Anda di halaman 1dari 9

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Wahyuni*), Nur yani, Risna Zulwiyati, Sultra Ade Poetra


Laboratorium Elektronika dan Instrumen
2017

LATAR PELAKANG
Suatu alat elektronika tersusun dari banyak rangkaian elektronika. Serangkaian itu
memanfaatkan penggabugan sifat dari masing masing komponen elektronika. Dalam
sebuah rangkaian elektronika, komponen seperti transistor sering digunakan sebagai penguat
dalam alat elektronika. Transistor digunakan sebagai penguat agar input yang kecil dapat
menghasilkan output yang besar, sebagai penyambung dan pemutus arus (saklar), stabilitasi
sinyal, dan lainnya. Transistor digunakaan agar rangkaian atau komponen dapat bekerja
secara optimal.
Transistor telah banyak menghasilkan penemuan alat semikonduktor lain termasuk
rangkaian terpadu (IC), yang merupakan suatu komponen kecil yang mengandung ribuan
transistor miniatur. Ada dua macam transistor yang dikenal dalam elektronika yaitu
transistor dwikutub (BJT) dan transistor efekmedan (JFET).
Pada praktikum ini bertujuan agar dapat memahami metode pemberian bias tegangan
dan arus pada transistor bipolar, menentukan dan membedakan karakteristik input,
karakteristik output, karakteristik transfer arus konstan, serta dapat menginterpretasi kurva
karakteristik transistor bipolar.
Percabaan ini penting dilakukan karena untuk lebih memahami cara kerja transistor
bipolar, dapat membedakan bagaimana karakteristik dari transistor bipolar, serta mampu
membuat kurva karakteristik transistor bipolar tersebut.

RUMUSAN MASALAH
1. Bagaimana metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar ?
2. Bagaimana perbedaan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik transfer
arus konstan dari transistor bipolar ?
3. Bagaimana interpretasi kurva karakteristik transistor bipolar ?

TUJUAN
1. Memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar.
2. Membedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik transfer arus
konstan dari transistor bipolar.
3. Menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar.

KAJIAN TEORI
Pada tahun 1951, William Schoktly menemukan transistor pertama, komponen
semikonduktor yang dapat menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal radio dan televisi.
Transistor telah banyak menghasilkan penemuan alat semikonduktor lain termasuk rangkaian
terpadu (Integrated Circuit, IC), suatu komponen kecil yang mengandung ribuan transistor
miniatur. Karena IC lah, computer modern dan keajaiban elektronik lainnya dapat terjadi.
Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor. Ada
dua macam transistor, yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field
Effect Transistor-FET). Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor
ekstrinsik jenis p dan jenis n, yang disusun seperti pada gambar 1.1 berikut.

E C E C
p n p
(Emitter) (Collector) (Emitter) n p n
(Collector)

B (Base) B (Base)
Gambar 1.1. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b)
Transistor npn
Ketiga bagian transistor ini disebut emitter, base, dan collector.
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk
mengoperasikan transistor.
1. Basis ditanahkan (Common Base CB)
2. Emiter ditanahkan (Common Emitter CE)
3. Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)

Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang


digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan
tegangan pada transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam
mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada
tiga karakteristik yang sangat penting dari suatu transistor, yaitu :
1. Karakteristik input.
2. Karakteristik output.
3. Karakteristik transfer arus konstan.
Dengan notasi atau simbol, skema dasar bias transistor bipolar dalam
konfigurasi emitter ditanahkan ditunjukkan pada Gambar 1.2 berikut.

(a) (b)

Gambar 1.2. Rangkaian bias transistor, (a) transistor NPN, (b) transistor
PNP
Analisis setiap konfigurasi BJT selalu mengacu pada hubungan-hubungan dasar
berikut :

VBE = 0,7 V [1.1]

IE = ( +1) IB IC [1.2]
IC = IB [1.3]

Berdasarkan Pers. [1.1], [1.2] dan [1.3], nilai IB, IC dan IE sangat bergantung pada nilai ,
yaitu faktor penguatan arus BJT. Dalam mode dc, nilai IC dan IB dihubungkan oleh kuantitas
ini dan didefinisikan sebagai berikut.

IC
dc [1.4]
IB

di mana nilai IB dan IC ditentukan dari titik operasi pada kurva karakteristik. Untuk
penggunaan praktis, nilai untuk berbagai jenis transistor berkisar dari 50 sampai 400.
Untuk transistor dengan nilai sebesar 200, arus kolektor sebesar 200 kali dari pada arus
basis berdasarkan Pers. [1.3]. Untuk mode ac, beta didefinisikan sebagai :

IC
ac [1.5]
IB VCE Tetap

Penamaan formal untuk ac adalah emitter ditanahkan (common emitter), arus arah maju
(forward current), faktor penguatan. Pada lembar data spesifikasi transistor, dc biasanya
dinyatakan dengan hFE dan ac dengan hfe.

Gambar 1.3 menunjukkan salah satu contoh kurva karakteristik keluaran (Output) transistor
bipolar konfigurasi kolektor ditanahkan.

Gambar 1.3. Penentuan dc dan ac dari karakteristik output


Garis Beban dan Titik Kerja

Selanjutnya akan dibahas bagaimana parameter-parameter rangkaian yang telah


dibahas dapat digunakan untuk menentukan rentang paling mungkin dari titik kerja
Q (Quiscent) sebuah rangkaian transistor emitter ditanahkan.

Rangkaian dasar pada Gambar


1.2 dapat disederhanakan
IC
dengan sebuah sumber
tegangan seperti pada Gambar RC
RB
1.4.
+
IB +
VCE VCC
Rangkaian pada Gambar 1.4 _
_
menghasilkan persamaan
output yang menghubungkan
antara IC dan VCE sebagai
berikut.
Gambar 1.4. Rangkaian lengkap BJT
emitter ditanahkan.

VCE = VCC IC RC [1.6]

Hubungan antara IC dan VCE, yang tidak lain adalah karakteristik output rangkaian
BJT emitter ditanahkan, sebagaimana dinyatakan dalam Pers. [1.6] selanjutnya akan
digunakan untuk menentukan titik kerja terbaik dai rangkaian BJT dengan terlebih
dahulu menentukan sebuah garis lurus pada kurva karakteristik. Metode paling
mudah adalah dengan mengambil masing-masing satu titik pada sumbu IC dan VCE
pada kurva karakteristik.

Titik pertama, untuk IC = 0 mA :

VCE = VCC (0) RC diperoleh VCE VCC I C 0 mA


[1.7]

Titik kedua, untuk VCE = 0 V :

VCC
0 = VCC IC RC diperoleh IC [1.8]
RC VCE 0 V

Dengan menghubungkan keduanya, Pers. [1.7] dan [1.8] pada kurva karakteristik
output BJT, akan diperoleh sebuah garis lurus yang memotong sumbu IC dan VCE
yang disebut sebagai garis beban seperti pada gambar berikut.
Gambar 1.5. Karakteristik output BJT emitter ditanahkan

dengan
Posisi titik kerja Q dapat garis beban
bergeser akibatdan titik kerjanilai
perubahan Q.RB, RC atau VCC. Akan
tetapi, nilai titik kerja Q yang paling baik umumnya berada pada tengah-tengah garis
beban atau ketika VCE = VCC.

METODE PERCOBAAN
Alat dan Bahan
a. Power supply 12 Vdc 1 buah
b. Voltmeter 0-10 Vdc 1 buah
c. Amperemeter 0-1 Adc 1 buah
d. Transistor bipolar NPN 1 buah
e. Resistor batu 5W100J 1 buah
f. Resistor batu 5W100KJ 1 buah
g. Potensiometer 1 buah
h. Kabel penghubung

Identifikasi Variabel
Kegiatan 1. Karakteristik input
a. Variabel kontrol : VCE (volt)
b. Variabel manipulasi : VBE (volt)
c. Variabel respon : IB (volt)
Kegiatan 2. Karakteristik output
a. OutputVariabel kontrol : IB (volt)
b. Variabel manipulasi : VCE (volt)
c. Variabel respon : IC (volt)
Kegiatan 3. Karakteristik transfer
a. Variabel kontrol : VCE (volt)
b. Variabel manipulasi : IB (volt)
c. Variabel respon : IC (volt)

Definisi Operasional Variabel


a. VCE atau tegangan Collector-Emitter adalah beda potensial antara kaki Collector
dengan kaki Emitter, yang terbaca pada penunjukan voltmeter di mana nilai
tegangan berubah seiring dengan perubahan nilai resistansi pada potensiometer dan
dinyatakan dalam satuan volt.
b. VBE atau tegangan Basis-Emitter adalah beda potensial antara kaki Basis dan kaki
Emitter yang terbaca pada penunjukan voltmeter dan dinyatakan dalam satuan volt.
c. IB adalah arus dari kaki basis yang terbaca pada penunjukan amperemeter dan
dinyakan dalam satuan microampere (A).
d. IC adalah arus dari kaki collector yang terbaca pada penunjukan amperemeter dan
dinyatakan dalam satuan miliampere (mA).

Prosedur Kerja
a. Merangkai dan mempelajari kit percobaan Common Emitter (CE) berikut.

RC
IC

+
RB +
VR1 IB VR2 VCC
VCE _
_

b. Pengukuran karakteristik input menyatakan bagaimana arus base IB bervariasi


dengan tegangan base-emitter VBE ketika tegangan collector-emitter VCE dibuat
konstan. Pertama, tegangan VCE dibuat konstan dengan suatu nilai tertentu lalu
variasikan VBE dan IB akan meningkat dalam setiap rentang nilai, kemudian
mencatat nilai-nilai tersebut. Selanjutnya, prosedur ini diulnagi untuk nilai VCE yang
lebih besar.
c. Pengukuran karakteristik Output menunjukkan bagaimana arus kolektor IC bervariasi
dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan. Pertama, IBdiatur pada suatu nilai
yang konstan lalu VCE divariasikan secara linier, IC akan menunjukkan nilai tertentu
dan nilai ini dicatat. Selanjutnya, VCE dikembalikan ke keadaan nol dan IBdiatur pada
nilai yang lain dan seterusnya.
d. Karakteristik ciri alih atau transfer arus konstan diukur yang menunjukkan
bagaimana IC bervariasi dengan perubahan IB dengan VCE dibuat konstan dan hasil
pengamatan dicatat.
HASIL DAN ANALISIS
Hasil Pengamatan
Kegiatan 1. Karakteristik Input
Tabel 1. Hubungan antara VBE dan IB ketika nilai VCE dibuat konstan

Nilai IB (A) untuk VCE


No. VBE (volt)
0V 2V 4V 6V 8V 10 V
1. 0,00 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
2. 0,05 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
3. 0,10 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
4. 0,15 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
5. 0,20 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
6. 0,25 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
7. 0,30 0,5 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
8. 0,35 1,9 0,5 0,5 0,6 0,6 0,7
9. 0,40 5,8 1,6 1,6 1,4 1,6 1,4
10. 0,45 17,8 3,3 3,6 3,9 3,7 4,0
11. 0,50 51,6 8,8 8,0 8,9 9,0 8,6

Kegiatan 2. Karakteristik Output


Tabel 2. Hubungan antara VCE dan IC ketika nilai IB dibuat konstan

Nilai IC (mA) untuk IB


No. VCE (volt)
0 A 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A
1. 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00
2. 1,00 0,00 0,00 2,48 4,12 5,99 7,51
3. 2,00 0,00 0,00 2,49 4,15 6,03 7,58
4. 3,00 0,00 0,89 2,50 4,16 6,08 7,63
5. 4,00 0,00 0,90 2,51 4,17 6,16 7,75
6. 5,00 0,00 0,98 2,53 4,25 6,20 7,82
7. 6,00 0,00 1,01 2,54 4,30 6,25 7,93
8. 7,00 0,00 1,03 2,55 4,31 6,29 8,17
9. 8,00 0,00 1,04 2.56 4,34 6,41 8,30
10. 9,00 0,00 1,04 2.60 4.40 6,51 8,39
11. 10,00 0,00 1,05 2,61 4,48 6,56 8,46

Kegiatan 3. Karakteristik Transfer


Tabel 3. Hubungan antara IB dan IC ketika nilai VCE dibuat konstan

No. IB (A) IC (mA)


1. 0 0,00
2. 10 0,45
3. 20 1,11
4. 30 1,86
5. 40 2,70
6. 50 3,62
7. 60 4,56 Commented [R1]:
8. 70 5,54
9. 80 6,56
10. 90 7,63
PEMBAHASAN
Telah dilakukan praktikum mengenai karakteristik transistor bipolar. Praktikum ini
terdiri dari 3 tujuan, yakni memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada
transistor bipolar, membedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik
transfer arus konstan dari transistor bipolar serta menginterpretasi kurva karakteristik
transistor bipolar. Praktikum ini terdiri dari tiga kegiatan, yaitu karakteristik inout,
karakteristik output dan karakteristik transfer arus konstan. Adapun alat dan bahan yang
digunakan, ialah power supply 12 Vdc, voltmeter 0 10 Vdc, 1 buah, amperemeter 0 1
Adc, 1 buah, transistor bipolar NPN, 1 buah, resistor, batu 2 buah, poteensiometer 2 buah
serta kabel penghubung.
Pada kegiatan pertama, yaitu karakteristik input. Pada kegiatan ini, untuk nilai VCE
dibuat konstan, dari 0 volt hingga 10 volt pada kelipatan 2, kemudian nilai dari VBE dibuat
manipulasi dari 0,00 hingga 0,50 dengan kelipatan 0,05 serta yang ingin diperoleh ialah nilai
dari IB. Berdasarkan data yang diperoleh dari hasil pengamatan yaitu pada tabel, semakin
besar nilai tegangan pada basis-emitter VBE, maka IB. (kuat arus pada basis) semakin
meningkat juga. Hal ini terjadi karena sifat-sifat yang terdapat dalam teori berupa persamaan
sistematis = , yakni tegangan berbanding lurus terhadap kuat arus listrik.

Pada kegiatan kedua, yaitu karakteristik output. Pada kegiatan ini, untuk nilai IC dibuat
konstan, dari 0 A hingga 10 A dengan kelipatan 20, kemudian nilai dari VCE dibuat
manipulasi dari 0,00 hingga 10,00 dengan kelipatan 1,00 serta yang ingin diperoleh ialah
nilai dari IC. Berdasarkan data yang diperoleh dari hasil pengamatan yaitu pada tabel,
semakin besar nilai tegangan pada basis-emitter VCE, maka IC. (kuat arus pada kolektor)
semakin meningkat juga.

Pada kegiatan ketiga yaitu karakteristik transfer. Pada kegiatan ini, untuk nilai VCE
dibuat konstan sebesar 10 volt, kemudian nilai dari IB dibuat manipulasi dari 0,00 hingga
10,00 dengan kelipatan 10,00 serta yang ingin diperoleh ialah nilai dari IC. Berdasarkan data
yang diperoleh, dibuat sebuah grafik hubungan antara IB dan IC yang menunjukkan bahwa
semakin besar nilai IB maka semakin besar pula nilai dari IC. Dari hasil analisis kurva,
diperoleh nilai faktor penguatan arus sebesar 80. Tampak bahwa terdapat selidih yang
cukup jauh antara nilai yang diperoleh dari analisis data kedua dan analisis data ketiga. Hal
ini terjadi karena pada saat pengambilan data, praktikan sulit untuk menyimpulkan nilai yang
stabil dari alat ukur karena sensitivitas alat yang cukup tinggi. Sehingga terjadi perubahan
nilai yang cukup jauh, sebagaimana dapat diamati pada tabel pengamatan.

SIMPULAN

Setelah melakukan percobaan ini maka dapat disimpulkan bahwa:

1. Metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar khususnya untuk
transistor NPN yaitu jika antara kaki basis emitor dan kaki basis kolektor diberi
tegangan maju maka transistor berada dalam keadaan saturasi. Jika antara kaki basis
emitor dan kaki basis kolektor diberi tegangan mundur maka transistor berada dalam
keadaan mati. Sedangkan jika antara kaki basis emitor diberitegangan maju, dan kaki
basis kolektor diberi tegangan mundur maka transistor berada dalam keadaan aktif.
2. Karakteristik input ialah saat tegangan collector-emitter VCE dibuat konstan dengan
tegangan base-emitter VBE dibuat bervariasi sehingga didapatkan nilai dari arrus basis.
Karakteristik output ialah saat tegangan collector-emitter VCE dibuat bervariasi dengan
arus basis (IB )konstan sehingga diperoleh nilai dari arus kolektornya.. Karakteristik
transfer arus adalah karakteristik ciri alih di mana arus beban sebaga variable
manipulasi.
3. Kurva karakteristik transistor bipolar pada keadaan input dan output menggambarkan
bentuk kurva yang terdiri atas beberapa garis arus basis, sedangkan kurva karakteristik
transfer arus konstan berbentuk garis linear. Dari kurva karakteristik output dan
karakteristik transfer arus dapat diperoleh nilai faktor penguatan arus yang merupakan
rasio antara arus collector (IC) dan arus basis (IB) dan didapatkan hasil = 74
berdasarkan kurva karakteristik output dan = 62 berdasarkan kurva karakteristik arus
konstan.

DAFTAR PUSTAKA

Bakri, Abdul Haris, M. Agus Martawijaya & Muh. Saleh. 2015. Dasar-Dasar Elektronika.
Makassar: Edukasi Mitra Grafika
Sutrisno. 1986. Elektronika, Teori dan Penerapannya. Jakarta: Salemba Teknika.

Tim Penyusun. 2017. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar. Makassar: Laboratorium


Elektonika dan Instrumen UNM