2do Semestre 2011

Gua 3: Transistores

1) En los circuitos de la Fig. 1:

a) Cul es el hf e mnimo que deben tener los transistores para activar el rel?
b) Obtenga las grficas para ic , y vc asumiendo que la constante de tiempo de la impedancia del rel es =T/20.
Suponga vce_sat =0[V], |vbe |=0.7[V] y un diodo ideal.

Fig. 1.

2) Para cada circuito de la Fig. 2, determine el valor de R tal que el transistor se encuentre al borde de la saturacin
y el valor de la corriente ic . Indique si la resistencia calculada es el valor mximo o mnimo para que el transistor
entre en saturacin. Suponga vce_sat =0.2 [V], vbe =0.7[V], hf e =100.

Fig. 2.

3) Para el circuito de la Fig. 3, dibuje la forma de onda de vc , asumiendo que el voltaje inicial del condensador es vc =0.
Cul debera ser el valor de la resistencia de 50k para que T1 nunca se sature?

Fig. 3.

PLI V1.2 1
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4) En base al circuito de la Fig. 5(a) determine:

a) El valor (o rango de valores) para Rb tal que ambos transistores, cuando conduzcan, operen en Zona Lineal.
Considere R3 , es decir, un circuito abierto.
b) La forma de onda de vo si Rb =200k y R3 =250. Para esto utilice las formas de onda provistas en la Fig. 5(b).
Seale claramente la(s) magnitud(es).

Fig. 4. (a) Circuito para el problema 5; (b) Formas de onda para el problema 5.b).

5) En base al circuito de la Fig. 5, determine la forma de onda de ib , ic2 y vc para el rango 0 t 1.2[s]. Determine el
estado de conduccin de los transistores T1 y T2 durante dicho intervalo de tiempo. Considere que el voltaje inicial
del condensador es vc (0) = 0[V].

Fig. 5.

PLI V1.2 2
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6) Para el circuito de la Fig. 6, determine el valor de Rc y el rango dentro del cual se puede mover la impedancia
(principalmente resistiva) de lnea Zl , tal que el voltaje de salida vo sea 3.3[V].

Fig. 6.

7) Qu funcin lgica realiza el circuito de la Fig. 7? (considere 5[V] como un "1" lgico y un voltaje menor a 2[V]
como un "0")

Fig. 7.

PLI V1.2 3
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8) Para el circuito de la Fig. 8 determine:

a) El valor de Rb para obtener la Mxima Seal Simtrica en vo (t).
b) Determine la eficiencia del circuito si vs = 9 sin(t).
c) Determine la eficiencia del circuito si vs = 3 sin(t).
d) La forma de onda de vo (t) si se utiliza una resistencia de la mitad del valor de la calculada en el punto 8a y
vs = 9 sin(t).

Fig. 8.

9) De acuerdo con el circuito de la Fig. 9, determine:

a) La magnitud de la mxima seal simtrica que se puede obtener.
b) La eficiencia mxima que se puede obtener del circuito. Considere vce_sat = vbe = 0.
c) Rb y Rl tal que vo sea 3 veces vs = 3 sin(t) y la corriente por la base no sobrepase los 20[mA]. Considere
vce_sat = vbe = 0, hf e =100.
d) La eficiencia para las condiciones de operacin del punto c).

Fig. 9.

PLI V1.2 4