INSTITUTO BRASILEIRO DE AVALIAES E PERCIAS DE ENGENHARIA

XII COBREAP - Congresso Brasileiro de Engenharia de Avaliaes e Percias.

USO DE TCNICAS DE CARACTERIZAO MICROESTRUTURAL NA

AVALIAO DE PATOLOGIAS NA CONSTRUO CIVIL

Mansur, Alexandra A. Piscitelli A, Mansur, Herman S. B, Nascimento, Otvio L.C

A
MSc. Engenharia, CREA/MG: 68462/D.
Rua Esprito Santo, 35/316 Centro, Belo Horizonte/MG, 30.160-030
Fone: (31) 3238 1843, Fax: (31) 3238 1815, e-mail: aapiscitelli@uol.com.br
B
Doutor em Cincias, CREA/MG: 44974/D.
Rua Esprito Santo, 35/316 Centro, Belo Horizonte/MG, 30.160-030
Fone: (31) 3238 1843, Fax: (31) 3238 1815, e-mail: hmansur@demet.ufmg.br
C
Engenheiro Civil, CREA/MG: 55585/D, IBAPE/MG: 500.
Rua Bambu, 242 Mangabeiras, Belo Horizonte/MG, 30.210-490
Fone: (31) 3284 9399, Fax: (31) 3287 0286, e-mail: otavio@consultare.eng.br

Resumo. As patologias em edificaes tm demandado uma srie de estudos para a extino dos problemas.
Muitas vezes, no entanto, a avaliao completa do problema para a obteno de uma soluo definitiva tem
passado por um estudo microestrutural do material. Neste sentido, este trabalho tem por objetivo apresentar
algumas das tcnicas de caracterizao mais utilizadas e com maior disponibilidade. So indicados os
princpios de funcionamento, as informaes possveis de serem obtidas e alguns cuidados na execuo e
interpretao dos resultados para as seguintes tcnicas: microscopia eletrnica de varredura e espectroscopia
de energia dispersiva, difrao de raios X, anlises trmicas, espectroscopia de infravermelho e porosimetria de
mercrio. Em seguida, mostrado de um estudo de patologia em sistema de revestimento em que foi utilizada
microscopia eletrnica com espectroscopia de energia dispersiva para identificao do problema.

Palavras-chave: Caracterizao microestrutural, Patologias, Microscopia, Espectroscopia,

Anlises trmicas.

1. INTRODUO

A ocorrncia de patologias nas edificaes tem gerado uma srie de trabalhos de consultoria e
percias judiciais e extrajudiciais. A inteno destes trabalhos de identificar a origem do
problema e fornecer as solues para a recuperao de forma a garantir a sua extino.
No que diz respeito s patologias envolvendo os materiais de construo, de modo geral, os
problemas tm sido abordados apenas de forma superficial, a partir das propriedades
macroscpicas dos materiais envolvidos. Muitas vezes, entretanto, para o entendimento

1
completo de uma situao e uma avaliao definitiva do problema tem sido necessrio um
novo enfoque: a caracterizao microestrutural.
Esta abordagem microestrutural capaz de fornecer informaes sobre composio qumica,
identificao de fases cristalinas e amorfas, porosidade, tamanho mdio de poros, rea
superficial, morfologia das fases, identificao de ligaes qumicas e grupamentos orgnicos,
dentre muitas outras caractersticas dos materiais. Desta forma, ela representa a possibilidade
de correlacionar o trip estrutura-propriedades-processamento permitindo a avaliao do
comportamento do material em servio no sistema em que ele est sendo utilizado.
Portanto, o uso de tcnicas de caracterizao microestruturais tem sido cada vez mais
difundido e necessrio no meio tcnico para a soluo dos problemas de engenharia civil.

2. OBJETIVO

O objetivo deste trabalho relacionar algumas das tcnicas de caracterizao microestrutural

mais utilizadas e com maior disponibilidade nos centros de pesquisa. Sero identificados os
princpios de funcionamento, uma viso sobre o preparo das amostras e as informaes
possveis de serem obtidas com a tcnica. Finalmente, para exemplificar o uso desta
abordagem em problemas de engenharia civil e a riqueza de informaes passvel de ser
obtida ser mostrado um estudo de caso em uma patologia de sistema de revestimento.

3. TCNICAS DE CARACTERIZAO MICROESTRUTURAL

3.1. Microscopia Eletrnica de Varredura e Espectroscopia de Energia Dispersiva

A tcnica de microscopia eletrnica de varredura (MEV) permite a obteno de uma imagem

ampliada e tri-dimensional da amostra a partir da interao de um feixe de eltrons com o
material, desde que este seja no transparente aos eltrons.
O feixe de eltrons (eltrons primrios) gerado por efeito termo-inico acelerado atravs de
uma diferena de potencial e colimado atravs de uma coluna tico-eletrnica sendo
conduzido cmara que contm a amostra. Este feixe de eltrons ao focalizar um ponto da
amostra gera sinais que so captados e amplificados fornecendo um sinal eltrico que gera a
imagem. Conforme o feixe varre a rea em anlise, uma imagem virtual vai sendo formada
ponto a ponto. Para a garantia do livre caminho mdio dos eltrons, necessrio um sistema
de alto vcuo (933 - 1333 Pa) nas partes que compem o equipamento.
A interao do feixe de eltrons com a amostra gera uma variedade de sinais conforme pode
ser observado na Figura 1. Na microscopia eletrnica de varredura para a obteno de
imagens so captados eltrons secundrios, eltrons retroespalhados e raios X caractersticos.
Os eltrons secundrios (SE Secondary electrons) so resultantes da interao inelstica do
feixe primrio com a amostra. Nestas colises inelsticas os eltrons do feixe perdem energia
que transferida para os eltrons da amostra que em se tratando de eltrons das ltimas
camadas (fracamente ligados ao ncleo) podem ser removidos do tomo e passarem a se
movimentar atravs do material. Quando estes eltrons so removidos prximos a superfcie,
podem ser ejetados da amostra, sendo demais absorvidos pelos tomos adjacentes.
Normalmente, estes so eltrons de baixa energia (por conveno, inferior a 50 eV) e por
causa disso a sua origem est prxima superfcie (de modo geral, menor que 10 nm de
profundidade). A conseqncia eltrons de baixa energia (por conveno, inferior a 50 eV) e
por causa disso a sua origem est prxima superfcie (de modo geral, menor que 10 nm de

2
profundidade). A conseqncia direta disto que, em se tratando dos SE, o contraste nas
imagens resulta da topografia da amostra, sendo os picos brilhantes e os vales escuros.

Feixe primrio
Eltrons secundrios
Eltrons Auger
Eltrons retroespalhados

Luminescncia Catdica
Raios X caractersticos

Raios X contnuos
AMOSTRA

Raios X fluorescentes

Figura 1 - Sinais resultantes da interao do feixe de eltrons primrios com a amostra. Esto
indicados de forma diferenciada os sinais captados na microscopia eletrnica de varredura:
eltrons secundrios, eltrons retroespalhados e raios X caractersticos (adaptado de
(MANSUR, 2001)).

Os eltrons retroespalhados (BSE Backscattered electrons) so eltrons do feixe primrio

que, aps choques aproximadamente elsticos (interaes com mudana de direo sem perda
acentuada de energia) com o ncleo dos tomos da amostra, escaparam do material. Estes
eltrons de alta energia (por conveno 50 eV at a voltagem de acelerao do feixe primrio)
resultam em um elevado volume especfico de interao e em uma imagem com menor
resoluo que a originada pelo SE. O contraste nas imagens obtidas por BSE decorre das
diferenas de nmero atmico dos elementos que compem a amostra: nmeros atmicos
mais elevados retroespalham mais eltrons resultando em pontos mais brilhantes na amostra.
Desta forma, a imagem virtual resultando d idia da heterogeneidade da composio da
amostra.
Na Figura 2 so mostradas micrografias de um mesmo material analisado no microscpio
eletrnico de varredura com eltrons secundrios e com eltrons retroespalhados.
Raios X caractersticos permitem a obteno de um mapa de imagem da distribuio de um
elemento em uma amostra no-homognea. Quando um eltron, geralmente do feixe primrio,
interage inelasticamente com a amostra removendo um eltron de uma camada interna (K, L,
M, N) deixa o tomo em um estado excitado de energia permitindo que um eltron de uma
camada mais energtica decaia para preencher o vazio. Este decaimento ocorre com emisso
de energia na forma de um fton de raio X. Como as diferenas de energia so bem definidas
e especficas dos elementos este fton denominado raio X caracterstico e permite identificar
o elemento que est emitindo a radiao. Nesta aplicao, um determinado elemento
inicialmente selecionado para ser detectado e ter sua posio identificada. Quando o elemento
detectado, enquanto o feixe primrio varre a rea em anlise, um ponto brilhante mostrado
na tela do CRT e a sua localizao est relacionada com o local de deteco na amostra. Aps

3
 (a) (b)
Figura 2 Fotomicrografias de ouro em carbono observadas no MEV utilizando (a) SE e (b)
BSE (MANSUR, 2001).

vrias passagens do feixe de eltrons sobre a rea, gerado um mapa de regies brilhantes
que representa a distribuio relativa do elemento previamente selecionado. Um exemplo de
mapa de imagem do Si em uma amostra cermica est mostrado na Figura 3.
Os microscpios eletrnicos de varredura apresentam, atualmente, resolues de at 0,5 nm
(SE, 30kV e aumento 600.000X), possibilidade de aumento de at 2.000.000X e so
extensivamente utilizados nas pesquisas das reas biomdicas e de materiais, nas indstrias de
semi-condutores, em laboratrios de cincia forense e em muitas outras aplicaes.
Os microscpios eletrnicos de varredura podem possuir equipamento de micro-anlise
acoplado permitindo a obteno de informaes qumicas em reas da ordem de micrometros.
As informaes, qualitativas e quantitativas, sobre os elementos presentes so obtidas pela
captao dos raios X caractersticos resultantes da interao do feixe primrio com a amostra.
Este tipo de anlise, denominado espectroscopia de energia dispersiva (EDS), usa um material
semicondutor, para detectar os raios X, e um analisador multicanal e converte a energia de um
raio X em uma contagem eletrnica. A partir do valor acumulado destas contagens criado
um espectro que representa a anlise qumica da amostra. Para a anlise quantitativa dos
elementos, deve-se utilizar padres com concentraes conhecidas dos elementos a serem
analisados. A principal desvantagem do EDS a no possibilidade de distino entre espcies
inicas, no-inicas e isotrpicas, bem como de deteco de elementos de baixo nmero
atmico (Z < 6). A Figura 4 mostra um espectro de EDS obtido para uma amostra cermica.
Na execuo de avaliaes utilizando MEV/EDS importante que alguns aspectos sejam
observados e considerados, a saber:
o As amostras a serem analisadas devem estar limpas e secas. Em funo da necessidade de
alto-vcuo nos equipamentos de MEV amostras que contenham gua devem ser
primeiramente desidratadas. Em situaes em que a estrutura seja deformada ou destruda
pela remoo da gua, as amostras devem ser estruturadas por vias qumicas (agentes
quelantes, por exemplo);
o Quando amostras no condutoras so submetidas a ao do feixe de eltrons ocorre o
carregamento eletrosttico da superfcie do material. Esta situao atrapalha a emisso dos
eltrons secundrios e pode desviar o feixe primrio da rea em estudo. Como
conseqncia disto podem ocorrer contrastes irregulares, deformao e deslocamento da

4
Figura 3 Mapa de imagem do elemento Si em uma amostra de cermica de revestimento.

Figura 4 Espectro de EDS para uma amostra de cermica de revestimento.

imagem e micro-anlises de regies diferentes das consideradas. A alternativa para a

observao de amostras isolantes o recobrimento destas com um filme fino (10 50
nm) de material condutor. De modo geral, utilizam-se duas categorias de materiais:
carbono ou metais preciosos (Au, Au/Pd, Pt). Quando da execuo do recobrimento deve-
se garantir que este siga o contorno do material para no resultar em imagens no
verdadeiras da topografia da amostra. Uma opo para no recobrimento da amostra a
diminuio da energia do feixe de eltrons;

5
o Para as anlises de EDS, a situao ideal a no utilizao de recobrimentos para uma
avaliao verdadeira e precisa dos elementos presentes. Como opes para esta situao
recomenda-se a diminuio da energia do feixe primrio e, se necessrio recobrimento,
usar preferencialmente o carbono (apenas um pico no espectro);
o O feixe de eltrons pode danificar a amostra. A situao mais comum corresponde
gerao de calor na rea de incidncia do feixe de eltrons. Para evitar este tipo de dano
deve-se usar voltagens de acelerao mais baixas, diminuir a intensidade do feixe,
diminuir o tempo de exposio da amostra, controlar a espessura do recobrimento e
fotografar reas maiores com menor aumento. Uma outra situao de prejuzo para a
amostra a ocorrncia de fenmenos de desgaseificao e retrao decorrente do alto-
vcuo.

3.2. Difrao de Raios X

A difrao corresponde mudana de direo de uma onda por centros de espalhamento cujos
espaamentos so aproximadamente do mesmo tamanho do comprimento de onda da onda.
Considerando que os cristais apresentam um reticulado ordenado com os espaamentos
conhecidos dhkl entre os planos de tomos (hkl) possvel a ocorrncia de difrao nestes
planos cristalinos desde que o comprimento de onda da radiao seja da ordem de 0,1 nm. A
faixa de radiao eletromagntica (Figura 5) que compreende estes comprimentos de onda
corresponde aos raios X (1pm a 10nm). Desta forma, possvel a caracterizao da estrutura
cristalina de um material atravs da difrao de raios X (XRD X-Ray Diffraction).
Em um experimento de difrao, necessrio, inicialmente, um gerador de raios X. Estes so
obtidos em um tubo no qual existe uma fonte de eltrons, uma alta tenso de acelerao e um
alvo metlico. Os eltrons emitidos termo-ionicamente em um filamento e acelerados pela
diferena de potencial ao interagirem com o alvo metlico resultam na emisso de raios X,
principalmente pelo decaimento de eltrons, de uma camada mais externa para uma mais
interna, devido remoo de um eltron de uma camada interna (Figura 6).
1 micrometro

Figura 5 Espectro das radiaes eletromagnticas mostrando, inclusive, a faixa de

comprimento de onda dos raios X (www.fuse.pha.jhu.edu, 2002).

6
 Raios X Filamento (W)

Refrigerao Fonte de 15 mA
corrente

Janelas de
Berlio
Fonte de
Alvo metlico (Co, tenso
Mo, Cr, Cu, W)

Figura 6 Esquema de um gerador de raios X (MENEGAZZO, 2001).

Estes raios X so colimados e direcionados para o material em anlise. Ao interagir com o

material, ser observada difrao quando ocorrer interferncia construtiva entre os raios
difratados. Esta condio ser satisfeita quando a diferena do comprimento dos caminhos
entre raios X adjacentes for igual a um nmero inteiro (n) de comprimentos de onda (). A
relao que demonstra esta condio a equao de Bragg (1),

n . = 2 . d . sen (1)

onde d o espao interplanar e o ngulo de espalhamento, conforme definido na Figura 7.

interessante observar, no entanto, que verificar a equao de Bragg necessria, mas no
suficiente para garantir a difrao em materiais cristalinos cuja clula unitria possua tomos
situados em outras posies alm dos vrtices da clula unitria, isto , ao longo das arestas,
nas faces ou no seu interior. Isto ocorre porque nestes materiais podem ocorrer espalhamento
por estes tomos o que pode produzir interferncia.
Os raios difratados so, ento, captados pelo detector. Dependendo do tipo de detector
utilizado (filmes fotogrficos ou contadores) sero obtidos os padres de difrao do material
na forma de pontos brilhantes no filme ou de picos no espectro.
O XRD uma poderosa tcnica usada, primeiramente, para identificar as fases cristalinas
presentes nos materiais pois cada slido cristalino tem o seu padro nico de difrao de raios
X que pode ser usado como uma impresso digital para a sua identificao. Permite tambm
a medida de propriedades estruturais destas fases, tais como: estado de deformao, tamanho
de gro, composio da fase, orientao preferencial e estrutura de defeitos e usada para
determinao da espessura de filmes finos e multi-camadas e arranjos atmicos em materiais
amorfos e em interfaces.
Alguns aspectos devem ser observados na execuo e interpretao de espectros de XRD, a
saber:
o A amostra a ser examinada deve ser representativa do material que est sendo investigado
e deve-se lembrar que o mtodo de preparo do p para anlise no deve ocasionar a
distoro do reticulado. O tipo mais comum de amostra aquela que pelo seu carter

7
 Fonte de Detector
raios X de raios X

Amostra

Raios incidentes Raios difratados

Figura 7 Esquema de difrao de raios X. No detalhe a interao do feixe com a amostra de

forma construtiva (Lei de Bragg) (SHACKELFORD, 2000).

frgil pode ser facilmente pulverizada por processo de moagem/triturao. Materiais que
ocorrem na forma de particulado fino e que sejam suaves ao tato no necessitam qualquer
tipo de tratamento enquanto que o particulado grosseiro deve ser triturado. De modo
geral, utilizam-se materiais passantes nas peneiras 200 mesh ou em malhas inferiores. A
reduo do tamanho do material importante pois aumenta a reprodutibilidade das
intensidades difratadas e diminui o efeito da orientao preferencial (tambm conhecida
como textura, encontrada em grande parte dos materiais e corresponde a ausncia de
uma orientao aleatria para os cristais presentes na amostra);
o Os espectros com o resultado de um experimento so fornecidos relacionando os valores
do ngulo de difrao (2) com a sua intensidade (contagens). A partir dos valores do
comprimento de onda do raio X utilizado, (normalmente utiliza-se o cobre cujo
comprimento de onda de K 1,5418, e resolvendo a equao de Bragg com n = 1
podem ser obtidos os valores de d correspondentes. Na maioria dos equipamentos atuais,
entretanto, este trabalho desnecessrio, pois estes valores j so calculados e fornecidos
juntamente com as intensidades relativas dos picos que so indicadas em relao ao pico
mais intenso (considerado 100);
o As fases cristalinas presentes em um espectro de XRD so identificadas pela comparao
dos espectros obtidos nos ensaios com fichas de padres, que inclusive j esto

8
 disponveis em programas de computadores. Uma ficha de identificao de fase cristalina
mostrada na Figura 8 para a clinoenstatita. Na ficha possvel obter diversas
informaes: tipo de clula unitria e parmetros do reticulado, as distncias interplanares
com as intensidades relativas e os ndices de Miller dos planos correspondentes, a
radiao utilizada para a obteno do espectro, bem como de onde foi obtida a referncia
dentre outras informaes. De modo geral, para um material inicialmente desconhecido,
as tentativas de identificao devem ser feitas na busca de um padro que verifique para
os trs picos mais intensos o valor de d e as intensidades relativas dos picos
correspondentes;
o Em um espectro de difrao de um material policristalino ser verificada a superposio
dos padres de cada uma das fases cristalinas presentes de modo que podero ocorrer
superposies de picos. Neste sentido, existem tratamentos auxiliares especficos para os
diversos sistemas que podem ser realizadas de modo a permitir a eliminao de uma das
fases ou provocar alteraes nas distncias interplanares dos materiais favorecendo a
interpretao dos resultados;
o O espectro de XRD permite uma anlise quantitativa do material pois a intensidade do
pico do componente proporcional sua quantidade na amostra (devendo ser corrigida,
apenas, devido absoro). Considera-se como uma grande vantagem a possibilidade de
identificao da quantidade das espcies qumicas presentes e no apenas dos elementos
qumicos, o que no possvel atravs da anlise qumica via mida. Alm disso, o
espalhamento de fundo do espectro (background) fornece informao sobre a quantidade
de fase no cristalina presente.

Figura 8 Ficha para identificao de clinoenstatita (JCPDS, 2001).

9
3.3. Anlises Trmicas

As anlises trmicas consistem em uma srie de tcnicas nas quais uma propriedade de um
material ou sistema avaliada em funo da temperatura durante um programa de tratamento
trmico. Diversas so as propriedades possveis de serem avaliadas (fsicas, termodinmicas,
mecnicas, ticas, magnticas, eltricas, acsticas), mas as anlises principais so as
associadas avaliao de variao de massa, temperatura, entalpia e dimenses. As tcnicas
associadas com cada uma destas propriedades esto mostradas na Tabela 1.

Tabela 1 Principais anlises trmicas.

Propriedade Tcnica
Anlise Termogravimtrica TG
Massa
(Thermogravimetric Analysis)
Anlise Trmica Diferencial DTA
Temperatura
(Differential Thermal Analysis)
Anlise Calorimtrica Diferencial DSC
Entalpia
(Differential Scanning Calorimetry)
Anlise Dilatomtrica TD
Dimenses
(Thermodilatometry)

3.3.1. Anlise Termogravimtrica

A anlise termogravimtrica consiste na medida da massa da amostra em funo da

temperatura.
As anlises termogravimtricas so aplicadas e fornecem valiosas informaes nas avaliaes
de gua adsorvida e de gua de cristalizao e nos estudos de estabilidade trmica de
substncias e de reaes de decomposio e oxidao. Os principais tipos de curvas
termogravimtricas podem ser visualizados na Figura 9.
A aplicao da TG limitada na medida em que nem todos os eventos trmicos possveis de
ocorrer em no material em anlise ocorrem acompanhados de variaes de massa como por
exemplo transies de fase no estado slido, fuso e polimerizao.
Um aumento da resoluo das curvas de TG mais complexas pode ser obtida colocando os
resultados na forma diferencial (dmassa/dtempo dm/dt). Esta anlise conhecida como
anlise termogravimtrica diferencial DTG (Derivative Thermogravimetric). As anlises
DTG so capazes de mostrar pequenas variaes nas curvas de TG alm de que as
temperaturas do incio e do fim dos picos obtidos pela DTG correspondem ao comeo e ao
fim das transformaes. A Figura 10 compara curvas de TG e DTG.

10
Massa

Massa
Temperatura Temperatura

(a) (b)
Massa

Massa

Temperatura Temperatura

(c) (d)
Massa

Massa

Temperatura Temperatura

(e) (f)

Figura 9 Principais tipos de curvas de TG. (a) Ausncia de decomposio com liberao de
produtos volteis. (b) Curva caracterstica de processos de desoro e secagem. (c)
Decomposio em um nico estgio. (d) e (e) Decomposio em vrios estgios. (f) Reao
com aumento de massa, e.g. oxidao (adaptado de (MANSUR, 2001)).

11
 Massa

Ti Tf
Temperatura

(a)
dm/dt

Ti Tf
Temperatura

(b)

Figura 10 Comparao de curvas de TG (a) e DTG (b) (adaptado de (MANSUR, 2001)).

3.3.2. Anlise Trmica Diferencial

No DTA a diferena de temperatura, T, entre a amostra e um material de referncia,

representada enquanto ambos so submetidos a um mesmo tratamento trmico, conforme
representado esquematicamente na Figura 11.
Durante o DTA, quando a amostra e a referncia so submetidas ao programa de
aquecimento, as temperaturas de ambos se elevam. O material de referncia, pela sua
exigncia de ser inerte nas condies do tratamento trmico, sofrer um aumento da
temperatura ao longo do tempo. A amostra, no entanto, pode passar, por exemplo, por uma
transformao endotrmica, que ao consumir a energia que esta sendo fornecida para a

12
transformao permanecer com a temperatura constante e inferior da referncia gerando
um T = Ts Tr que na curva de DTA corresponder a um pico negativo ou vale (T < 0).
Caso a transformao pela qual a amostra esteja passando ocorra com liberao de energia, a
sua temperatura ser superior da referncia e, conseqentemente, T ser positivo
(MANSUR, 2001).

q Ts Tr q

Figura 11 Representao esquemtica do DTA. Ts indica a temperatura da amostra, Tr a

temperatura do material de referncia e q representa a energia fornecida ao sistema.

A representao da curva tpica de DTA est na Figura 12, mostrando T X Temperatura.

interessante observar que, como no equipamento utilizado um termopar para avaliao da
diferena de temperatura, as curvas resultantes para a anlise tambm podem ser apresentadas
na forma de Tenso (V) X Temperatura.
As anlises de DTA so utilizadas para determinao das propriedades trmicas da amostra
tais como temperaturas de transio, ponto de fuso, temperaturas de reao. Os eventos
endotrmicos usualmente verificados so perda de gua capilar e de constituio,
decomposio de carbonatos e sulfatos e mudanas de estado endotrmicas. Os picos
exotrmicos so resultado de mudanas de estado exotrmicas, recristalizao,
neomineralizaes e oxidao.

Linha de referncia
T

Endotrmico

Temperatura

Figura 12 Curva tpica de DTA (adaptado de (MANSUR, 2001)).

13
3.3.3. Anlise Calorimtrica Diferencial

No DSC, a amostra e o material de referncia so mantidos mesma temperatura (T = Ts

Tr = 0) durante o programa trmico sendo a diferena de energia (dq) necessria para manter
as amostras na mesma temperatura controlada. Um esquema fornecido na Figura 13.

qs Ts Tr qr

T = 0

Figura 13 Representao esquemtica do DSC. As representaes qs e qr indicam as

energias fornecidas para a amostra e a referncia, respectivamente, para mant-las na mesma
temperatura.

Os eventos trmicos que ocorrem na amostra aparecem, ento, como desvios da linha de
referncia na forma de picos negativos ou positivos dependendo se energia est sendo
fornecida (evento endotrmico) ou retirada (evento exotrmico) da amostra, respectivamente.
A Figura 14 mostra uma curva tpica de DSC.

Endotrmico

Linha de referncia

Temperatura

Figura 14 Curva tpica de DSC (adaptado de (MANSUR, 2001)).

As curvas de DSC so muito utilizadas para determinao do calor especfico e variaes de

entalpia que acompanham as transformaes de fase de uma substncia.

14
3.3.4. Anlise Dilatomtrica

a tcnica na qual a dimenso de uma substncia sob carga desprezvel medida em funo
da temperatura enquanto a substncia submetida a um controle de temperatura programado.
Na anlise dilatomtrica a amostra colocada em um porta-amostra especial dentro de um
forno mvel. Uma pea localizada diretamente em contato com a amostra transmite as
variaes de comprimento para um transdutor de deslocamentos. Conforme o comprimento da
amostra varia durante o programa de temperatura o ncleo do transdutor se move e um sinal
de sada proporcional aos deslocamentos registrado. Como as medidas de variao de
comprimento incluem tanto a amostra como o porta-amostra, as medidas so automaticamente
corrigidas usando um padro de referncia adequado. O programa de temperatura
normalmente controlado usando um termopar posicionado prximo ao elemento de
aquecimento ou prximo amostra.
As curvas de dilatometria so utilizadas para a determinao de coeficientes de dilatao
trmica linear, coeficientes de expanso trmica (CTE), temperaturas de sinterizao, estgios
de sinterizao, transformaes de fase, temperaturas de decomposio, temperaturas de
transio vtrea, pontos de amolecimento e densidades. Um exemplo de aplicao de
dilatometria, mostrando a retrao de corpos-de-prova cermicos durante a sinterizao,
mostrado na Figura 15.
Variao de comprimento (%)

A
B
C

A
C B

Temperatura (C)

Figura 15 Variao de comprimento de corpo-de-prova (retrao) durante processo de

sinterizao (www.ceramicindustry.com, 2002).

A literatura consultada surge com algumas consideraes que so importantes na execuo

dos ensaios e na avaliao dos resultados obtidos nas curvas de anlise trmica, a saber:

o As anlises trmicas TG, DTA e DSC, que no incio da sua utilizao eram realizadas com
amostras da ordem de um grama ou mais, com o desenvolvimento dos equipamentos tm

15
 sido realizadas, atualmente, com amostras de 10 mg ou menos. Isto se mostra importante
na medida em que favorece a obteno de uma distribuio de temperatura uniforme na
amostra e diminui o tempo de resposta do equipamento. Alm disso permite a avaliao
de pequenas amostras, como as existentes nas pesquisas farmacuticas. No entanto, para
alguns materiais, amostras reduzidas no so representativas do material como um todo;
o Exemplo de estudo de utilizao de anlise trmica DTA em placas cermicas para
revestimento, objetivando determinao da quantidade de quartzo, identificou a
necessidade de cuidados para garantir uma amostra representativa do todo, verificando
melhores resultados, quando comparados com dados de difrao de raios X, para amostras
da ordem de 900 mm3 em detrimento das amostras de 90 mm3. Alm disso, em funo da
disperso dos resultados obtidos, ressalta a importncia da homogeneidade das amostras
antes das anlises;
o Cuidado deve ser tomado no preparo das amostras. O porta-amostra deve ser adequado ao
programa trmico previsto, no-reativo com a amostra e estvel na atmosfera de ensaio.
Alm disso, deve apresentar a superfcie inferior o mais plana possvel para garantir bom
contato trmico com a amostra e com o detector;
o Existe a possibilidade de escolha da atmosfera de ensaio nas anlises TG, DTA e DSC. A
adoo de um fluxo constante de gs inerte (N2) na amostra previne um aumento ou queda
da presso parcial permitindo a obteno de melhores dados e facilitando a sua anlise.
Outras atmosferas para as anlises trmicas so possveis em funo de propsitos
especficos (ar, oxignio e vcuo);
o Nos ensaios de TG, DTA e DSC as amostras podem ser slidas ou lquidas. Qualquer que
seja a forma de apresentao da amostra (pulverizada, filme, folha, slido) importante
que seja garantida uma espessura fina e homognea e que a forma de corte e/ou disposio
promova seu completo contato com o fundo do porta-amostra. Em algumas situaes
recomendada a selagem ou prensagem do porta-amostra com uma tampa. Na primeira
condio encontram-se as amostras lquidas volteis ou slidas que possam sublimar para
impedir a evaporao ou sublimao, respectivamente, e na segunda, por exemplo,
amostras fibrosas, por deformarem durante o aquecimento, devem ser prensadas para
garantir uma distribuio mais uniforme da temperatura na amostra. As amostras para TD
podem ser slidas, lquidas, podem estar pulverizadas ou na forma de pasta;
o Nas avaliaes de DTA e DSC existe a necessidade de um material de referncia. A
exigncia para estes materiais que no passem por eventos trmicos durante o programa
de aquecimento, que no reajam com o porta-amostra nem com o termopar e que
apresentem propriedades trmicas similares s da amostra. Para materiais inorgnicos
normalmente utiliza-se alumina (-Al2O3) ou Carbeto de Silcio (SiC) enquanto para
compostos orgnicos tm sido utilizados leo de silicone e octil fitalato. Existe ainda a
possibilidade de utilizar o porta-amostra vazio como referncia. importante que seja
avaliada nas recomendaes do aparelho a quantidade destes materiais que devem ser
utilizadas em relao quantidade da amostra, bem como que seja seguida a orientao do
fabricante sobre a posio da amostra de referncia no equipamento. Alm disso,
recomenda-se que seja feita a selagem ou prensagem do porta-amostra se a amostra em
estudo estiver sob estas condies;
o O programa trmico deve ser definido de tal maneira que garanta melhor resoluo para a
curva da anlise trmica. A altura e forma dos picos variam com a taxa de aquecimento.
Menores taxas (1 a 5 C/min) so necessrias quando os picos ocorrem muito prximos
um dos outros e pode-se usar taxas maiores (10 a 40 C/min) para medidas de calor ou
quando os picos so relativamente pequenos.

16
3.4. Espectroscopia no Infravermelho

A espectroscopia no infravermelho esta associada ao uso de radiao eletromagntica nesta

regio do espectro para estudar a composio e a estrutura da matria. A regio do
infravermelho (Figura 5) engloba radiaes com comprimentos de onda de 0,78 m a 1000
m. Sob o ponto de vista de aplicao e instrumentao o espectro de infravermelho
convenientemente dividido em radiao do infravermelho prximo, mdio ou distante. Os
limites aproximados dessas faixas esto mostrados na Tabela 2.

Tabela 2 - Regies do espectro de infravermelho.

Comprimento de Freqncia
Regio
onda [m] [Hz]
prximo 0,78 a 2,5 3,8x1014 a 1,2x1014
mdio 2,5 a 50 1,2x1014 a 6,0x1012
distante 50 a 1000 6,0x1012 a 3,0x1011
Faixa mais
2,5 a 15 1,2x1014 a 2,0x1013
usual

O resultado da interao da radiao com a matria depende diretamente da energia incidente

que est associada ao comprimento de onda da radiao eletromagntica atravs da equao

E = h . (2)

onde E representa energia da radiao incidente, h a constante de Planck e a freqncia da

radiao. O comprimento de onda () e a freqncia esto relacionados atravs da velocidade
de propagao da luz no meio (C), conforme mostrado na equao 3.

C = . (3)

A energia associada absoro na faixa do infravermelho capaz de promover transies

vibracionais-rotacionais (infravermelho prximo), vibracionais (infravermelho mdio) ou
rotacionais (infravermelho distante) provocando mudanas na amplitude das movimentaes
de espcies moleculares. Considerando que a faixa mais usual de utilizao corresponde
regio do infravermelho mdio o estudo das transies vibracionais o mais importante.
As vibraes podem ser divididas em duas categorias bsicas que so as de estiramento e as
de dobramento. Uma vibrao de estiramento envolve uma mudana contnua na distncia
interatmica ao longo do eixo da ligao entre dois tomos. Vibraes de dobramento so
caracterizadas por uma mudana no ngulo entre duas ligaes e podem ser de quatro tipos:
scissoring, rocking, wagging e twisting. Os vrios tipos de vibraes esto
esquematizados na Figura 16.

17
 Simtrico Assimtrico
Vibraes de Estiramento

Rocking no plano Scissoring no plano

Wagging fora do plano Twisting fora do plano

Vibraes de Dobramento

Figura 16 - Tipos de vibraes moleculares. O smbolo + indica um movimento se

aproximando do leitor e o - indica um movimento se afastando do leitor (MANSUR, 2001).

Assim, quando um material for avaliado utilizando radiao infravermelha ser obtido um
espectro que relaciona o comprimento de onda (normalmente utilizado o nmero de onda
que o inverso do comprimento de onda) versus absorbncia, que indica a ocorrncia ou no
de absoro pelo material da energia associada quele comprimento de onda. Como os grupos
funcionais absorvem em diferentes comprimentos de onda, possvel identificar os grupos
qumicos presentes na amostra. A anlise do espectro feita pela comparao das curvas
obtidas com curvas padro ou de referncia (Figura 17).
Na utilizao da espectroscopia no infravermelho alguns aspectos importantes devem ser
observados:

o Podem ser analisadas amostras em qualquer um dos estados fsicos (slido, lquido e
gasoso) desde que se tenham os acessrios necessrios para cada situao;
o Para que uma molcula seja capaz de absorver no infravermelho necessrio que ela
apresente um momento dipolo resultante, de modo que, de modo geral, apenas espcies
homonucleares, tais como O2, N2 ou Cl2, no podem absorver no infravermelho;
o Diversas so as tcnicas experimentais de espectroscopia na faixa do infravermelho
(Transmisso, Reflexo interna, Refletncia difusa, Refletncia interna, Reflexo

18
 especular, etc). A escolha da melhor tcnica a ser utilizada deve ser feita em funo das
caractersticas do material a ser avaliado e do equipamento disponvel;
o Apesar de ser mais utilizada para anlises qualitativas, a espectroscopia de infravermelho
tambm aplicada para anlises quantitativas. A concentrao de um composto pode ser
determinada a partir da rea sob a curva em regies caractersticas do espectro de
infravermelho. A calibrao da concentrao obtida pela definio de uma curva padro
obtida a partir de amostras de concentraes conhecidas.
Absorbncia

Material em estudo

Nmero de onda (cm-1)

Figura 17 Espectro de anlise de FTIR para um material e comparao com o padro

(www.mee-inc.com/ftir.html, 2003).

3.5. Porosimetria de Mercrio

A tcnica de porosimetria de mercrio permite obter a distribuio de tamanho de poros, o

tamanho mdio de poro, a porosidade e a densidade de materiais porosos e ps.
O fundamento da porosimetria de mercrio se baseia no fato de que o mercrio um lquido
no-molhante e no reativo em relao maioria dos substratos, o que pode ser facilmente
verificado atravs do seu valor de tenso superficial ( = 480 dyna.cm-1) e do ngulo de
contato entre o mercrio e a parede do poro ( = 140). Em funo disto, quando uma
substncia colocada em contato com o mercrio ele no penetra espontaneamente em poros
e fissuras at que uma fora seja aplicada para forar a sua entrada.
No ensaio, a amostra a ser avaliada, aps secagem em estufa, colocada no porta-amostra que
contm um tubo capilar. Neste recipiente , ento, feito vcuo e, em seguida, ele preenchido
com mercrio. Feita a presso sobre o lquido este penetrar nos poros da amostra, tendo o
equipamento de porosimetria sensores que determinam a variao de volume do mercrio no

19
recipiente (o que corresponde ao volume que foi injetado na amostra) em funo da presso
aplicada.
A partir destes dados possvel obter a curva de distribuio de tamanho de poros utilizando a
equao de Washburn que relaciona o raio do poro R com a presso aplicada P:

2. . cos
R= (4)
P

importante observar que o modelo que originou esta equao considera os poros cilndricos,
paralelos e sem conexo entre eles. Desta forma, os valores obtidos no representam uma
quantidade geomtrica real, mas contm muita informao til sobre a microestrutura de uma
amostra porosa.
Os equipamentos comerciais permitem a medida de poros de dimetro a partir de 0,7 mm at
poros da ordem de 60. Uma forma de apresentao dos resultados mostrada a seguir na
Figura 18 para alguns materiais porosos.

Figura 18 Distribuio de tamanho de poros para alguns materiais

(www.pmpt.ufsc.br/porosimetria, 2003).

20
 4. TRABALHO EXEMPLIFICANDO O USO DE TCNICAS DE
CARACTERIZAO MICROESTRUTURAL NA SOLUO DE PROBLEMAS DE
ENGENHARIA

A seguir ser transcrito, de forma resumida, um trabalho em que tcnicas de caracterizao

microestrutural foram utilizadas para a avaliao de patologia em sistema de revestimento.

4.1. Ttulo do Trabalho

Uso de MEV e EDS para Estudo de Patologia em Piso

4.2. Objetivo do Trabalho

Este trabalho tem como objetivo apresentar resultados de tcnicas de caracterizao e anlise
realizadas em componentes de sistema de revestimento de piso com manifestaes
patolgicas.

4.3. Manifestao patolgica

Ocorrncia de fissurao em placas de revestimento de vidro assentadas em piso, conforme

sistema de revestimento indicado na Figura 19, com deposio de material (sedimento) junto
a estas fissuras.

Placa de revestimento de vidro

dimenses 60 cm x 80 cm x 1,5 cm

Argamassa de
assentamento
industrializada Argamassa de
contra-piso
(regularizao)
Base

Figura 19 Representao esquemtica do sistema de revestimento com manifestao

patolgica.

4.4. Procedimento Experimental

Foram analisados a placa de revestimento, o sedimento existente sobre a placa na regio de

fissuras e a argamassa de assentamento. Foi escolhida a tcnica de microscopia eletrnica de
varredura (MEV) para obteno de imagens das amostras e a espectroscopia de energia
dispersiva (EDS) para avaliao dos elementos qumicos presentes. Foi utilizado o
microscpio eletrnico de varredura JSM 5410, da JEOL, acoplado com detector de raios-X
caractersticos para EDS. Os materiais analisados foram coletados diretamente da obra e o
preparo da amostra constou de obteno de peas menores, compatveis com o tamanho do

21
equipamento, atravs de fratura e recobrimento destas peas com um filme fino de ouro,
atravs sputtering, para tornar a superfcie a ser analisada condutora. As anlises foram
conduzidas com energia do feixe de eltrons de 15 kV e as imagens foram obtidas a partir de
eltrons secundrios sendo feitas ampliaes de 35X a 2000X.

4.5. Resultados e Discusses

A placa de revestimento de vidro submetida observao apresentava, a olho nu, uma

superfcie ntegra, sem fissuras aparentes e sem qualquer depsito de material. A
fotomicrografia obtida em uma ampliao de 35X (Figura 20) no revelou qualquer alterao
na placa, no entanto, em aumentos iguais ou maiores que 1000X, conforme pode ser
visualizado nas Figuras 21 e 22, facilmente identificada a presena de microfissuras.

Figura 20 Imagem da placa de vidro com aumento de 35X.

Figura 21 Ampliao de 1000X da placa de revestimento. As setas indicam a presena de

microfissuras no material.

22
Figura 22 Detalhe da Fig. 21, obtida com aumento de 2000X, mostrando a microfissura.

Os dados obtidos por EDS para a placa de revestimento (Figura 23) mostram a presena dos
elementos tipicamente encontrados em vidros. Verificam-se elevados teores de silcio (Si)
acompanhados de menores quantidades de elementos modificadores do reticulado, sdio (Na)
e potssio (K), que atuam como fundentes, e de clcio (Ca) e alumnio (Al) que so
estabilizadores do reticulado.
A argamassa de assentamento das placas, conforme retirada na obra, apresentava-se
homognea e sua colorao era clara, por se tratar de uma argamassa industrializada com
cimento branco para evitar ocorrncia de sombras na placa de revestimento que tambm era
branca. A imagem obtida por microscopia eletrnica com ampliao de 50X permite a
identificao do composto Ca(OH)2 resultante do processo de hidratao do cimento. Este
hidrxido de clcio forma as finas placas hexagonais, muitas vezes com dezenas de
micrometros, indicadas na Figura 24.
Os resultados de espectroscopia de energia dispersiva desta argamassa de assentamento
(Figura 25) indicaram maiores teores de clcio (Ca) e silcio (Si) que formam o silicato de
clcio hidratado que corresponde ao principal produto de hidratao do cimento. Encontra-se
tambm clcio no Ca(OH)2 que um produto secundrio da reao de hidrlise dos
componentes do cimento. importante tambm lembrar que o Ca e Si podem estar associados
aos agregados midos utilizados na argamassa. Neste caso, por se tratar de argamassa
industrializada na qual, muitas vezes, so utilizados agregados artificiais (britagem do
calcrio), o mais provvel que o clcio seja o principal representante destes materiais. No
espectro podem ser, ainda, identificados a presena de pequenas propores de Mg
(magnsio), Al (alumnio) e K (potssio) que tambm fazem parte dos materiais que entram
na composio do cimento. O magnsio e o alumnio so oriundos dos calcrios e argilas e o
potssio, normalmente, tm origem nas argilas. A ocorrncia de um pequeno pico de Carbono
(C) provavelmente est relacionado aos aditivos adesivos presentes no material.

23
Figura 23 Espectro de EDS tpico obtido para a placa de revestimento.

Figura 24 Imagem obtida a partir da argamassa de assentamento em ampliao de 500X. As

formas hexagonais indicadas com setas correspondem ao hidrxido de clcio formado durante
a hidratao do cimento.

24
Figura 25 Espectro de EDS obtida para uma regio homognea da argamassa de
assentamento.

A imagem obtida por MEV da regio de fissurao macroscpica da placa de vidro com
depsito de sedimento pode ser verificada na Figura 26. A anlise qumica desta regio via
EDS (Figura 27) indica a presena de silcio, clcio, magnsio, alumnio e sdio. Acredita-se
que a elevada proporo de Si e o Al esto associados placa de revestimento de vidro, sobre
a qual o sedimento est depositado (o feixe de eltrons interage tambm com a placa durante a
avaliao do material sobre ela). O alto teor de clcio (quando avaliado em conjunto com o
espectro do vidro) pode ser resultado da lixiviao dos compostos solveis da cal presentes
nas argamassas de assentamento e regularizao (no avaliada neste trabalho, mas tambm
base de cimento) que percolou atravs das fissuras. De forma similar, pode-se atribuir a
presena do K e Na aos sais solveis (carbonatos de sdio e potssio) presentes nessas
argamassas que foram carreados pela gua de percolao. interessante observar que o Na,
apesar de no ter sido detectado nas anlises da argamassa, encontrado tambm no cimento,
mas em pequenas propores em funo da recomendao de limitao dos teores de lcalis
(Na e K) na composio deste material.

25
Figura 26 Imagem obtida atravs de MEV com aumento de 35X. Nesta figura observa-se o
material depositado sobre a placa.

Figura 27 Espectro de EDS obtida em anlise sobre o sedimento depositado na placa de

revestimento.

26
4.6. Concluses

Os resultados das anlises indicam que o material depositado sobre a placa foi formado a
partir da percolao de umidade atravs de fissura que carreou os compostos solveis das
camadas constituintes do sistema de revestimento, especialmente aqueles resultantes da
hidratao do cimento. A presena de ascenso de gua pelo sistema de revestimento indica
uma falha ou ausncia de sistema de impermeabilizao adequado para a situao. Portanto, a
soluo definitiva para o problema passa pela reviso do sistema de impermeabilizao ou sua
especificao se no existente.
Um outro fator importante diz respeito as microfissuras existentes na placa de revestimento.
importante avaliar se estas sempre esto presentes nas placas, como conseqncia do processo
de fabricao, transporte e/ou manuseio, criando uma situao de fragilizao que reduziu a
resistncia do material, ou se foram decorrentes da aplicao destas placas em sistemas
conectados, isto , em uma situao em que todas as camadas esto solidarizadas transmitindo
tenses e deformaes entre elas. Neste ltimo caso, a ocorrncia de fissuras est associada a
uma especificao inadequada do material, considerando que as tenses atuantes foram
superiores s capazes de serem resistidas pela placa.

5. CONCLUSES

As tcnicas de caracterizao microestrutural tm se mostrado importantes ferramentas na

avaliao de patologias de construo civil. No entanto, ainda se observa um grande
desconhecimento por parte dos engenheiros das suas possibilidades e importncia. Muito
preciso ser feito para que o uso de avaliao microestrutural faa parte do dia-a-dia da
Engenharia Civil permitindo uma anlise mais profunda das patologias em materiais e
sistemas construtivos.

27