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Diodos de capacidad variable (varicaps) Varactores

A
- CT = . A: rea de la placa, metro al cuadrado. W: separacin entre las placas, en
w
metros. : permitividad.
- La capacidad de transicin no es constante sino que depende de la tensin exterior
aplicada.
- Cuando mayor sea la tensin inversa, mayor ser la anchura w de la zona de cargas
espaciales.
- Si se aumenta la tensin directa (volt positivo) w decrece y C T aumenta.
- Esta propiedad de la unin p-n polarizada en sentido inverso, cuya capacidad es variable
con la tensin, se emplea en numerosos circuitos.
- Una de estas aplicaciones es la sintonizacin por tensin de un circuito resonante LC.
- Otra aplicacin es en circuitos puentes auto equilibrados y en tipos especiales de
amplificadores, denominados amplificadores paramtricos.
- Los diodos, VARICAPS, se basan en el principio de la variacin de la capacidad con la
tensin.

- La resistencia Rs representa la resistencia serie del cuerpo (hmica) del diodo.


- Los valores tpicos de CT es 20pf y de Rs es de 8,5, a la polarizacin inversa de 4V.
- La resistencia inversa de diodo Rr en paralelo con C T es elevada ( 1 M ) y por lo tanto
suele ser despreciada.

Diodo de Avalancha
- Los diodos diseados con capacidad adecuada de disipacin de potencia para trabajar en
la zona de ruptura, pueden ser empleados como dispositivos de tensin de referencia o de
tensin constante.
- Diodos zener, de avalancha o de ruptura.
- La fuente V y la resistencia R se selecciona de tal manera que, inicialmente, el diodo pueda
funcionar en la regin de avalancha.
- La tensin del diodo es Vz, que tambin es la diferencia del diodo es Iz.
- El diodo regulara la tensin de la carga oponindose a las variaciones de la corriente y de
la tensin de alimentacin V.
- En la regin de la avalancha, grande cambios de la corriente del diodo solo producen
pequeos cambios en su tensin.
- La corriente de la carga o la tensin de la alimentacin varian, la corriente del diodo se
ajusta por si misma o estos cambios manteniendo prcticamente constante la tensin de la
carga.
- El diodo seguir regulando hasta que el circuito funciones con una corriente que haga que
la intensidad por el diodo este por debajo de Iz en las inmediaciones del codo. De la curva
tensin-corriente.
- El lmite superior de la corriente lo determina la potencia de disipacin mxima del diodo.

Diodo Tnel
- Un diodo de unin p-n del tipo, tiene una concentracin de impurezas de
aproximadamente 1 parte por 108.
- L anchura de la capa de desviacin, que constituye una barrera de potencial de la unin,
es del orden de una micra.
- Esta barrera de potencial restringe la influencia de portadores desde el lado de la unin en
el que constituyen portadores mayoritarios al lado en que constituyen portadores
minoritarios.

Efecto Tnel
- La anchura de la barrera de la unin vara inversamente con la raz cuadrada de la
concentracin de impureza.
- Esta anchura es de solo un cincuentavo de la longitud de onda de la luz visible.
- Una partcula debe tener una energa por lo menos igual a la altura de la barrera de la
energa potencial, si es que se quiere mover de un lado de la barrera al otro.
- Para barreras cuya anchura es la que se estima en el diodo de ESAKI.
- La ecuacin de Schrdinger indica que hay una gran probabilidad de que un electrn
penetre a travs de la barrera de potencial.
- Este comportamiento de mecnica cuntica se conoce con el nombre de efecto tnel, y los
sistemas cuya unin p-n tenga ms alta densidad de impureza se denomina diodo tnel.

Caracterstica del Diodo Tnel


Caracterstica Tensin-Corriente de un diodo Tnel

- El diodo tnel es un excelente conductor en sentido inverso (el lado o de la unin es


negativo con respecto al lado n).
- Para tensiones pequeas directas (hasta unos 50 mV en el Ge) la resistencia permanece
pequea (el orden de 5).
- A la corriente de pico Ip correspondiente a la tensin Vp.
- La pendiente dI/dV de la caracterstica es cero en (V P, IP).
- Si la tensin V aumenta por encima de Vp, la corriente disminuye y, como consecuencia de
dI
ello, la conductancia dinmica g= es negativa.
dV
- Los diodos tnel tienen una caracterstica de corriente negativa entre el pico de corriente I P
y el mnimo valor IV.
- IV se denomina corriente de valle.
- A la tensin de valle para que la I=I o, la conductancia es de nuevo cero, y por encima de
este punto la resistencia permanece positiva.
- En el llamado pico de tensin positivo, VF, la corriente alcanza nuevamente el valor I P.
- Para valores mayores de la tensin, la corriente aumenta.

Modelo de pequea seal en la regin de resistencia negativa

- (-Rn), resistencia negativa, es una resistencia hmica.


- Rn tiene un valor mnimo en el punto de inflexin situado entre I P e IV.
- La resistencia serie Rs es una resistencia hmica.
- La inductancia en serie Ls depende de la longitud de los conductores y de la geometra del
encapsulado.
- La capacitancia de la unin C depende del punto de trabajo y se nula normalmente en el
valle.
- Los valores tpicos de estos parmetros, para un diodo tnel con una corriente de pico
Ip=10 mA, son Rn=-30, Rs=1, Is=5nA y C=20pf.
- Una de las aplicaciones interesantes de los diodos tnel consiste en aprovecharlo como
conmutador de alta velocidad.
- Puesto que el efecto tnel tiene lugar a la velocidad de la luz, la respuesta transitoria est
limitada solamente por la capacidad total en paralelo y por la corriente de pico de
conduccin.
- Los diodos tnel ms asequibles, comercialmente son de germanio de Arseniuro de Galio.
- Los diodos tnel de silicio con elevada relacin entre corriente de pico y corriente de valle
IP/IV, son verdaderamente difciles.

Fotodiodo Semiconductor
- Si se ilumina una unin p-n polarizada en sentido inverso, la corriente varia casi
linealmente con el flujo luminoso.
- Este efecto se emplea en los fotodiodos semiconductores.
- Estos elementos consisten en uniones p-n encapsuladas en un plstico transparente.
- La radiacin se proyecta sobre la unin a travs de la superficie.
- Los lados restantes del plstico se pintan de negro o quedan encerradas en una caja
metlica.

Caractersticas de tensin corriente


- Si se aplica una tensin inversa de unas pocas decimas de voltios en exceso, se obtiene una
corriente constante (independiente de la magnitud de la polarizacin inversa).
- Esta corriente en la oscuridad corresponde a la corriente de saturacin inversa debida a los
portadores minoritarios generados trmicamente.
- Los portadores minoritarios caen desde lo alto del potencial de la unin, mientras esta
barrera no permita a los portadores mayoritarios atraviesan la unin.
- Si la luz acta sobre la superficie se forman pares de electrones-huecos adicionales.
- La corriente de saturacin inversa Io en un diodo p-n es proporcional a la concentracin de
portadores minoritarios Pno y npo en la regiones n y p respectivamente.
- Si iluminamos la unin, polarizada inversamente, el nmero de nuevos pares electrones-
huecos es proporcional al nmero de fotones incidentes.
- La corriente para una elevada polarizacin inversa sea I =I o+ I s , donde Is es la
corriente en corto circuito, y es proporcional a la intensidad de luz.
V
- La caracterstica de tensin corriente viene dada por I =I + I (1e ) .
V T
s o
- Donde I, Is e Io representan el valor de la corriente inversa y V es positiva para tensiones
directas y negativas para las inversas.
- es uno para germanio y 2 para el silicio.
- VT es la tensin equivalente a la temperatura.
Diodos Emisores de Luz (LED)
- Se absorbe energa para generar pares de electrones-huecos, esta vuelve a ser emitida
cuando los electrones se recombinan con los huecos.
- En el silicio y en el germanio, esta recombinacin tiene lugar mediante centros de
recombinacin y la liberacin de energa tiene lugar en forma de calentamiento del cristal.
- La energa desprendida cuando el electrn pasa de la banda de conduccin a la de
valencia, aparece en forma de radiacin.
- Estos diodos p-n se denominan diodos emisores de luz (LED) (Light Emitting Diode), su
radiacin se localiza principalmente en el infrarrojo.
- La luz se concentra cerca de la unin debido a que la mayor parte de los portadores se
encuentran dentro de la capa de difusin de la unin.

Circuitos de diodos
- Circuitos recortadores
Un nivel
Dos niveles
Comparadores
Puerta de discrimicacion
Rectificadores: onda, onda completa
Filtros de condensador
Duplicadores de voltaje