INFORME DE ELECTRONICA

ANALOGICA
TRANSISTOR BJT

Descripcin breve
En esto informe vamos a examinar la respuesta de ca del amplificador con BJT revisando los
modelos de uso ms frecuente para representar el transistor en el dominio de ca senoidal.

INTEGRANTES:
AGUILAR CONTRERAS; Jose Miguel
APONTE ARRO; Ronald David
MENDEZ POLO; David Jack
MENDOZA RODRIGUEZ; Irwing Jesus
MIRANDA CABANILLAS; Jherson Aaron
PROFESOR:
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

INDICE
INTRODUCCIN. 2
FUNDAMENTO TEORICO
Transistor BJ. 3
Amplificacin en el dominio ca.. 4
Modelo de un transistor BJT
Configuracin en emisor comn... 6
Configuracin en base comn. 11
Configuracin en colector comn. 13
Configuracin de polarizacin fija en emisor comn 13
Configuracin de polarizacin por medio del divisor de
voltaje.. 15
Configuracin de polarizacin en emisor comn.. 18
Configuracin emisor-seguidor.. 22
Configuracin en base comn. 24
Configuracin de realimentacin del colector. 24
Amplificador de polarizacin mediante retroalimentacin de
colector.. 25
Configuracin de realimentacin de cd del colector.. 28
CONCLUSIONES. 30
BIBLIOGRAFIA. 30

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Introduccin
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El transistor BJT se puede emplear como un
amplificador.
Una de nuestras primeras preocupaciones en el anlisis de ca
senoidal de redes de transistores es la magnitud de la seal de
entrada, la seal de salida y la ganancia. Para Determinar estos
datos utilizamos los conceptos previos ya aprendidos de anlisis
del transistor BJT en cd. Un modelo muy comn que utilizaremos
para analizar el transistor BJT en ac, es el modelo .

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FUNDAMENTO Terico
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, adems de controlar
el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia
de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor; que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base; la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector; de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

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AMPLIFICACIN EN EL DOMINIO DE CA
El transistor se puede emplear como un dispositivo amplificador. Es decir, la seal
senoidal de salida es mayor que la de entrada, o, dicho de otra manera, la potencia de
ca de salida puede ser mayor que la potencia de ca de entrada. Surge entonces la
pregunta sobre cmo es que la potencia de salida de ca pueda ser mayor que la potencia
de ca de entrada. La conservacin de la energa dicta que con el tiempo la salida de
potencia total, de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada y

que la eficiencia definida por = no puede ser mayor que 1. El factor que falta en

el planteamiento anterior que permite que una potencia de salida de ca sea mayor que
la potencia de ca de entrada es la potencia de cd aplicada. Es un contribuyente a la
potencia de salida total aun cuando una parte de ella se disipe por el dispositivo y los
elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio de potencia de cd con
el dominio de ca que permite establecer una potencia de ca de salida ms alta. De hecho,

se define una eficiencia de conversin = () donde () es la potencia de
()
ca suministrada y () es la potencia cd suministrada.

Posiblemente el rol de la alimentacin de cd se pueda describir mejor si se considera

primero la red simple de cd de la figura 5.1

En la figura se indica la direccin de flujo resultante con una grfica de la corriente i

contra el tiempo.

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Insertemos ahora un control de mecanismo constante como el de la figura 5.2.

El mecanismo de control es tal que la aplicacin de una seal relativamente pequea al

mecanismo de control es capaz de producir una excursin sustancial en el circuito de
salida.
Es decir, para este ejemplo,
() ()

Y se ha establecido la amplificacin en el dominio de ca. El valor pico a pico de la

corriente de salida excede por mucho al de la corriente de control. Para el sistema de la
figura 5.2, el nivel de cd establecido controla el valor pico de la excursin en el circuito
de salida. Cualquier intento de exceder el lmite impuesto por el nivel de cd provocar
un recorte (aplanamiento) de la regin pico en el lmite inferior de la seal de salida.
En general, por consiguiente, un diseo de amplificacin correcto requiere que los
componentes de cd y ca sean sensibles a los requerimientos y limitaciones de cada uno.
Sin embargo, es extremadamente til tener en cuenta que:
El teorema de superposicin es aplicable al anlisis y diseo de los componentes de cd
y ca de una red de BJT, lo que permite separar el anlisis de las respuestas de cd y ca
del sistema.
En otras palabras, podemos efectuar un anlisis de cd completo de un sistema antes de
considerar la respuesta de ca. Una vez hecho el anlisis de cd, la respuesta de ca se
determina mediante un anlisis completo de ca. Sucede, sin embargo, que las
condiciones de cd determinarn a uno de los componentes que aparece en el anlisis
de ca de redes de BJT, as que sigue habiendo un vnculo importante entre los dos tipos
de anlisis.

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MODELO DE UN TRANSISTOR BJT

La clave para el anlisis de seal pequea de un transistor es el uso de circuitos
equivalentes.
Un modelo es una combinacin de elementos de un circuito, apropiadamente
seleccionados, que simula de forma aproximada el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones especficas de operacin.
Una vez que se determina el circuito equivalente de ca, el smbolo esquemtico del
dispositivo puede ser reemplazado por este circuito equivalente y los mtodos bsicos
de anlisis de circuitos aplicados para determinar las cantidades deseadas de la red.
El uso del modelo lleg a ser el mtodo ms deseable porque las condiciones de
operacin reales determinaban un parmetro importante del circuito equivalente en
lugar de utilizar el valor que apareca en las hojas de datos que en algunos casos poda
ser bastante diferente. Desafortunadamente, sin embargo, se tiene que seguir
recurriendo a las hojas de datos para algunos de los dems parmetros del circuito
equivalente.
En este modelo como slo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las
fuentes de cd pueden ser reemplazadas por un equivalente de potencial cero
(cortocircuito) porque determinan slo el nivel de cd (nivel quiescente) del voltaje de
salida y no la magnitud de la excursin de la salida de ca.
Adems, los capacitores de acoplamiento y el capacitor de puenteo se seleccionaron
para que tuvieran una reactancia muy pequea en la frecuencia de aplicacin. Por
consiguiente, tambin, en la prctica pueden ser reemplazados por una ruta de baja de
resistencia o un cortocircuito.
Es importante que conforme avance a travs de las modificaciones de la red, defina el
equivalente de ca para que los parmetros de inters como , , , definidos por la
figura 5.5.

En la figura 5.6 las impedancias de entrada y de salida para un sistema particular son
resistivas.

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En suma, por consiguiente, el equivalente de ca de una red se obtiene como sigue:

1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazndolas por un equivalente

de cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.

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3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito

introducidos por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma ms conveniente y lgica.

MODELO DEL TRANSISTOR

Configuracin en emisor comn
El circuito equivalente para la configuracin en emisor comn se construir por medio
de las caractersticas del dispositivo y varias aproximaciones. Comenzando con el lado
de entrada, vemos que el voltaje aplicado es igual al voltaje con la corriente de
entrada como la corriente de base como se muestra en la figura 5.8

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Sabemos =

Se puede mejorar reemplazando primero el diodo por su resistencia equivalente

determinada por el nivel de , como se muestra en la figura 5.13. Recuerde la
resistencia de un diodo se determina = 26 . Al utilizar el subndice e porque la

corriente determinante es la corriente de emisor obtendremos = 26

Hallando la impedancia de entrada:

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El resultado es que la impedancia viendo hacia adentro de la base de la red es un

resistor igual a beta veces el valor de , como se muestra en la figura 5.14. La corriente
de salida del colector sigue estando vinculada a la corriente de entrada por beta como
se muestra en la misma figura.

El circuito equivalente, por consiguiente, ha quedado definido, pero ahora los circuitos
de entrada y salida estn aislados y estn vinculados slo por la fuente controlada: una
forma mucho ms fcil de trabajar cuando se analizan redes.
Para tener una idea de este valor de impedancia de salida considere las caractersticas
de salida tpicas de un BJT de la figura 5.15. La pendiente de cada curva definir una
resistencia en ese punto como sigue:

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Cuanto ms horizontal es la curva mayor es la resistencia de salida. Utilizando un valor

promedio de la resistencia de salida se agregar el otro componente al circuito
equivalente tal como aparece en la figura 5.16.

Configuracin en base comn

El circuito equivalente de base comn se desarrollar casi del mismo modo en que se
aplic a la configuracin en emisor comn. Las caractersticas generales del circuito de
entrada y salida generarn un circuito equivalente que simular de forma aproximada
el comportamiento real del dispositivo. Recuerde que en la configuracin en emisor
comn se utiliz un diodo para representar la conexin de la base al emisor. Para la
configuracin en base comn de la figura 5.17 el transistor npn empleado presentar la
misma posibilidad en el circuito de entrada. El resultado es el uso de un diodo en el
circuito equivalente como se muestra en la figura 5.17b. En cuanto al circuito de salida
vemos que la corriente del colector est relacionada con la del emisor por alfa.

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Para la respuesta de ca, al diodo lo puede reemplazar su resistencia de ca equivalente

determinada por = 26 como se muestra en la figura 5.18. Observe que la

corriente del emisor contina determinando la resistencia equivalente.
Con las caractersticas de la figura 5.19 se puede determinar una resistencia de salida
adicional casi del mismo modo que las caractersticas del colector de la configuracin en
emisor comn. Las lneas casi horizontales indican con claridad que la resistencia de
salida tal como aparece en la figura 5.18 ser bastante alta.

En general, las configuraciones en base comn tienen una impedancia de entrada muy
baja porque en esencia slo es .

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Configuracin en colector comn

Para la configuracin en colector comn, normalmente se aplica el modelo definido para
la configuracin de emisor comn de la figura 5.16 en lugar de definir uno para ella. En
captulos subsiguientes investigaremos varias configuraciones en colector comn y el
efecto de utilizar el mismo modelo ser patente.
Configuracin de polarizacin fija en emisor comn

El anlisis de ca de seal pequea se inicia eliminando los efectos de cd de y

reemplazando los capacitores de bloqueo 1 y 2 por equivalentes de cortocircuito y el
resultado es la red de la figura 5.21.

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Reemplazamos en el circuito equivalente:

Hallamos la impedancia de entrada:

Hallamos la impedancia de salida:

Hallamos la ganancia de voltaje:

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Configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje:

El nombre de la configuracin se deriva de la polarizacin por medio del divisor de voltaje en el
lado de entrada para determinar el nivel de cd de .

Sustituyendo el circuito equivalente obtenemos la red la siguiente figura.

Observe la ausencia de es debido al efecto de cortocircuito de baja impedancia del capacitor
de puenteo . Es decir, a la frecuencia (o frecuencias) de operacin la reactancia del capacitor
es tan pequea comparada con , que se considera como un cortocircuito a travs de RE.
Cuando se establece en cero, coloca un extremo de 1 y a un potencial de tierra, como se
muestra en la figura. Adems, observe que 1 y 2 permanecen en el circuito de entrada, en
tanto que forma parte del circuito de salida. La combinacin en paralelo de 1 y 2 se define
como:

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Analizando el circuito equivalente, hallamos :

Luego hallamos :

0 10

Para hallar la ganancia de voltaje ; primero hallamos el voltaje de entrada :

0 10

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a) Analizamos en CD: Prueba de 102

(90) (1.5 ) > 10(8.2 )
(90) (1.5 ) > 10(8.2 ) (Satisfecha)

Utilizando el mtodo aproximado, obtenemos:

2 (8.2 )(22 )
= = = 2.81
1 + 2 56 + 8.2
= = 2.81 0.7 = 2.11
2.11
= = = 1.41
1.5
26 26
= = = 18.44
1.41

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b)

= 1 2 = (56 ) (8.2 ) = 7.15

i = 1 e = (7.5 ) (90)(18.4 ) = 1.35
c)

o = C = 6.8
d)
6.8
= = = 368.76
18.44
e)

i = 1.35
o = 0 = 6.8 50 = 5.98
0 5.98
= = = 324.3
18.44

Configuracin de polarizacin en emisor comn:

Sin puenteo

La configuracin ms fundamental de las configuraciones sin puenteo aparece en la

siguiente figura:

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El modelo equivalente se sustituye en la siguiente figura, pero observe la ausencia de la

resistencia . El efecto de es complicar mucho ms el anlisis, y considerando el hecho de
que en la mayora de las situaciones su efecto puede ser pasado por alto, no se incluir en este
anlisis.

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff al lado de entrada de la figura obtenemos:

Y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de es:

El resultado que se muestra en la figura revela que la impedancia de entrada de un transistor

con un resistor sin puentear se determina como:

Como normalmente es mucho mayor que I, la ecuacin aproximada es:

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Analizando el circuito equivalente, hallamos :

Con ajustado a cero, = 0 y b puede ser reemplazada por un equivalente de circuito

abierto. El resultado es:

Para hallar la ganancia de voltaje ; primero hallamos el voltaje de entrada :

Sustituyendo aproximado:

Y por aproximacin :

Observe que no est en la ecuacin para ; lo que demuestra una independencia en la

variacin de .

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a) Analizamos en CD:
20 0.7
= = = 35.89
+ ( + 1) 470 + (121)0.56
= ( + 1) = (121)(35.89 ) = 4.34
26 26
= = = 5.99
4.34
b) Sometiendo a prueba la condicin 0 10( + )
= ( + ) = (90)(5.99 + 560 ) = 67.92
i = b = (470 ) (67.92 ) = 59.34
c)

o = C = 6.8
c) 0 10 se satisface. Por consiguiente:
0 (120)(2.2 )
= = = = 3.89
67.92

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Configuracin emisor-seguidor:

Cuando la salida se toma de la terminal del emisor del transistor, la red se conoce como
emisor seguidor. El voltaje de salida siempre es un poco menor que la seal de entrada
debido a la cada de la base al emisor, pero la aproximacin Av _ 1 en general es buena.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor est en fase con la seal Vi.
Es decir, Vo y Vi alcanzan sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo. El
hecho de que Vo siga a la magnitud de Vi con una relacin en fase, explica la
terminologa emisor seguidor.

La configuracin en emisor seguidor se suele utilizar para propsitos de igualacin de

frecuencia. Presenta una alta impedancia a la entrada y una baja impedancia a la salida,
la cual es la oposicin directa de la configuracin de polarizacin fija estndar. El efecto
resultante es casi como el obtenido con un transformador, donde una carga se iguala a
la impedancia de la fuente para una mxima transferencia de potencia a travs del
sistema.
Analizando el circuito se obtiene:

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De lo cual se obtiene:

= ||

Donde realizando aproximaciones:

Para obtener la impedancia de salida se debe realizar las siguientes aproximaciones:

= ( + 1)

Sustituyendo Zb y desarrollando la ecuacin obtenemos:

=
+
Analizando el sgte circuito:

= ||

La ganancia de voltaje viene relacionado con:

= =
+

Con un efecto de ro se obtiene:

( + 1)
= +

1 +


= || ||
( + 1)
( + 1)

=

1 +

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Configuracin en base comn:

La configuracin en base comn se caracteriza por tener una impedancia de entrada
baja e impedancia de salida y una ganancia de corriente menor que 1. La ganancia de
voltaje, sin embargo, puede ser bastante grande.

Donde su respectivo anlisis resulta:

Y finalmente obtenemos las siguientes ecuaciones:

= ||
=

= = ~

Configuracin de realimentacin del colector:

La red de realimentacin del colector de la emplea una ruta de realimentacin del colector a la
base para incrementar la estabilidad del sistema.

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Realizando algunas aproximaciones: (rO10Rc)

re
Zi =
1 Rc
+
Rf

Zo Rc||Rf
Rc
Av =
re

Efectos del Z0:

||
1+

Zi =
1 1 ||
+ +

Zo ro||Rc||Rf

Rc
re
Av = Rc
1+
Rf

Amplificador de polarizacin mediante retroalimentacin de colector:

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Voltaje y corriente del circuito:

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Seal de salida con capacitor:

Seal de entrada:

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Configuracin de realimentacin de cd del colector

Esta red dispone de un resistor de realimentacin de cd para la estabilidad
incrementada; sin embargo, el capacitor C3 desplazar partes de la resistencia de
realimentacin a las secciones de entrada y salida de la red en el dominio de ca. Los
niveles de resistencia de entrada Y salida de ca determinarn la parte de RF desplazada
al lado de entrada o salida.

En la frecuencia o frecuencias de operacin el capacitor asumir un equivalente de

cortocircuito con respecto a tierra por su bajo nivel de impedancia comparado con el
de otros elementos de la red. Entonces, el circuito equivalente de ca de seal pequea
aparecer Como se muestra

Haciendo uso de conceptos aprendidos como leyes de Kirchhoff y teora de circuitos,

se obtiene las siguientes formulas.

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Conclusiones
Una de los principales uso del transistor BJT en ca, es como un amplificador de
seal para que esto suceda el punto de trabajo debe situarse aproximadamente
en el centro de la recta de carga debido a que si se desplaza a la zona de
saturacin la intensidad de colector se hace mxima y deja de responder a los
incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la zona de corte la
intensidad de colector se hace cero y el transistor no conduce. Entre el corte y la
saturacin, el transistor funciona como amplificador, ya que, a cada intensidad
de base (del orden de microamperios) corresponde una intensidad de colector
amplificada (del orden de miliamperios).
Para analizar un BJT en corriente alterna hacemos uso del anlisis en corriente
directa para datos previos que utilizamos. Uno de los datos ms importantes que
hallamos en cada configuracin es la ganancia de voltaje.
Una de las principales ventajas como amplificador del transistor BJT es que la
seal que entra se amplifica y sale una seal ms grande, esto puede relacionarse
en el mundo de la mecnica con una prensa hidrulica

Bibliografa
- Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos 10ma. Boylestad
- Electrnica teora de circuitos 6ta edicin Boylestad.
- Principios de electrnica malvino

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