Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

Jenis lain dari transitor adalah Field effect Transistor. Perbedaan utama antara BJT
dengan FET adalah pada pengontrol kerja dari transistor tersebut. Jika BJT kerjanya
dikontrol oleh arus pengontrol sedangkan FET bekerja dengan dikontrol oleh tegangan
pengontrol.

Gambar Current controller device dan Voltage controller device

Perbedaan Antara Transistor FET dan Bipolar

Tabel. Perbedaan Antara Transistor FET dan Bipolar

FET terdiri dari dua jenis yaitu JFET (terdiri dari JFET kanal n dan JFET kanal P) dan
MOSFET (Terdiridari MOSFET Depletion Mode dn MOSFET Enhancement Mode)
 Transistor efek medan - Junction Field effect transistor (JFET)

Transistor efek medan - Junction Field effect transistor (JFET) juga memiliki 3
terminal, yaitu Drain, Source dan Gate. JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang
terbuat dari sekeping semikonduktor dan pada saluran ini di doping dua buah
semikonduktor tipe lain dan dihubungkan ke Gate. Bagian atas saluran dihubungkan
dengan drain dan bagian bawah dihubungkan dengan source.

Gambar Struktur dan symbol JFET kanal n dan JFET kanal p

Prinsip kerja JFET

JFET kanal-n

Transistor JFET kanal-n, Drain dan Source transistor ini dibuat dengan
semikonduktor tipe n dan Gate dengan tipe p. Tegangan bias antara gate dan source adalah
tegangan reverse bias atau disebut bias mundur atau bias negatif. Tegangan bias negatif
berarti tegangan gate lebih negatif terhadap source.

JFET memanfaatkan adanya efek medan yang muncul pada junction (sambungan)
p-n. Elektron yang mengalir dari source menuju drain harus melewati lapisan deplesi. Di
sini lapisan deplesi bisa dianalogikan sebagai keran air. Banyaknya elektron yang mengalir
dari source menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa
menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan gate terhadap source.
Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin menebal.
Semakin tebal lapisan deplesi maka akan memperkecil kanal atau bahkan menutup kanal
transistor sehingga mempengaruhi arus listrik yang mengalir. Jadi jika tegangan gate
semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain
dan source.

Gambar Prinsip kerja JFET kanal n

Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 vollt adalah keadaan dimana arus
maksimum dapat mengalir pada kanal transistor karena lapisan deplesi tidak bisa
diperlebar lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya
positif maka gate-source tidak lain hanya sebagai dioda.

JFET kanal p

Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai
struktur yang sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n
nya, oleh karena itu Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET
kanal-n, hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian
polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET
kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang
berbeda.
Daerah operasi JFET

Gambar Karakteristik keluaran JFET

JFET mempunyai empat daerah operasi antara lain:

Ohmic Region Ketika VGS = 0 celah deplesi dari kanal sangat kecil, pada daerah ini
karakteristik JFET mengikuti Hukum Ohm.

Cut-off Region Daerah ini juga dikenal dengan pinch-off region dimana tegangan
Gaete,pada daerah ini JFET bersifat seperti rangkaian terbuka (open circuit) dimana kanal
mencapai resistansi maksimum

Saturation or Active Region JFET menjadi konduktor yang dikontrol oleh tegangan
Gate-Source, ( VGS ).

Breakdown Region Tegangan antara Drain dan Source, ( VDS ) sangat tinggi sehingga
bisa menyebabkan transistor rusak dan menyebabkan araus maksimal yang tidak
terkontrol.

Gambar Kurva karakteristik Transfer dan Karakteristik Arus Drain

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Gambar Struktur dan simbol MOSFET

Mirip seperti JFET, MOSFET juga memiliki drain, source dan gate. Namun perbedaannya
gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti
aluminium.. Karena gate yang terisolasi, jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu
insulated-gate FET.

Ada dua jenis MOSFET, depletion-mode dan enhancement-mode. Jenis enhancement-

mode MOSFET adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated
circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor).

MOSFET Depletion-mode

Sama seperti JFET, untuk N-channel MOSFET, semakin positif tegangan gate VGS maka
semakin besar celah deplesi kanal (arus drain ID semakin besar). Namun untuk MOSFET
tegangan gate VGS boleh positif sehingga arus bisa semakin besar .

Gambar Karakteristik MOSFET Depletion-mode

MOSFET Enhancement-mode

Perbedaan MOSFET enhacement mode dengan MOSFET Depletion mode terletak pada
struktur nya, subtrat pada MOSFET enhacement mode dibuat hingga menyentuh gate,
sehingga saat VGS=0 Arus belum bisa mengalir.

Dengan menaikkan tegangan (semakin positif) akan membuat arus dapat mengalir. Dengan
kata lain untuk N-channel enhancement mode MOSFET, +VGS membuat transistor
ON dan VGS=0 transistor "OFF". Tentu ada tegangan minimum dimana Arus baru bisa
mengalir. Tegangan minimun ini disebut tegangan threshold VGS(th). Tegangan VGS(th)
oleh pabrik pembuat akan dicantumkan didalam datasheet.

Gambar Karakteristik MOSFET Enhacement-mode

Tabel Perbandingan Depletion-mode dan Enhacement-mode terhadap pengaruh VGS