Anda di halaman 1dari 7

LABORATORIO ELECTRNICA

Profesor: Hctor Lira


DIODOS RECTIFICADORES DE POTENCIA
1.1. CARACTERSTICAS RELEVANTES

El diodo es un dispositivo semiconductor formado por 2 capas tipo N-P. Desde el punto de vista de su
conduccin de corriente es un elemento unidireccional.

El smbolo del diodo rectificador se presenta en la figura 2.1A y su circuito equivalente en la figura 2.1B.

Las caractersticas estticas de un diodo real se presentan en la figura 2.2. Estas caractersticas las
entrega el fabricante, el que las obtiene experimentalmente para cada diodo y representan un promedio
para los diodos de una misma denominacin.

En polarizacin directa la tensin nodo - ctodo es positiva y el diodo est en condiciones de conducir.

En conduccin se puede representar por un voltaje umbral de conduccin V (fuerza electromotriz de la


juntura) y por una resistencia directa rf que representa la cada de tensin interna que se produce al
circular una determinada corriente.

VAK - V
-3
rf = ------------------ * 10 ( m )
Id

2.2. PARMETROS Y " RATINGS" DE DIODOS.

Rating, o especificacin de valor mximo, es una condicin limitante del elemento, especificada por el
fabricante de dicho elemento. Si se hace funcionar sobre el "rating", excediendo el valor especificado,
lo ms probable es que el elemento va a sufrir un dao irreversible.

"Ratings" absolutos mximos son valores limitantes de operacin y condiciones ambientales aplicadas
a cualquier elemento o dispositivo de un determinado tipo, definido por el fabricante de acuerdo a las
caractersticas propias del dispositivo y a pruebas.

Por ejemplo, el diodo 1N 4007 tiene un voltaje mximo inverso de 1.000 V., lo cual significa que si se
excede este valor lo ms probable es que el diodo se dae.

Por ello, estos "ratings" no se deben exceder bajo las condiciones ms probables de operacin del
elemento.

Consecuente con lo anterior y para asegurar una vida prolongada de un dispositivo electrnico, se
deben considerar todas las limitaciones de una operacin real, como ser:

* Variaciones de la fuente de voltaje,


* Temperatura ambiente mxima,
* Corriente mxima esperada,
* etc.

Por ejemplo, nuestra red de distribucin es de 220 VCA nominales, que implica un valor peak nominal
de 311,12 (V). No obstante, es usual que este valor pueda ser un 10% mayor en algunos casos, con lo
cual el valor peak mximo puede llegar a 342,24 (v). El diodo debera ser al menos un 15% ms alto
que este ltimo valor, lo cual implica un voltaje inverso superior 393,57 (V).

El diodo deber ser por lo menos para 400 (v) inversos.

Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 1 de 7


LABORATORIO ELECTRNICA
Profesor: Hctor Lira

Para los "ratings" absolutos mximos el fabricante publica el valor mnimo seguro para la serie de
dispositivos de modo que todo los dispositivos del mismo N de Parte sean capaces de soportar al
menos el valor de "rating". A modo de ejemplo, en la figura 2.3 se muestra la curva tpica de distribucin
del voltaje mximo inverso, medido en una serie de diodos del mismo tipo.

Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 2 de 7


LABORATORIO ELECTRNICA
Profesor: Hctor Lira

Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 3 de 7


LABORATORIO ELECTRNICA
Profesor: Hctor Lira

2.3. TIPOS DE DIODOS RECTIFICADORES DE POTENCIA.

Son cuatro tipos principales de diodos rectificadores de potencia, a saber:

* Diodos de propsitos generales


* Diodos de recuperacin rpida (Fast recovery)
* Diodos de recuperacin rpida suavizada (Fast Soft recovery), y
* Diodos de Avalancha.

2.3.1. DIODO DE PROPSITOS GENERALES:

Es un diodo de uso comn, de bajo costo, fcil de encontrar en el comercio local.

Presenta dos desventajas principales:


* Baja velocidad de respuesta y por ello su uso es apropiado solamente para trabajos en las
frecuencias de la Red
* No aceptan grandes voltajes transientes inversos.

Irregularidades en la juntura pueden causar tensiones de ruptura locales, en puntos de rea reducida,
con aumento de corriente significativo en una pequea rea, producindose "puntos calientes" que
usualmente provocan dao al dispositivo.

2.3.2. DIODO DE AVALANCHA:

A diferencia de los anteriores, pueden soportar voltajes transientes inversos que involucren mucho ms
energa. Son fabricados con una juntura uniforme de modo que el voltaje de ruptura inverso ocurre al
mismo tiempo sobre toda el rea transversal que corresponde a la juntura. As las altas corrientes
inversas son conducidas a travs de toda la juntura.

2.3.3. DIODO DE RECUPERACIN RPIDA:

Se distinguen por su caracterstica de rpida recuperacin inversa. Cuando un diodo est conduciendo
en sentido directo presenta una baja impedancia y no puede bloquearse (pasar a alta impedancia)
instantneamente an cuando se le aplique un voltaje inverso.

Al estar conduciendo el diodo presenta una baja impedancia (bajo Voltaje y alta Corriente) y existe un
transporte importante de cargas a travs de l. Al intentar para la conduccin, por la aplicacin de un
voltaje inverso, el diodo debe pasar a un estado de alta impedancia y se debe extraer toda la carga de
l.

As entonces, mientras exista transporte de cargas, el diodo conduce en sentido inverso

En la figura 2.4 se presenta un grfico con la situacin descrita, en el cual se relaciona la corriente en
funcin del tiempo o "caractersticas de recuperacin Inversa".

En el diodo de recuperacin rpida la corriente inversa decae prontamente hacia cero.

Un cambio demasiado rpido puede producir por irradiaciones de alta frecuencia. Tambin se pueden
producir altos voltajes en inductancias que estn en serie con el diodo, debido al alto di/dt. Estos altos
voltajes pueden daar la aislacin de otros elementos del circuito en donde est inserto el diodo.

Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 4 de 7


LABORATORIO ELECTRNICA
Profesor: Hctor Lira

2.3.4. DIODO DE RECUPERACIN RPIDA SUAVIZADA:

Se evitan en gran medida los problemas anteriores con una recuperacin es algo ms lenta y con di/dt
mucho ms bajo.

2.4 HOJA DE DATOS DE DIODOS.

El fabricante proporciona una hoja de datos que contiene informacin del diodo con los "ratings" de
voltaje, corriente, temperatura y caractersticas trmicas, elctricas y mecnicas.

A continuacin se definen los conceptos asociados a una hoja de datos.

2.4.1. RATING DE VOLTAJE (ver figura 2.5)

Vrwm : Voltaje inverso peak mximo de trabajo (Reverse Working Maximum).


Vrrm : Voltaje Inverso peak repetitivo mximo (Reverse Repetitive Maximum).
Vrsm : Voltaje inverso peak NO repetitivo mximo o voltaje transitorio no repetitivo. Este valor
se especifica junto con el tiempo mximo que puede durar el transitorio ( generalmente
menos de 10 mseg.)

Los valores anteriores no deben sobrepasarse para no provocar dao al diodo.

2.4.2. RATING DE CORRIENTE (ver figura 2.6)

IF (AV) : Corriente media mxima tomada sobre un ciclo de rectificacin ideal (sinusoidal, 180
de conduccin del diodo).
F = Forward, AV = Average.
Se especifica a una cierta temperatura de cpsula en caso de diodos que usan disi-
pador o bien a una cierta temperatura ambiente para diodos pequeos que no usan
disipador.

IF (RMS) : Corriente efectiva mxima de conduccin, considerando rectificacin de 1/2 onda con
seal sinusoidal.

IFRM : Corriente peak repetitiva mxima. Es muy importante cuando el Factor de Forma es
muy alto.

F = Forward, R = Repetitive , M = Maximum

IFSM : Corriente peak NO repetitiva mxima (espordica o transitoria).


F = Forward, S = Surge , M = Maximum
Se especifica para una cierta duracin, generalmente 10 mseg. (1/2 ciclo de la red de
50 Hz).

Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 5 de 7


LABORATORIO ELECTRNICA
Profesor: Hctor Lira

2.4.3 CAPACIDAD DE ROMPIMIENTO POR FUSIN.


2
It : Capacidad de rompimiento por fusin.
Esta especificacin se usa para seleccionar los fusibles adecuados para proteger al
diodo, ante corrientes excesivas producidas en condiciones de falla, como ser un corto
circuito.
2
Generalmente se especifica el valor I t para 10 mseg. (1/2 ciclo de la red). ( I = valor
efectivo )
2
Se puede aplicar la siguiente ecuacin para determinar I t, conociendo IFSM que est,
-3 -2
dado para 10 mseg. (10*10 = 10 seg.)

2 2
I FSM I FSM
2 2 -2 2
It = I dt = ------------ dt = ----------- * 10 (A seg)
2
( 2 ) 2

2 2
Ejemplo: Diodo DS(1) 35-02 A tiene a 45C : I t = 2100 A seg. e IFSM =650 Amp., que
2 2 2
tambin implica I t = 2100 A seg . (exacto es 2112 A seg. que se aproxima a
2
2100 A seg. ).
2
El usuario debe considerar la capacidad I t mnima del diodo y elegir el fusible (u otra
proteccin) de modo que:
2 2
I t (fusible) < I t (diodo)

Con lo anterior se proteger efectivamente el diodo.

2.4.4. RATINGS DE TEMPERATURA.

Tstg : Mxima temperatura de almacenamiento (storage), tanto superior como inferior.


Ej.: Tstg = - 40 C a +125 C.

Tjm : Mxima temperatura de juntura. Este es un valor muy importante ya que limita la mxi-
ma temperatura absoluta que puede soportar el diodo y con ello la mxima corriente y
potencia que puede manejarse.

2.4.5. CARACTERSTICAS TRMICAS

El fabricante especifica las caractersticas trmicas en base a Resistencia e Impedancia trmica.

jc : Resistencia trmica Juntura-Cpsula ( C/watt).

ja : Resistencia trmica Juntura-Ambiente ( C/watt).

cd : Resistencia trmica Cpsula - Disipador ( C/watt)

da : Resistencia trmica Disipador-Ambiente ( C/watt)

El detalle de estas especificaciones se ver en el capitulo relativo a " enfriamiento de semiconductores


de potencia ".
Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 6 de 7
LABORATORIO ELECTRNICA
Profesor: Hctor Lira

2.4.6. CARACTERSTICAS ELCTRICAS.

VF : Cada de voltaje directo en conduccin.


Se indica para una corriente directa bien definida.

Tambin el fabricante puede entregar curvas de corriente directa ( IF ) en funcin del


voltaje directo ( VF ), las que normalmente se especifican a una temperatura normali-
zada a 25C.
En la figura 2.2 se presenta la curva tpica.

IR o IRRM : Corriente de fuga inversa. Se especifica normalmente al voltaje inverso mximo ( Vrrm )
y a la temperatura de juntura mxima (Tjm).
IRRM = I Reverse Repetitive Maximum.

2.4.7. TORQUE PARA MONTAJE.

Md : Torque a aplicar en tuerca en el montaje, usualmente en Newton- metro.

2.4.8. DATOS ADICIONALES PARA DIODOS RPIDOS

trr : Tiempo de recuperacin inversa (Reverse Recovery). Se mide en mseg.


Este es el parmetro principal que se usa para determinar la velocidad del diodo
rectificador y con ello la mxima frecuencia a que puede trabajar eficientemente como
rectificador.

Usualmente se define desde que la corriente cae a cero (de conduccin directa a
inversa). Ver figura 2.7.

2.4.9. DATOS ADICIONALES PARA DIODOS DE AVALANCHA

PRSM : Potencia de disipacin espordica (transitoria) en zona inversa con un de pulso de


cierta duracin especificada. Usualmente de 10 mseg.
RSM = Reverse Surge Maximum.

Apuntes DIODOS_ed2007_ Pgina 7 de 7