CUESTIONARIO

N Pregunta Respuesta
1 Por lo general los elementos se combinan para Qumicos
formar compuestos:
2 Las propiedades fsicas y qumicas de las Las estructuras atmica
molculas y de los slidos dependen y electrnica.
fundamentalmente de:

3 Es uno de los minerales ms comunes en la Cristal natural de cuarzo

Tierra: (SIO2)
4 Los cristales de cuarzo se usan para: Para hacer lentes
especiales y prismas
5 1s22s22p63s, es relativamente fcil de ionizar, Ion Na+
cediendo su electrn de valencia 3s para formar
un:
6 La energa requerida para ionizar el tomo y 5.1 eV
formar Na+ es:
7 La configuracin electrnica del cloro es: 1s22s22p5
8 La energa liberada cuando un tomo toma un Afinidad electrnica
electrn se llama:
9 La afinidad electrnica del cloro es: 3.7 eV
10 La energa total contra la separacin -4.2 eV
internuclear para el NaCI es de:
11 La energa requerida para separar la molcula 4.2 eV.
de NaCI en tomos neutros de Na y Cl, llamada
energa de disociacin, es igual a:
12 Cuando los dos iones se acercan a menos de Traslaparse
0.24 nm, los electrones en las capas cerradas
comienzan a:
13 Puede verse como el compartir de electrones Una ligadura covalente
suministrados por uno o ambos tomos que entre dos tomos
forman la molcula
14 Deben su estabilidad a las ligaduras covalentes: H2, F2 y el CO
15 El H2, sus dos electrones se comparten Orbital molecular
igualmente entre los ncleos y forman el
llamado:
16 Si dos molculas se hallan separadas cierta Son atradas entre s por
distancia, son: fuerzas electrostticas
17 Las atracciones electrostticas dbiles entre las Fuerzas de van der
molculas se llamarn: Waals
18 Los tres tipos de fuerzas de Van der Waals son: La fuerza dipolo-dipolo,
fuerza de Van der Waals
y fuerza de dispersin

19 La fuerza dipolo-dipolo es: Es una interaccin entre

dos molculas
20 La fuerza de Van der Waals es: Es una fuerza de
induccin de dipolo
21 La fuerza de dispersin es: Es una fuerza atractiva
que ocurre entre dos
molculas no polares
22 Si dos tomos idnticos se hallan muy retirados entre No interactan
s:
23 Los mecanismos en ligaduras se deben: A fuerzas electrostticas
entre los tomos (o iones)
24 Cuando los dos tomos se encuentran Es cero
separados por una distancia infinita, la fuerza
entre ellos es:
25 A medida que los tomos se acercan entre s, Atractivas y repulsivas
actan fuerzas:
26 Las ligaduras inicas se deben sobre todo a La atraccin de Coulomb
entre iones cargados en
forma opuesta
27 Un ejemplo familiar de una molcula enlazada El cloruro de sodio, NaCI el
inicamente cual forma la sal de mesa
comn
28 Los dos electrones en el estado base del H2 Antiparalelos
deben tener espines:
29 Muchas molculas estables ms complejas se Covalentes
forman tambin por ligaduras:
30 El hidrgeno forma un diferente tipo de ligadura Ligadura de Hidrogeno
entre dos tomos o iones, llamado:
31 Un ejemplo de ligadura de hidrgeno es el: Es el ion de difluoruro de
hidrgeno, (HF2)-
32 La ligadura de energa del (HF2)- es 0.1 eV
aproximadamente de:
33 La ligadura de hidrgeno es dbil, pero es el Las gigantescas
mecanismo responsable de la ligadura de: molculas biolgicas y
de los polmeros
34 Hay seis niveles de energa y seis funciones de: Onda traslapadas para el
sistema
35 En general, un slido cristalino tiene un gran Bandas permitidas de
nmero de: energa
36 Si el slido contiene N tomos, cada banda de N niveles de energa
energa tiene:
37 Un nivel cuyo momento angular orbital es l 2(2l + 1) electrones
puede tener:
38 E1 factor de 2 proviene de: De las dos posibles
orientaciones del espn
del electrn
39 El factor 2l + 1 proviene de: Corresponde al nmero
de orientaciones posibles
del momento angular
orbital
40 La capacidad de cada banda de un sistema de 2(l + 1)N electrones
N tomos es
41 En captulos anteriores de electricidad se hall Una gran densidad de
que los buenos conductores contienen: portadores de carga
42 Los semiconductores tienen densidades de Intermedias entre
portadores de carga: aquellas de los
aisladores y aquellas de
los conductores
43 Los electrones obedecen la estadstica de: Fermi-Dirac
44 Una banda medio llena de un conductor tal como La mitad de la banda
la banda 3s del sodio. A T = 0 K, la energa de
Fermi cae a:
45 La banda inferior llena con electrones se llama: Banda de valencia
46 La banda vaca superior se llama Banda de conduccin
47 La distribucin de Fermi-Dirac predice que: Habr pocos electrones
trmicamente excitados
en la banda superior a
temperaturas normales
48 Los materiales que tienen un hueco de energa Semiconductores
del orden de 1 eV se llaman:
49 Los semiconductores son en realidad Pobres a temperaturas
conductores bajas
50 La conductividad de los semiconductores La temperatura
depende mucho de:
51 Cuando un electrn se mueve de la banda de Hueco
valencia hacia la banda de conduccin, deja
atrs un lugar vacante, tambin llamado:
52 Este hueco u hoyo (sitio que carece de un Positiva, + e
electrn) aparece como una carga
53 El hueco acta como un: Portador de carga
54 un semiconductor puro que contenga tales pares Un semiconductor
se llama: intrnseco
55 El proceso de aadir impurezas, llamado La construccin de
dopamiento, es importante para: dispositivos y la fabricacin de
semiconductores con regiones
de conductividad diferente
muy bien definidas
56 Tal tomo pentavalente dona efectivamente un tomo donador
electrn a la estructura por lo que se le llama:
57 Los semiconductores dopados con tomos Semiconductores tipo n
donadores se llaman:
58 Cuando un tomo trivalente acepta un electrn Aceptadores
de la banda de valencia, tales impurezas se
llaman:
59 Un semiconductor dopado con impurezas Un semiconductor de tipo
trivalentes (aceptores) se conoce como: p
60 Cuando la conduccin se domina por impurezas Semiconductor
aceptores o donadoras, el material se llama extrnseco
61 El rango comn para densidades de dopamiento 1013 hasta 1019 cm-3
para semiconductores de tipo n o p es de:
62 La unin completa consta de tres regiones Disposicin fsica de una
semiconductoras distintas que son: unin p-n,campo
elctrico intrnseco
contra x para la unin p-n
y Potencial intrnseco
contra x para la unin p-n
63 La regin que se extiende varias micras desde Regin de escasez
la unin se llama:
64 El descubrimiento del transistor fue por: John Bardeen, Walter
Brattain y Williams
Shoclkey
65 El advenimiento del transistor cre una industria Radios de bolsillo,
multimillonaria que produce artefactos tan calculadoras porttiles,
populares como: computadoras,
receptores de televisin y
juegos electrnicos.

66 El transistor de unin consta de: un material

semiconductor con una
regin n muy estrecha
emparedada entre dos
regiones p
67 Las regiones externas del transistor se llaman: Emisor, el colector y la
base.
68 La corriente del colector (de salida) ser Ic = Ib
directamente proporcional a la corriente de base
(entrada), y el transistor actuar como un
amplificador de corriente. Esta condicin puede
ser escrita como:
69 El circuito integrado, fue inventado Jack Kilby
independientemente por:
70 Los IC (abreviatura de circuito integrado, por sus Computadoras, relojes,
siglas en ingles) han iniciado una segunda cmaras, automviles,
 revolucin industrial y se hallan en el corazn aviones, robots,
de: vehculos espaciales, y
toda clase de redes de
comunicacin
71 Un circuito integrado es: Una coleccin de
transistores, diodos,
resistencias, y
condensadores
interconectados
fabricados sobre una
sola pieza de silicn

72 El transistor pnp consta de: Una regin n (base)

emparedada entre dos
regiones p (el emisor y el
colector)
73 Los chips ms complejos contienen varios 1 cm2
cientos de miles de componentes en un rea de:
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