Josu Fajardo
OBJETIVO GENERAL
Disear y fabricar transistores tipo MOS de xido de zinc (ZnO) canal-n basados en pelcula delgada
para su aplicacin en circuitos de propsito especfico con una baja escala de integracin.
OBJETIVOS ESPECFICOS
Disear por computadora de un transistor MOS de pelcula delgada.
Estudiar al transistor MOS-canal n y sus caractersticas elctricas.
Fabricar un transistor MOS utilizando ZnO como semiconductor.
Caracterizar elctricamente y extraer los parmetros (movilidad, voltaje de umbral,
relacin encendido/apagado) del transistor MOS.
Disear por computadora los circuitos de propsito especfico tales como, un inversor.
Proponer la fabricacin de un circuito de propsito especfico (oscilador de anillo).
Justificacin
Este trabajo est derivado del proyecto de investigacin de investigacin cientfica bsica del
Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa (CONACYT) con nmero 240103, el cual tiene por nombre
Fabricacin y optimizacin de dispositivos y circuitos electrnicos flexibles para el estudio de su
fiabilidad bajo diversas formas de estrs mecnico y elctrico.
A travs de los aos la industria electrnica ha tratado de encontrar ciertos dispositivos electrnicos,
que sean de menor tamao y consumo para satisfacer las necesidades que enfrenta el desarrollo
tecnolgico en nuestra sociedad. Una de las alternativas que cubren esta caresta es la
implementacin y desarrollo de la electrnica flexibleque ha ido incrementando en el mundo de
una manera acelerada.
Este tipo de tecnologa es una oportunidad para generar circuitos electrnicos que nos permitan
una mejor calidad de vida al desarrollar aplicaciones menos frgiles y que se puedan acondicionar
sobre cualquier tipo de superficie.
NOTA:
Introduccin.
Desafos de la electrnica impresa