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Circuitos

Electrnicos I
TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR
Contenido
Transistores de Unin Bipolar

Estructura de un BJT
Operacin bsica de un BJT
Parmetros bsicos de corriente directa

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Estructura de un BJT
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos
uniones pn. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector.

La regin de la base est ligeramente dopada y es muy delgada en comparacin con las regiones del
emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada.

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Estructura de un BJT
De acuerdo a su estructura y construccin fsica, existen dos tipos de transistores de unin bipolar:

NPN PNP

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Operacin bsica de un BJT
Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos.
Los siguientes arreglos de circuitos permiten a los BJT operar como amplificadores, y se les conoce
como polarizacin en directa-inversa

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Operacin bsica de un BJT
El proceso de operacin en las condiciones descritas, ocurre de la siguiente forma:
1. La unin base-emisor permite el paso de electrones de la regin n hacia la regin p debido a la
polarizacin directa.
2. Debido a que la regin p de la base est ligeramente dopada en comparacin con las regiones de
emisor o colector, solo una pequea porcin de los electrones salen a travs del conductor en la
terminal de la base.
3. El resto de los electrones son atrados por la fuente aplicada entre el colector y el emisor,
haciendo que estos atraviesen el colector y regresen al circuito externo.

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Corrientes del transistor
Del anterior anlisis se pueden identificar tres corrientes distintas en cada una de las terminales del
transistor y la relacin que existe entre ellas:
Corriente de emisor (IE)
Corriente de colector (IC)
Corriente de base (IB)

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Parmetros de corriente directa
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC)
entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd.

Los valores tpico de CD van desde 20 hasta 200 o ms. Normalmente como un parmetro hbrido en
la hoja de fabricantes (hFE).

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Parmetros de corriente directa
El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cd
(CD). La alfa es un parmetro menos utilizado que la beta en circuitos con transistores.

En general, los valores de CD van desde 0.95 hasta 0.99 o ms, aunque CD siempre es menor que 1.
La razn es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB.
De las relaciones de los parmetros , y la relacin de las corrientes IE, IB e IC se puede
encontrar una relacin entre y , que es la que sigue

=
+ 1

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Curva caracterstica del BJT
Las curvas caractersticas del colector muestren cmo vara la corriente en el colector, IC, con el
voltaje en el colector con respecto al emisor, VCE, con valores especficos de corriente de base, IB.

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Modelo de cd del BJT Regin activa
El BJT que no est en saturacin puede ser considerado un dispositivo con una corriente en el circuito
de entrada y una fuente de corriente dependiente en el circuito de salida.

El circuito de entrada es un diodo polarizado en directa a travs del cual pasa corriente de base.
El circuito de salida es una fuente de corriente dependiente con un valor que depende de la
corriente de base, IB e igual a IB.

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Regin de corte
Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la regin de corte de su operacin.

En esta condicin, existe una cantidad muy pequea de corriente de fuga en el colector, ICEO, debido
principalmente a portadores producidos trmicamente. ICEO es extremadamente pequea, y
normalmente se omite en el anlisis de circuitos, por lo que VCE = VCC.
En la regin de corte, ni la unin base-emisor ni la unin base-colector estn polarizadas en directa.

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Saturacin
Cuando la unin base-emisor se polariza en directa y la corriente en la base se incrementa, la
corriente en el colector tambin lo hace (IC = IB) y VCE se reduce a consecuencia de ms cada a
travs del resistor del colector (VCE = VCC IC RC)

Cuando VCE llega a su valor de saturacin, VCE(sat), la unin base-colector se polariza en directa e IC
ya no puede incrementarse ms, incluso con un incremento continuo de IB.

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Recta de carga
Las condiciones de corte y saturacin pueden ser ilustradas en relacin con las curvas caractersticas
de colector con el uso de una recta de carga. La recta de carga conecta el punto de corte y el punto de
saturacin.

Entre el punto de saturacin y el punto de corte a lo largo de la recta de carga se encuentra la regin
activa de la operacin del transistor.
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Valores mximos
Las limitaciones de un BJT se establecen en forma de valores nominales mximos y normalmente
vienen especificadas en la hoja de datos del fabricante. Tpicamente se dan valores nominales
mximos de voltaje entres las distintas terminales, corriente en el colector y disipacin de potencia.
Tanto VCE como IC no pueden ser mximos al mismo tiempo:
() =

PD(mx) normalmente se especifica a 25C; a temperaturas ms altas, las hojas de datos a menudo
dan factores de reduccin de su valor nominal para determinar PD(mx).

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Anlisis de un circuito con BJT

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Transistor BJT como amplificador
El voltaje de entrada de ca produce una corriente alterna en la base, lo cual produce una corriente
alterna en el colector mucho ms grande. La corriente alterna en el colector produce un voltaje de ca a
travs de RC, producindose as una reproduccin amplificada, pero invertida, del voltaje de entrada
de ca en la regin activa de operacin.

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Transistor BJT como conmutador
Idealmente un interruptor se comporta como un corto circuito o un circuito abierto. En la figura (a), el
transistor se encuentra en la regin de corte. En esta condicin, la corriente entre el colector y emisor
es despreciable y el comportamiento entre colector y emisor es el de un circuito abierto.
Por otro lado, para lograr la condicin de corto circuito, se lleva el transistor a la condicin de
saturacin, en donde la cada de potencial entre colector y emisor es menor.

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Prctica
1. Determine IB, IC, IE, VBE, VCE y VCB en el circuito. El transistor tiene una = 150.

2. Determine si el transistor se encuentra o no en saturacin. Suponga VCE(sat) = 0.2 V.

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FIN

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