Projeto de circuito de RF

Cap 2 Circuitos
Ressonantes

Prof. Thiago Coelho

Departamento de Circuitos Eltricos Faculdade de Engenharia 1

Objetivos
Explorar caractersticas de circuitos paralelos ressonantes em
radiofrequncia.
Examinar conceito de Q de circuito (Q carregado) e como se relaciona
com a impedncia da fonte e da carga.
Ver efeitos das perdas dos componentes e como elas afetam a
operao do circuito.
Investigar mtodos de acoplamento de circuitos ressonantes para o
aumento de sua seletividade.
 Definies
Um circuito ressonante usado em praticamente todo transmissor,
receptor ou parte de um sistema de RF para selecionar uma certa
frequncia ou um grupo de frequncias da fonte at a carga enquanto
atenua o restante das frequncias fora da banda.
Uma banda passante de um circuito ressonante perfeito iria parecer como
a figura abaixo.

FISICAMENTE IRREALIZVEL!!!!!!!
 Definies
A largura de banda de um circuito ressonante mais comumente definida
como a diferena entre a maior e a menor frequncia de um circuito que
corresponde a uma atenuao de 3 dB em relao a banda passante.
Podemos observar a largura de banda da resposta fisicamente realizvel de
um circuito ressonante na figura abaixo.
 Definies
Fator de forma (Shape factor - SF) definido como a razo entre a largura
de banda de 60 dB e a largura de banda do circuito ressonante.
Se por exemplo a largura de banda de 60 dB da figura abaixo (f4-f3) for de 3
MHz e a largura de banda (f2-f1) for de 1.5 MHz temos:
3MHz
SF 2 a medida da aproximao da resposta ideal (SF=1)
1.5MHz
 Definies
A perda por insero (insertion loss) est sempre presente como a perda
gerada entre a fonte e o gerador devido a perdas resistivas internas do
dispositivo.
Nunca a banda passante transferida a carga peloa fonte sem nenhuma
perda
 Definies
Ripple a medida da planicidade da banda passante. Em termos de valores
a diferena entre o mximo e o mnimo de atenuao na banda passante
plana.
 Definies
O fator Q de circuito a taxa entre a frequncia central do circuito
ressonante e a banda passante.
fc
Q
f 2 f1 (1)

No deve ser confundido com a componente Q definido no captulo 1. A

componente Q tem efeito sobre o Q do circuito, porm o inverso no
verdade.
Quanto maior o Q de circuito, mais estreita a largura de banda e maior a
seletividade do circuito ressonante.
 Ressonncia
Introduzimos o conceito de ressonncia no captulo 1 e agora iremos
examinar as causas da ocorrncia da mesma e como utiliz-la.
A regra de diviso de tenso, como no caso da figura abaixo, estabelece que
quando h um elemento de impedncia Zp em paralelo colocado na sada de
um gerados com impedncia interna Rs, a tenso mxima disponvel na sada
dada por:

Zp
Vout Vin
Rs Z p
 Ressonncia
Assim a tenso de sada sempre ser menor que a tenso de entrada. Se
Zp for uma impedncia dependente da frequncia, tal qual uma reatncia
indutiva ou capacitiva, ento Vout tambm depender da frequncia e logo
a taxa Vout/Vin (ganho) tambm ser. Seja o exemplo abaixo:

Assim ns temos:
Vout XC
20 log10
Vin RS X C

CARACTERSTICA DE FILTRO PASSA BAIXA

 Ressonncia
Se retirarmos o capacitor e adicionarmos um indutor como na figura
abaixo, podemos escrever:

Vout XL
20 log10
Vin RS X L

CARACTERSTICA DE FILTRO PASSA ALTA

 Ressonncia
Se utilizarmos um circuito LC, estaremos combinando a resposta passa-baixa
com a resposta passa alta. Tendo o circuito abaixo, podemos escrever
X total
Vout (Vin ) (2)
RS X total
sendo: 1
( jL)
XC X L jC
X total
XC X L 1
( jL)
jC
L
x jC jL jL
C , substituindo em (2):
1
jL x jC 1 ( jL)( jC ) 1 2 LC
j C
jL x (1-2LC)
Vout 2 jL Vout jL
1 LC
Vin RS

jL x (1-2LC) RS 2 RS LC jL Vin
(dB) 20 log

RS RS LC jL
2

1 2 LC
Ressonncia

Decaimento de 12dB/oitava, perto

da ressonncia e 6 dB/oitava
distante da ressonncia

Resposta para R=50, L=0,05H sem perdas e C=25pF sem perdas

 Q de circuito
O fator Q do circuito ressonante foi definido como a taxa entre a
frequncia central do circuito e sua largura de banda (largura de banda de
3dB). Tambm pode ser chamado de Q carregado ou de carga pois
descreve as condies de banda passante de um circuito ressonante sobre
as condies de carga.
O Q do circuito depende de 3 fatores:
A resistncia de fonte
A resistncia de carga
O Q dos componentes (definido no captulo 1)
 Q de circuito (efeito de Rs e RL)
Seja a resposta de um circuito ressonante RLC visto no slide (13)

Aumento de Rs aumenta o Q
do circuito e por consequncia
a seletividade da resposta do
circuito ressonante
 Q de circuito (efeito de Rs e RL)
No mostrado na figura anterior o efeito da resistncia de carga (RL)
Se a carga externa for acoplado ao circuito ressonante o efeito ser de
alargar o Q de circuito (impedncia infinita no alterar).
Para realizar este estudo apresentamos o circuito equivalente desta
abordagem. O circuito ressonante enxerga uma resistncia equivalente entre
Rs e RL .
 Q de circuito (efeito de Rs e RL)
Logo a resistncia total enxergada pela fonte menor que Rs ou RL e o Q
de circuito ir diminuir. Representando o fator Q de circuito no
equivalente paralelo tem-se:

Rp
Q
Xp
onde: Rp o equivalente paralelo entre RL e RS;
Xp a capacitncia reativa ou capacitiva
Muitas vezes Rp e RS so fatores caractersticos de fonte e carga de alguma
aplicao. O designer de circuito de RF pode atuar sobre a reatncia
indutiva ou capacitiva para um ajuste de fator de Q ptimo.
 Q de circuito (efeito de Rs e RL)
A inflexibiliade de Rs e RL podem levar a valores no prticos de C e L
para um determinado Q na frequncia de ressonncia desejada.
Nos exemplos abaixo temos circuitos que representam a resposta
apresentada no slide 15.
Exercicio
8) Realize o design de um circuito ressonante que opere com uma
resistncia de fonte de 150 ohms e uma resistncia de carga de 1000
ohms. A largura de banda necessita ser de 2,5 MHz na frequncia de
ressonncia de 50 MHz. Assuma que os componentes no tenha
perdas.
Q de circuito (efeito do Q do componente)
At ento para o clculo do Q do circuito ressonante, os componentes
eram considerados sem perdas, logo o fator Q de circuito no sofria
nenhuma degradao devido a este fator.
Na realidade o Q do componente sempre ir degradar o Q do circuito
ressonante.
Na anlise sem perdas tinhamos na frequncia de ressonncia uma
impedncia paralela em curto.
Entretanto devido as componentes parasitas nos indutores e capacitores
em alta frequncia ir existir uma impedncia finita em paralelo.
Na anlise em paralelo ser importante definir a contribuio da
resistncia parastica em paralelo que ir afetar a performance do circuito
ressonante.
Q de circuito (efeito do Q do componente)
Assim a figura abaixo define para as componentes de reatncia em alta
frequncia, os respectivos equivalentes em paralelo.
A resistncia em paralelo pode ser
encontrada fazendo:

RP Q 2 1 Rc
onde:
Rp= resistncia equivalente paralelo
Rc= resistncia em srie do componente
Q = Q do componente
Q de circuito (efeito do Q do componente)
Para a reatncia paralela equivalente tem-se:

Rp
XP
Q
Se o Q de componente for muito grande, isto Q>10, ento:
RP Q 2 Rc
XP Xs
Estas transformaes so vlidas apenas em um frequncia.
Logo podemos afirmar que um componente com Q baixo ir acarretar em
uma resistncia em paralelo baixa, reduzindo assim o Q de circuito.
Na maioria dos casos podemos envolver apenas o Q do indutor. Os qs do
capacitor normalmente so altos gerando Rp elevadas.
Exerccio
9) Dado uma bobina de 50nH com resistncia parasitica em srie de
10, compute seu fator Q em 100 MHz e transforme em seu
equivalente paralelo.
 Perda por insero
J definida anteriormente, como a perda entre a fonte o gerador provocadas
por resistncias internas do dispositivo, tambm sofre influncia do Q do
componente.
Se os indutores e capacitores so perfeitos no h perdas resistivas internas
nos componentes e as perdas internas nos circuitos ressonantes LC no
existiriam. Porm em alta frequncia este parmetro se torna critico.
A figura abaixo ilustra:
Exercicio
10) Faa o design de um circuito ressonante que possua largura de
banda de 10 MHz na frequncia central de 100 MHz. A impedncia de
fonte e de carga so 1000 ohms cada, assuma o capacitor sem
perdas. O Q do indutor de 85. Qual a perda de insero da rede?
 Transformao de impedncias
O design de circuitos ressonantes LC de alto fator Q entre fontes e cargas de
baixa impedncia uma tarefa no muito fcil (Rs influencia demais o Q).
Nesta situao para um Q alto sero requeridos valores de indutncia muito
baixos.
Um mtodo para sobrepor esta adversidade o uso de circuitos de
transformao de impedncias.
Estes circuitos tem por finalidade transformar a impedncia da fonte em
valores elevados e casar o mesmo com a carga.
Transformao de impedncias (circuito tapped c)
No circuito fazemos a anlise da impedncia de sada fazendo:
Ao fazer V0/I0 acharemos a impedncia de sada que o circuito ressonante
enxergar da fonte.

Impedncia de saida da fonte do tap no capacitor Circuito equivalente para impedncia da fonte devido
ao tap
Exercicio
11) Faa o design de um circuito ressonante com fator Q igual a 20
em uma frequncia central de 100 MHz que opere entre uma
resistncia de fonte igual a 50ohms e uam impedncia de carga igual
a 2000 ohms. Use a aproximao por tapped-C e assuma um indutor
com Q igual a 100 em 100 MHz
Acoplamento entre circuitos ressonantes
Utilizado quando h necessidade de espectros ressonantes cm um menor
fator de forma.
Os circuitos ressonantes so acoplados entre si para produzir uma maior
atenuao em certas frequncias.
O mecanismo de acoplamento selecionado dependendo da aplicao.
As formas mais comuns de acoplamento so:
Acoplamento capacitivo
Acoplamento indutivo
Acoplamento por transformador (mtuo)
Acoplamento ativo (transistor)
Um estudo mais qualitativo ser feito em relao aos acoplamentos porm
essa teoria ser expandida no design de filtros.
Acoplamento capacitivo
A opo mais frequente no acoplamento entre 2 ou mais circuitos
ressonantes.
Simples e barato.
A figura abaixo demonstra o arranjo para o acoplamento capacitivo de
dois circuitos ressonantes.

O valor do capacitor de acoplamento (C12) no pode ser escolhido de

forma aleatria.
Acoplamento capacitivo
Se o capacitor C12 for elevado, ocorrer um forte acoplamento (over coupling)
entre os dois circuitos e a resposta em frequncia alarga drasticamente com a
ocorrncia de dois picos no filtro de banda passante.
Se o capacitor C12 for muito pequeno, no h passagem de uma quantidade
significativa de sinal de um circuito ressonante para outro (under coupling) e a
perda por insero cresce para valores insustentveis.
A soluo de compromisso entre
estes dois nveis chamada de
acoplamento critico (critical coupling)
onde uma resposta espectral com
largura de banda mais razovel e com
uma perda de insero com nveis
aceitveis.
Acoplamento capacitivo
O Q de circuito de dois circuitos ressoantes sobre o regime de acoplamento
critico aproximadamente igual a 0,707 vezes o Q de um dos circuitos
ressonantes.
Logo o largura de banda da resposta do circuito acoplado tende a aumentar.
O valor do capacitor de acoplamento
usualmente empregado para dois
ressoadores idnticos dado por:
C
C12
Q
onde,
C12 o capacitor de acoplamento
C a capacitncia de ressonncia
Q o fator Q do circuito simples
Acoplamento capacitivo
Outra caracterstica que a reposta no simtrica com a frequncia em
qualquer regime de acoplamento.
A parte abaixo da ressonncia decresce a taxa de 18 dB/oitava, enquanto a
parte superior decresce a 6 dB/oitava. Este comportamento pode ser
entendido se analisarmos os circuitos equivalentes abaixo
Acoplamento indutivo
Dois tipos de acoplamento indutivo podem ser destacados como na figura
abaixo.
Acoplamento indutivo
O espelhamento do espectro de saida do acoplamento indutivo em
relao ao capacitivo faz com que a combinao dos dois acoplamentos
gere uma sada mais simtrica.
O valor do indutor usado no acoplamento entre dois circuitos ressonantes
idnticos encontrado atravs de:
L12 QL
onde,
L12 o indutor de acoplamento
L a indutncia de ressonncia
Q o fator Q do circuito ressonante simples
Qual a peculiaridade que pode ser enxergada aqui????
Exercicio
12) Faa o design de um acoplador top-L com maior Q possvel de dois
circuitos ressonantes para atender os seguintes requisitos.
Frequncia central = 75 MHz
Largura de banda igual = 3,75 MHz
Resistncia de fonte = 100 ohms
Resistncia de carga = 1000 ohms.
Q do indutor = 85 em 75 MHz