreciable. Dichas seales de control (g1, g2, etc.)
de los dispositivos semiconductores, como se ve en la figura anterior, se generan comparando una
seal senoidal de referencia con una onda portadora triangular de frecuencia fc. La tensin de salida
es vo = Vs (g1-g4). La cantidad de pulsos por medio ciclo, p, depende de la frecuencia de la portadora.
fc m f
p= =
2 f0 2
donde mf=fc/fo se define como la relacin de modulacin de frecuencia.
Esta clase de modulacin elimina todas las armnicas menores o iguales a 2p-1. Para p=5,
la LOH es la novena.
Se pueden generar las mismas seales de disparo con una onda portadora triangular
unidireccional como se ve en el caso (d) de la figura anterior. Es ms fcil de implementar este
mtodo, y es preferible.
Si m es el ancho del m-simo pulso, se puede determinar la tensin eficaz de salida

mediante la siguiente expresin:
1

2p
2
V0 = Vs m
m =1
Figura. Perfil de armnicos con modulacin por ancho de pulso senoidal.

La representacin (c) de la figura anterior indica que los anchos de los pulsos ms cercanos
al pico de la onda senoidal no cambian mucho al variar el ndice de modulacin. De esta manera, la
tcnica anterior se puede modificar para que se aplique la onda portadora durante los primeros y
ltimos intervalos de 60 por medio ciclo. Esta modulacin por ancho de pulso senoidal
modificada (modified sinusoidal pulse-width modulation, MSPWM) se ve en la siguiente figura.
Aumenta la componente fundamental, y mejora sus caractersticas armnicas. Reduce la cantidad
de conmutacin de los dispositivos de potencia, y tambin reduce las prdidas por conmutacin.
Figura. Modulacin por ancho de pulso senoidal modificada.
Figura. Perfil de armnicos con modulacin por ancho de pulso senoidal modificado.

La cantidad q de pulsos en el periodo de 60 se relaciona normalmente con la relacin de

frecuencias, en particular en inversores trifsicos, mediante
fc
= 6q + 3
fo
2.9.1 Tcnicas avanzadas de modulacin.

Las tcnicas anteriores de modulacin padecen de una baja tensin de salida o el
inconveniente de cierta distorsin armnica. Sin entrar en mayor detalle, las siguientes tcnicas
ofrecen mejores especificaciones:
1. Modulacin trapezoidal.
Las seales de compuerta se generan comparando una onda portadora triangular con una
onda moduladora trapezoidal como se ve en la siguiente figura.
Figura. Modulacin trapezoidal.

Esta clase de modulacin aumenta la tensin pico fundamental de salida hasta a 1.05 Vs,
pero la salida contiene armnicos de orden menor (LOH).
2. Modulacin por escalera.
La seal de modulacin es una onda escalonada como se ve en la figura. La escalera no es

una aproximacin muestreada de una onda senoidal. Los niveles de los escalones se calculan para
eliminar armnicos especficos.
Figura. Modulacin por escalera.
La relacin de frecuencias de modulacin mf, y la cantidad de escalones, se seleccionan para

obtener la calidad deseada de la tensin de salida. Es una PWM optimizada y no se recomienda
con menos de 15 pulsos en un ciclo. Se ha demostrado que para alta tensin fundamental de salida
y bajo DF, la cantidad ptima de pulsos en un ciclo es 15, para dos niveles, 21 para tres niveles y
27 para cuatro niveles. Esta clase de control suministra una tensin de salida de alta calidad, con
valor de la fundamental hasta de 0.94Vs.
3. Modulacin por pasos.
La seal moduladora es una onda en escalera. Esta onda no es una aproximacin de la

onda senoidal. Se divide en intervalos especificados, por ejemplo de 20, y cada intervalo es
controlado en forma individual para controlar a su vez la magnitud de la componente fundamental
y eliminar armnicas especficas. Esta clase de control produce poca distorsin, y una mayor
amplitud de la fundamental, en comparacin con la del control PWM normal.

Figura. Modulacin por pasos.
4. Modulacin por inyeccin armnica.
La seal moduladora se genera inyectando, a la onda senoidal, armnicas seleccionadas. Da

como resultado una forma de onda con una cresta plana, y reduce la cantidad de sobremodulacin.
Figura. Modulacin por inyeccin armnica.

Produce una amplitud mayor de la fundamental y baja distorsin de la tensin de salida. La

seal moduladora con inyecciones de tercer y noveno armnicos se ve en la figura anterior. Se
debe notar que la inyeccin de las 3n-simos armnicos no afecta la calidad de la tensin de salida,
porque la salida de un inversor trifsico no contiene armnicos triples.
5. Modulacin delta.
En la modulacin delta se deja oscilar una onda triangular dentro de una ventana definida
V, arriba y abajo de la onda senoide de referencia vr. La funcin de conmutacin del inversor,
que es idntica a la tensin de salida v0, se genera desde los vrtices de la onda triangular vc, como
se ve en la figura. Tambin se llama modulacin por histresis o bang-bang. Si cambia la frecuencia de la
onda moduladora, manteniendo constante la pendiente de la onda triangular, cambia la cantidad de
pulsos y de anchos de pulso de la onda modulada.
Figura. Modulacin delta.
La tensin fundamental de salida puede ser hasta 1Vs, y depende de la amplitud pico Ar y
de la frecuencia fr de la tensin de referencia. La modulacin delta puede controlar la relacin de
tensin a frecuencia, lo que es una caracterstica deseable, en especial para controlar motores.

Figura. Rizado de corriente de salida como una funcin del ndice de modulacin.
La forma de onda de la tensin de salida bajo modulacin delta es similar a la generada

mediante PWM bipolar.
2.10 Seguimiento del punto de mxima potencia.

Debido a las caractersticas de la clula solar, diferentes tensiones de operacin del
conjunto de clulas solares de un mdulo fotovoltaico dar lugar a diferentes potencias de salida, y
la clula solar obviamente presenta un nico punto donde la potencia es mxima. El mtodo de
seguimiento del punto de mxima potencia (Maximum Power Point Tracking, MPPT) es importante.
Muchas tecnologas de MPPT han sido propuestas, tales como el mtodo de

retroalimentacin de tensin (voltage feedback method), el mtodo de perturbacin y observacin
(perturbation and observation method), el mtodo de aproximacin lineal (linear line approximation method),
el mtodo de control lgico borroso (fuzzy logic control method), el mtodo de redes neuronales (neural
network method) y el mtodo prctico de medida (practical measure method).
Entre todos ellos, los mtodos de perturbacin y observacin son los ms populares,
debido a su fcil implementacin.

Mtodo de perturbacin y observacin
En el convertidor elevador (boost converter), donde la tensin en el condensador y la

intensidad en la inductancia son troceadas por el controlador, es provechoso estimar la potencia de
salida del mdulo fotovoltaico o del conjunto de mdulos fotovoltaicos por la potencia de entrada
al convertidor elevador. Hay un error de estimacin de potencia debido a la variacin de energa
almacenada en el condensador cuando ocurre una perturbacin de tensin. Existe de esta manera
un fallo de direccin de seguimiento en ciertas condiciones de operacin y el MPPT no funciona
adecuadamente. Un modo de mejorar la precisin del MPPT consiste en el control con
realimentacin de la energa almacenada.
Figura. Topologa de un inversor fotovoltaico de dos etapas y carga local RLC.
A continuacin se muestra el diagrama de control bsico del convertidor elevador con lazo
cerrado de tensin de salida, lazo cerrado de corriente y control MPPT.
Figura. Diagrama de control del convertidor elevador.

La relacin I-V de un conjunto de paneles fotovoltaicos compuestos por NS mdulos en

serie bajo ciertas condiciones ambientales es aproximada por la siguiente expresin,
I p = I ph I o exp ( KV c / N s )
donde Ip es la corriente fotovoltaica de salida, Iph es la corriente generada por la irradiacin, Io es la

corriente de saturacin y K es un parmetro dependiente de la temperatura. La potencia de salida
del conjunto de mdulos fotovoltaicos puede ser dada por:
Pp = Vc I p = Vc (I ph I o exp ( KVc / N s ) )
El cambio de potencia de salida del sistema fotovoltaico bajo una perturbacin de tensin
puede ser dado por:
V = (I ph I o (1 + KVc / N s ) exp ( KVc / N s ) )V

dPp
Pp =
dVc
donde V es el paso de perturbacin de tensin.
El cambio de la energa almacenada en el condensador C1 depende del paso de

perturbacin de la tensin y el periodo MPPT, y la potencia Pc en un periodo MPPT es dada por,
Wc C1 Vc V
Pc = =
T T
donde Vc es la tensin en C1 y T es el periodo MPPT. La precisin del MPPT puede ser mejorada
disminuyendo el paso de tensin o aumentado el periodo MPPT. Estas medidas , sin embargo,
disminuyen la velocidad de respuesta del MPPT.
En la siguiente figura se muestra una curva P-I de un sistema fotovoltaico compuesto por
8 mdulos de 130 Wp en serie bajo condiciones de radiacin solar 750 W/m2, 1.5 masa de aire y
25 C de temperatura. Adems, se representa PC, Pp y la curva de cambio de potencia en el bus
DC Pi(Pp- PC ), con paso de tensin 1.56 V y periodo MPPT de 160 ms.

Figura. Tensin de operacin y variacin de potencia.
El signo de Pp indica el cambio de direccin de la potencia fotovoltaica, y Pp=0 indica

que el sistema alcanza el punto mximo M. Pi es la estimacin de Pp para MPPT. En la regin
sombreada marcada por el punto A y el punto de mxima potencia M, Pi y Pp tienen signo
opuesto, lo que indica que hay un error de estimacin para el control MPPT. Si el punto de
operacin origen se encuentra en el rango izquierdo de la sombra, Pi y Pp tienen igual signo, el
punto de operacin se mueve hacia el punto A segn e control MPPT. Para el punto de operacin
origen en el rango de Va y Vm, el control MPPT puede no funcionar adecuadamente debido al
error de estimacin de potencia, y el punto de operacin estable es tambin A. Para el punto de
operacin origen en el lado derecho de M, el punto de operacin se mover hacia el punto M, pero
M no es un punto de operacin estable. En una palabra, el punto A es el punto de operacin
estable de MPPT, y la eficiencia de MPPT puede ser dada por,
PA
MPPT = x 100 %
Pm
donde PA es la potencia fotovoltaica del sistema en el punto A, y Pm es la potencia fotovoltaica del

sistema en el punto M. El control MPPT puede costosamente funcionar debido a la baja eficiencia
del MPPT cuando el nivel de radiacin es claramente bajo.

La precisin del MPPT puede ser mejorada con alimentacin hacia delante de la potencia
del condensador del filtro. El algoritmo MPPT puede ser dado como sigue,
Vc = Vc ( k 1) + V (k 1)sign ( Pi + Pc )
donde Vc(k-1) es la tensin fotovoltaica en el ltimo periodo, V(k-1) es la perturbacin de

tensin en el ltimo periodo, Pi es el cambio de potencia de entrada al convertidor entre dos
periodos, y Pc es la potencia de entrada del condensador C1.
Figura. Potencia y tensin de salida del sistema fotovoltaico en todo el da.

Figura. Diagrama de flujos del control MPPT perturbacin y observacin.

2.11 Teora pq.

El desarrollo de convertidores electrnicos de potencia basado en dispositivos de estado
slido ha supuesto un nuevo reto en la interpretacin fsica y el clculo del flujo de energa en un
sistema o circuito elctrico, debido principalmente al comportamiento no lineal de estos
dispositivos y a una presencia cada vez ms significativa frente a las cargas lineales tradicionales.
La velocidad de respuesta de estos convertidores y el modo en que generan potencia

reactiva y componentes armnicas exige un anlisis en el dominio del tiempo para lograr el
entendimiento de la naturaleza fsica del flujo de energa, no siendo suficiente el estudio
convencional de valores medios o eficaces de las variables elctricas.
Las teoras que tratan con potencias instantneas pueden ser clasificadas
fundamentalmente en dos grupos. El primero de ellos se basa en la transformacin de las fases abc
a tres ejes ortogonales, y el segundo opera directamente sobre las fases abc. La primera, que ser
llamada teora pq, se basa en la transformacin abc a o. En el mbito que nos ocupa, la teora pq
evidencia un tratamiento ms eficiente con corrientes no senoidales que la anterior,
particularmente cuando estn presentes componentes de secuencia cero. Adems, desde el punto
de vista de la compensacin, la teora pq permite la compensacin separada de las potencias activa
p, y reactiva q, adems de potencia activa de secuencia cero, po, siendo esta la razn por la que
esta teora puede compensar incluso bajo tensiones distorsionadas y/o desequilibradas.
En resumen, la teora pq se basa en un conjunto de potencias instantneas definidas en el

dominio del tiempo. No impone restricciones a las formas de onda de tensin o corriente, y puede
ser aplicada a sistemas trifsicos con o sin cable neutro. Por tanto, no solo es vlida en estados
equilibrados, sino tambin en regmenes transitorios. Esta teora es muy eficiente y flexible en el
diseo de controladores para acondicionadores de potencia, basados en dispositivos electrnicos
de potencia. Su primera versin fue publicada en Julio de 1982 en Japn, en una jornada local del
IEEE.
2.11.1 La transformacin de Clarke.

La transformacin o transformacin de Clarke convierte las tensiones trifsicas
instantneas va, vb, y vc, a los ejes o, obtenindose las tensiones instantneas v, v y vo.
1 1 1
2 2 2 v
v o a
2 1 1
v = 3 1
2
v b
2
v v
3 3 c
0
2 2

1
1 0
2 v o
v a
v = 2 1

1 3
v
b 3 2 2 2
vc v

1 1 3

2 2 2
Igualmente, las intensidades instantneas de lnea pueden ser transformadas a los ejes o,
esto es:
1 1 1
2 2 2
io ia
2 1 1
i = 3 1
2

2 ib
i ic
3 3
0
2 2
y su transformada inversa:
1
1 0
2 io
ia
i = 2 1

1 3
i
b 3 2 2 2
ic i

1 1 3

2 2 2
Como se aprecia, una ventaja de la transformacin o es la posibilidad de separar las

componentes de secuencia cero de las componentes de fase abc. As, al no existir corrientes de
secuencia cero en sistemas trifsicos sin neutro, io puede ser eliminado del sistema de ecuaciones
anterior. Igualmente se puede proceder para vo si el sistema trifsico es equilibrado en tensiones.
La transformacin de Clarke y su transformacin inversa quedan de esta manera como sigue:

1 1
1 v a
v 2 2 2
v = vb
3 3 3
0 v
2 2 c

1 0
v a
v = 2 1 3 v
b
3 2 2 v
vc
1
3
2 2
2.11.2 Potencias instantneas de la teora pq.

La teora pq, como se ha expuesto anteriormente, se define para sistemas trifsicos con o
sin conductor neutro.
Tres potencias instantneas (la potencia instantnea de secuencia cero po, la potencia activa
instantnea p, y la potencia reactiva instantnea q) se desprenden de los ejes o a partir de las
corrientes de lnea y tensiones de fase:
p o v o 0 0
p = 0 v v

q 0 v v


Figura. Potencia activa instantnea trifsica.
De la expresin anterior, y teniendo en cuenta sistemas trifsicos sin neutro y tensiones

equilibradas, las corrientes pueden expresarse como:
i 1 v v p
i = 2
v + v
2
v v q
2.11.3 Control pq.

En este apartado se muestra un esquema detallado de la realizacin del control pq.
Figura. Esquema de variables elctricas que forman parte del control pq.


Figura. Esquema de control pq.
2.12 Mtodos de deteccin en isla.

Los sistemas de generacin de energa elctrica distribuida (Distributed Power Generation
Systems, DPGS) pueden dividirse en sistemas de geneneracin distribuida (Distributed Generation,
DG) y sistemas de almacenamiento distribuida (Distributed Storage, DS). Entre los primeros cabe
destacar:
Fotovoltaica.
Elica.
Clulas de combustible.
Microturbinas.
Generadores con motor de combustin interna alternativo.
Cogeneracin.
Estas tecnologas juegan ya un papel importante en los picos de generacin, durante las
horas de mayor demanda, cuando los costes elctricos son altos. Junto a otros beneficios, y a pesar
de ello, hay lmites tcnicos asociados con la proliferacin de unidades de generacin distribuida,
como puede ser el funcionamiento en isla.
Qu es el funcionamiento en isla?
Se trata de la generacin de energa elctrica por parte de estas unidades cuando la red
elctrica se encuentra, aguas arriba, desconectada, debido a una operacin de falta, un evento
planeado de mantenimiento, o al fallo de algn equipo o dispositivo de la aparamenta del sistema
elctrico.
Los problemas asociados a la generacin en isla de estos sistemas de generacin pueden

expresarse como sigue:
Comprometer la seguridad pblica o poner en peligro a los trabajadores de

mantenimiento.
Dao a equipos elctricos, debido a una menor calidad de la energa

suministrada: prdida de control sobre tensin y frecuencia.

Causar el mal funcionamiento de los rels de proteccin o descoordinacin

entre los mismos.
Conexin de puesta a tierra inadecuada.
Para faltas temporales, la actuacin de apertura y cierre repetida del

interruptor automtico requiere de una red elctrica no energizada.
Adems, una vez reconectada la red elctrica, la tensin del sistema DG
puede no estar en fase con aqulla: recierre asncrono. La unidad DG
tambin se podra ver daada.
En el oeste de Dinamarca, el 18 de febrero de 1996, un cortocircuito entre dos fases en

una lnea de 150 kV condujo a la desconexin de 47 unidades locales de cogeneracin, alguna de
las cuales se encontraba a 150 km del suceso, lo que supuso la salida repentina de 347 MW,
adems de un nmero desconocido de unidades inferiores a 2 MW. Ello fue causado por un ajuste
del mtodo de deteccin en isla demasiado sensible, basado en el lmite inferior de tensin (under-
voltage proteccion, UVP). Esto ilustra porqu los operadores del sistema de transmisin hoy exigen
requerimientos de conexin tambin a las pequeas unidades.
La clave de la proteccin en isla se encuentra en la deteccin.
Como para todos los equipos de proteccin, el rendimiento de la proteccin en isla puede
ser cuantificada mediante los siguientes parmetros:
Dependencia. Probabilidad de prdida de operacin.
Seguridad. Probabilidad de operacin indeseada.
Tiempo de operacin.
Dependencia y seguridad vienen determinadas por el principio de operacin y ajuste. En

general, los ajustes son un compromiso entre ambos parmetros. Sin embargo, tanto el propietario
de la red de distribucin como el propietario de la unidad DG conceden una mayor importancia a
la dependencia. Considerando el tiempo de operacin, ste ha de ser inferior al tiempo de
apertura y cierre del interruptor automtico aguas arriba, el cual suele ser del orden de segundos.
Los requerimientos y especificaciones tcnicas de deteccin en isla se exponen en las

siguienes normas:
UL 1741-2001
IEEE 1547.1-2005
IEEE Std. 929-2000

Los mtodos de deteccin en isla de sistemas fotovoltaicos conectados a red pueden

dividirse en los siguientes:
1. Mtodos pasivos residentes en el inversor.
2. Mtodos activos residentes en el inversor.
3. Mtodos basados en sistemas de comunicacin.
4. Mtodos residentes en la red elctrica.
5. Mtodos hbridos.
2.12.1 Mtodos pasivos residentes en el inversor.

Los mtodos pasivos residentes en el inversor (passive inverter-resident methods) consisten en la
deteccin de tensin, frecuencia o fase anormal en el punto de conexin comn (Point of Common
Coupling, PCC) entre el inversor y la red elctrica.
2.12.1.1 UVP/OVP y UFP/OFP.

Todos los inversores fotovoltaicos conectados a la red elctrica poseen mtodos de
proteccin U/O V/F (Under/Over Voltage y Under/Over Frequency). Se basan en la monitorizacin
de la amplitud y frecuencia de la tensin en el punto de conexin comn con la red elctrica, y su
comparacin con unos lmites umbrales predeterminados, los cuales pueden encontrarse en las
normas anteriormente especificadas. Si la tensin o frecuencia se encuentran fuera de estos lmites
el inversor se desconecta del sistema elctrico.
Si la potencia elctrica suministrada por el inversor, y por tanto por la planta fotovoltaica,
es similar a la potencia total consumida por las cargas aguas abajo, la variacin de tensin y
frecuencia en el PCC son menos evidentes cuando opera en isla. En tales casos, estos mtodos
pierden su efectividad, al incurrir en una zona de no deteccin (Non-Dectection Zone, NDZ).
En sistemas de Generacin Distribuida principalmente se usan dos esquemas de control:

control de potencia constante y control de corriente constante. En el primero, tanto la
potencia activa como reactiva se controlan para que se mantengan constantes en cada periodo. En
los sistemas DG que emplean el esquema de control de corriente constante, se pretende mantener
constante el valor eficaz de la corriente inyectada a la red. Este ltimo esquema de control se
caracteriza por una rpida respuesta dinmica, una elevada exactitud de control, y su capacidad de
respuesta ante cortocircuitos.

La literatura especializada demuestra que la NDZ es diferente dependiendo del esquema de

control.
Figura. Control por corriente constante.
Figura. Control por potencia constante.

NDZ del mtodo pasivo OVP/UVP con control por corriente.
En la siguiente figura se muestra un sistema elctrico monofsico similar al definido como

prueba y estudio por las normas UL 1741 y IEEE Std. 1547-2003
Figura. Sistema elctrico de potencia objeto de estudio.
El sistema DG opera con un factor de potencia unidad, para conseguir suministrar el

mximo de potencia y reducir las prdidas. As,
IQ = 0
Como se ha expuesto, la funcin del OVP/UVP se basa en la monitorizacin de la

amplitud de la tensin en el punto de acoplamiento comn, y compararla con los umbrales de
tensin definidos en el IEEE Std. 1547.
Antes de la desconexin de la red, se tiene:
PLOAD = P + P
QLOAD = Q + Q

La corriente de salida del sistema DG y la impedancia RLC es:
P
I=
V
V2 V2
Z LOAD = =
P + P + j (Q + Q ) P + P + j Q
Despus de la desconexin de la red, el cambio de la impedancia de la carga RLC puede ser

ignorado, ya que la frecuencia de la corriente de salida del inversor est limitada a un estrecho
margen (esta puede ser controlada por un lazo de bloqueo de fase, PLL). Este puede ser de 49 Hz
a 51 Hz. En la siguiente figura, la relacin entre la desviacin de impedancia y el factor de calidad
es clara. La desviacin de la impedancia es solo de un 0.5 % a la frecuencia de 49 Hz o 51 Hz. La
norma IEEE Std. 1547-2003 supone un factor de calidad menor o igual 2.5.
Figura. Desviacin de la impedancia en funcin de la frecuencia

y del factor de calidad de la carga.
Por tanto, para Q<2.5 puede decirse:
'
Z LOAD Z LOAD
La nueva amplitud de la tensin en el punto de conexin comn es:
V
V ' = I Z LOAD
'
I Z LOAD =
P Q
2 2
1 + +
P P
Reescribiendo la ecuacin anterior tenemos:
P Q V
2 2 2
1 + + =
P P V '
La zona de no deteccin del mtodo OVP/UVP para DG controlada por corriente es:
2 2
P Q V
2 2
V
1 + +
Vmax P P Vmin
Sabemos de la norma IEEE Std. 1547 que la tolerancia respecto a la amplitud normal de
tensin es 88 % ~ 110 %:
Vmin = 0.88 V
Vmax = 1.10 V

Sustituyendo en la ecuacin anterior tenemos:
P Q
2 2
0.91 1 +
2
+ 1.14
2
P P
Figura. NDZ del mtodo OVP/UVP para sistemas DG controlados por corriente.
NDZ del mtodo pasivo OFP/UFP con control por corriente.
Antes de la desconexin de la red, las potencias activa y reactiva de la carga pueden

escribirse como sigue:

V2
PLOAD = = P + P
R
1
QLOAD = Q = V 2 2fC
2fL
Despus de la desconexin de la red y bajo el esquema de control de corriente, la corriente

reactiva es cero. Para mantener el suministro de energa elctrica a factor de potencia unidad, con
la ayuda de la funcin PLL, la frecuencia de la tensin en el PCC ser la frecuencia resonante f de
la carga RLC, es decir:
1
f'=
2 LC
Dividiendo las ecuaciones anteriores, se tiene:
Q C 1
=R 2f LC
PLOAD L 2f LC

Y sustituyendo:
1
Q Q P f' f
= 1 + =Qf
PLOAD P P f f '
donde Qf es el factor de calidad de la carga RLC.
C
Qf = R
L

Cuando la nueva frecuencia de la tensin en el PCC queda en un intervalo de frecuencias

predeterminado, el mtodo pasivo OFP/UFP no actuar ante el funcionamiento en isla del
inversor DG. As que la NDZ de OFP/UFP para DG controlado por corriente es:
1
f f Q P f f
Q f min 1 + Q f max
f f min P P f f max
donde fmax y fmin son los valores predeterminados del umbral de frecuencias antes mencionado. De
la norma IEEE Std. 1547, conocemos que la tolerancia de frecuencia de la tensin normal es 98.83
%~100.83 %, considerando una red de 50 Hz, tenemos
f min = 49.4 Hz
f max = 50.4 Hz
Sustituyendo estos valores en la inecuacin anterior, obtenemos la representacin

matemtica de la regin NDZ de OFP/UFP mediante la siguiente expresin:
1
Q P
0.024 * Q f 1 + 0.016 * Q f
P P

Figura. NDZ del mtodo OFP/UFP para sistemas DG controlados por corriente.
De la inegualdad anterior y de la propia figura podemos ver que, bajo un esquema de

control de corriente constante, la NDZ de OFP/UFP est relacionada con el factor de calidad Q y
el intercambio de energa reactiva entre la red y la carga, Q. El intercambio de potencia activa
entre la red y la carga, sin embargo, tiene poco efecto en la NDZ de OFP/UFP. Un mayor factor
de calidad Qf genera una mayor NDZ.
Tabla. Requerimientos para la deteccin en isla segn IEEE 929-2000.
Tiempo de disparo
P 50 % 10 ciclos
Fdp carga aislada <0.95 10 ciclos
P 50 % + Fdp carga aislada <0.95 10 ciclos
P < 50 % + Fdp carga aislada > 0.95 2 seg

2.12.1.2 Deteccin de salto de fase de la tensin (Voltage Phase Jump

Detection).
Implica la monitorizacin de la diferencia de fase entre la tensin en los terminales del
inversor y su corriente de salida. Se detecta as cambios repentinos en dicho parmetro. Si este
error de fase es mayor que un cierto valor umbral, el controlador puede interrumpir el suministro
de energa.
Su implementacin requiere simplemente modificar el lazo de bloqueo de fase (Phase Lock

Loop, PLL) usado para la sincronizacin del inversor con la red elctrica. Este mtodo no afecta a
la calidad de la energa elctrica suministrada y puede ser empleado en sistemas con mltiples
inversores. Desafortunadamente, es difcil determinar el error de fase correcto que ofrezca alta
fiabilidad de deteccin en isla. La eleccin de un error de fase inadecuado supondra molestas
interrupciones de suministro. Por otra parte, se ha de hacer notar que ciertas cargas pueden causar
transitorios que den lugar a saltos de fase, propiciando la salida de la planta fotovoltaica del sistema
elctrico de potencia. Ademas, su zona de no deteccin es relativamente significativa.
2.12.1.3 Deteccin de armnicos (Detection of Harmonics).

Este mtodo consiste en la monitorizacin de la distorsin armnica total (THD) de la
forma de onda de la tensin en los terminales del inversor. En este caso, la interrupcin del
suministro de energa elctrica se produce si el THD excede un determinado valor umbral.
La existencia de armnicos generados por los inversores se pone de manifiesto en mayor

medida en el punto de conexin comn (PCC) cuando ocurre el fenmeno de isla, debido a la
interaccin de aquellos con la impedancia de la carga.
Este mtodo tiene la ventaja de no poseer zona de no deteccin cuando la potencia de

consumo de la carga es similar a la potencia de suministro del inversor. Sin embargo, no siempre
es posible fijar un valor umbral de THD que proporcione una proteccin en isla fiable. Adems,
este mtodo no puede ser usado cuando mltiples inversores estn conectados en isla.
2.12.2 Mtodos activos residentes en el inversor.

En este caso los mtodos de deteccin en isla inducen un cambio en la tensin, corriente o
frecuencia en el punto de conexin comn cuando se produce una situacin de suministro en isla.
Ello exige la monitorizacin de dichas magnitudes en el PCC, como sucede para los mtodos
pasivos.

En general, la potencia de cortocircuito de la red elctrica puede ser de diez a varios

cientos de veces mayor que la capacidad de generacin elctrica de los sistemas distribuidos. El
efecto de un aumento de tensin en la carga debido a una pequea fluctuacin provocada por la
unidad DG en el sistema elctrico puede carecer de importancia. Si la red elctrica es sin embargo
dbil, fluctuaciones originadas por el sistema de generacin distribuida pueden causar importantes
inestabilidades.
Como se ha comentado anteriormente, los mtodos pasivos son generalmente efectivos

cuando P y Q son suficientemente grandes. Las unidades DG, sin embargo, tienden a operar en
sistemas elctricos con pequeos desequilibrios, P y Q, de potencia. La efectividad de estos
mtodos pasivos de deteccin en isla puede representarse mediante una NDZ definida por P y
Q.
Los mtodos activos tratan de superar las dificultades de deteccin en isla de los mtodos
pasivos mediante la inyeccin de una perturbacin en el sistema elctrico, causando una condicin
anormal de las magnitudes elctricas bajo condiciones de funcionamiento en isla. La
representacin en el espacio P-Q de la NDZ no es adecuada para los mtodos activos, ya que
para un determinado intercambio de potencia reactiva, Q, diferentes combinaciones de L y C son
posibles. Algunas de estas combinaciones resultan en funcionamiento en isla y otras no.
Un modo de resolver esta situacin consiste en tener en cuenta un espacio de parmetros

de la carga, tales son: el factor de calidad y la frecuencia de resonancia (Qf-f0). De esta manera,
basta una curva para representar la NDZ de todas las posibles combinaciones de cargas RLC.
Todos los mtodos de deteccin en isla activos deben cumplir las normas internacionales a
tal efecto. As, la distorsin armnica total (THD) de la corriente suministrada por los inversores
distribuidos debe ser menor de un 5 %. Ello conduce a un incremento del tiempo de deteccin y
afecta a la fiabilidad de la operacin.
Caractersticas de frecuencia de una carga paralela RLC.
El valor de la frecuencia y magnitud de la tensin en el PCC despus de la desconexin de

la red elctrica depende en gran medida de las caractersticas de las cargas locales.
Segn el IEEE Std. 929-2000, el factor de calidad Qf est definido como 2 veces la
relacin entre la mxima energa almacenada y la energa disipada por ciclo a una frecuencia dada:
1
2 C R 2 I 2
Qf = 2 = w R C = R = R C
R I / w0
2 0
w0 L L

donde
1
w0 = 2f 0 =
LC
frecuencia resonante en rad/s.
La magnitud y fase de la impedancia de una carga paralela RLC a una frecuencia arbitraria f,
en funcin del factor de calidad Qf y la frecuencia resonante f0 de la carga, son dadas por:
1 R
Z LOAD = =
2 2
1 1 f f
+ wL 1 + Q f 0
R 2 wL f f0
1 w 2 LC f f
LOAD = tan R
1
= tan 1 Q f 0

wL f f 0
Cabe destacar, en primer lugar, que la magnitud de la impedancia de carga cambia muy
poco para cargas con Qf < 2.5. Por otra parte, debido a que el margen de frecuencias de operacin
es relativamente pequeo, 59.4 Hz a 60.5 Hz, impuesto, entre otras, por la norma IEEE Std. 929-
2000, se asume que la magnitud de tensin no vara con la frecuencia del sistema.
El ngulo de fase de la carga LOAD (LOAD=-LOAD) frente a la frecuencia caracteriza las

curvas de cargas con diferentes factores de calidad y frecuencias de resonancia en la siguiente
figura:

Figura. Variacin del ngulo de fase de una carga RLC con la frecuencia para diferentes valores de
frecuencia de resonancia (fo) y factor de calidad (Qf)
Las curvas muestran que a medida que aumenta el factor de calidad Qf, hay una mayor
variacin del ngulo de fase de la carga LOAD en torno a la frecuencia del sistema. Adems, la
interseccin de las curvas, ngulo de fase cero, tiene lugar en la frecuencia de resonancia fo. Por
otra parte, es interesante hacer notar que una carga cuya frecuencia de resonancia sea menor que la
frecuencia de la red (fo<fg) se muestra como una red capacitiva, ya que la corriente adelanta a la
tensin (LOAD>0). Igualmente, una carga con fo>fg es una red inductiva a la frecuencia de la red.
2.12.2.1 Medida de la impedancia (Impedance Measurement).

Las tcnicas de medida de la impedancia a la salida del inversor intentan detectar el cambio
de impedancia que se produce cuando la pequea impedancia de la red de distribucin es
desconectada.
El inversor de una unidad DG puede considerarse como una fuente de corriente:
iDG _ INV = I DG _ INV sen ( wDG t + DG )
La potencia de salida es modificada perturbando la amplitud de la corriente de salida del

inversor (IDG_INV). Se monitoriza entonces el cambio en la tensin de salida, y se obtiene la
impedancia del sistema elctrico, esto es: dV/di.

La principal ventaja de este mtodo es su extremadamente pequea zona de no deteccin.

Sin embargo, pueden exponerse un gran nmero de debilidades. Puede decirse que su efectividad
decrece cuando existen varios inversores, a menos que estn perfectamente sincronizados.
Adems, es necesario establecer una impedancia umbral, por debajo de la cual el mtodo asume
que la red est conectada. Esto hace que el mtodo sea poco prctico, ya que exige conocer con
precisin el valor de la impedancia de la red.
2.12.2.2 Inyeccin de una seal (Signal injection).

Este mtodo consiste en inyectar una seal conocida a la corriente de salida del inversor y
monitorizar la respuesta en tensin en los terminales del mismo. La seal inyectada puede ser una
corriente armnica con una frecuencia distinta a la frecuencia de la red.
Este mtodo no posee zona de no deteccin cuando la carga es similar a la potencia de

salida del inversor. Sin embargo, no siempre es posible seleccionar un umbral de disparo que
proporcione una proteccin fiable frente al funcionamiento en isla. Por otra parte, en el caso de
mltiples inversores, la inyeccin de una misma seal puede causar molestos disparos.
2.12.2.3 Insercin de carga (Load insertion).

Cuando el interruptor automtico aguas arriba est abierto, en los terminales del inversor
puede conectarse una carga y monitorizar los cambios que se produzcan. Por ejemplo, a la salida
del inversor puede conectarse un condensador.
Figura. Configuracin del sistema.

Este mtodo es resistente a falsos disparos ocasionados por saltos de fase aleatorios en la
tensin de la red. Por otro lado, se ha de tener en cuenta la posibilidad de interferencias entre
mltiples unidades y la habilidad de detectar fiablemente cambios de impedancia con valores
prcticos de la carga insertada.
2.12.2.4 Cambio de frecuencia en modo corredera (Sliding Mode

Frequency Shift, SMS).
El principio del mtodo Cambio de Frecuencia en Modo Corredera (Sliding Mode Frequency
Shift, SMS) es forzar la frecuencia de salida del inversor arriba o abajo para controlar el comienzo
del ngulo de fase de la corriente del inversor. En este caso, el ngulo de fase entre la tensin y la
corriente del inversor, en lugar de ser controlado para que sea cero, se considera como funcin de
la frecuencia de la tensin en el PCC, como se muestra en la siguiente figura:
Figura. Forma de onda de salida del inversor usando el mtodo SMS: (a) fase de adelanto de la
intensidad, (b) fase de atraso de la intensidad.
Figura. ngulo de fase-Frecuencia.

Este mtodo es relativamente fcil de implementar, ya que requiere solo una ligera
modificacin de un componente que ya es requerido, el PLL.
Figura. Marcos.
Figura. Transformacin dq.

Figura. Esquema SRF-PLL (Synchronous Reference Frame PLL.). Este esquema es simple
y usado en casi todas las tcnicas PLL para sistemas trifsicos.
Figura. Diagrama de bloques de control de corriente dq monofsico.

La transformacin dq no puede ser aplicada directamente en sistemas monofsicos, porque

solo hay una variable. Esta desventaja puede ser resuelta creando una entrada de corriente ficticia.
Este mtodo posee una pequea zona de no deteccin.
El mtodo es efectivo en aplicaciones con mltiples inversores, y requiere un buen

compromiso entre la efectividad de la deteccin en isla, la calidad de la energa elctrica
suministrada, y su influencia en la respuesta transitoria del sistema elctrico.
NDZ del mtodo activo SMS.
El ngulo de fase de la corriente es controlado como una funcin de la desviacin de la

frecuencia del ltimo ciclo, fvk-1, desde la frecuencia fundamental de la red fg:
ik = 2 I sen (2f vk 1 t + SMS )
f fg
SMS = M sen

2 fm f g
donde fm es la frecuencia a la cual sucede el ngulo de fase mximo, M.
Despus de la desconexin de la red, la frecuencia del sistema aislado se desviar del valor
nominal fg si:
d LOAD d SMS
<
df f = fg
df f = fg
De esta expresin se deriva la siguiente ecuacin de diseo:
LOAD 12 Q f

fm f g 2
donde Qf es el valor mximo para el cual la condicin de isla ha de ser detectada, y fm-fg es tomada
normalmente como 3 Hz.

La NDZ del SMS IDM en el espacio Qf-fo se obtiene usando el criterio de fase (phase
criteria), esto es:
f o f is f fg
tan 1 Q f = M sen is
f f 2 f f
is o m g
Por tanto,
f is tan ( SMS ( f is ) )
f o2 f o f is2 = 0
Qf
En la siguiente figura se muestra la NDZ resultante de esta ecuacin, para diferentes

valores de M:
Figura. NDZs de SMS IDM para diferentes M y con fm-fg=3 Hz.

Puede observarse que la NDZ es nula para Qf<2.5 cuando M=10 y fm-fg=3 Hz como
especificaciones de diseo. Adems, mientras M disminuye, el factor de calidad para el cual el
funcionamiento en isla no es detectado decrece. El rendimiento de este mtodo es similar al
mtodo pasivo UFP/OFP (M=0) para cargas con Qf elevado.
2.12.2.5 Modificacin activa de la frecuencia (Active Frequency Drift,

AFD).
Este mtodo se basa en subir o bajar la frecuencia de salida del inversor usando
retroalimentacin positiva para acelerar la frecuencia de la corriente del inversor. Inyectando en el
PCC una forma de onda de la corriente que est ligeramente distorsionada cambia la frecuencia de
la red. En la siguiente figura se muestra un ejemplo de la forma de onda de la corriente de salida de
un inversor DG que implementa AFD hacia arriba:
Figura. IPV para AFD (a) hacia arriba (drift up) y (b) hacia abajo (drift down).
La relacin entre el tiempo cero, tz, y la mitad del periodo de la onda de tensin, TVutil/2, se
denomina fraccin de corte (chopping fraction, cf):
2tz
cf =
TVutil

Este mtodo es fcil de implementar en un inversor DG con un controlador basado en un

microprocesador, y puede ser usado en caso de mltiples inversores. Sin embargo, AFD requiere
una pequea degradacin de la calidad de onda de salida del inversor DG y posee una NDZ que
depende del valor de la fraccin de corte.
Figura. Punto de operacin de OFR (Over Frequency Relay), AFD, SMS,

y el mtodo combinado entre AFD y SMS.
NDZ del mtodo activo AFD.
En rgimen permanente la magnitud Vis y frecuencia fis en un sistema aislado con una carga
local RLC pueden ser calculadas desde las siguientes ecuaciones:
Vis2
PLOAD ,is =
R
Vis2 f 2
QLOAD ,is = o 1 = Qinv
X c,g f is

donde el subndice is se refiere a la condicin de operacin en isla y el subndice g a la

condicin de red conectada. Se aprecia de las ecuaciones anteriores que Vis depende solo de Pinv
y R. AFD bajo funcionamiento en isla puede conseguirse variando Pinv, pero no es muy prctico
porque Vis vara con la raz cuadrada de aquel. As, una variacin significativa de Pinv es requerida
para la deteccin de condicin en isla de OVP/UVP. Sin embargo, uno puede controlar o
modificar fis variando Qinv.
AFD puede ser implementado forzando la frecuencia de la corriente a ser f (<1.5 Hz) por
encima de la frecuencia de la tensin en el ciclo previo (fik=fvk-1+ f), y manteniendo la corriente
del inversor igual a cero desde el final de su semiciclo negativo hasta el paso por cero de la tensin
positiva. Cuando la red elctrica est conectada, sta mantiene la frecuencia de la tensin. Cuando
no es as, la frecuencia de la tensin en el PCC tiende a aumentar (drift upward), alcanzando valores
por encima de fo. En ambos casos, la componente fundamental de la corriente adelanta a la
tensin un pequeo ngulo AFD.
De esta manera, la corriente en cada ciclo puede expresarse como:
ik = 2 I sen (2 ( f vk 1 + f ) t )
En rgimen permanente y bajo condiciones de funcionamiento en isla, el ngulo de fase del

inversor INV puede ser aproximado por
t z / 2 AFC
=
TV 2
donde
1 1 1 1 f
tz = = =
fV f i f f + f f ( f + f )
El ngulo de fase del inversor para el mtodo de deteccin en isla AFD es:
f
AFC = f t z =
f + f

Aplicando el criterio de fase (LOAD =AFD)
f o f is f
tan 1 Q f =
f is f o f is + f
Por tanto,
f is tan ( AFD ( f is ) )
f o2 f o f is2 = 0
Qf
La siguiente figura muestra la NDZ de un AFD IDM (method detection islanding) para
diferentes valores de f:
Figura. NDZs de AFD IDM para diferentes valores de f.

Puede apreciarse, en la figura anterior, que la NDZ se desplaza hacia menores valores de
frecuencia de resonancia cuando f crece. Para Qf=2.5 y f=0.5 Hz, el mtodo falla en la
deteccin de funcionamiento en isla para cargas con 58.99 Hz fo 60.19 Hz. Para cargas con
factores de calidad por encima de 2.5 este mtodo activo no presenta ninguna mejora con respecto
a la proteccin pasiva UFP/OFP, ya que la capacidad de desplazamiento de la frecuencia es
significativamente reducida. Adems, para cargas capacitivas (fo<60 Hz) puede incurrir en fallos de
deteccin en isla, como se observa en la figura. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que este
mtodo es bastante efectivo para cargas inductivas.
Conviene decir, por otra parte, que bajo estas condiciones de anlisis (P=0 y Q=0,
Vis=Vg) el modo de control del inversor, por corriente constante o por potencia constante, no
tiene impacto sobre la NDZ.
2.12.2.6 Cambio Sandia de la Frecuencia (Sandia Frequency Shift, SFS).

Cambio Sandia de la Frecuencia o Modificacin Activa de la Frecuencia con
Retroalimentacin Positiva se implementa haciendo que la fraccin de corte sea una funcin del
error de la frecuencia de la red:
cf = cf 0 + k ( f f g )
Donde cfo es la fraccin de corte cuando no hay un error de frecuencia y k es una ganancia
de aceleracin. Si la fraccin de corte aumenta, la frecuencia del inversor fotovoltaico se
incrementa, provocando la actuacin del rel de salida del inversor.
Para cfo=0.05, la distorsin armnica total (Total Harmonic Distortion, THD) de la corriente
del inversor es igual a un 5 % de la frecuencia nominal.
Este mtodo posee una de las ms pequeas zonas de no deteccin de todos los mtodos
de deteccin en isla activos. Adems, no pierde efectividad si es empleado por mltiples inversores
en isla, y puede ser extremadamente efectivo si es implementado en combinacin con el mtodo
Cambio Sandia de la Tensin (Sandia Voltage Shift, SVS).
Sin embargo, con este mtodo la calidad de la energa elctrica de salida del inversor DG se
reduce ligeramente. Tambin, la forma de onda de referencia puede ser estimulada por ruido o
armnicos.

NDZ del mtodo activo SFS.
El principal efecto del segmento de corriente cero es adelantar la componente fundamental

de la corriente del inversor con respecto a la tensin en el PCC. El ngulo de fase para el mtodo
SFS IDM (SFS) puede ser calculado como:
wt z cf ( f )
SFS ( f ) = =
2 2
La NDZ de SFS IDM en el espacio Qf-fo se desprende de la expresin del criterio de fase
(LOAD =SFS):
f o f is
tan 1 Q f = [cf o + k ( f is f o )]
f is f o 2
Por tanto,
f is tan ( SFS ( f is ) )
f o2 f o f is2 = 0
Qf
A continuacin se muestra grficamente el resultado del clculo de la NDZ del SFS IDM.

Figura. NDZs de SFS IDM par diferentes valores de k.
Se observa que la NDZ es nula para cargas con Qf<4.8 cuando cfo=0.05 y k=0.1. Por otra
parte, a medida que k disminuye, el factor de calidad Qf para el cual no se detecta el
funcionamiento en isla tambin decrece. Para k=0 este mtodo llega a ser el AFD IDM, donde
habr cargas, mayormente capacitivas, para el cual no ser posible la deteccin del funcionamiento
en isla. Finalmente, cabe decir que el rendimiento de este mtodo es similar al mtodo pasivo
UFP/OFP para cargas con elevados factores de calidad.
Conviene decir, adems, que la NDZ en el espacio Qf-fo derivada para un inversor puede
ser directamente extendida para el caso de mltiples inversores, si emplean el mismo mtodo
activo y se encuentran razonablemente cerca. Sin embargo, uno debera usar un factor de calidad
modificado para la carga local (Qf_A&P), que es dado por:
Qf
Q f _ A& P =
1 PIDM

2.12.2.7 Salto de frecuencia (Frequency Jump).

En este mtodo, se insertan zonas muertas en la forma de onda de la corriente de salida,
pero no en cada ciclo. En su lugar, la frecuencia es modificada segn un patrn preasignado.
Cuando la red elctrica es desconectada, se detecta el funcionamiento en isla al forzar una
desviacin de la frecuencia de la tensin en el PCC.
El mtodo es relativamente efectivo en la deteccin en isla de un solo inversor DG, si el

patrn es suficientemente sofisticado. Adems, casi no posee zona de no deteccin. Pierde
efectividad, sin embargo, en caso de mltiples inversores, a menos que el patrn de cambio de la
frecuencia sea de alguna manera sincronizado entre los diferentes inversores.
2.12.2.8 Disparo de Frecuencia Inestable (Unstable Frequency Trip).

Este mtodo se basa en el clculo de la variacin de la frecuencia con respecto del tiempo
ciclo a ciclo. El inversor interrumpe su operacin si la tasa de cambio de la frecuencia excede un
determinado umbral.
Este mtodo complementa el mtodo SFS anteriormente expuesto y puede ser usado en
caso de mltiples inversores.
Este mtodo presenta cierta dificultad de implementacin debida a la eleccin del valor
umbral. Un ajuste altamente sensible puede provocar molestos disparos de corte de suministro del
inversor DG, sin embargo la fiabilidad de deteccin en isla depende de la correcta eleccin de este
valor umbral.
2.12.2.9 Cambio Sandia de la Tensin (Sandia Voltage Shift, SVS).

Cambio Sandia de la Tensin (SVS) aplica retroalimentacin positiva a la corriente o
regulacin de la potencia activa del inversor por lazo de control, para provocar un cambio
repentino de la tensin hacia el umbral de deteccin de UVP/OVP cuando sucede el fenmeno de
isla.
Este mtodo es fcil de implementar a partir de un microcontrolador. Implementado junto

con SFS, este mtodo presenta una pequea NDZ.
Como punto dbil puede argirse una pequea reduccin de la calidad de energa elctrica
suministrada. La penetracin en el sistema elctrico de inversores DG que implementan este
mtodo debe mantenerse, por ello, baja.

2.12.2.10 Esquemas de frecuencia elctrica general (General Electric

Frequency Schemes, GEFS).
Consisten en la inyeccin de una perturbacin en el sistema elctrico mediante
controladores de corriente, en el marco DQ, y monitorizar el impacto de la perturbacin en el
PCC.
Dos aspectos pueden considerarse de la implementacin DQ. Primero, la potencia activa

es proporcional al eje D de componentes; segundo, la potencia reactiva es proporcional al eje Q de
componentes.
Figura. Retroalimentacin en implementacin DQ.
Este mtodo es fcil implementar mediante un microprocesador, no posee NDZ, puede

ignorarse su impacto en la calidad de la energa elctrica, tiene un mnimo coste de implementacin
(solo el cdigo software) y es muy robusto ante las perturbaciones de la red. Sin embargo, la
magnitud de la seal perturbadora ha de ser tan pequea como sea posible, adems de cumplir un
estrecho margen de frecuencia.
2.12.3 Mtodos basados en sistemas de comunicacin.

Los mtodos basados en sistemas de comunicacin se basan en la transferencia de datos
desde la red elctrica al sistema fotovoltaico. De esta manera se determina el cese o continuacin
del suministro de energa elctrica por parte de la unidades DG.
2.12.3.1 Comunicaciones en la lnea de potencia (power line carrier

communications).
En la siguiente figura se muestra un ejemplo de comunicacin en la lnea de potencia de
para deteccin en isla.

Para detectar una isla accidental, se prueba la continuidad de la lnea de potencia enviando
una seal por el transmisor (T). Cuando la seal PLCC se pierde el receptor (R) puede ordenar el
cese da la operacin del inversor o inversores, o puede abrir su propio interruptor para aislar la
planta fotovoltaica de la carga del PCC.
Puede decirse que este mtodo posee mltiples ventajas: no tiene una NDZ, la calidad de
la energa elctrica suministrada por el inversor DG no est degradada, el nmero de inversores en
el sistema no afecta al rendimiento, y podra ser efectivo en cualquier nivel de penetracin de
inversores fotovoltaicos en la red. Sin embargo, se ha de considerar el coste del receptor y del
transmisor. Adems, existe la posibilidad de que una carga replique la seal PLCC siendo sta la
que detecte el dispositivo de deteccin, no permitiendo detectar la operacin anormal en isla.
2.12.3.2 Desconexin por Seal Producida (Signal Produced by

Disconnect).
Con este mtodo, el interruptor automtico de la red elctrica se equipa con un transmisor,
como se ilustra a continuacin, el cual enva una seal al inversor fotovoltaico para que cese su
operacin cuando el interruptor est abierto.

De este mtodo cabe destacar la ausencia de zona de no deteccin y la posibilidad de ser

utilizado en caso de mltiples inversores. Por otra parte, cada inversor DG requerir cierto
cableado adicional, aumentando el coste de la instalacin y la complejidad del diseo
2.12.3.3 Adquisicin de Datos y Control de Supervisin (Supervisory

Control and Data Acquisition, SCADA).
.
El principio de la Adquisicin de Datos y Control de Supervisin consiste en primer lugar
en la monitorizacin de magnitudes del sistema elctrico de distribucin, tales como tensin y
frecuencia. Esta informacin es enviada a travs de sistemas de comunicacin a una estacin
central. En el caso de operacin en isla accidental de uno o varias unidades de inversores DG, es
decir, de que la red haya sido desconectada accidentalmente, y se observe la monitorizacin de
tensin o frecuencia en dicha rea, puede considerarse detectado el funcionamiento en isla.
Si el sistema est adecuadamente instrumentado y controlado, puede afirmarse que este

mtodo es altamente efectivo para detectar islas accidentales. Adems, carece de zona de no
deteccin. El coste de implementacin es sin embargo caro, ya que cada inversor DG ha de poseer
la instrumentacin necesaria para el envo de informacin a la estacin central.
2.12.3.4 Esquema de Transferencia de Disparo (Transfer Trip Scheme).

La idea bsica del Esquema de Transferencia de Disparo es monitorizar el estado de todos
los seccionadores e interruptores automticos que podran aislar un sistema DG. Cuando una
operacin de interrupcin produce la desconexin de una subestacin, un algoritmo central
determina las reas aisladas. Una seal es entonces enviada para disparar los inversores de las reas
aisladas accidentalmente. La siguiente figura ilustra esta idea:

Figura. Esquema de transferencia de disparo.
Las compaas elctricas poseen aos de experiencia con este esquema para varias
aplicaciones de proteccin. Esta nueva aplicacin puede ser por tanto fcilmente aceptada. Este
mtodo, por otra parte, podra permitir la coordinacin de las unidades DG y los recursos de la
red elctrica. El mismo sistema podra ser usado tambin para la reconexin de los generadores
distribuidos una vez clareada la falta.
Su principal desventaja son los costes y potencial complejidad, ya que se hace necesario el
empleo de transmisores de seal para todos los posibles puntos de desconexin del sistema. Si hay
muchos interruptores automticos y la topologa de la red vara, un esquema de transferencia de
disparo puede llegar a ser bastante complicado.
2.12.4 Mtodos residentes en la red elctrica.

Los mtodos residentes en la red elctrica tambin intentan activamente crear una tensin
anormal en el PCC cuando la red elctrica est desconectada.
2.12.4.1 Insercin de impedancia (Impedance Insertion).

Se trata de la conexin de una impedancia de bajo valor, tal como un banco de

condensadores, en la subestacin de distribucin.
Cuando el interruptor automtico inicia su apertura la repentina adicin de la impedancia

desequilibrar el requerimiento de potencia reactiva, disminuyendo de esta manera la frecuencia de
la red. El rel de baja frecuencia puede detectar este hecho.
Este mtodo presenta las siguientes ventajas: los bancos de condensadores requeridos
estn fcilmente disponibles en el mercado, las compaas elctricas tienen una gran experiencia en
ellos, pueden ser usados en caso de mltiples inversores, y no presenta zona de no deteccin. Por
otra parte, no est claro qu parte podra ser responsable del gasto del banco de condensadores.
2.12.5 Mtodos hbridos.

Entre los mtodos hbridos propuestos en la bibliografa especializada, puede encontrarse
la toma de medidas de las seales de tensin e intensidad en el PCC, tal y como era necesario
realizar para la deteccin del fenmeno en isla mediante mtodos pasivos, pero, adems, se
evalan las componentes de alta frecuencia inyectadas por el inversor fotovoltaico para revelar la
condicin en isla de un modo similar a como lo hacen los mtodos activos.

Un nuevo mtodo propone la operacin del inversor como una inductancia virtual, ya que
la frecuencia de la tensin de salida del inversor es ligeramente superior a la frecuencia de la red.
Cuando se produce un corte de suministro de energa elctrica en la red, la amplitud o la
frecuencia de la tensin en la carga cambia. El funcionamiento en isla de la unidad DG se asocia a
este cambio, y la condicin de operacin en isla puede ser detectada.
Figura. Diagrama de bloques de control del mtodo de deteccin en isla basado

en inductancia virtual.
El inversor es controlado en modo corriente. Se dispone as de dos componentes de

intensidad. En cuanto al suministro de potencia activa, una componente de corriente se controla
para que permanezca en fase con la tensin de la red. Para actuar como una inductancia virtual, la
otra componente de corriente ha de ser proporcional a la integracin de la tensin a una frecuencia
ligeramente superior a la frecuencia fundamental.
La seal S1 determina la cantidad de potencia activa suministrada por la unidad DG. El

filtro paso-bajo (I) es usado para extraer la componente fundamental de la tensin de la carga. La
amplitud de la seal depende de la energa generada por la fuente DC.
La seal S2 es empleada para controlar el inversor conectado a red como una inductancia
virtual. La frecuencia de operacin de la inductancia virtual es ligeramente superior a la frecuencia
fundamental de la red.
El filtro pasa-banda (II) posee una estrecha banda de paso, y est sintonizado a una
frecuencia ligeramente superior a la frecuencia fundamental. Ya que la corriente de la inductancia
es proporcional a la integracin de la tensin, la salida de este filtro es enviada al integrador. El
filtro paso alto es empleado para bloquear la componente de continua generada por el inversor.
Bajo condiciones normales de operacin, S2 es muy pequea (casi cero). En este caso, el
sistema de generacin elctrica distribuida suministra solo potencia activa. Sin embargo, la
operacin de inductancia virtual proporcionar una retroalimentacin positiva. As, en caso de
funcionamiento en isla, provocar un cambio en la potencia reactiva general del sistema,
incrementndose con el tiempo. Se consigue as un cambio significativo en la amplitud de la
tensin en la carga. Ambos fenmenos, una variacin en la amplitud y la frecuencia de la tensin
en la carga, pueden ser detectados como condicin de funcionamiento en isla.

Tambin se ha presentado un mtodo basado en un marco de referencia sncrono (DQ0)

lazo fase-anclada (PLL) para implementar un esquema de deteccin en isla cuasi-activo. Esta
tcnica permite un incremento del rendimiento de deteccin pasiva y la eliminacin de zonas de
no deteccin.
Debido a la dificultad de eleccin de la ganancia de retroalimentacin positiva de los

mtodos SMS, AFD y SFS, un nuevo mtodo que combina deteccin pasiva y activa se ha
expuesto. En l, se usa un ndice de covarianza como indicador pasivo para poner en marcha el
mtodo de deteccin en isla activo.
El concepto de gen escondido (hidden gene) se ha introducido para combinar los mritos de
los mtodos pasivos y activos. Un filtro de media movible es introducido en el controlador de
modulacin de frecuencia como un gen escondido, cuyo efecto no ser perceptible en una
situacin de red elctrica conectada. Sin embargo, la condicin de operacin en isla provocar que
el gen escondido se exprese distintivamente, proporcionado un marcado indicador de isla.
Por ltimo, pondremos de manifiesto la existencia de un mtodo basado en

retroalimentacin positiva (tcnica activa) y desequilibrio de tensin (tcnica pasiva). Ello requiere
la monitorizacin de las tensiones trifsicas. Si el desequilibrio de tensin (VU) se encuentra por
encima de un cierto valor umbral, se modifica la frecuencia de salida del inversor DG. La
frecuencia del sistema cambiar si la unidad DG ha sido aislada.
2.13 Factores de prdidas energticas.

Un sistema con un generador FV de potencia nominal 1 kWp instalado con una
orientacin y en una localidad tal que reciba una irradiacin anual de 1800 kWh/m2 producira en
ausencia de prdidas 1800 kWh. La experiencia muestra que la energa inyectada a la red es
sensiblemente inferior. Esta disminucin puede ser explicada mediante una serie de prdidas
energticas.
2.13.1 Prdidas por no cumplimiento de la potencia nominal.

Los mdulos FV obtenidos de un proceso de fabricacin industrial no son todos idnticos,
sino que su potencia nominal referida a las condiciones estndar de medida presenta una
determinada dispersin. En general los fabricantes garantizan que la potencia de un mdulo FV de
potencia nominal, P*, est dentro de una banda que oscila entre P*3 %, P*5 % o P*10 %.
Lamentablemente la potencia de cada uno de los mdulos FV se sita dentro de la banda inferior
de potencias garantizadas por el fabricante.
2.13.2 Prdidas de mismatch o de conexionado.

Son prdidas energticas originadas por la conexin de mdulos fotovoltaicos de potencias
ligeramente diferentes para formar un generador fotovoltaico. Esto es debido a que si conectamos
dos mdulos en serie con diferentes corrientes, el mdulo de menor corriente limitar la corriente
de la serie. De modo semejante ocurre para la tensin de la conexin de mdulos en paralelo.

Las prdidas de mismatch se pueden reducir mediante una instalacin ordenada de

potencias (o en corrientes en el punto de mxima potencia) de los mdulos FV, as como la
utilizacin de diodos de bypass.
2.13.3 Prdidas por polvo y suciedad.

Tienen su origen en la deposicin de polvo y suciedad en la superficie de los mdulos FV.
Cabra destacar dos aspectos, por un lado la presencia de una suciedad uniforme da lugar a una
disminucin de la corriente y tensin entregada por el generador FV y por otro lado la presencia
de suciedades localizadas (como puede ser el caso de excrementos de aves) da lugar a un aumento
de las prdidas de mismatch y a las prdidas por formacin de puntos calientes.
2.13.4 Prdidas angulares y espectrales.

La potencia nominal de un mdulo FV suele est referida a unas condiciones estndar de
medida: 1000 W/m2 de irradiancia, 25 C de temperatura de clula, una incidencia normal y un
espectro estndar AM1.5G. No obstante en la operacin habitual de un mdulo FV ni la
incidencia de la radiacin es normal, ni el espectro es estndar durante todo el tiempo de
operacin.
El que la radiacin solar incida sobre la superficie de un mdulo FV con un ngulo

diferente de 0 implica unas prdidas adicionales (mayores prdidas a mayores ngulos de
incidencia). Las prdidas angulares se incrementan con el grado de suciedad. Por otro lado, los
dispositivos fotovoltaicos son especialmente selectivos. Esto es, la corriente generada es diferente
para cada longitud de onda del espectro solar de la radiacin incidente (respuesta espectral).
2.13.5 Prdidas por efecto Joule en el cableado.

Tanto en la parte DC como en la parte AC (desde la salida de los inversores hasta los
contadores de energa) de la instalacin se producen unas prdidas energticas originadas por las
cadas de tensin cuando una determinada corriente circula por un conductor de un material y
seccin determinados. Estas prdidas se minimizan dimensionando adecuadamente la seccin de
los conductores en funcin de la corriente que por ellos circula.
2.13.6 Prdidas por temperatura.

Los mdulos FV presentan unas prdidas de potencia del orden de un 4 % por cada 10 C
de aumento de su temperatura de operacin (este porcentaje vara ligeramente en funcin de cada
tecnologa). La temperatura de operacin de los mdulos FV depende de los factores ambientales
de irradiancia, temperatura ambiente y velocidad del viento, y de la posicin de los mdulos o
aireacin por la parte posterior.

Esto implica que a igualdad de irradiacin solar incidente, un mismo sistema fotovoltaico
producir menos energa en un lugar clido que en un clima fro.
2.13.7 Prdidas por rendimiento del inversor DC/AC.

El inversor fotovoltaico se puede caracterizar por la curva de rendimiento en funcin de la
potencia de operacin.
Es importante seleccionar un inversor de alto rendimiento en condiciones nominales de

operacin, y tambin es importante una seleccin adecuada de la potencia del inversor en funcin
de la potencia del generador FV.
2.13.8 Prdidas por rendimiento del MPPT del generador fotovoltaico.

El inversor fotovoltaico de conexin a red opera directamente conectado al generador FV
y tiene un dispositivo electrnico de seguimiento del punto de mxima potencia del generador FV.
Este punto de mxima potencia cambia con la irradiancia y la temperatura. Los algoritmos de
control pueden variar entre diferentes modelos y fabricantes.
Un problema adicional puede surgir cuando hay sombras sobre el generador FV. En este
caso puede haber escalones en la curva I-V y el inversor operar en un punto que no es el de
mxima potencia.
2.13.9 Prdidas por sombreado del generador FV.

Los sistemas FV de conexin a red se suelen instalar en entornos urbanos en los que, a
veces, es inevitable la presencia de sombras en determinadas horas del da sobre el generador FV.
Tambin pueden producirse sombras importantes de unos campos fotovoltaicos sobre otros.
2.13.10 Otras prdidas.

Paradas del inversor por mantenimiento, averas o mal funcionamiento, as como de otros
componentes del sistema fotovoltaico.

Captulo 3
Sistema elctrico de potencia

objeto de estudio
3.1 Planta fotovoltaica.
En la siguiente figura se muestra el esquema de un sistema elctrico de potencia compuesto
por una planta fotovoltaica de 1 MW y su conexin a la red elctrica. El sistema elctrico consta,
por tanto, de:
FILTRO.
LNEA SUBTERRNEA DE BT.
TRANSFORMADOR 0.42/20 kV.
LNEA SUBTERRNEA DE MT.
LNEA AREA DE MT.
TRANSFORMADOR 66/20 kV.
CARGAS.
o CARGA 1.
o CARGA 2.
o CARGA 3.

Figura. Esquema de planta fotovoltaica conectada a red elctrica.

3.2 Clculos.
3.2.1 Filtro.
P = 500 kW
P = 3 VL I L cos
P 500000
IL = = = 760 A
3 VL cos 3 420 0.95
di VDC i V
L = V primario (t ) L = DC
dt 2 t 2
i 10 % I F {i F = 760 A} i = 0.1 760 = 76
{ f PWM =10 kHZ } t = 0.0001

1
t =
f PWM
VDC t
L= {VDC = 640 V } L 0.4 mH
2 i

3.2.2 Lnea subterrnea de BT.

Se considerarn 8 lneas de 225 metros cada una. Estarn formadas por tres cables
unipolares de 240 mm2 para las fases y 150 mm2 para el neutro, ambos de cobre. Para la
simulacin, no ser necesario tener en cuenta el conductor neutro.
La denominacin de cada lnea subterrnea de BT es la siguiente:
XZ1 0,6/1 kV 3(1 x 240) + 1x150 k Cu
Clculos de la resistencia e inductancia de cada lnea:
P = 500 kW
P = 3 VL I L cos
P 500000
IL = = = 760 A
3 VL cos 3 420 0.95
760
8 LNEAS : = 95 A
8
1.02 1.02 1.02

R= = Cu = = 9.659 10 5
K TS S K 90 240 44 240 m
X
X 0.25 R L = = 7.686 10 8 H / m
2f
Cada de tensin en cada lnea:
U LINEA (V ) = 3 LONG I ( Rcos + X sen ) =

= 3250 95 (9.659 10 5 0.9 + 2.145 10 5 0.436) = 4 V
U 4
100 = 100 = 0.95 %
U 420

3.2.3 Transformador 0.420/20 kV.
S =1000 kVA 20 / 0.420 kV Dy11

P0 = 1700 W , I 0 = 0.013 I N
Pcc =10500 W
cc = 6 %
20000 N1
m= = 82.48 ; m= N 1 = 82.48 50 = 4124
420 N2
3
S = 3 V L I L
S2 1000 10 3
I 2L = = = 1374.64 A
3 V2 L 3 420
S1 1000 10 3
I 1L = = = 28.86 A
3 V1L 3 20000
Ensayo de vaco :
I 0 = 0.013 1374.64 = 17.87 A
1700
P0 = V2 N I 0 cos 0 cos 0 = = 0.3922
420
17.87
3
420
V2 V2 3
RFe = = = = 34.6
I Fe I 0 cos 0 17.87 0.3922

Flujo magntico de vaco :

l = 0.6 m ; r = 0.07 m ; S = 0.0154 m 2
l 0.6
= r = 500 ( Ncleo de hierro); = = 62008.42 H 1
S 500 4 10 0.0154
7
7 H
0 = 4 10
m
N 2 I 0 50 17.87
N i = 0 = = = 0.0144 Wb
62008.42
Ensayo de cortocircuito :
V2 ccL 6 420
cc = 100 = 6 V2 ccL = = 25.2 V
V2 N 100
25.2
V1ccF = m V2 ccF = 82.48 =1200 V
3
Pcc 10500
Pcc = 3 V1ccL I 1NL cos cc cos cc = = = 0.175
3V1ccL I 1NL 3 1200 28.86
sen cc = 0.9845
V1ccF 1200 0.175

Rcc = cos cc = =12.6
I 1 NF 28.86
3
V1ccF 1200 0.9845

X cc = sen cc = = 70.90
I 1NF 28.86
3

Rcc R2' 6.3

Rcc = R1 + R2' ; R1 = R2' = = 6.3 ; R2 = 2
R2 = = 0.926 m
2 m 82.48 2
X cc
X cc = X 1 + X 2' ; X 1 = X 2' = = 35.45 L1 = 0.1128 H
2
X 2' 35.45
X2 = 2 = = 5.21 m L2 =16.58 uH
m 82.48 2
Figura. Ventana del transformador en ATP-EMTP.

3.2.4 Lnea subterrnea de MT.

Tres cables unipolares de 150 mm2 de aluminio de aislamiento XLPE (R) con cubierta
exterior (Z1) enterrados bajo tubo a un metro de profundidad. Obturacin al paso de agua (OL),
cuerda compacta (K) y apantallamiento de hilos de cobre de 16 mm2 (H16). Longitud: 2 km.
Denominacin de la lnea subterrnea de MT sera:
RHZ1-OL 18/30 kV 3x150K Al + H16
Clculos:
VL = 20 kV LONG. = 2 km
P = 1 MW cos = 0.9
110 6
P = 3 VL I L cos I L = = 32 A
3 20 10 3 0.9
Im ax. Adm. = 315 A [Tabla IX . PRYSMIAN ]

Factores de correccin : Im ax. Adm = 3150.881.111 = 305 A
Re sistencia R
1.03 1.03
Rca = = = 0.245
K Ts S 28 150 km
Re ac tan cia X
0.123 H
Catlago General Cable : X L = 0.123 L = = 3.915 10 4
km 100 km
Tresbolillo
D
L ( H / km) = 210 4 ln 1.28
R
13.9 mm
R= ; D = 30.9 mm; L = 3.477 10 4 H / km; X L = 2 f L = 0.109 / km
2
uF
Cat log o General Cable : C = 0.179
km

Cada de tensin en la lnea subterrnea de MT:
LONG = 2 km
U Lnea (V ) = 3 32 2 (0.245 0.8 + 0.123 0.6) = 29.9 V < 100 V (0.5 %)
U 29.9
100 = 100 = 0.15 %
U 20000
3.2.5 Lnea area de MT.
Clculos de la resistencia e inductancia de la lnea area de MT:
VL = 20 kV LONG. = 6 km
P = 3 MW cos = 0.9
3 10 3
P = 3 I L V L cos IL = = 96.22 A
3 2010 3 0.9
LA110
Im ax. Adm = 313.4 A
S = 116.2 mm 2
R = 0.3066 / km
D
L = 0.05 + 0.46 ln 10 4 = 2.725 10 4
H
{D = 1904 mm, r = 5.67 mm }
r km

X L = 0.0856
km

Cada de tensin de la lnea area de MT:
LONG. = 6 km
e = 3 6 96.22 (0.306610.9 + 0.08560.436) = 312.52 V
e 312.52
x 100 = x 100 =1.56 %
V 20.000
3.2.6 Transformador 66/20 kV.
S = 3000 kVA 66 / 20 kV Dy11

P0 = 5100 W , I 0 = 0.015 I N
Pcc = 31500 W
cc = 8 %
66000 N1
m= = 5.715 ; m= N 1 = 5.715 1088 = 6218
20000 N2
3
S = 3 V L I L
S1 3000 10 3
I 1L = = = 26.24 A
3 V1L 3 66000
S2 3000 10 3
I 2L = = = 86.6 A
3 V2 L 3 20000

Ensayo de vaco :
I 0 = 0.015 86.6 = 1.3 A
5100
P0 = V2 N I 0 cos 0 cos 0 = = 0.1132
20000
1.3
3
20000
V2 V2 3
RFe = = = = 78465.65
I Fe I 0 cos 0 1.3 0.1132
Flujo magntico de vaco :

l = 0.8 m ; r = 0.09 m ; S = 0.0254 m 2
l 0.8
= r = 500 ( Ncleo de hierro); = = 50127.54 H 1
S 500 4 10 0.0254
7
H
0 = 4 10 7
m
N2 I0 50 1.3
N i = 0 = = = 0.0129 Wb
50127.54
Ensayo de cortocircuito :
V 2 ccL 8 20000
cc = 100 = 8 V 2 ccL = = 1600 V
V2 N 100
V1ccF = m V 2 ccF = 5299.3 V
Pcc 31500
Pcc = 3 V1ccL I 1NL cos cc cos cc = = = 0.1313
3V1ccL I 1 NL 3 5299.3 26.24
sen cc = 0.9913

V1ccF 5299.3 0.1313

Rcc = cos cc = = 45.92
I 1NF 26.24
3
V1ccF 5299.3 0.9913

X cc = sen cc = = 346.77
I 1NF 26.24
3
Rcc R2' 22.96

Rcc = R1 + R2' ; R1 = R2' = = 22.96 ; R2 = 2
R2 = = 0.7
2 m 5.715 2
X cc
X cc = X 1 + X 2' ; X 1 = X 2' = =173.385 L1 = 0.552 H
2
X 2' 173.385
X2 = = = 5.3085 L2 = 0.0169 H
m 2 5.715 2

3.2.7 Cargas.
3.2.7.1 Carga 1.
P = 0.8 MW
VL = 20 kV
cos = 0.87
Conexin en estrella
0.8 10 6
P = 3 VL I L cos I L = = 26.545 A
320 10 3 0.87
P 0.8 10 6
P = 3 R I 2 R = = 378
3 I 2 3 26.545 2
Z = R + jX ; tg = 0.567;
Q
tg =
P
Q = P tg = 0.8 10 6 0.567 = 453600 VAr
Q 453600
Q = 3 X L I F2 X L = 2
= 214.44
3 I F 3 26.545 2
XL 214.44
L= = 0.6826 H
2 f 2 50

3.2.7.2 Carga 2.
P = 0.2 MW
VL = 20 kV
cos = 0.87
Conexin en estrella
0.2 10 6
P = 3 VL I L cos I L = = 6.64 A
320 10 3 0.87
P 0.2 10 6
P = 3 R I 2 R = = 1514
3 I 2 3 6.64 2
Z = R + jX ; tg = 0.567;
Q
tg =
P
Q = P tg = 0.2 10 6 0.567 = 0.1134 MVAr
Q 113400
Q = 3 X L I F2 X L = 2
= 857.35
3 I F 3 6.64 2
XL 857.35
L= = 2.73 H
2 f 2 50

3.2.7.3 Carga 3.
P = 1.5 MW
VL = 20 kV
cos = 0.87
Conexin en estrella
1.5 10 6
P = 3 VL I L cos I L = = 49.77 A
320 10 3 0.87
P 1.5 10 6
P = 3 R I 2 R = = 202
3 I 2 3 49.77 2
Z = R + jX ; tg = 0.567;
Q
tg =
P
Q = P tg =1.5 10 6 0.567 = 0.8505 MVAr
Q 850500
Q = 3 X L I F2 X L = 2
= 114.45
3 I F 3 49.77 2
XL 114.45
L= = 0.3643 H
2 f 2 50

3.2.7.4 Carga 4.
P = 0.8 MW
VL = 20 kV
cos = 0.98
Conexin en estrella
0.8 10 6
P = 3 VL I L cos I L = = 23.56 A
320 10 3 0.98
P 0.8 10 6
P = 3 R I R =
2
= 480
3 I 2 3 23.56 2
Z = R + jX ; tg = 0.2030;
Q
tg =
P
Q = P tg = 0.8 10 6 0.203 = 162400 VAr
Q 162400
Q = 3 X L I F2 X L = 2
= 97.52
3 I F 3 23.56 2
XL 97.52
L= = 0.3104 H
2 f 2 50

3.3 Programacin en ATP-EMPT del transistor IGBT.

MODEL IGBT
INPUT
Gate
OUTPUT
Rigbt
VAR
Ron[1..31]
Roff[1..19]
Rigbt
tup
toff
n
m
up
down
dt
INIT
Ron[1]:=1000
Ron[2]:=530
Ron[3]:=260
Ron[4]:=170
Ron[5]:=100
Ron[6]:=65
Ron[7]:=39
Ron[8]:=26
Ron[9]:=18
Ron[10]:=14
Ron[11]:=11
Ron[12]:=9
Ron[13]:=7
Ron[14]:=5.6
Ron[15]:=4.6
Ron[16]:=3.9
Ron[17]:=3.2
Ron[18]:=2.3
Ron[19]:=1.4
Ron[20]:=1.18
Ron[21]:=0.86

Ron[22]:=0.61
Ron[23]:=0.43
Ron[24]:=0.36
Ron[25]:=0.27
Ron[26]:=0.18
Ron[27]:=0.09
Ron[28]:=0.06
Ron[29]:=0.03
Ron[30]:=0.02
Ron[31]:=0.01
Roff[1]:=0.24
Roff[2]:=1.01
Roff[3]:=2.18
Roff[4]:=3.87
Roff[5]:=6.43
Roff[6]:=10.08
Roff[7]:=18.34
Roff[8]:=27.62
Roff[9]:=41.71
Roff[10]:=56.23
Roff[11]:=83.67
Roff[12]:=101.09
Roff[13]:=117.34
Roff[14]:=193.11
Roff[15]:=312.26
Roff[16]:=487.38
Roff[17]:=743.86
Roff[18]:=1822.76
Roff[19]:=100000000
Rigbt:=100000000
tup:=0
toff:=0
up:=0
down:=0
ENDINIT
EXEC
dt:=timestep
IF Gate>0 AND up=0 THEN
tup:=t
up:=1
down:=0
ENDIF

n:=(t-tup)/dt+1
IF Gate>0 AND up=1 THEN
IF n<=31 THEN
Rigbt:=Ron[n]
ELSE
Rigbt:=Ron[31]
ENDIF
ENDIF
IF Gate<=0 AND up=1 THEN
toff:=t
down:=1
up:=0
ENDIF
m:=(t-toff)/dt+1
IF Gate<=0 AND down=1 THEN
IF m<=19 THEN
Rigbt:=Roff[m]
ELSE
Rigbt:=Roff[19]
ENDIF
ENDIF
ENDEXEC
ENDMODEL

Captulo 4
Simulaciones
Inversor.
Planta fotovoltaica 1.
1 Inversor.
Funcionamiento en isla.
Carga 1.
1 Inversor.
Conectada a red.
Carga 1.
1 Inversor.
Conectada a red.
Carga 3.
1 Inversor.
Mtodo pasivo de deteccin en isla.
Carga 1/Carga 2/Carga 3.
1 Inversor.
Mtodo activo de deteccin en isla.
Carga 4.

1 Inversor.
Mtodo pasivo de deteccin en isla. Desconexin aguas arriba de la subestacin.
Carga 1.
2 Inversores.
Funcionamiento en isla.
Carga 1.
Planta fotovoltaica 8
2 Inversores.
Conectada a red.
Carga 1.
4.1 Inversor.
fpwm=1 kHz
Timestep=10 ns

Representaciones:


ton=2E-7 s 5 MHz

toff = 6E-8 s 16.67 MHz

TRANSFORMADA DE FOURIER

ETC



4.2 Planta fotovoltaica 1.
CARGA 1: 0.8 MW, cos=0.87. Funcionamiento en isla.


Transformada de Fourier: VN1B






Transformada de Fourier: VN3A





Transformada de Fourier: VLOADC





CARGA 1: 0.8 MW, cos=0.87. Conectada a red.
















Transformada de Fourier: VLOADA









Transformada de Fourier: VNIA
















Mtodos pasivos de deteccin en isla.

OVP/UVP y OFP/UFP.
Desconexin aguas abajo de la subestacin.
CARGA 3: 1.5 MW, cos=0.87.




Antes de la falta. Transformada de Fourier de la tensin de la fase A en el PCC:
Despus de la falta:

Zoom sobre la tensin de fase A en el PCC:

150
[V]
100
50
-50
-100
-150
-200
-250
0.1378 0.1378 0.1378 0.1378 0.1379 0.1379 [s] 0.1379
500
[V]
375
250
125
-125
-250
-375
-500
0.1472 0.1475 0.1477 0.1479 0.1481 0.1484 [s] 0.1486
f 49.87 Hz


CARGA 2: 0.2 MW, cos=0.87.



Despus de la falta. Transformada de Fourier de la tensin de la fase A en el PCC:


500
[V]
375
250
125
-125
-250
-375
-500
0.1469 0.1469 0.1469 0.1469 0.1470 0.1470 [s] 0.1470
f 49.77 Hz



CARGA 1: 0.8 MW, cos=0.87.



Despus de la falta. Transformada de Fourier de la tensin de la fase A en el PCC:


2500
[V]
1875
1250
625
-625
-1250
-1875
-2500
0.1460 0.1465 0.1470 0.1475 0.1480 0.1485 0.1490 [s] 0.1495
1200
[V]
800
400
-400
-800
-1200
0.1572 0.1573 0.1574 0.1575 0.1576 0.1577 [s] 0.1578
f 50.15 Hz





Mtodo activo de deteccin en isla.
Inyeccin armnica: 1 A, 500 Hz (h=10).
CARGA 4: 0.8 MW, cos=0.98.





Antes de la falta. Transformada de Fourier de la tensin de la fase A en el PCC:
Despus de la falta:








Mtodos de deteccin en isla pasivos.
Falta Desconexin de la red aguas arriba de la subestacin.
CARGA 1: 0.8 MW, cos=0.87.









DOS INVERSORES.
CARGA 1: 0.8 MW, cos=0.87. Funcionamiento en isla.












Transformada de Fourier: VN4C





Transformada de Fourier: VLOADC






DOS INVERSORES.





Transformada de Fourier: VN1B
















Captulo 5
Anlisis de resultados y
conclusiones
Se ha puesto de manifiesto la presencia de tres frecuencias en la forma de onda de la
tensin de salida del inversor fotovoltaico:
1. La frecuencia de operacin o fundamental de generacin elctrica, 50 Hz.
2. La frecuencia de la seal portadora de modulacin PWM, en nuestro caso de 10

kHz.
3. La frecuencia efectiva derivada de los tiempos de conmutacin de los dispositivos

semiconductores IGBTs. Esta frecuencia es aproximadamente igual a la inversa del
tiempo de subida/bajada de los pulsos de tensin PWM. Se observa de esta manera
una frecuencia de encendido de 5 MHz y una frecuencia de apagado de 16 MHz.
Cabe destacar que la presencia del filtro inductivo a la salida del inversor reduce
casi totalmente la amplitud de las ondas de tensin a estas estas frecuencias. Sin
embargo, puede que no lo suficiente para dejar de considerar la utilizacin de un
filtro EMI. En este sentido ha de tenerse en cuenta la siguiente consideracin:
Si suponemos una velocidad de propagacin de la onda de un tercio la velocidad de

la luz, es decir, 100.000 km/s, la longitud de onda y, por tanto, la longitud mnima
del cable de baja tensin (desde el inversor al transformador) para que existan
interferencias electromagnticas sera (suponemos una frecuencia de 15 MHz) de:


= T =
f
100.000 10 3 m / s
= = 6.67 m
15 10 6 1 / s
donde
longitud de onda
velocidad de propagacin de la onda
T periodo
f frecuencia
Para la simulacin del comportamiento de los cables frente a estas elevadas frecuencias
pueden considerarse dos opciones: modelos de parmetros concentrados (circuitos en
cascada) o modelos de parmetros distribuidos.
Los circuitos en cascada computados a una frecuencia determinada son

computacionalmente rpidos. Aunque este modelo no incluye parmetros dependientes
de la frecuencia, la conexin en cascada de dichos circuitos consigue simular el
comportamiento dependiente de la frecuencia.
Sin embargo, si el problema particular incluye altas frecuencias, un gran nmero de

circuitos deben ser usados. Pueden aparecer as errores numricos debido a las grandes
diferencias de los parmetros respecto a la red elctrica.
En modelos distribuidos, la dependencia de la frecuencia y los efectos distribuidos de los

parmetros de los cables son tomados en cuenta. Sin embargo, la validez de estos
modelos es restringida debido a la asuncin de matrices de transformacin reales y
constantes.
En nuestro trabajo, se ha podido comprobar que el clculo de lneas elctricas

subterrneas de BT y MT, as como areas de MT, ofrece a la simulacin valores
adecuados de resistencia, inductancia y capacidad, para la obtencin de resultados
extremadamente cercanos a la realidad y, por tanto, vlidos para su anlisis.

De los resultados obtenidos cabe destacar el amortiguamiento y filtrado de

armnicos, indicados en el primer punto de este captulo, generados por los propios
cables y transformadores que componen el sistema elctrico. Se observa as una forma
de onda de tensin e intensidad en la carga completamente senoidal. Recordamos que en
nuestro estudio la carga se encuentra 4 kilmetros aguas debajo de la generacin elctrica
debida al inversor.
La representacin de las intensidades en cada lnea nos muestra que la planta fotovoltaica
suministra la potencia activa requerida por las cargas aguas abajo. La red elctrica de
distribucin suministra la potencia reactiva.
Las oscilaciones presentes al inicio de la simulacin, y por tanto pertenecientes al

rgimen transitorio, son debidas a los componentes y efectos reactivos existentes en la
red elctrica.
En cuanto a los resultados obtenidos para el estudio de los mtodos pasivos

convencionales de deteccin en isla, OVP/UVP y OFP/UFP, cabe destacar lo
siguiente:
Tal y como se esperaba, el mtodo pasivo de sobretensin (OVP) permite la

deteccin de funcionamiento en isla de la planta fotovoltaica cuando el
suministro satisface el consumo de la carga 2 (0.2 MW, cos=0.87).
Se recuerda que las tensiones de fase mnimas y mximas, en este caso, en el

PCC, seran:
Vmin=10.16 kV
Vmax=12.70 kV
La tensin de fase obtenida en el PCC es 14.09 kV.
Igualmente, al considerar la carga 3 (1.5 MW, cos=0.87) se ha puesto de

manifiesto la eficacia del mtodo pasivo de subtensin (UVP), ya que la tensin
medida en el PCC es 9.082 kV.
Sin embargo, nos hayamos en zona de no deteccin para la carga 1 (0.8 MW,
cos=0.87), ya que la potencia activa suministrada por la planta fotovoltaica (1
MW) es muy parecida a la consumida por la carga. En tal caso la tensin
obtenida en el PCC fue de 11.34 kV.

Respecto a la frecuencia, cabe concluir que no vara en gran medida, lo que

permite deducir que las pequeas variaciones expresadas se deben a errores de
medicin. Ello es lgico si tenemos en cuenta que, con independencia del tipo
de cargas aguas abajo y de la condicin de operacin en isla, la frecuencia de
suministro del inversor no vara.
Por ltimo, se ha considerado la desconexin de la red aguas arriba de la

subestacin, teniendo en cuenta la carga 1, ponindose de manifiesto que el
transformador trabaja en vaco y, por tanto, un aumento de intensidad a la
salida de la planta fotovoltaica y, consecuentemente, una acusada disminucin
de la tensin. Ambos hechos, lgicamente, se reflejan en el Punto de Conexin
Comn.
Para el estudio del mtodo activo de deteccin en isla mediante la inyeccin de una
corriente armnica a la salida del inversor de la planta fotovoltaica, se ha considerado,
como sabemos, una onda de corriente de 1 A y 500 Hz (h=10). Adems, se ha tenido en
cuenta la carga 4 (0.8 MW, cos=0.98), ya que en tal caso la planta fotovoltaica opera en
zona de no deteccin para los mtodos pasivos OVP/UVP.
De esta manera se ha puesto de manifiesto que, cuando la red elctrica opera

normalmente junto con la planta fotovoltaica, la tensin del dcimo armnico en el PCC
alcanza, solamente, un valor de 7.42 V. Mientras que, cuando se produce la desconexin
de la red elctrica aguas arriba por un evento de falta o desconexin por mantenimiento,
el valor de dicho armnico asciende a 56.37 V. En ambas situaciones el ndice de
distorsin armnica es inferior al 0.5 % exigido por la norma UNE-EN 50160, para
redes generales de distribucin de energa elctrica.
As pues, la deteccin de variacin de amplitud del armnico inyectado propuesto,

permite detectar la condicin de funcionamiento en isla de la planta fotovoltaica.

Captulo 6
Tendencias futuras
Un escenario (visin) fotovoltaico en 2030
2030 es nicamente un hito intermedio, ya que de ah en adelante es cuando el

crecimiento ser importante.
Eficiencia del mdulo FV: hasta un 25 %.
Vida del sistema > 40 aos
Balance energtico < 1 ao
Mdulos y sistemas fotovoltaicos sern basados en materiales abundantes y no txicos.

Silicio cristalino, pelculas-delgadas (thin-films) y nuevos conceptos estarn todos

presentes en el mercado.
Todas las nuevas edificaciones tendrn integrada tecnologa fotovoltaica, algunos

edificios sern productores netos de electricidad.
El coste de la electricidad fotovoltaica se reducir por un factor de 5. En varias partes de

Europa el precio ser competitivo con la tarifa elctrica.
Una fuerte industria Europea apoyada por programas nacionales, con exportaciones
significativas y un fuerte mercado interno que tendr un gran retorno social de la
inversin en trminos de crecimiento econmico, creacin de empleo, reduccin de
emisiones de CO2 y,sobre todo, menor dependencia energtica.
Los escenarios de futuro, aunque auguran un muy importante descenso del ritmo de
crecimiento experimentado durante 2009, estn marcados por el alcance de la Paridad
de la Red. Por Paridad de la Red se entiende el punto de competitividad del kWh solar,
sin ningn tipo de ayudas, en relacin con el coste de consumo del kWh. Se puede
alcanzar en los prximos aos en amplias regiones del mundo, naciendo con ello un
mercado gigantesco y una nueva dimensin de la fotovoltaica.


Figura. Precio medio de sistemas fotovoltaicos llave en mano en la UE.
Las tecnologas de capa fina o pelcula delgada irn ganando cuota de mercado de una
forma progresiva durante los prximos aos.
Figura. Mdulo fotovoltaico de pelcula delgada.
Casa solar las 24 horas.
Generar electricidad durante la noche sigue siendo el gran desafo para la casa solar. Un
nuevo catalizador, barato y autorrenovable, descurbierto por el MIT, podra hacer
posible el uso del agua como medio de almacenamiento, lo que permitira tener las luces
encendidas por la noche e incluso recargar un coche elctrico o de hidrgeno. La casa se
convierte as en una central elctrica. Se convierte en una gasolinera.


El informe de la European Climate Foundation, presentado en Bruselas a mediados de

abril de 2010, dice que Espaa deber contar con una red capaz de conducir la
electricidad generada en el norte de frica. El informe tambin resalta la posicin central
de Francia en este nuevo entorno, sobre todo como pas de trnsito de la electricidad
producida en Espaa y Reino Unido en su camino al resto del continente.
La red existente entre Espaa y Francia tiene una capacidad actualmente de 1 GW y

deber elevarse a 47 GW en el 2050, siempre segn el informe. En este mismo sentido,
el estudio prev que la conexin entre Francia y Alemania pase de 6 a 20 GW, la de
Francia y Reino Unido de 2 a 12 GW y la de Francia con Europa Central de 3 a 15 GW.

Bibliografa
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A Simplified Control Method for the Grid-Connected Inverter With the Function of
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Current Injection for Active Islanding Detection of Electronically-Interfaced
Distributed Resources. Guillermo Hernndez-Gonzlez and Reza Iravani.
Instability Criterion to Eliminate the Non-detection Zone of the Sandia Frequency
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An Active Islanding Detection Method for Grid-Connected Converters. Fangrui Liu,
Xinchun Lin, Yong Kang, Yu Zhang and Shanxu Duan.
A Robust Anti-islanding Method for Grid-Connected Photovoltaic Inverter. Byunggyu
Yu, Houngseok Jung, Junghun So, Hyemi Hwang, Gwonjong Yu.
Performance of the OVP/UVP and OFP/UFP Method With Voltage and Frequency
Dependent Loads. H. H. Zeineldin and James L. Kirtley.
Islanding Detection Assesment of Multi-Inverter Systems With Active Frequency
Drifting Methods. Luiz A. C. Lopes, Yongzheng Zhang.
An Islanding Detection Method for Distributed Generations Using Voltage Unbalance
and Total Harmonic Distortion of Current. Sung-Il Jang and Kwang-Ho Kim.

Evaluation of Inverter Resident Passive Islanding Detection Method for Grid

Connected PV system Under Constant Power Mode. Fei Wang and Zigang Xu.
Anti-islanding Control of Grid-connected Photovoltaic Inverter Based on Positive
Feedback Frequency Drift. Liu Jie and Yang Haizhu.
A Novel Active Islanding Detection Method of Grid-connected Photovoltaic Inverters
Based on Current-Disturbing. Zhang Chunjiang, Liu Wei, San Guocheng, Wu Weiyang.
Islanding Detection Method of Distributed Generation Units Connected To Power
Distribution System. J. E. Kim, J. S. Hwang.
Investigation of Two Anti-Islanding Methods in the Multi-Inverter Case. R. Bhandari, S.
Gonzlez, M. E. Ropp.
Power Flow Control and Islanding Detection of the Local Generation System with
Induction Generator. R. M. Martinez, H. A. Pomilio and L. C. Pereira da Silva.
An Improved Islanding Detection Method for Grid-Connected Photovoltaic Inverters.
Yuan Ling, Zhang Xian-fei, Zheng Jian-yong, Mei Jun and Gao Ming.
Novel Grid-connected Photovoltaic Generation System. Li-Shiang Lai, Wen-Chieh Hou,
Ya-Tsung Feng, Yu-An Chen.
Experimental Investigation on Non Detection Zones of Active Frequency Drift
Method for Anti-islanding. Hui Wang, Furong Liu, Yong Kang, Jian Chen, Xueliang Wei.
A New Islanding Detection Method Based on Hidden Gene Concept. Jun Yin, Chris.
Diduch, Liuchen Chang.
A Simple Technique for Islanding Detection With Negligible Nondetection Zone. H.
H. Zeineldin and James L. Kirtley.
A Control Strategy for a Distributed Generation Unit in Grid-Connected and
Autonomous Modes of Operation. Fang Gao and M. Reza Iravani.
Islanding detection of inverter-based distributed generation. H. H. Zeineldin, E. F. El-
Saadany and M. M. A. Salama.
Protection and Control for Grid connected Photovoltaic Power Generation System
Based on Instantaneous Power Theory. Fei Wang and Chengcheng Zhang.
Negative Sequence Impedance based Islanding Detection for Distributed Generation.
Michael Wrinch, Jos Mart and Mukesh Nagpal.
Power Flow Control and Islanding Detection of a Local Generation System with
Induction Generator. R. M. Moreno, J. A. Pomilio and L. C. Pereira da Silva.
Investigating the Effects of Reactive Power on Islanding Detection. A. Rajabi-
Ghahnavie. M. Parniani, M. Fotuhi-Firuzabad.
Pulse Width Modulation For Power Converters. D. Grahame Holmes, Thomas A. Lipo.
Power Electronics. Mohan, Undeland, Robbins.
Electrnica de Potencia. Muhammad H. Rashid.
Simulacin de sistemas elctricos. M Inmaculada Zamora Belver, ngel Javier Mazn
Sainz-Maza, Elvira Fernndez Herrero, y otros.

Apndice A
ATP-EMTP
A.1 Qu es ATP?.
El Programa de Transitorios Alternativo (Alternative Transients Program, ATP) es

considerado un programa informtico universal para la simulacin de fenmenos
electromagnticos transitorios y de naturaleza electromecnica en sistemas elctricos de potencia.
Complejas redes elctricas y sistemas de control pueden ser de esta manera simulados.
El Programa de Transitorios Electromagntico (Electromagnetic Transients Program, EMTP)

fue desarrollado en el dominio pblico de la Administracin de Energa Bonneville (Bonneville Power
Administration, BPA) de Portland, Oregon, como paso previo a su comercializacin en 1984 por el
Grupo de Coordinacin de Desarrollo del EMTP (EMTP Developmet Coordination Group) y el
Instituto de Investigacin de Energa Elctrica (Electric Power Research Institute, EPRI) de Palo Alto,
California. Varios expertos en todo el mundo, sin embargo, han contribuido a su posterior
desarrollo y mejora en aos posteriores.
Protegido por las leyes de Estados Unidos, ATP puede ser adquirido bajo licencia,
expedida y garantizada por los propietarios del material.
A.2 Requerimientos de hardware y software para ATP.

ATP est disponible para la mayora de plataformas PC basadas en Intel: DOS, Windows
3.1/9x/NT, OS/2, Linux, etc., y para otras computadoras (Digital Unix y VMS, Apple Macs, etc.)
Un Pentium PC con una configuracin mnima de 128 Mb de memoria RAM, 20 Mb de

espacio libre en disco duro y VGA grficos es suficiente para ejecutar ATP bajo MS-Windows.

Las versiones ms populares de compiladores son las siguientes:
MS-Windows 9x/NT/2000/XP:
32 bit GNU-Mingw32 y Watcom ATP.
MS-DOS, MS-Windows 3x/95/98:
32 bit Salford ATP (requiere DBOS/486).
Linux:
Versin GNU de ATP.
A.3 Licencia de ATP.

Para bajar el programa de internet ha de obtenerse el permiso o licencia del Grupo de
Usuarios de EMTP Canad/Amrica (Canadian/American EMTP User Group) o un grupo de
usuarios regional autorizado. Mayor informacin al respecto puede encontrarse en la pgina web
www.emtp.org .
A continuacin se muestra la localizacin geogrfica de los distintos grupos de usuarios de

ATP-EMTP y de detalles de contacto:
Figura. Localizacin de grupos de usuarios de ATP-EMTP.

Nombre E-mail y direccin www

Canadian/American EMTP User Group canam@emtp.org
Eurpean EMTP-ATP Users Group eeug@emtp.org, www.eeug.org
(EEUG)
Japanese ATP User Group (JAUG) jaug@emtp.org, www.jaug.jp/~atp/index-e.htm
Latin American EMTP User Group claue@emtp.org, www.furnas.gov.br/atp
(CLAUE)
Argentinian EMTP User Group (CAUE) caue@emtp.org
http://iitree.ing.unlp.edu.ar/estudios/caue/caue.html
Australian EMTP User Group (AEUG) aeug@emtp.org
Korean EMTP User Group (KEUG) keug@emtp.org
Republic of China EMTP User Group d023@taipower.com.tw
Indian EMTP User Group (IEUG) malathi@bom4.vsnl.net.in
South African ATP User Group j.vancoller@ee.wits.ac.za, www.ee.wits.ac.za/~atp
(SAAUG)
Tabla. Direcciones email y pginas web de grupos de usuarios de ATP-EMTP.
A.4 Capacidades del programa.

La siguiente tabla muestra los lmites mximos de algunos componentes que se pueden
utilizar en la simulacin de un circuito de potencia:
Lneas 6000
Elementos lineales 10000
Interruptores 1200
Fuentes 900
Elementos no lineales 2250
Mquinas sncronas 90
A.5 Descripcin del entorno de trabajo.

A fin de facilitar su uso, ATP-EMTP permite la integracin de una serie de programas
complementarios: editores de texto, un editor grfico de circuitos elctricos y aplicaciones
especficas para la visualizacin grfica de los resultados obtenidos. Se accede a dichos programas a
travs del gestor del entorno, ATPCC.

De esta manera, la simulacin de un sistema elctrico o electromecnico puede iniciarse

con la creacin del modelo en el editor grfico (fichero de extensin .adp o .cir). La ejecucin (run
ATP) del modelo en el mismo editor genera el fichero .atp y los ficheros de salida .lis y .pl4, stos
ltimos registran los resultados de la simulacin efectuada. En un editor grfico puede visualizarse
a partir del fichero de extensin .pl4 los resultados obtenidos de esta manera.
Figura. Interaccin entre los programas de ATP-EMTP.
A.5.1 Gestor del entorno: ATPCC.

Como se ha mencionado, ATP Control Center (ATPCC) facilita el acceso al conjunto de
programas que pueden formar parte del paquete ATP-EMTP (el editor grfico ATPDraw, el
editor de textos PFE32, los programas de representacin de resultados PCPlot, PlotXY y
GTPPlot) o ejecutar directamente el propio ATP.
Se ha de hacer notar que permite el acceso o integracin de hasta diez programas

adicionales, as como la posibilidad de trabajar con dos versiones de ATP.

A.5.1.1 Pantalla principal.

Al ejecutar ATPCC aparece la pantalla principal del programa. Se muestra en la figura
siguiente:
Figura. Pantalla principal del programa ATPCC.
A.5.1.2 Configuracin de los programas principales.

La configuracin de los programas principales (ATP, ATPDraw, PCPlot y el Editor) se
realiza a travs de la opcin Main Programs Settings del submen Options.
Se muestra de esta manera la siguiente ventana de dilogo, compuesta por dos pestaas. La
primera de las cuales hace referencia a las dos versiones del programa ATP que posteriormente se
podrn ejecutar desde ATPCC:

Figura. Ventana de dilogo para configuracin de programas principales: ATP.
Las opciones por defecto indican los siguientes aspectos:
Save on: salvar los resultados obtenidos en un fichero de extensin .lis (disk) o
presentarlos tambin en la pantalla (both).
Output Parameters:
*:se marca esta casilla cuando se desea que el nombre del fichero de
salida coincida con el nombre del fichero .atp utilizado como entrada. En caso
contrario se especifica el nombre del fichero de salida (incluyendo su extensin .lis
o .out).

-R:se selecciona esta opcin si se quiere que, cuando ya exista un fichero .lis
correspondiente al fichero .atp utilizado como entrada, el resultado de una nueva
simulacin se sobreescriba en ese mismo fichero.
En la pestaa correspondiente al resto de programas principales se acta de un modo similar:
Figura. Ventana de dilogo para la configuracin del resto de los programas principales.
A.5.1.3 Configuracin de programas adicionales.

Para aadir, modificar o eliminar programas adicionales se selecciona, en la lnea de mens,
la opcin Options Additional Programs. Al hacerlo, se presenta una ventana de dilogo
compuesta de tres pestaas.

Figura. Incorporacin de programas adicionales.
Las siguientes opciones adicionales equivalen a:
Cut extension of input file: elimina la extensin de los ficheros de entrada, antes
de ejecutarlos con el programa adicional.
Default PLOT: se utiliza cuando se pretende que el programa adicional aadido
(por ejemplo: GTPPLOT o PlotXY) acte como programa grfico por defecto. En
este caso, la extensin de los ficheros de entrada debe estar definida como .pl4.
A.5.1.4 Configuracin de parmetros generales.

Desde la opcin Settings del submen Options pueden considerarse una serie de
parmetros de carcter general.

Figura. Configuracin de parmetros generales.
ATP Control Center Working Directory: permite definir el directorio de trabajo del
programa ATPCC.
Log file. Permite definir el nmero de eventos a recordar en la ventana de ltimos

comandos utilizados.
Save last window position. Permite guardar la posicin y el tamao de la ventana del
programa para la prxima ocasin en que se utilice.
A.6 Compilador: ATP.

Este programa constituye el ncleo fundamental de la aplicacin y se trata del compilador
que permite procesar los datos del circuito objeto de estudio. Maneja ficheros de tipo de texto de
extensin .dat o .atp.
Las dos versiones de compiladores ATP ms habituales son:
Watcom ATP. Admite nombres de ficheros de gran longitud, ficheros de datos

de ms de 150.000 lneas y puede ejecutar simultneamente varios casos.
GNU ATP. Permite utilizar nombres largos para ficheros, proporciona un

arranque rpido y requiere menos memoria.
En el esquema de la siguiente figura se muestran los mdulos de simulacin disponibles en ATP,

las subrutinas de apoyo y la interaccin entre ellos. Con todos estos elementos se pueden crear
modelos de menor a mayor complejidad, que representan los diferentes equipos y componentes
encontrados en los sistemas elctricos.

Figura. Componentes de ATP.
A.7 Editor de textos: PFE32.

El desarrollo del procesador grfico ATPDraw ha simplificado enormemente la creacin
de los ficheros que son compilados posteriormente con ATP. Sin embargo, para los usuarios
expertos sigue siendo necesario el empleo de un editor de textos que permita trabajar, entre otros,
con los ficheros de entrada a ATP (.atp o .dat) o de salida del mismo (.lis).
Conviene sealar que la estructura de los ficheros .atp es muy rgida, ya que toda la
informacin del sistema elctrico a simular debe ocupar una posicin especfica en cada fila del
fichero. Para facilitar la escritura de los datos en el fichero se incluye una serie de plantillas
(template). Adems, resulta indispensable tener a mano el manual de usuario ATP-EMTP Rule
Book.

A.7.1 Estructura general de un fichero .atp o .dat.

El fichero comienza con una primera lnea denominada BEGIN NEW DATA CASE. A
continuacin le siguen dos lneas MISCELLANEUS DATA CARDS, donde se permite especificar
el paso de integracin, tiempo mximo de la simulacin, cada cunto tiempo almacena puntos para
su posterior representacin, etc.
Tal y como se ha comentado, puede adjuntarse una plantilla al editor de textos PFE32.
Ello puede hacerse mediante la opcin Template Attach File. Una vez adjuntada, se puede
utilizar sin ms insertndola en el fichero sobre el que se est trabajando, con la opcin Template
Edit.
Figura. Insercin de plantillas.
Precediendo a las lneas MISCELLANEUS pueden utilizarse una serie de rdenes que
permiten la realizacin de clculos especiales, como, por ejemplo: flujos de carga, clculo de
armnicos, etc. stas pueden ser:
- CABLE CONSTANT
- DATA BASE MODULE
- FREQUENCY SCAN
- HARMONIC FREQUENCY SCAN
- HYSTERESIS
- LINE CONSTANT

- SATURATION
- XFORMER
- ZNO FITTER
- FIX SOURCE (esta opcin permite calcular un flujo de cargas)
Una fila de comentarios empieza con la letra C.
Por otra parte, en cualquier lnea del programa pueden especificarse las siguientes tarjetas
especiales:
$OPEN $CLOSE $SWIDTH $DISABLE

$ENABLE $NEW EPSLIN, EPS $MONITOR $LISTOFF
$LISTON $VINATGE, M $STOP $WATCH
$COMMENT $DEBUG $UNITS $UNITS
$PUNCH $ERASE $SETUP, file name $INCLUDE
La estructura general de un fichero .dat (o de un fichero .atp) es la siguiente:
BEGIN NEW DATA CASE

Miscellaneus Data Cards (2 lneas)
/TACS (si existen) /MODELS (si existen)
(Sistemas de control)
BLANK TACS ENDMODELS
/BRANCH
(R, L, C, Z en general, transformadores, lneas)
/SWITCH
(Interruptores)
/SOURCE
(Fuentes de V/I ideales: rampa, escaln, sinusoidal,
mquina sncrona, motores)
/OUTPUT
(Variables de salida a representar y que se incluirn
en el fichero .pl4)
BLANK BRANCH
BLANK SWITCH
BLANK SOURCE
BLANK OUTPUT
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK
A continuacin se muestra un ejemplo, el cual ha sido generado por el editor grfico ATPDraw del
circuito elctrico que se muestra a continuacin:

BEGIN NEW DATA CASE

C --------------------------------------------------------
C Generated by ATPDRAW marzo, jueves 11, 2010
C A Bonneville Power Administration program
C Programmed by H. K. Hidalen at SEfAS - NORWAY 1994-98
C --------------------------------------------------------
C Example 1
C Your first circuit
C Rectifier bridge
C Miscellaneous Data Card ....
C dT >< Tmax >< Xopt >< Copt >
5.E-5 .05
500 1 1 1 1 0 0 1 0
C 1 2 3 4 5 6 7 8
C 345678901234567890123456789012345678901234567890123456789012345678901234567890
/BRANCH
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< L >< C >
C < n 1>< n 2><ref1><ref2>< R >< A >< B ><Leng><><>0
VA XX0002 33. 1. 0
XX0002 33. 1. 0
XX0021VA 33. 1. 0
XX0021 33. 1. 0
XX0002POS .01 1
POS XX0021 1.E3 3
XX0021POS 20. 3
VS XX0025 1. 0
VS XX0025 300. 0
/SWITCH
C < n 1>< n 2>< Tclose ><Top/Tde >< Ie ><Vf/CLOP >< type >
11VA XX0002 0
11 XX0002 0
11XX0021VA 0
11XX0021 0
XX0025VA MEASURING 1
/SOURCE
C < n 1><>< Ampl. >< Freq. ><Phase/T0>< A1 >< T1 >< TSTART >< TSTOP >
14VS 0 167.7 60. -90. -1. 1.
BLANK BRANCH
BLANK SWITCH
BLANK SOURCE
2POS 7.500000E+0001
2XX0021-7.500000E+0001
3POS XX0021 1.500000E+0002
VS
BLANK OUTPUT
BLANK PLOT
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK
Figura. Circuito elctrico.

A.7.2 Subrutinas de apoyo.

De forma similar, la estructura tpica para las subrutinas de apoyo es la siguiente:
BEGIN NEW DATA CASE

Palabra especial que define la subrutina de apoyo
Datos especficos del equipo
$PUNCH
BLANK CARD
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK
Ejemplo de palabras especiales son: XFORMER, BCTRAN, SATURA, HYSDAT, LINE

CONSTANTS, CABLE CONSTANTS, DATA BASE MODULE, etc.
A continuacin se muestra un ejemplo de DATA MODULARIZATION. El elemento

creado ser una resistencia.
Figura. Esquema de una resistencia.
Fichero 1R.DAT:
BEGIN NEW DATA CASE --NOSORT--

C Module for a resistor
C USAGE: INCLUDE, 1R,FRNODE,TONODE,VALUER,H
DATA BASE MODULE
$ERASE
ARG, FRNODE, TONODE,
ARG, VALUER, H
NUM, VALUER, H
DUM,
/BRANCH
C<Bus M<Bus k<Bus 3<Bus 4<---- R<---- L<---- C<----------------------->0
FRNODETONODE VALUER H
C . .^ . . ^ . . ^ . . ^ . . ^ . . ^xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx^

BEGIN NEW DATA CASE

C Just one comment card only, since the KASEND in startup file is 1.
$PUNCH
BEGIN NEW DATA CASE
BLANK
El comando $ERASE clarifica el buffer donde se guardar el fichero .pch obtenido. DUM denota
el nombre de los nodos internos del componente (en este caso no hay).
La compilacin del fichero anterior genera el siguiente fichero 1R.PCH:
KARD 3 3 3 3
KARG 1 2 3 4
KBEG 3 9 27 80
KEND 8 14 32 80
KTEX 1 1 0 0
$ERASE
/BRANCH
C<Bus M<Bus k<Bus 3<Bus 4<----R<---- L<---- C<----------------------->0
FRNODETONODE VALUER H
C . .^ . . ^ . . ^ . . ^ . . ^ . . ^xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx^
$EOF User-supplied header cards follow. 27-Aug-97 14.55.19

ARG,FRNODE,TONODE,
ARG,VALUER,H
NUM,VALUER,H
DUM,
El fichero punch contiene los punteros numricos de todos los argumentos usados en la plantilla.
Igualmente puede obtenerse un fichero de extensin .lib si se escribe en el fichero .dat $PUNCH
name.lib.
El elemento creado, en este caso una resistencia, puede ser utilizado en la simulacin de un
circuito elctrico (.dat) haciendo uso de la orden $INCLUDE. En este caso sera:
$INCLUDE, 1R,FRNODE,TONODE,VALUER,H
FRNODE, TONODE y VALUER pueden tener um mximo de 6 caracteres.
H determina el tipo de salida: 0 para no hay salida, 1 para la corriente que circula por el elemento,
2 para la diferencia de potencial entre los terminales del elemento, 3 para disponer de ambas
magnitudes (intensidad y tensin) y 4 para el consumo de potencia y energa.

A.7.3 Mdulos de simulacin integrada.
A.7.3.1 TACS.
El mdulo TACS (Transient Analysis of Control Systems) se puede usar para simular el control
de convertidores HVDC, sistemas de excitacin de mquinas sncronas, funciones de limitacin de
intensidad de pararrayos, cebado de arcos en interruptores y, en general, aquellos dispositivos o
fenmenos que no se pueden modelizar con los componentes elctricos existentes en ATP.
La programacin con TACS se emplea para resolver las ecuaciones diferenciales y

algebraicas asociadas. Para ello, se utiliza en ATPDraw una representacin basada en diagramas de
bloques.
Adicionalmente, cualquier seal obtenida con el mdulo TACS se puede utilizar dentro de
la red elctrica simulada, incorporndola como una fuente de tensin o intensidad, o como una
seal que controle la interruptor, vlvula o diodo.
A.7.3.2 MODELS.
Es un lenguaje de programacin que se usa en ATP-EMTP para simular variables
dependientes del tiempo con caractersticas especiales. Los ficheros MODELS se crean de forma
independiente al programa principal y se pueden llamar desde cualquier programa cuantas veces se
desee. Su estructura es muy similar a la de otros lenguajes de programacin, como por ejemplo
FORTRAN, con sentencias del tipo FOR, IF, WHILE, etctera. Han de especificarse las
siguientes declaraciones:
MODEL DEFAULT
INPUT -- Name of input variables. Variable names separated by ',' or CR
OUTPUT -- Name of output variables
DATA -- Name of data variables
VAR -- Name of local+output variables
HISTORY -- Default values of variables and expressions {DFLT:n}
INIT -- Initialization
ENDINIT
EXEC -- Execution
ENDEXEC
ENDMODEL

Cada uso de un fichero MODEL se introduce con el comando USE, especificando las
entradas y salidas correspondientes a esa llamada. Los nombres de los elementos definidos en un
fichero MODEL no son visibles desde el exterior y se pueden elegir sin tener en cuenta las
posibles coincidencias con nombres usados fuera de este fichero MODEL.
A.8 EDITOR GRFICO: ATPDraw.

ATP-EMTP incluye una aplicacin grfica, denominada ATPDraw, capaz de crear y editar
sistemas elctricos para poder simularlos de forma interactiva.
La opcin Edit Commands (ver figura a continuacin) permite el uso y ejecucin de

otros programas de ATP en el entorno grfico de ATPDraw.
Figura. Edit Commands.

Figura. Interaccin entre ATPDraw y otros programas de ATP.
A.8.1 ENTORNO DE TRABAJO.

La pantalla principal de este programa ofrece el aspecto habitual de las aplicaciones
desarrolladas en entorno Windows.

Figura. Pantalla principal de ATPDraw con el menu de seleccin de componentes.
A.8.3 CREAR UN CIRCUITO NUEVO.

Seleccionando el comando New en el men de ficheros (File menu) o pinchando en el
smbolo de pgina en blanco de la barra de herramientas, aparece una nueva ventana para la
construccin de un circuito nuevo.
Una vez construido el circuito, el paso final es dar nombre a los nodos del mismo.
ATPDraw puede automticamente dar nombre a todos los nodos, sin embargo el usuario puede
asimismo hacerlo, ATP Make Names, o dar nombre solo a los nodos de especial inters. Esto
ltimo se realiza simplemente haciendo click con el botn derecho del ratn en el nodo a
nombrar.

Antes de crear el fichero de entrada ATP o ejecutar la simulacin, se han de especificar los
parmetros de la simulacin (parameters miscellaneus), que se encuentran en el men ATP
Settings
Figura. Opciones de simulacin.
Donde:
Delta T: Paso de tiempo en segundos.

Tmax: Tiempo mximo de simulacin.
Xopt=0: Incuctancias en mH.
Copt=0: Condensadores en uF.

Figura. Opciones de salida.
En la figura anterior se muestra el contenido de la pestaa Integer, donde:
Print freq: un valor de 500 significa que cada 500 pasos de simulacin, se escribir
en el fichero .lis.
Plot freq: un valor de 5 significa que cada 5 pasos de simulacin, se escribir en el

fichero .pl4.
Las variables declaradas en el lenguaje de programacin MODELS en la seccin VAR aparecen en

la pestaa Record en la seccin Variable. Para grabar una variable (su evolucin podr observarse
en el visualizador grfico PCPlot) ha de seleccionarse sta y presionar el botn Add. Igualmente se
procede para su eliminacin, presionando en este caso el botn Remove.

Figura. Pestaa Record.
La opcin ATP Make File del men principal genera un fichero ATP del circuito. Podr
guardarse en el directorio que deseemos. Finalmente se procede a su ejecucin mediante la opcin
run ATP del men ATP.
A.8.4 COMPONENTES DEFINIDOS POR EL USUARIO.

Adems de todos los componentes estndar que contiene el editor grfico, el usuario
puede definir sus propios modelos mediante ficheros de texto. La estructura de estos ficheros
puede ser mediante MODELS o DATA BASE MODULE. Estos modelos definidos por el
usuario se guardan, por defecto, en los subdirectorios Mod y Usp.
El primer paso para la creacin de un nuevo modelo es la generacin del fichero de texto
donde se describe el nuevo elemento que se quiere modelizar. Este fichero de texto se puede
desarrollar mediante una de las siguientes opciones:
Utilizando las plantillas que incluye el editor de textos PFE32.
Escribiendo directamente desde el editor de texto, con la ayuda del ATP-EMTP Rule
Book para definir correctamente la estructura del fichero.
Utilizando la opcin Data Base Module (DBM), se quiere que tenga parmetros
variables.

El fichero de texto creado se tiene que compilar mediante alguna de las versiones de ATP,
de modo que se obtenga otro fichero con la extensin .lib. Este ltimo fichero es el que se
almacena en el directorio Usp de ATPDraw.
Por otro lado, tambin hay que definir un icono y una ventana que representen el nuevo
modelo de componente creado mediante el fichero .lib. Para ello, con la opcin Objects User
Specified New sup-file se crea un nuevo componente, cuya extensin es .sup.
Figura. Opcin New sup-file.
En la ventana que aparece a continuacin hay que indicar los datos que definen dicho
componente y el nmero de nudos disponibles para su conexin externa.

Figura. Definicin de los datos y nudos del nuevo modelo.
El nmero de nodos y datos debe coincidir con las declaraciones ARG y NUM del fichero
escrito mediante Data Base Module. Permite la introduccin de hasta 36 datos, siendo el nmero
mximo de nodos 12.
Kind:
Nodo MODELS:
0: nodo de salida.
1: nodo de entrada de intensidad.
2: nodo de entrada de tensin.
3: nodo de entrada de estado de un interruptor.
4: nodo de entrada de una variable de una mquina.
5: variable TACS.
6: nodo de tensin de la parte imaginaria de estado-fijo (imssv).
7: nodo de intensidad de la parte imaginaria de estado-fijo (imssi).
8: salida de otro model.
Nodo TACS:
0: nodo de salida.
1: nodo de entrada de suma positiva.
2: nodo de entrada de suma negativa.
3: nodo de entrada desconectado.

En la ventana aparecen dos botones. Pulsando el botn donde aparece una lmpara
elctrica, se abre un editor de iconos que permite disear el icono con el que representar el nuevo
componente creado. Mediante el botn en el que aparece un interrogante, se accede a un editor de
ayuda donde se puede escribir el texto que se desea mostrar, cuando se solicite ayuda desde la
ventana de dilogo correspondiente a este componente.
Tras definir todos los datos, se pulsa la opcin save as y se guarda el fichero con extensin
.sup en el subdirectorio Usp, con lo que queda definido el nuevo componente. Para poder utilizar
este nuevo modelo como un componente ms del circuito elctrico a disear, se hace uso de la
opcin User specified Files y se selecciona el fichero .sup correspondiente al componente.
Figura. Insercin de un elemento del usuario.
Para la creacin de un modelo mediante el lenguaje de programacin MODELS se accede

a la opcin New mod-file del men Objects (ver figura a continuacin), donde se muestra la
estructura a seguir (presentada en un apartado anterior) para la implementacin del modelo. El
manual MODELS IN ATP-Language ofrece al lector interesado detallada informacin acerca de
este lenguaje de programacin.

Figura. Opcin para crear un modelo mediante MODELS.
Ejemplo de fichero .mod:
MODEL FLASH_1
comment ****************************************************************
* *
* Function: set or cancel the gap firing control signal *
* Inputs : voltage and current across ZnO resistor *
* Output : the firing signal to the electrical ZnO component *
* *
************************************************************* endcomment
INPUT V1 -- Voltage on positive side of ZNO [V]

V2 -- Voltage of negative side of ZNO [V]
iczn -- ZNO current [Amps]
DATA Pset -- power setting [Megajoules/msec]

Eset -- energy setting [Megajoules]
fdel -- firing delay [msec]
fdur -- firing duration [msec]
VAR power -- power into ZnO resistor [Watts]

trip -- gap firing control signal [0 or 1]
energy -- energy into ZnO resistor [Joules]
tfire -- time at which the gap was last fired [sec]
vcap -- voltage difference across series caps [Volts]
OUTPUT trip
HISTORY INTEGRAL(power) {DFLT:0}
INIT trip:=0
tfire:=0
ENDINIT

EXEC
------------------------------------------------------------------
vcap:=V1-V2
power:=vcap*iczn
energy:=INTEGRAL(power)
------------------------------------------------------------------
IF trip>0 -- is already firing
AND t-tfire>fdur*1.e-3 -- has exceeded firing duration
THEN
trip:=0 -- cancel the firing signal
tfire:=0 -- null the firing time
ENDIF
------------------------------------------------------------------
IF trip=0 -- is not signaling to fire
AND tfire=0 -- firing condition not yet detected
AND ( power >= Pset * 1.e9 -- power setting exceeded
OR energy >= Eset * 1.e6 ) -- energy setting exceeded
THEN
tfire:=t -- set the firing detection time
ENDIF
------------------------------------------------------------------
IF trip=0 -- is not signaling to fire
AND tfire>0 -- firing condition has been detected
AND t-tfire>=fdel*1.e-3 -- firing delay exceeded
THEN
trip:=1 -- set the firing signal
ENDIF
------------------------------------------------------------------
ENDEXEC
ENDMODEL
Igualmente ha de definirse un fichero .sup, asociado a dicho modelo, tal y como se mostr
anteriormente. El nombre de los nodos ha de coincidir con las variables especificadas en las
secciones INPUT y OUTPUT del fichero .mod. Ambos ficheros habrn de almacenarse en la
carpeta /MOD.
A.8.5 COMPONENTES EN ATPDRAW.

Para mostrar el men de seleccin de componentes basta con pinchar en un espacio vaco
de la ventana del circuito con el botn derecho del ratn.

Figura. Men de seleccin de componentes.
A.8.5.1 PROBES & 3-PHASE.
Figura. Men Probes & 3-phase.

Probe Volt
Mide la tensin a tierra de un nodo.
Probe Branch volt.
Mide la tensin entre dos nodos.
Probe Curr
Mide la intensidad entre dos nodos.
Probe Tacs
Mide una seal de tipo TACS.
Splitter
Permite la transformacin de un nodo monofsico a un nodo trifsico.

A.8.5.2 BRANCH LINEAR.
Figura. Men Branch Linear.
Tabla. Branch linear.

A.8.5.3 BRANCH NONLINEAR.
Figura. Men Branch Nonlinear.
Tabla. Branch Nonlinear.

A.8.5.4 LINE LUMPED.
Figura. Men Line Lumped.
Tabla. Line Lumped.

A.8.5.5 LINE DISTRIBUTED.
Figura. Men Line Distributed.
T
abla. Line Distributed.

A.8.5.6 SWITCHES.
Figura. Men Switches.
Tabla. Switches.

A.8.5.7 SOURCES.
Figura. Men Sources.
Tabla. Sources.

A.8.5.8 MACHINES.
Figura. Men machines.
Tabla. Machines.

A.8.5.9 TRANSFORMERS.
Figure. Men Transformers.
Tabla. Transformers.

A.8.5.10 TACS.
Coupling to circuit
Figura. Acoplamiento de un nodo elctrico trifsico a TACS.

TACS sources
Tabla. TACS sources.
TACS transfer function
Tabla. TACS transfer function.
Fortran statement
Tabla. Fortran statement.

TACS devices
Tabla. TACS devices.

A.8.5.11 Frequency comp.
Figura. Men Frequency comp.
Tabla. Frequency comp.

A.9 Visualizador grfico: PCPlot.

El programa PCPlot permite la visualizacin interactiva de los resultados guardados en los
ficheros de extensin .pl4 que genera ATP.
Al abrir un nuevo fichero aparece la ventana de dilogo de la figura, donde se eligen las
variables a representar y el tipo de representacin deseado.
Las variables escogidas se pueden dibujar en funcin del tiempo o en funcin de una de
ellas, segn se seleccione la opcin correspondiente. En el segundo caso, la primera de las variables
seleccionada constituye el eje x y aparece sealizada con una X a su izquierda.
A.10 Visualizador grfico: PlotXY.

Permite representar hasta ocho curvas en la misma grfica, realizar la transformada de
Fourier de una seal, representar en la misma hoja curvas de tres ficheros diferentes, representar
las curvas en funcin del tiempo o hacer una representacin X-Y, hacer un escalado automtico de
ejes, acceder al valor instantneo de forma numrica, exportar datos, etc.


A.11 Oscilaciones numricas.
A.11.1 Causas de las oscilaciones numricas.

El programa EMTP de transitorios electromagnticos usa el mtodo de integracin
numrica denominado regla trapezoidal. La regla trapezoidal es una tcnica de integracin
numrica de segundo orden que es simple de implementar, estable y rpido. Sin embargo, es
tambin susceptible de oscilaciones numricas cuando se diferencian tensiones o corrientes
respecto al tiempo de paso. Ello es comn cuando se considera el paso de corriente a travs de
una inductancia o la tensin entre los terminales de un condensador.
di
Tensin en una inductancia: v = L
dt
dv
Corriente en un condensador: i =C
dt
Las oscilaciones numricas se hacen presentes cuando se da una variacin de corriente

respecto del tiempo demasiado elevada a travs de una inductancia o, igualmente, cuando aparece
una diferencia de tensin significativamente alta entre los terminales de un condensador. Una
posible solucin consistira en la realizacin de un circuito ms exacto, incluyendo condensadores
parsitos y resistencias internas.
A.11.2 Representacin matemtica.

El problema puede ser representado considerando la ecuacin
dy
x=
dt
usando la regla trapezoidal. Podemos integrar ambos lados de la ecuacin,
t
y (t ) = xdt + y(t t )
t t
A continuacin reescribimos la ecuacin usando la regla trapezoidal. Se ha de hacer notar que

estamos buscando una aproximacin trapezoidal de la frontera formada por x, t y t-t.
t
y (t ) = y (t t ) + ( x(t ) + x(t t ))
2

Se resuelve por consiguiente esta ecuacin para x(t), que puede representar la intensidad a travs
de un condensador o la diferencia de potencial entre los terminales de una inductancia.
2
x(t ) = x(t t ) + ( y (t ) y (t t ))
t
El resultado esperado habra de ser el mostrado en la siguiente figura:
Figura. Representacin esperada de x(t) e y(t) para el caso de ejemplo.
As, para el primer paso de tiempo se obtiene:
2
x(t ) =
t

El siguiente paso, x(t-t), sera:
2 2 2
x(t + t ) = + (1.0 1.0) =
t t t
Un nuevo paso, sin embargo, resultara:
2
x(t + 2t ) =
t
Se aprecia en este caso la existencia de una oscilacin, como aparece en la siguiente figura. El valor
medio de x(t) corresponde a la forma de onda deseada.
Figura. Actual x(t) con oscilaciones numricas.

Una transicin de y(t) de dos pasos de tiempo en lugar de uno resolvera esta situacin, como se
muestra a travs del siguiente conjunto de ecuaciones. Se asume en este caso y(t-t)=0, y(t)=0.5 e
y(t+t)=1.0.
2 1
x(t ) = 0.5 =
t t
+ (1.0 0.5) = 0.0

2 2
x(t + t ) = 0.5
t t
x(t + 2t ) = 0.0 +
2
(1.0 1.0) = 0.0
t
x(t + 3t ) = 0.0
...
En la siguiente figura se ilustra los valores de x(t) e y(t) en consideracin de estas ecuaciones:
Figura. Representacin de y(t) y x(t) con tiempo de subida ms lento.

De todo ello, se deduce que reducir el paso de tiempo permite en algunos casos paliar o
eliminar la aparicin de oscilaciones numricas. Se debe sealar sin embargo que la aparicin de
oscilaciones debidas a operaciones de conmutacin no se vern reducidas de esta manera, ya que el
interruptor ideal siempre cambiar en un paso de tiempo.
A.11.3 Ejemplos.
A.11.3.1 Intensidad a travs de una inductancia.
Figura. Circuito de ejemplo.
Figura. Tensin en el nodo 1.

Figura. Zoom de la tensin en el nodo 1.
A.11.3.2 Tensin a travs de un condensador.
Figura. Circuito de ejemplo.

Figura. Intensidad suministrada al circuito pi.
Figura. Zoom de la intensidad suministrada al circuito pi.

A.11.4 Opciones para eliminar las oscilaciones numricas.
A.11.4.1 Aadiendo elementos al circuito.

El modelo del sistema elctrico puede carecer de ciertos detalles que den lugar a
oscilaciones numricas. Por ejemplo, podra tenerse en cuenta la impedancia de arco de un
interruptor en su apertura. Sin embargo, modelar una impedancia de arco es claramente complejo.
En este sentido, puede optarse por incluir un condensador parsito como se ilustra en la siguiente
figura. En lugar de oscilaciones numricas tendrn lugar oscilaciones LC que podrn ocurrir en la
prctica.
Igualmente, la diferencia de potencial acaecida entre los terminales de un condensador

obvia la resistencia serie efectiva del condensador. Su consideracin introduce un trmino de
amortiguamiento.
Figura. Interruptor en serie sin y con un condensador parsito.

Figura. Simulacin con un condensador parsito aadido.
A.11.4.2 Rama snubber.

Sin embargo, no siempre es prctico introducir estos elementos parsitos adicionales. Este
es el caso de ciertos dispositivos electrnicos de potencia. En ellos, la rama paralela o snubber,
proporciona un camino alternativo a la gran corriente inductiva generada por la carga, tenindose
as un circuito RLC de amortiguamiento. La corriente decrece a cero cuando el condensador est
cargado. De esta manera, adems, se eliminan o reducen los problemas relacionados con
oscilaciones numricas.
Interruptores electrnicos de potencias con grandes reas de seguridad (Safe Operating Area,
SOA) tales como IGBTs y MOSFETs no necesitan snubbers. En estos casos el usuario del
programa puede aadir snubbers numricos. El valor del condensador puede estar comprendido
entre 1 y 2 nF, si no se considera la resistencia. Por el contrario, si se considera una rama RC
snubber, como se muestra en la figura siguiente, la constante de tiempo =RC habr de ser 2
3 veces el tiempo de paso elegido para la simulacin. Ntese, sin embargo, que los valores de R y
C podrn variar segn el sistema elctrico a simular.

Figura. Opciones snubber.
Llegados a este punto se considera la simulacin del paso de corriente a travs de una
inductancia presentado anteriormente teniendo en cuenta una rama snubber. En la siguiente
figura se muestra los resultados de tensin e intensidad obtenidos, donde se aprecia la ausencia de
oscilaciones.
Figura. Ejemplo de la corriente a travs de la inductancia con snubber aadida.

A.11.4.3 Disminuir el tiempo de paso.

Un tiempo de paso pequeo puede eliminar o paliar en algunos casos las oscilaciones
numricas presentes en la simulacin. Ello depende de la topologa del circuito y de la presencia de
resistencias en el mismo. Se ha de sealar que el tiempo de paso requerido puede estar lejos de una
simulacin prctica. Adems, debido a que la amplitud de la oscilacin vara con 1/t, un tiempo
de paso pequeo puede aumentar la misma.
A.11.4.4 Amortiguamiento.
Alternativamente, puede considerarse la introduccin de resistencias de amortiguamiento
en el circuito elctrico. En el caso de una inductancia, la resistencia habra de disponerse en
paralelo con la misma, como se muestra en la siguiente figura, proporcionando un camino
alternativo a la intensidad cuando el interruptor se abre. La intensidad en el circuito RL decaer as
con el tiempo.
Se ha de considerar con cuidado el valor de la resistencia. La constante de tiempo RL es:
L
=
Rd
En una primera aproximacin, podemos elegir la constante de tiempo en relacin con el

tiempo de paso t, como sigue:
L
Rd =
t
donde es el factor de amortiguamiento. Un valor de 0.15 para puede suponer un buen

compromiso entre amortiguamiento y exactitud.
Figura. Inductancia con resistencia de amortiguamiento.

Igualmente puede considerarse para el caso del condensador. En este caso la resistencia se
coloca en serie con el condensador, como se muestra en la siguiente figura. Para la eleccin de la
constante de tiempo puede considerarse la siguiente expresin:
Ks t
Rd =
2C
Se recomienda Ks entre 0.15 y 13.34
Figura. Condensador con resistencia de amortiguamiento.
A.11.4.5 Interpolacin.
El esquema de interpolacin detecta el cambio de paso de la intensidad y la tensin cuando
se presentan oscilaciones. Entonces considera el tiempo anterior a la misma y realiza una
interpolacin lineal a la intensidad cero o en la operacin del interruptor. Las ecuaciones
diferenciales se resuelven en este punto y se comienza de nuevo en el siguiente tiempo de paso.
Netomac fue probablemente el primero de los programas EMTP que incluyeron

interpolacin.
Tambin se considera interpolacin para el uso de modelos de lneas de transmisin y

pulsos de disparo en dispositivos electrnicos de potencia.
A.11.4.6 Cambiando el mtodo de integracin.

La versin de EMTP de DCG-EPRI (EMTP version 3.0, tambin conocida como
EMTP96), elimina el problema de las oscilaciones numricas ejecutando dos pasos de tiempo
mediante el mtodo de integracin Backward Euler.
El usuario invoca el mtodo de integracin escribiendo CDA (Critical Damping Adjustment)

a continuacin del BEGIN NEW DATA CASE.

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UNIVERSIDAD DE SEVILLA

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES

Departamento de Ingeniera Elctrica

Trabajo Fin de Mster

Autor: Juan Antonio Rodrguez Gonzlez

Director: Dr. Antonio de la Villa Jan

Titulacin: Ingeniera Industrial.

Mster Oficial: Sistemas de Energa Elctrica.

Sevilla, Julio de 2010.

Jos Ortega y Gasset.

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No renovables (contaminantes). Fundamentalmente carbn, petrleo y gas

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