Ao del buen servicio al ciudadano

UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO

Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas

Curso:
Fsica electrnica

Tema:
Dispositivos de unin P-N

Integrantes:

Aguilar Ramirez Adrin

Regalado Villegas Juan Carlos
Rodrguez Chambergo Manuel
Serrepe Valverde Mario
Valdiviezo Cieza Justo Jorge

Lambayeque, 24 de julio del 2017

 DISPOSITIVOS DE UNION P-N
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente
diodos y transistores. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales,
generalmente de silicio (Si), aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de
naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal
se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algn otro metal o compuesto qumico. Es la base del
funcionamiento de la energa solar fotovoltaica.

Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que
deja un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn
libre. Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se
debe a la temperatura (como una aplicacin, al caso, de las leyes de la
termodinmica) o a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor puro
(intrnseco) se cumple que, a temperatura constante, el nmero de huecos es
igual al de electrones libres.

Malla cristalina de silicio puro.

TIPO P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de

dopado, sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco
por tomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin,
normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia
(normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el nmero de
portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el material
dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como
impurezas aceptoras

.
TIPO N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es
decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos,
electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus
electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es tambin conocido como impurezas donantes ya que
cede uno de sus electrones al semiconductor.

1. Diagrama de bandas de energa

La presencia de cargas en la regin espacial de carga da lugar a un campo
elctrico, el cual causa una diferencia de potencial en dicha regin que
recibe el nombre de potencial de contacto, Vbi.
Este potencial de contacto viene acompaado por un desnivel de las
bandas de energa como se muestra en la figura. Este desnivel se explica
como sigue: la cada de tensin entre dos puntos a y b se define como la
energa empleada o adquirida para mover una carga positiva unidad desde
a hasta b. Si la carga positiva (hueco) est en a (zona P) y b (zona N) est
a una mayor tensin Vbi, se realiza un trabajo para mover la carga. Al llegar
a b, la carga positiva ha ganado una energa potencial igual a la energa
empleada que viene dada por (qVbi), donde q es la carga del electrn.
2. Diodos
Diodos semiconductores:
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin
P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos
metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto,
dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al
ctodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo
positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso
de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad
puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua,
a este procedimiento se le denomina rectificacin.

Diodos conmutados:
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de
trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos
tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o
parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin
inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la
carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente
(efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe
sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo.
Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a
400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja
potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.
 Diodos de alta frecuencia:
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito
que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 mega Hertz (1
milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja
capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que
forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo.

Diodos especiales:
Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos
varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando
acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse
de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza
inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin
aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de
condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su
empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de
radio y TV.

3. Inyeccin de portadores minoritarios y mayoritarios

Qu sucede si colocamos dos trozos de un semiconductor, uno del Tipo P
y otro del Tipo N? En el lado P de la unin hay huecos libres y una
concentracin idntica de tomos de impureza aceptores ionizados que
mantienen la neutralidad de carga. En el lado N de la unin hay electrones
libres y un nmero igual de tomos de impureza dadores ionizados. As
pues, los portadores mayoritarios son huecos en el lado P y electrones
en el lado N. En equilibrio trmico con los portadores mayoritarios existen
pequeas concentraciones de portadores minoritarios, que se han
exagerado un tanto en la figura:
 LINKOGRAFIA

https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN
http://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01-02).pdf
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-
Semiconductores.php

BIBLIOGRAFIA

Introduccin a la fsica de estado slido (Charles Kittel)