SEMICONDUCTORES Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica

inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor

ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del
oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su
orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos
tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de
valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace
covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos
electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se
dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja
en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a
los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con
signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes
fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo
positivo de la pila. - Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo
de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo
constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo
existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones
que dan lugar a la corriente elctrica. Semiconductores P y N En la prctica, para mejorar la
conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas aadidas voluntariamente.
Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos: Impurezas pentavalentes. Son
elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico. Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos
tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro,
el galio y el indio. Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina
del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y
queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado
con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N. En cambio, si se introduce una impureza
trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de
silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un
hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es
de tipo P. Unin PN Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por
un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN . Los electrones libres de la regin N
ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la recombinacin con los huecos
ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean
iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn
interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta
una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la unin.
Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los huecos
de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no
conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura
constante. Unin PN polarizada en directo Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el
polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N , la tensin U de la pila
contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin,
desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una
circulacin de huecos en sentido contraro. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado,
puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea.
El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior
circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la
corriente elctrica. Unin PN polarizada en inverso Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es
decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U
de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la
unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin
N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta
de una orma asimtrica respecto de la conduccin e ctrica; dependiendo del sentido de la
conexin, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante
(polarizada en inverso). f l RECTIFICACIN Muchos dispositivos o equipos mviles de naturaleza
elctrica o electrnica, como las linternas, los receptores de radio, etc., se alimentan con
generadores qumicos de corriente continua. Como ya sabemos, el gran inconveniente de este tipo
de fuentes, es su limitada vida en el caso de las desechables o el escaso tiempo que permanece la
carga o la tensin nominal en los reversibles o recargables. En consecuencia, siempre que sea
posible, la alimentacin de aquellos dispositivos que requieran una corriente continua se realiza
con sistemas que se fabrican con elementos elctricos y electrnicos. Dichos sistemas, de mayor o
menor complejidad, pueden estar incorporados a los propios equipos o, por el contrario, ser
independientes del aparato o elemento que necesita estar alimentado con una corriente de
determinadas caractersticas. Nos referimos a las fuentes o sistemas de alimentacin electrnicos.
220 Vca Puente De doble onda De media onda Generalmente las fuentes de alimentacin constan
de las siguientes partes: 1. Un rectificador que convierte la c.a. de la red en una seal pulsante. 2.
Un filtro que reduce las ondulaciones de la tensin de salida, haciendo que sta sea lo ms
constante posible. 3. Un circuito estabilizador que hace que aunque se den variaciones de tensin
de red o variaciones de la carga, la tensin de salida no vare. Los rectificadores monofsicos
pueden ser: Fuente de Alimentacin Circuito a alimentar 9Vcc 220 Vca Rectificador Filtro
Estabilizador Vc RECTIFICADOR MONOFSICO DE MEDIA ONDA La funcin de este circuito es
eliminar uno de los dos semiperiodos de una seal alterna senoidal, proveniente del secundario
del transformador. El componente electrnico que se usa para este fin es el diodo, que tiene la
propiedad de conducir en un solo sentido. El esquema y las formas de onda son las que se
representan en la figura. Fig. 4 V inversa en el diodo 1 carga o elemento al que vamos a alimentar
con la nsin rectificada. sec, tensin de entrada al rectificador (V ecundario) = + Aplicamos una
onda senoidal a la entrada ransformador reductor). En el semiciclo positivo el eda polarizado
directamente y se comporta era de potencial). Esto hace que presentada en la fig. 3. Esta corriente
n senoidal como la de la fig.2. mo se ve en la fig.4 R te V s 1 sec V VD VR (t diodo qu prcticamente
como un interruptor cerrado (excepto los 0.6V de la barr por el circuito circule una corriente cuya
forma de onda est re provoca una cada de tensi 0,6 ( sec 0,6 ) En el semiciclo negativo, es diodo
se polariza inversamente (nodo ms negativo que el ctodo), comportndose como un
interruptor abierto. No existe corriente por el circuito y en la resistencia de carga R1 no hay cada
de tensin, esto supone que toda la tensin de entrada estar en extremos del diodo co sec VR1
=V para V V 0 sec VR1 = V VD1 =V Valores Medios y Eficaces en un rectificador. Onda Alterna
senoidal o Valor eficaz 2 Vmax Vef = Valor medio Vdc = 0 Media Onda o Valor eficaz 2 Vmax Vef
= Valor medio = Vmax Vdc Doble Onda o Valor eficaz 2 Vmax V = Valor me ef dio = 2 Vmax
Vdc D1 Vp Vsec R1 Fig. 2 V en la resistencia Fig. 3 I por el diodo y la resistencia Fig. 1 V secundario
del transformador CALCULO DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA zar el clculo de las
caractersticas de los componentes que lo forman. Conocida la tens encias de la os alimenta finidas
por la tensin de salida que es la tensin media de la seal en la carga y la corriente de salida Idc
que es la t ia de la seal en la resistencia), se trata de calcular los datos necesarios para escoger un
diod u or de los que isponibles en el mercado. 1.- Datos para el diodo. Vamos a reali in de red y
las exig carga que debem r (de Vdc in ensidad med o y n transformad se encuentran d El fabricante
indica en su catlogo las caractersticas de cada modelo de diodo. Nosotros te legir uno de los que
nos o Los datos ms importantes que especifica el catlogo son: I re I VRWM - T petitiva. Otros da
TSM te de pico transitoria. VRSM - Mxim D - e tensin directa. nemos que hallar las condiciones
que debe cumplir el diodo en el circuito y e frece el fabricante. FRM - Mxima corriente directa de
pico petitivo. F(AV) Corriente media con carga resistiva. ensin inversa mxima re tos que
proporciona el fabricante son: I - Mxima corrien a tensin inversa de pico no repetitivo. V Cada d
2.- Datos para el transformador. D os de calcular los datos de trabajo del citado transformador,
estos datos son: otencia eficaz. La tensin del primario es la de la red (220V/50Hz normalmente).
En el caso del rectificador de media onda la corriente que circula por el diodo, secundario del
transform sto nos permite afirmar que la corriente que tendr que soportar el diodo mxima y
media son: ebem Pef - P Vef - Tensin eficaz del secundario. Ief - Intensidad eficaz del secundario.
ador y resistencia es la misma. E dc F AV mx FRM I = I I = I ( ) Cuando el diodo no conduce la
tensin inversa que sopor la seal en el secundario o en la carga. ta coincide con la tensin
mxima de Vmx =VRWM Ejemplo Resuelto Se quiere calcular un rectificador monofsico de
media onda, que ha de alimentar a una carga cuyos datos son: nivel de continua 12V y corriente
continua 0.5A. Dibujar el circuito, formas de onda y los datos para elegir los componentes. mxRL
mxRL 0,5 1,57 12 37,69 = = = = D1 Vp Vsec R1 V V I A De lo anterior deducimos que
debemos escoger un diodo cuyas caractersticas superen los siguientes valores: 1,57 0,5 37, I FRM
= A I F(AV ) = A VRWM = 64V Datos para el transformador: I V W ef A 0,78 18,84 0,78 2 2 = = = =
= P I V V V ef ef ef mx mx ef 14,69 1,57 18 4 2 37,69 2 = = = = ta: La cada de tensin en el diodo
se desprecia (0,6V). aractersticas siguientes: Potencia P=14,69W como mnimo V secundario
V=18,84V