Lista de Exerccios: Dispositivos de

potncia (TJB, MOSFET, IGBT).

1. Responda s questes abaixo:
a) Desenhe os smbolos dos transistores TJB, MOSFET e IGBT, nomeando os seus
terminais.

TJB MOSFET IGBT

b) Descreva como as junes base-emissor e coletor-base devem ser polarizadas para um
TJB passar ao estado ligado e ao estado desligado.
Para o TJB trabalhar no estado desligado preciso polariza-lo na regio de
corte e para estar ligado, preciso polariza-lo saturao. No modo de corte uma
polarizao negativa aplicada a ambas as junes. J no modo de saturao uma
polarizao positiva aplicada a ambas as junes.
c) Dentre os terminais de um TJB, quais so os dois que atuam como contatos de uma
chave? E dentre os terminais de um MOSFET?
Os terminais do TJB ou de um MOSFET que atuam como contatos de uma
chave so o coletor e o emissor.
d) Explique as condies de tenso e corrente no TJB quando ele est no estado ligado
(saturao) e no estado desligado (corte).
Regio de Corte : juno Base-Emissor polarizada reversamente. No h
fluxo de corrente.
Regio de Saturao: juno Base-Emissor polarizada diretamente, juno
Coletor-Base polarizada diretamente. Ic atinge o mximo, que independente de Ib
e . Sem controle. Vce < Vbe
e) Explique as condies de tenso e corrente no MOSFET quando ele est no estado
ligado (regio hmica) e no estado desligado (corte).
Regio de Triodo (ou regio linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds a
tenso entre dreno e fonte. O transstor ligado, e o canal que criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor,
controlado pela tenso na porta.
Regio de Corte: quando VGS < Vt , onde VGS a tenso entre a porta (gate) e a
fonte (source). O transistor permanece desligado, e no h conduo entre o dreno e
a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido
chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida.
f) Explique as condies de tenso e corrente no IGBT quando ele est no estado ligado
(saturao) e no estado desligado (corte).
 Quando o IGBT liga - partindo de Vce alto e Vge igual a zero ou negativo - com uma
corrente constante carregando a comporta, um aumento linear da tenso de
comporta obtido. Com a queda da tenso entre coletor e emissor (Vce) a corrente
de polarizao de comporta usada para carregar Cgc, e a tenso de comporta
permanece constante. Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai,
Cgc aumenta de valor de tal forma que, uma pequena variao de Vce suficiente
para levar a um aumento da corrente de comporta. Somente quando a corrente
necessria carga se reduz novamente que a tenso de comporta aumenta.
Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa, Vge positiva ou maior que a tenso
limiar - Vth) - a tenso de comporta inicialmente decresce quase que linearmente
(pela fonte de corrente constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o
aumento da carga aumenta a tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est
drenando corrente da comporta, a tenso comporta-emissor mantm-se
constante.Em consequncia, Vce aumenta e a maior parte da corrente de descarga da
comporta usada para manter a tenso de comporta constante. O processo de carga
termina quando Vce alcana a tenso de operao.
g) Explique, atravs de seu circuito equivalente, como funciona a conexo Darlington e
como se calcula o seu ganho global.
Para podermos controlar as correntes elevadas de motores e outras cargas a partir
de correntes ainda menores, podemos associar diversos transistores e a
configurao mais comum a denominada Darlington.

Circuito com dois transistores com acoplamento Darlington.

Este circuito se comporta como um nico transistor cujo ganho seja o produto dos
ganhos dos transistores usados. Por exemplo, se Q1 possuir ganho 200 e Q2 tiver
ganho 50, o ganho do circuito ser 50 x 200 = 10000, ou seja, ele se comportar como
um nico transistor de ganho 10000. Assim, para termos um controle linear de
potncia usando um circuito como este, basta agregarmos o dispositivo de controle,
que pode ser um potencimetro de valor bastante alto.

2. Assinale as alternativas abaixo com a letra V para verdadeiro e F para falso. Para as
alternativas assinalas como falso, justifique a sua escolha.
a. (V) Os transistores e os tiristores podem ser usados como chave eletrnica, abrindo e
fechando de maneira automtica centenas de vezes por segundo.
b.(F) A perda de potncia na chave eletrnica muito elevada quando a mesma se
encontra
fechada, j que a queda de tenso considerada elevada no estado ligado.
A chave eletrnica dissipa potncia ao conduzir.
c. (V) A chave eletrnica deve ficar desligada por perodos maiores e ligada durante a
menor
parte do tempo, quando precisamos de mais potncia na carga.
d.(V) A perda de potncia atribuda chave eletrnica o produto da corrente atravs da
chave pela tenso em seus terminais.
e. (V) Em um transistor funcionando como chave, a queda de tenso entre seus terminais
principais elevada, prxima ao valor da tenso da fonte, quando ele est ligado.
f. (V) Em um transistor funcionando como chave, a corrente nula quando o mesmo est
aberto, assim como o valor da tenso em seus terminais principais.
g.(V) Para uso geral, os transistores tm dois tipos bsicos de aplicao: amplificao e
chaveamento.
h.(V) Em eletrnica de potncia, os transistores so usados para o controle eficaz da
potncia.
i. (V) O TJB um dispositivo controlado por corrente e sua velocidade de chaveamento
mais lenta que a de um MOSFET.
j. (V) Os MOSFETs de potncia so dispositivos controlados por corrente e por tenso.
k.(V) Para obter valores mais altos de ganho de corrente, pode-se usar a conexo
Darlington
de dois TJBs.
l. (V) O MOSFET consegue transies mais rpidas entre os estados ligado e desligado do
que o TJB.
m. (V) O MOSFET tem aplicaes importantes em fontes de alimentao chavedas.
n. (V) No estado de conduo (ligado), o MOSFET tem baixas quedas de tenso, resultando
em perdas de potncia tambm baixas, em relao ao TJB.
o. (F) Assim como acontece com o MOSFET, o transistor IGBT acionado por tenso na
porta, podendo essa tenso ter qualquer valor, para que o dispositivo entre no estado
ligado.
A tenso tem que ser maior que Vt pra ele ligar.
p. (V) Os IGBTs so utilizados em aplicaes de alta tenso, em substituio ao MOSFET,
onde as perdas na conduo devem ser mantidas em valores baixos.
q. (V) Embora as velocidades de chaveamento do IGBT sejam maiores do que as dos TJBs,
so menores do que as dos MOSFETs.
r. (F) Ao contrrio dos MOSFETs, os IGBTs tm uma capacidade de bloqueio para tenses
inversas muito boa.
Sua capacidade de bloqueio para tenses inversas muito ruim.

3. Sejam dois transistores TJB, Q1 e Q2. O transistor Q1 est trabalhando com 20 A, sendo
1 = 20, e Q2 trabalhando com 100 A, sendo 2 = 10. Determine a corrente de base
requerida para passar a conexo Darlington ao estado ligado. Calcule a corrente de base
requerida se Q2 for usado isoladamente. (Resp. Ib = 0,6 A; Ib2 = 10 A.)
IBtotal = (IC1 + IC2) + (1*2) => (20+100)/(20/10) = 0,6A
IB2 = IC/2 => 100/10 =010A

4. Na figura, VCC = 120V, RC = 20. Determine a corrente de carga e a perda de potncia

para as seguintes correntes de base e de VCE.
a) IB = 0,6 A; VCE(sat) = 1 V; (Resp. Ic = 5,95 e Pon = 5,95 W)
Ic= VCC-VCE(sat)/RC = 119/20 = 5,95A
Ptjb= 1x 5,95= 5,95W
b) IB = 0,4 A; VCE = 2 V; (Resp.: Ic = 5,9 A e Pon = 11,8 W)
Ic= 120-2/20 = 5,9A
Ptjb= 2x5,9=11,8W
c) IB = 0,2 A; VCE= 50 V; (Resp.: Ic = 3,5 A e Pon = 175 W)
Ic= 120-50/20= 3,5A
Ptjb= 3,5x50 =175W
d) IB = 0 A; VCE = 120 V; (Resp.: Ic = 0 A e Pon = 0W) ]
Ic= 120-120/20= 0A
Ptjb= 0* 0 = 0W

Lista de Exerccios: Definio; Chaves

semicondutoras de potncia; Tipos de circuitos de
eletrnica de potncia; Aplicaes da eletrnica de
potncia.
1. Responda s questes abaixo:
a) O que a eletrnica de potncia?
A eletrnica de potncia trata das aplicaes de dispositivos semicondutores
de potncia, como tiristores e transistores, na converso e no controle de energia
eltrica em nveis altos de potncia aplicados indstria.
b) Quais so as trs reas de conhecimento da engenharia relacionadas eletrnica de
potncia? Explique a relao de cada uma.
A eletrnica de potncia pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar
que envolve trs campos bsicos: a potncia, a eletrnica e o controle. A potncia
est presente nas chaves semicondutoras de potncia, que os elementos mais
importantes em circuitos de eletrnica de potncia. A eletrnica est presente nos
circuitos de eletrnica de potncia (ou, conversores). E o controle microprocessado
de potncia se destaca nas aplicaes cotidianas mais comuns.
c) Relacione as caractersticas de uma chave ideal.
 Uma chave ideal tem tempo de comutao nulos (conduo e bloqueio
instantneo), resistncia nula na conduo e resistncia infinita quando bloqueado.
d) Qual a desvantagem do uso de um reostato, em um circuito divisor de tenso, para
controle da potncia entregue a uma carga, se comparado com uma chave ideal?
O reostato dissipa muita potncia.
e) O que so as chaves estticas ou eletrnicas?
Uma chave esttica comuta a potncia para a carga, liga e desliga, mas no a
modifica em nenhum outro aspecto. A caracterstica duplamente estvel dos
dispositivos semicondutores (como os tiristores) isto , a existncia de dois
estados estveis (conduo e no conduo) sugere que esses dispositivos podem
ser usados como chaves sem contatos.
f) O que o valor mdio de um sinal? Como se calcula o valor mdio de um sinal?
O valor mdio de um sinal (potncia ou corrente) depende da forma de onda deste
sinal havendo processos de clculos definidos para cada caso.
Para o valor mdio quadrtico ou RMS (Root Mean Square) leva-se em conta a
equivalncia com um sinal contnuo enquanto que para o valor mdio o que se faz
tirar a mdia aritmtica dos valores instantneos.
g) O que o ciclo de trabalho de uma chave eletrnica?
Ciclo de trabalho a relao entre o tempo em que a chave permanece acionada e o
perodo do sinal.
h) Relacione os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como chaves em
circuitos de eletrnica de potncia.
As chaves semicondutoras de potncia so os elementos mais importantes em
circuitos de eletrnica de potncia. Os principais tipos de dispositivos
semicondutores usados como chaves em circuitos de eletrnica de potncia so:
Diodos; Transistores bipolares de juno (BJTs); Transistores de efeito de campo
metal-xido-semicondutor (MOSFETs); Transistores bipolares de porta isolada
(IGBTs); Retificadores controlados de silcio (SCRs); Triacs.
i) Relacione os tipos de circuitos de eletrnica de potncia (conversores), explicando as
suas finalidades.
Os conversores podem ser classificados com AC/DC, DC/DC ou DC/AC. Para
converter tenso e corrente alternadas em tenso e corrente contnuas utiliza-se
processo de retificao. O conversor DC/DC ou chopper usado para obter uma
tenso DC varivel a partir de uma fonte de tenso DC constante. Os inversores so
circuitos estticos (isto , no tm partes mveis) que convertem potncia DC em
potncia AC com a frequncia e tenso ou corrente de sada desejada.
j) Relacione aplicaes comuns da eletrnica de potncia, explicando a sua utilidade nesses
equipamentos.
Dentre as aplicaes cotidianas mais comuns se destaca o controle microprocessado
de potncia. Os equipamentos de informtica, tais como a fonte de alimentao
chaveada do PC, o estabilizador, o no-break, etc, utilizam como elementos principais
dispositivos semicondutores chaveadores (Mosfets, IGBTs, TJBs, etc).
2. A partir do circuito e do grfico abaixo, calcule a tenso mdia e a potncia mdia na
carga R, para os itens a seguir. Para tanto, considere que R = 20 e que o TJB funciona
como uma chave ideal.

Frmula de potncia: Pr(mdia)= D*Pmx => P = (D*vmax/R)

D(ciclo de trabalho)= Ton/T(perodo)

a) ton = 0 (chave aberta);

Vmdia = Ton/T *Vin => Vmdia = 0/0*120 = 0V
Pr(mdia)= D*Pmx => Pr = (D*vmax/R) Pr(mdia)=0W
b) ton = 0,2ms e T = 1,0ms;
Vmdia = Ton/T *Vin => Vmdia = 0,2ms/1,0ms*120 = 24V
Pr(mdia)= D*Pmx => P = (D*vmax/R) Pr(mdia)=(0,2*120/20)=144W
c) ton = 0,5ms e T = 1,0ms;
Vmdia = Ton/T *Vin => Vmdia = 0,5ms/1,0ms*120 = 60V
Pr(mdia)= D*Pmx => P = (D*vmax/R) Pr(mdia)=(0,5*120/20)=360W
d) ton = 0,8ms e T = 1,0ms;
Vmdia = Ton/T *Vin => Vmdia = 0,8ms/1,0ms*120 = 96V
Pr(mdia)= D*Pmx => P = (D*vmax/R) Pr(mdia)=(0,8*120/20)=576W
e) ton = 1,0ms e T = 1,0ms;
Vmdia = Ton/T *Vin => Vmdia = 1,0ms/1,0ms*120 = 120V
Pr(mdia)= D*Pmx => P = (D*vmax/R) Pr(mdia)= (1*120/20)=720W

Lista de Exerccios: Tiristores (SCR e TRIAC).

1.Responda s questes abaixo:
a) Relacione semelhanas e diferenas bsicas entre um diodo e um SCR, quando
polarizados direta e inversamente.
Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo terminal de gatilho. No
SCR, apesar da tenso ser positiva, o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente
nula). S quando for aplicado um pulso de gatilho, que o SCR passar a conduzir
corrente, comportando-se como um curto-circuito.
Polarizao reversa: com VAK<0, praticamente no h corrente reversa. A
corrente reversa depende do tipo de SCR. Nos de baixa corrente, a corrente reversa
da ordem de dezenas a centenas de A e nos de alta corrente, a corrente reversa pode
chegar a centenas de mA.
Polarizao direta em bloqueio: nesta regio, h vrias curvas parametrizadas
pela corrente de gatilho IG. Quando IG = 0, o SCR permanece bloqueado, desde que a
tenso seja inferior a VBO (tenso de disparo ou breakover voltage). Quando VAK=
VBO, o SCR dispara e a corrente cresce, sendo limitada pela resistncia de carga,
colocada em srie com o SCR.
Polarizao direta em conduo: para que o SCR permanea nesta regio,
necessrio que a corrente de anodo atinja um valor mnimo de disparo IL (latching
current ou corrente de disparo). Caso esse valor no seja atingido, aps o disparo, o
SCR volta ao estado de bloqueio.
b) Desenhe os smbolos do SCR e do TRIAC, nomeando os seus terminais.

SCR TRIAC
c) O SCR pode ser analisado atravs da analogia de dois transistores complementares
PNP-NPN. Desenhe a representao e explique como acontece o processo de
realimentao positiva.

As quatro camadas de materiais semicondutores que formam a estrutura do

diodo controlado de silcio equivalem na realidade a dois transistores, um PNP e
outro NPN ligados de tal modo a formar uma chave regenerativa. O SCR um
retificador ou seja, um diodo, mas que possui um eletrodo a mais que permite que a
corrente retificada seja controlada externamente. Muito mais que um diodo o SCR
portanto um dispositivo de comutao, porque pode ser ligado e desligado
rapidamente a partir de sinais externos aplicados de maneira apropriada.
d) Explique como se dispara e se bloqueia o SCR e o TRIAC, em relao polarizao e
corrente do gatilho.
Pela curva do SCR, v-se que, quanto maior o valor da corrente de gatilho,
tanto menor a tenso VAK necessria para disparar o SCR. Isso verdade at o limite
de IG = IGT (corrente de gatilho com disparo). IGT a mnima corrente de gatilho que
garante o disparo do SCR com tenso direta de conduo VT. Com IGT aplicada,
como se o SCR fosse um diodo.
Pela curva caracterstica, pode-se observar que o TRIAC pode conduzir nos
dois sentidos de polarizao. As condies de disparo so anlogas ao do SCR.
Podendo ser disparado com corrente de gatilho positiva ou negativa.
e) Qual o significado da corrente de disparo e da corrente de manuteno do SCR?
Para disparar o SCR, preciso um pulso no gatilho do dispositivo. E para seu
desativamento ou bloqueio, a corrente de manuteno(Ih) dever ser menor que a
corrente de nodo(Id). E uma segunda alternativa, seria desligar a fonte de
alimentao obviamente.
f) Qual o significado da corrente de gatilho com disparo, IGT?
IGT a mnima corrente de gatilho que garante o disparo do SCR com tenso
direta de conduo Vt.
g) No mtodo de comutao natural, quando o SCR dispara e quando ele bloqueia?
O SCR dispara quando a corrente de anodo maior que a do catodo e h um pulso
positivo no gatilho. O SCR bloqueia quando a corrente de manuteno menor que a
corrente de de anodo.
h) Descreva, de forma objetiva, os mtodos de disparo do SCR, que no utilizam corrente
de gatilho (disparo por sobretenso, por dv/dt e por luz).
Disparo por sobretenso Se aumentarmos a tenso VAK a ponto de atingir o valor
VBO, o SCR entrar em conduo, mesmo sem a aplicao da corrente de gatilho.
Este processo de disparo, nem sempre destrutivo, raramente utilizado na prtica.
Disparo por variao de tenso Um capacitor armazena carga eltrica e a corrente
que carrega o capacitor relaciona-se com a tenso pela expresso: I=C*(dV/dt). Ou
seja, para haver variao de tenso no capacitor (V), em um intervalo de tempo (t),
necessrio circular uma corrente i pelo capacitor. Quando a variao de tenso
muito pequena e o intervalo de tempo muito pequeno. Por aumento de temperatura
ou por intensidade de incidncia de luz ou radiao no dispositivo. No segundo caso,
h um dispositivo prprio chamado de LASCR (Light Activated Silicon Controlled
Rectifier). Alm do disparo por luz, esse dispositivo tambm acionado pelo gatilho.
i) Quanto ao sentido de conduo e ao disparo pelo gatilho, quais so as vantagens do
TRIAC em relao ao SCR?
O TRIAC um componente bidirecional que controla os dois semicclos do sinal
senoidal, seu disparo pode ser feito tanto com pulso positivo quanto por pulso
negativo. O TRIAC funciona com correntes inferiores s do SCR, logo, com menor
potncia.
j) Faa o desenho bsico do circuito SNUBBER RC e explique o seu funcionamento. Qual
sua funo?
 Mesmo no havendo pulso no gatilho, fechando-se a chave
CH1, a capacitncia da juno J2 far com que circule corrente
de gatilho. Como a variao muito grande (de zero para V), a
corrente resultante ser muito grande. Essa corrente poder ser
suficiente para estabelecer o processo de conduo do SCR.
Esse disparo normalmente indesejado e pode ser evitado pela
ao de um circuito de proteo chamado de SNUBBER
(CIRCUITO DA IMAGEM ACIMA).

2. A partir dos circuitos abaixo, responda as questes a seguir:

a) Explique em que condies o SCR dispara e bloqueia.
O SCR dispara quando a corrente de anodo maior que a do catodo e h um
pulso positivo no gatilho. O SCR bloqueia quando a corrente de manuteno menor
que a corrente de de anodo.
b) Qual a funo da chave CH3?
A chave CH3 bloqueia o SCR igualando a corrente de anodo e ctodo, fazendo com
que a tenso entre seu anodo e seu catodo caia a zero, o que corresponde tambm a
interromper a corrente no dispositivo.
c) De que forma o capacitor C1 atua no SCR?
O capacitor carrega-se de forma exponencial. Se CH2 for fechada, a tenso
acumulada no capacitor polarizar reversamente o SCR levando-o ao bloqueio.

3. No circuito abaixo, tem-se uma lmpada ligada a uma fonte 127V AC, senoidal, e
acionada por TRIAC. Esboce as formas de onda de tenso na lmpada com a chave CH
nas posies 0, 1 e 2.
0 - Sem onda
1 - Sinal negativo cortado
2 - Sinal arternado normal
4. No circuito abaixo, a corrente de manuteno do SCR TIC116 igual a 15mA. Quando a
chave CH1 fechada, pode-se afirmar que:
Corrente de anodo = 1mA
Tenso de gatilho = 5V
a) O SCR dispara.
b) O SCR no dispara.
c) O SCR queima, pois tem a corrente de manuteno muito alta.
d) O SCR dispara, mas no se mantm ligado por muito tempo.

5. Assinale a alternativa FALSA em relao a um SCR.

a) Para disparar, o SCR deve estar com o anodo positivo em relao ao catodo.
b) Para cortar um SCR, basta abrir o gatilho.
c) O ngulo de disparo na prtica no pode ser igual a 180.
d) A corrente de manuteno a menor corrente de anodo que mantm o SCR
conduzindo.

6. Explique a afirmativa abaixo: Quanto maior a corrente de gatilho injetada, menor a

tenso de anodo necessria para disparar o SCR, por isso o nome diodo controlado.
 Pela curva do SCR, v-se que, quanto maior o valor da corrente de gatilho,
tanto menor a tenso VAK necessria para disparar o SCR. Isso verdade at o limite
de IG = IGT (corrente de gatilho com disparo). IGT a mnima corrente de gatilho que
garante o disparo do SCR com tenso direta de conduo VT. Com IGT aplicada,
como se o SCR fosse um diodo.
7. No circuito abaixo, tem-se o SCR TIC116B com as seguintes caractersticas: IGT = 20mA
e VGT= 0,8V, com VAA= 6,0VDC. Explique a aplicao do SCR no circuito e calcule o valor
da tenso na rede que possibilita a condio de disparo do SCR. Considere o SCR e o
diodo como ideais.

Vf= 20,8 mA x 180+0,8V

Vf=4,8V