ELECTRONICA
Polarizaci
n de cd
de los BJT
MATERIA: ICO 200
GRUPO: A
FECHA: 08/09/17
INTEGRANTES: SDENKA CRESPO CALERO
CBBA-BOLIVIA
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INDICE
1.-INTRODUCCIN. 1
7.-OPERACIONES DE DISEO15
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1.-INTRODUCCIN
El anlisis o diseo de un amplificador transistorizado requiere conocer la
respuesta del sistema
tanto de cd como de ca. Con frecuencia se supone que el transistor es un
dispositivo mgico
que puede elevar el nivel de la entrada de ca, sin la ayuda de una fuente de
energa externa. En
realidad,
el nivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una transferencia
de energa
de las fuentes de cd aplicadas.
El anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico se compone, por
consiguiente, de una
parte de ca y una de cd. Por suerte, el teorema de superposicin es aplicable y la
investigacin
de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin
embargo, hay
que tener en cuenta que durante la etapa de diseo o sntesis, la seleccin de los
parmetros de
los niveles de cd requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa
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De hecho, una vez bien entendido el anlisis de las primeras redes, la ruta a
seguir para la
solucin de las redes ser cada vez ms clara. En la mayora de los casos, la
primera cantidad a
determinar es la corriente en la base IB . Una vez conocida la IB, se pueden
aplicar las relaciones de
las ecuaciones (4.1) a (4.3) para determinar las cantidades de inters restantes.
Las semejanzas
en el anlisis sern obvias de inmediato conforme avancemos a travs del
captulo. Las ecuaciones
para IB son similares para varias configuraciones, de modo que se puede derivar
una ecuacin
de otra con slo suprimir o agregar un trmino o dos. La funcin primordial de este
captulo es
desarrollar el nivel de conocimiento del transistor BJT que permita un anlisis de
cd de cualquier
sistema que pudiera emplear el amplificador de BJT.
El circuito estar formado por un transistor NPN, dos resistencias fijas: una en la
base RB (podra ser variable) y otra en el colector RC, y una batera o fuente de
alimentacin Vcc. Este circuito recibe el nombre de circuito de polarizacin fija y
determina el punto Q de reposo del transistor para unos valores dados de Vcc, RB
y RC. Es el circuito ms sencillo, pero tambin el ms inestable con las
variaciones de la temperatura.
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3.-Polarizacin en directa de la unin base-emisor
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Observe la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB como la estableci la
direccin indicada
de IB. Resolviendo la ecuacin para la corriente IB obtenemos:
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Anlisis por medio de la recta de carga
las caractersticas reales del diodo sobre una grfica de la ecuacin de la red que
implica las mismas
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reales para la red. Se conoce como anlisis por medio de la recta de carga porque
la carga
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5.- CONFIGURACIN EN EMISOR-SEGUIDOR
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salida se toma de la terminal del emisor como se muestra en la figura 4.46. La
configuracin
de la figura 4.46 no es slo la nica donde la salida se puede tomar de la terminal
del emisor. De
hecho, cualquiera de las configuraciones que se acaban de describir se pueden
utilizar mientras
haya un resistor en la rama del emiso
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6.- CONFIGURACIN EN BASE COMN
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porque en el dominio de ca tiene una muy baja impedancia de entrada, una alta
impedancia de
salida y una buena ganancia.
En la figura 4.49 aparece una configuracin en base comn tpica. Observe que en
esta configuracin
se utilizan dos fuentes y la base es la terminal comn entre la terminal del emisor
de
entrada y la terminal del colector de salida.
El equivalente de cd del lado de entrada
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7.-OPERACIONES DE DISEO
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En un diseo particular, el voltaje a travs de un resistor a menudo se determina a
partir de
los niveles especificados. Si hay especificaciones adicionales que definen el nivel
de la corriente,
entonces se utiliza la ecuacin (4.49) para calcular el nivel de resistencia
requerido. Los
primeros ejemplos demostrarn cmo determinar algunos elementos particulares a
partir de
los niveles especificados. Luego se presentar un procedimiento completo de
diseo para dos configuraciones
de uso comn
Ecuaciones
correspondientes al diseo
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8.-REDES DE CONMUTACIN CON TRANSISTORES
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La aplicacin de transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales.
Mediante un
diseo apropiado se pueden utilizar como interruptores en computadoras y
sistemas de control.
La red de la figura 4.77a se puede emplear como un inversor en los circuitos
lgicos de una
computadora. Observe que el voltaje de salida VC se opone al aplicado a la
terminal de entrada o
base. Adems, observe que no hay una fuente de cd conectada al circuito de la
base. La nica
fuente de ca est conectada al lado de salida o colector y para aplicaciones en
computadoras en
general es igual a la magnitud del lado alto de la seal aplicada; en este caso, 5
V.
El diseo apropiado para el proceso de inversin requiere que el punto de
operacin cambie
de corte a saturacin a lo largo de la recta de carga ilustrada en la figura 4.77b.
Para nuestros
propsitos supondremos que cuando (una excelente aproximacin
para mejorar las tcnicas de construccin), como se muestra en la figura 4.77b.
Adems,
supondremos que en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi _ 5 V, el transistor estar encendido y el diseo debe garantizar que la
red se
saturar en exceso por un nivel de IB mayor que el asociado con la curva IB que
aparece cerca
del nivel de saturacin. En la figura 4.77b, esto requiere que El nivel de saturacin
de la corriente de colector en el circuito de la figura 4.77a est definida por
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9.-Ejercicios en clases
Ejercicio # 1
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Ejercicio #2
Ejercicio #3
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Ejercicio #4
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Ejercicio #5
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Ejercicio #6
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Perforando disipadores para los transistores para el flujo de calor
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