palabra_muda@hotmail.com
bdanielpm@gmail.com
jean.vega@uni.pe
Abstract: El siguiente trabajo es el Informe Previo para la de la aplicacin y las caractersticas de respuesta que se
experiencia de laboratorio N1 del curso EE442 desean. Existen distintos tipos de acoplamiento:
Laboratorio de Electrnica II, seccin N. Acoplamiento directo, capacitivo y por transformador:
KEY WORDS: BJT, amplificador, bode, Multisim. Acoplamiento directo.- Las etapas se conectan en forma
directa, es permite una amplificacin tanto de la componente
I. OBJETIVO de seal como de la componente continua del circuito.
Los amplificadores multietapa son arreglos de Acoplamiento por transformador.- Este acoplamiento es
amplificadores que nos proporcionan un fin deseado, gracias muy popular en el dominio de la radio frecuencia (RF). El
a estos arreglos podemos tener una magnificacin de transformador como carga permite aislar las seales y
nuestros parmetros deseados ya sea impedancias de entrada adems, dependiendo de la razn de transformador para
y salida as como tambin ganancias de voltaje y/o corriente incrementar el voltaje y/o corriente.
como tambin un trabajo ptimo para ciertas frecuencias de
trabajo para nuestros diseos, las desventajas de estos III. CUESTIONARIO
amplificadores son que al aumentar las etapas la resolucin
1.-Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET
de estos se van complicando en consecuencia a esto se
opera en baja frecuencia.
crearon mtodos para la solucin con aproximaciones y otras
exactas a estas, ya sean mtodos para calcular las frecuencias Una vez que calculamos las frecuencias de corte inferior (fL )
de trabajo como para calcular la ganancia total e impedancias y superior (fH ) para una configuracin dada ajustaremos la
de nuestros sistemas de amplificacin en el arreglo que frecuencia de la seal que se va a amplificar a un valor menor
tengamos. a la frecuencia fL , es decir el transistor opera en una zona
donde se encuentre linealidad entre las caractersticas de la
B. Acoplamiento.
seal de entrada y salida (Por lo general cuando la seal de
entrada presenta una pequea amplitud con baja frecuencia,
El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las comnmente menores a 25mV y valores contenidas en la
distintas etapas amplificadores, dependiendo de la naturaleza banda de audio-frecuencia, 100Hz-100kHz,
respectivamente). Cuando el transistor se encuentra Derivando respecto a IC2 y despejando el factor de
trabajando en baja frecuencia se considerar el modelo de estabilidad respecto a VBE :
parmetros hbridos para su funcionamiento, pero cuando
trabaja en alta frecuencia hay que considerar un nuevo IC2
S = = (8)
modelo en el que juegan un papel importante las VBE R B + (R 7 + R 8 )(1 + )
capacitancias parsitas del transistor, es decir a estas
frecuencias entra en consideracin las capacidades internas Finalmente, reemplazando (8) y (6) en (3) tendremos el
del dispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC, que ndice de variacin de IC2 con respecto a T (Temperatura):
con el efecto MILLER forman una dependencia con las altas
frecuencias muy limitantes por los efectos sobre dIC2 1+ dICBO
={ }
sintonizacin de seales, que en esos casos son moduladas. dT R7 + R8
1+[ ] dT
RB + R7 + R8
2.-Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, dVBE
+{ } (9)
2 R B + (R 7 + R 8 )(1 + ) dT
escriba la ecuacin , tal que 2 = ( , ) y
considerando que los BJT son de silicio. No obstante, debemos tomar en cuenta que la corriente
inversa de fuga:
Se sabe que:
0 = 025 ( 25)
IC IC IC
dIC = dICBO + dVBE + d . . (1)
ICBO VBE
Y tambin el voltaje base-emisor:
Por la condicin de la pregunta:
() = 25 ( 25)
IC2 = f(ICBO , VBE ) . . (2)
Donde:
Luego:
= 0.07; = 22 Para el Germanio
dIC2 dIC2 dICBO dIC2 dVBE
= + (3)
dT dICBO dT dVBE dT = 0.1; = 44 Para el Silicio
Elegimos: R8 = 2.18k
R6 = 3.3K(valor comercial)
Ri = 10k Zin = 40k
Tenemos entonces el circuito equivalente para la primera
Zin Rb 40k R5 4k etapa Vin'=250mV y Ri'=3.3k nuevamente sabemos
fa=0.8
R5 = 3.9K(valor comercial)
Para la segunda parte:
Asumimos:
Por condiciones de diseo:
ICQ1 = 1mA
10 < S < 20 y f. a. > 0.75
Del divisor de tensin:
Elegimos: S = 11 y f. a. = 0.83
R3
12 = R5 1mA + 0.7 = 4.6 . . (12)
R2 + R3 Entonces:
Rb Zin
12 = 4.6 f. a = = 0.83 . (16)
R2 Ri + Zin
R2 = 104.34k R3 = 64.86k Rb
S= = 10 (17)
R12
R2 = 100K(valor comercial)
Ri = 3.3k Zin = 16.1k
R3 = 68K(valor comercial)
Zin Rb 16.1k R12 1.46k
R10 2 = 2 2
12 = R12 1.5mA + 0.7 = 2.89 . (18)
R9 + R10
(5 + 2 )
Rb 1 = + //( + 1 )
12 = 2.89 (20) 1
R9
(// +1 )
R9 = 66.85k R10 = 21.2k 5 //
1
+2
2 = 8 //(7 + ( ))
2
R9 = 68K(valor comercial)
Sabiendo:
R10 = 22K(valor comercial)
= 2 = 2(100) = 628.319 /
1 1 1.15
Asumimos: Vce3 = 4V = = = 361.283
1 2 2
VR4 = R11 ICQ3 = 12 Vce1 R12 ICQ1 (21)
Asumiendo para todos los transistores:
R11 = 3.83k
= 1 = 100
R11 = 3.9K(valor comercial) Obtenemos:
1 = 11.049
Asumimos ICQ4 = 2mA
2 = 95
VR12 0.7
R14 + R15 = = 0.77k (22) 1 = 0.25
ICQ4
2 = 30
Donde: R15 R14
Ahora igualmente para la segunda parte del circuito:
R14 = 0.1K(valor comercial)
3 = 3 3
R8 = 0.67k
4 = 4 4
R15 = 0.68K(valor comercial)
5 = 5 5
Dado que:
4 = + 13
A2 = A21 A22 = f. a A12 = 0.83 A12 = 14 . . (23)
(12 + )
R13//RL 3 = 6 + (9 //R10 ) //( + )
A12 = 16.86 =
R14
(// 6+ )
R13//10k = 1.68k 12 // +
2 = 15 //(14 + ( ))
R13 = 2.01k
Sabiendo:
R13 = 2.2K(valor comercial)
= 2 = 2(100) = 628.319 /
Ahora para el diseo de los capacitores, primeramente
trabajamos a baja frecuencia:
1 1 1 1.15
= = = = 240.856
Igualmente que en el diseo de las resistencias, separamos 3 4 5 3
el circuito en dos partes y definimos:
Asumiendo para todos los transistores:
= 1 = 100 Ganancia a frecuencias medias:
5 = 0.087
Magnitud
De donde obtenemos:
Fig. 6 Diagrama de magnitud de V13 /V12
Fig. 4 Diagrama de magnitud de la relacin de la seal de salida y
entrada.
V13 /V12
V14 /V3
V4 /V12
Fig. 15 Diagrama de fase de V8 /V4 Fig. 18 Diagrama de magnitud de V16 /V8
V9 /V8
V16 /V8
REFERENCIAS