Informe Previo N 02: CIRCUITOS DE

CONTROL DE DISPARO APLICADO

AL TIRISTOR.
Edward Chavez Galvez 20131196K
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
edwarduni27@gmail.com

INTRODUCCIN

Este informe le da los conocimientos previos necesarios para llevar a cabo en el laboratorio, el manejo de
circuitos de control aplicado a Tiristores.

I. OBJETIVO interna (familia PNPN) y adems un

mecanismo de control. Un SCR acta a
En la presente experiencia se busca semejanza de un interruptor. Cuando est
experimentar con circuitos de control encendido hay una trayectoria de flujo de
aplicado a Tiristores. corriente de baja resistencia del nodo al
ctodo. Acta entonces como un interruptor
cerrado. Cuando est apagado no puede
II. FUNDAMENTO TEORICO haber flujo de corriente del nodo al ctodo.
Por tanto acta como un interruptor abierto.
Dado que es un dispositivo de estado
slido, la accin de conmutacin es muy
SCR
rpida El flujo de corriente promedio para
El SCR (rectificador controlado de silicio): una carga puede ser controlado colocando
es un dispositivo de tres terminales usado un SCR en serie con la carga. Si la
para controlar corrientes ms bien altas para alimentacin de voltaje es ca. el SCR pasa
una carga. una cierta parte del ciclo de ca. en el estado
de ON y el resto del tiempo en el estado de
OFF. La cantidad de tiempo que est en
cada estado es controlado por el disparador.
La corriente para la carga puede variarse
ajustando la porcin del tiempo del ciclo
que el SCR permanece encendido.

Comprende a todos aquellos dispositivos

que poseen cuatro capas en su estructura
Formas de Onda
En la figura anterior se muestra la forma de
onda de un circuito de control con SCR. Al
momento que el ciclo de ca. Inicia su parte
positiva, el SCR est apagado. El voltaje
instantneo a travs de sus terminales de
nodo y ctodo es igual al de la fuente.
Dado que el SCR interrumpe en su
totalidad el suministro de voltaje, el voltaje
a travs de la carga es cero durante este
lapso. Como se observa luego de
transcurrido un tercio del semiciclo positivo
el voltaje nodo ctodo del SCR cae a cero,
indicando que comienza la etapa de
conduccin; se puede decir entonces que el
ngulo de retardo de disparo es de 60 y el
ngulo de conduccin es de 120.
Caracterstica de la compuerta de lo SCR.-
Un SCR es disparado por un pulso corto de
corriente aplicado a la corriente aplicado a
la compuerta. Esta corriente de compuerta
(iG) fluye por la unin entre la compuerta y
el ctodo, y sale del SCR por la terminal del
ctodo. La cantidad de corriente de
compuerta necesaria para disparar un SCR
est en el rango de 0,1 a 50 mA y el voltaje
entre la compuerta y el ctodo debe ser
ligeramente mayor a 0,6 V. Una vez que el
SCR ha sido disparado, no es necesario
continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente contine
fluyendo a travs de los terminales
principales, de nodo a ctodo, el SCR
permanecer en ON. Cuando la corriente de
nodo a ctodo caiga por debajo de un valor
mnimo, llamado corriente de retencin, el
SCR se apagar.
Circuitos comunes de control de compuerta.
Circuito 1
Cuando se cierra SW, habr corriente en la
compuerta cuando el suministro de voltajes sea
positivo. El ngulo de retardo de disparo es
determinado por el valor de R2. Si R2 es bajo,
la corriente de compuerta ser lo
suficientemente grande para disparar el SCR
cuando la fuente de voltaje sea baja. Luego el
ngulo de disparo ser pequeo, y la corriente
de carga promedio ser alta. El propsito de R1
es mantener una resistencia fija en la terminal
de la compuerta, an cuando R2 es cero. Esto es
necesario para proteger la compuerta contra
sobrecarga. R1 tambin determina el ngulo de
retardo de disparo mnimo. Una desventaja de
este circuito de disparo est en que el ngulo de
retardo de disparo slo puede ajustarse entre 0
y 90.
Circuito 2
El mtodo ms sencillo para mejorar el control
de la compuerta es agregar un capacitor a la
terminal inferior del resistor de la compuerta. La
ventaja de este circuito es que el ngulo de
retardo de disparo puede ser ajustado ms all
de los 90. Cuando la fuente ca. es negativa, el
voltaje inverso a travs del SCR es aplicado al
circuito de disparo RC, cargando negativamente
el capacitor en la placa superior y positivamente
la placa inferior. Cuando la fuente entra en su
semiciclo positivo, el voltaje en directa a travs realimentado. En este circuito, el diodo zener
del SCR tiende a cargar a C en la direccin ZD Recorta la forma de onda de la fuente de
opuesta. Sin embargo, la acumulacin de voltaje voltaje al voltaje nominal del zener
en esta nueva direccin es retardada hasta que la (generalmente unos 20 V con una fuente de 120
carga negativa es removida de las placas del V ca) durante el medio ciclo positivo de la lnea
capacitor. Este retardo en la aplicacin de un de ca. Durante el medio ciclo negativo ZD1 est
voltaje positivo a la compuerta puede ser con polarizacin en directa y mantiene cerca de
extendido ms all del punto de los 90. A 0 V a Vs.
mayor resistencia del potencimetro, mayor es
el tiempo de que tarda la placa superior de C en
cargarse positivamente, y por tanto el disparo
del SCR se retarda. EL UJT (Unijunction
transistor) : Es un dispositivo de conmutacin
de transicin conductiva. Es un dispositivo de
tres terminales que se denominan emisor, base1
y base2.

Una vez que se ha establecido el voltaje de cd

Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1 es
menor que cierto valor llamado voltaje pico, el
UJT est apagado y no puede haber flujo de
corriente de E a B1. Cuando el voltaje de emisor
a base 1 excede al voltaje pico por una cantidad
muy pequea, el UJT se dispara. Cuando esto
ocurre, el circuito de E a B1 se vuelve casi
cortocircuito, y la corriente puede descargarse
de un terminal a otro. En la mayora de los
circuitos UJT, la descarga de corriente de E a
B1 es de corta duracin, y el UJT pronto se
revierte a la condicin de apagado.
Los UJT en circuitos de disparo para SCR.-
Vs, lo que ocurre muy poco despus del cruce
por cero hacia positivo, de la lnea de ca. CE
comienza a cargarse a travs de RE. Cuando CE
alcanza el voltaje pico del UJT, ste se dispara,
creando un pulso de voltaje a travs RE . Esto
dispara SCR, permitiendo as el flujo de
corriente a travs de la carga poor el resto del
semiciclo positivo. Este arreglo del circuito
proporciona una sincronizacin automtica
entre el pulso de disparo del UJT y la polaridad
del SCR. Es decir, cuando el UJT entrega un
pulso, se garantiza que el SCR tenga el voltaje
de nodo a ctodo correcto para encenderse.
III. CUESTIONARIO
Describa el funcionamiento del circuito A y
diselo. Repetir la parte 1 para el circuito B,C y
D.

Los UJT casi son ideales como dispositivos de Circuito A:

disparo para los SCR. A continuacin indicamos
varias razones de la compatibilidad entre los
UJT y los SCR: - El UJT produce una salida
tipo pulso, que es excelente para asegurar el
encendido de un SCR sin forzar la capacidad de
disipacin de carga de compuerta del SCR. - El
punto de disparo del UJT es inherentemente
estable sobre un rango de temperatura amplio.
Puede hacerse an ms estable con muy poco
esfuerzo. Esto anula la inestabilidad trmica de
los SCR. - Los circuitos de disparo con UJT
pueden adaptarse con facilidad para el control
Caracterstica del SCR:
Para la curva positiva de la figura:
La expresin anterior se puede aproximar a:
Cuando se cierra SW, habr corriente en la
compuerta cuando el suministro de voltajes sea
positivo. El ngulo de retardo de disparo es
determinado por el valor de R3. Si R3 es bajo,
la corriente de compuerta ser lo
suficientemente grande para disparar el SCR
cuando la fuente de voltaje sea baja. Luego el
ngulo de disparo ser pequeo, y la corriente
de carga promedio ser alta. El propsito de R2
es mantener una resistencia fija en la terminal
de la compuerta, an cuando R3 es cero. Esto es
necesario para proteger la compuerta contra
sobrecarga. R2 tambin determina el ngulo de
retardo de disparo mnimo.
Circuito B:
Cuando la fuente ca. es negativa, el voltaje
inverso a travs del SCR es aplicado al circuito
de disparo RC, cargando negativamente el
capacitor en la placa superior y positivamente la
placa inferior. Cuando la fuente entra en su
semiciclo positivo, el voltaje en directa a travs
del SCR tiende a cargar a C en la direccin
opuesta. Sin embargo, la acumulacin de voltaje
en esta nueva direccin es retardada hasta que la
carga negativa es removida de las placas del
capacitor. Este retardo en la aplicacin de un
voltaje positivo a la compuerta puede ser
extendido ms all del punto de los 90. A
mayor resistencia del potencimetro, mayor es
el tiempo de que tarda la placa superior de C en
cargarse positivamente, y por tanto el disparo
del SCR se retarda.
Circuito C:
Circuito D:
BIBLIOGRAFA
- BT 151-500R Product data sheet, NXP
Semiconductors
- BT 136-600D Product data sheet, NXP
Semiconductors,4Q TRIAC
- RASHID M., Electrnica de potencia
- MALLONEY, Electrnica de potencia