Transistor BJT

Electrnica TEMA 4: Transistor Bipolar
EL TRANSISTOR BJT:
Introduccin: Definiciones y smbolos
Funcionamiento cualitativo
Comportamiento esttico
El transistor bipolar real Efectos de 2o orden
Comportamiento dinmico
1
El transistor bipolar: Introduccin
BJT: Bipolar Junction Transistor

E B C
n+ p+ n+
p
p+ p+
n-epitaxial
capa enterrada n+
substrato p
B C
B
E C
n+ p n
Definiciones y Smbolos
Dispositivo de 3 terminales con dos uniones p-n enfrentadas entre s.

Emisor (E ) n+; Base (B ) p ; Colector (C ) n
Emisor mucho ms dopado que colector Dispositivo no simtrico
E y C no intercambiables (al contrario que el MOS).
Existen transistores bipolares de dos tipos:
C E
+
BJT NPN - + BJT PNP +
VBC IC IE
VEB
+
IB -
B VCE VEC
+
B
IB
-
VBE VCB IC
IE
- - + -
E C
IE = IC + IB IE = IC + IB
VCE = VBE - VBC VEC = VEB - VCB
Convenio de intensidades y tensiones
2
El transistor BJT puede funcionar en 4 modos diferentes dependiendo

de las tensiones de polarizacin aplicadas a las dos uniones.
Polarizacin unin B-E Polarizacin unin B-C Modo de Operacin

Inversa Inversa Corte
Directa Inversa Activa Directa
Inversa Directa Activa Inversa
Directa Directa Saturacin
npn VBC Anlogamente pero

cambiando subndices
para el transistor pnp
ACTIVA
SATURACIN
INVERSA
0,0 VBE
ACTIVA
CORTE
DIRECTA
Corte: No fluye corriente por ninguno de los terminales.

Activa Directa: El transistor acta como un amplificador de intensi-
dad: I C = I B con 100 .
Fluye una corriente de difusin por la unin B-E y sta atraviesa la
regin de B alcanzando la unin B-C, en donde los portadores son
acelerados por el campo elctrico e inyectados en el C.
Activa Inversa: El transistor acta como un amplificador de intensi-
dad: I E = I B con 1.
El proceso es equivalente al de activa directa pero, debido a la diferen-
cia de dopados, muy poca corriente de la inyectada por C alcanza E.
Saturacin: La ganancia en intensidad decae substancialmente y la
tensin entre C y E permanece constante: V CE 0.2V .
3
La relacin entre corriente y tensin en B es exponencial permite

producir corrientes grandes con pequeas variaciones de tensin el
BJT es adecuado en aplicaciones de alto rendimiento.
Todo lo dicho anteriormente puede concretarse en una grfica en
donde representamos la intensidad de colector, I C , frente a la tensin,
V CE . Despues deduciremos esto desde un punto de vista matemtico.
IC
VBC = 0
SATURACIN
DIRECTA
ACTIVA IB
DIRECTA
CORTE
IB = 0
VCE
IB = 0
IB CORTE
ACTIVA
INVERSA
SATURACIN
INVERSA
VBE = 0
4
EL TRANSISTOR PROTOTIPO
Simplificacin
para estudio
monodimensional x xB
xE
rea
IE IC Uniforme
n+ p n Transversal
E C
A
1 5m 1 0.1 m 5 10m VBC

VBE
U1 U2
IB
B
Densidad de dopaje
Nd-Na
tomos
-------------------
1018 Dopado Uniforme en cada
3 Regin y Uniones Abruptas
cm
1016
Posicin (x)
1017
Tipicamente, la Base ser de longitud muy corta (~1-0.1m).
La regin del Colector la ms ancha (~5-10m).
La regin de Emisor la ms dopada (~1018at/cm3).
5
El transistor bipolar: Estudio Cualitativo
ZONA ACTIVA DIRECTA V BE > 0, V BC < 0 :

e-
Emisor Base Colector huecos
InE InC
IE IC
IBr
IpE ICB0
n+ p n
VBE>0 VBC<0
IB
FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.
UNIN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MAYORI-

TARIOS (INYECCIN DE PORTADORES ES MAYOR A MAYOR DOPADO).
UNIN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MINORI-

TARIOS QUE SON ARRASTRADOS POR EL CAMPO ELCTRICO.
BASE ESTRECHA: LOS PORTADORES PRCTICAMENTE NO SE RECOMBINAN CUANDO LA

ATRAVIESAN
EL FLUJO MS IMPORTANTE EST CONSTITUIDO DE e- QUE VAN DEL EMISOR (EMITE) AL

COLECTOR (RECOGE).
INTENSIDADES:
I E = I nE + I pE (Intensidad de Emisor)
I C = I nC + I CB0 (Intensidad de Colector)
I B = I Br + I pE I CB0 (Intensidad de Base)
I Br = I nE I nC (Intensidad perdida por recombinacin)
I CB0 (Intensidad Inversa de la unin Colector-Base)
DEFINICIONES:
Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:

I nC I nC I nE
F = ---------- = ---------- ---------- = B F F
IE I nE I E
6
Coeficiente de transporte y Coeficiente de eficiencia:

I nC I nE I nE 1
B F = ---------
- F = ---------- = -------------------------- = -------------------
I nE IE I nE + I pE I pE
1 + ----------
I nE
Ganancia de intensidad del Colector a la Base: F :
F I nC IC
F = ----------------- = ------------------------- ------
1 F I Br + I pE I B
I Br << ANCHURA BASE PEQUEA

Si F .
I pE << DOPADO BASE MENOR EMISOR
ZONA DE SATURACIN V BE > 0, V BC > 0 :

e-
Emisor (n+) Base (p) Colector (n) huecos
InE InC
IE IBr IC
nC
nE
IpE Br IpC
VBE>0 VBC>0
IB
AMBAS UNIONES POLARIZADAS EN DIRECTA.

SE OBSERVA QUE LA IC TIENE AHORA COMPONENTES QUE HACEN QUE SEA MENOR QUE
EN ZONA ACTIVA DIRECTA, PUDIENDO INCLUSO LLEGAR A SER NEGATIVA (SATURACIN
INVERSA).
I
LA INTENSIDAD DE BASE HA AUMENTADO, DE FORMA QUE: -----C- < F .
IB
Sat
PROPIEDAD IMPORTANTE: AMBAS UNIONES DIRECTAMENTE POLARIZADAS, ENTONCES

LA TENSIN COLECTOR-EMISOR ( V CE = V BE V BC ) VA A TENER UN VALOR MUY
PEQUEO (~ UN CORTOCIRCUITO ENTRE SUS EXTREMOS C Y E).
7
ZONA DE CORTE V BE < 0, V BC < 0 :
AMBAS UNIONES INVERSAMENTE POLARIZADAS => INTENSIDADES MUY PEQUEAS EN

TODOS LOS TERMINALES.
NICA ZONA DONDE IB < 0.
ZONA ACTIVA INVERSA V BE < 0, V BC > 0 :
ANLOGA A LA ZONA ACTIVA DIRECTA SLO QUE INTERCAMBIANDO LOS PAPELES DE

EMISOR Y COLECTOR.
DEFINICIONES:
Ganancia de intensidad del Emisor al Colector:

I nE I nE I nC
R = ---------
- = ---------- ---------- = B
R R
IC I nC I C
Ganancia de intensidad del Emisor a la Base: R
R IE
R = ----------------- ---------
1 R IB
ESTOS COEFICIENTES RESULTAN DIFERENTES QUE F

F , YA QUE EL DISPOSITIVO
Y
NO ES SIMTRICO, NI EN EL DOPADO DE EMISOR Y COLECTOR, NI EN LAS DIMENSIONES:
R < F
{ PARA AMPLIFICAR INTERESA MS ZONA ACTIVA DIRECTA
R < F
8
El transistor bipolar: Comportamiento esttico
ECUACIONES DE EBERS-MOLL A PARTIR DE LAS

ECUACIONES DE CONTINUIDAD
0 xB
xE
+ p n
n
IE IC
E C
VBE Emisor Base Colector

VBC
,
x,, 0,, 0 x,
IB
B
SUPOSICIONES PARA EL ANLISIS:
Estudio monodimensional del transistor prototipo.
Se divide el BJT en regiones de deplexin y regiones neutras.
No hay cada de tensin en regiones neutras.
No hay recombinacin en regiones de deplexin.
Baja inyeccin.
Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula.
Estado estacionario.
9
Emisor Base Colector

n+ p n
x,, 0,, 0 XB 0, x,
VBE VBC
CONDICIONES DE CONTORNO:
V BE V BE
-----------
- 2 -----------
-
U n U
T i T
p E ( 0 ) = p E0 e 1 = ----------- e 1
N dE

V BE V BE
-----------
- 2 ------------

U n UT
T i
n B ( 0 ) = n B0 e 1 = ------
- e 1
Na

V BC V BC
-----------
- 2 ------------

U ni UT
T
n B ( X B ) = n B0 e 1 = ------- e 1
Na

V BC V BC
-----------
- 2 -----------
-
U n U
T i T
p C ( 0 ) = p C0 e 1 = ----------- e 1
N dC

Dependen del dopado y de las tensiones de polarizacin
ESTUDIO ANLOGO AL CASO DEL DIODO:
10
Se resuelve la ecuacin de difusin de los portadores minoritarios

en las tres regiones (Emisor, Base, Colector).
Se considera que la intensidad es slo de difusin.
Se considera que no hay recombinacin en las regiones de

deplexin.
TENEMOS ENTONCES:
I E = I pE ( 0 ) + I nB ( 0 )
(1)
I C = I pC ( 0 ) + I nB ( X B )
Y ADEMS TENEMOS QUE I

B = IE IC .
CONSIDERAREMOS DOS CASOS:
Caso simplificado: Emisor y Colector Largos y Base corta
Caso general.
Caso simplificado:
Emisor Largo:
x
----------
-
L pE
p E ( x ) = p E ( 0 )e
I pE ( x ) = qAD pE d p E ( x )
d x
V BE
2 ------------
qAD pE n i UT
I pE ( 0 ) = ------------------- ----------- e 1
L pE N dE

(sentido del eje x,, y de la intensidad IE coinciden)
Base Corta:
11
nB ( 0 ) nB ( XB )
n B ( x ) = n B ( 0 ) ---------------------------------------------- x
XB
I nB ( x ) = qAD nB d n B ( x )
dx
V BE V BC
2 ------------ ------------
qAD nB n i UT UT
I nB ( 0 ) = I nB ( X B ) = ------------------- ------- e 1 e 1
XB Na

(sentido del eje x y de las intensidades IE e IC no coinciden)
Colector Largo:
x -
----------
L pC
p C ( x ) = p E ( 0 )e
I p C ( x ) = qAD p C d p C ( x )
d x
V BC
2 ------------
qAD pC n i UT
I pC ( 0 ) = ------------------- ----------- e 1
L pC N dC

(sentido del eje x, y de la intensidad IC no coinciden)
SUSTITUYENDO EN (1) TENEMOS:

V BE V BC
-----------
- ------------
U U
T T
I E = a 11 e 1 a 12 e 1

V BE V BC
-----------
- -----------
-
U U
T T
I C = a 21 e 1 a 22 e 1

Ecuaciones de Ebers-Moll
12
2 D nB D pE
a 11 = qAn i ---------------- + ------------------------
N a X B N dE L PE
2 D nB
a 12 = a 21 = qAn i ----------------
Na XB
2 D nB D pC
a 22 = qAn i ---------------- + ------------------------
N a X B N dC L PC
PARMETROS:
I nE I nB ( 0 ) 1
F ---------- = --------------------------------------------- = ---------------------------------------------
IE I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) D pE N aB X B
ZAD V BE 1 + ------------------------------------
------------
UT D nB N dE L pE
V BC
------------
UT
I nC I nB ( X B )
B F ---------- = ----------------------- = 1
I nE I nB ( 0 )
ZAD
I nC
1
R ------------- = --------------------------------------------- BR = 1
IC D pC N aB X B
ZAI 1 + ------------------------------------
D nB N dC L pC
Caso general: Ecuaciones de Ebers-Moll para el BJT prototipo.

V BE V BC
-----------
- ------------
U U
T T
I E = I pE ( 0 ) + I nB ( 0 ) = a 11 e 1 a 12 e 1

V BE V BC
-----------
- -----------
-
U U
T T
I C = I pC ( 0 ) + I nB ( X B ) = a 21 e 1 a 22 e 1

13
V BE
-
----------
UT
a 21 e 1

V

BE
-
----------
qAD pE XE UT
I pE ( 0 ) = ------------------- cot gh ----------- p E ( 0 ) a 11 e 1
L pE L pE

qAD nB XB XB V
----------
I nB ( 0 ) = ------------------- cot gh ----------- n p ( 0 ) cos ech ----------- n p ( X B )
L nB L L
BC
-
nB nB UT
a 12 e 1
qAD nB BX X
B
I nB ( X B ) = ------------------- cos ech ----------- n p ( 0 ) cot gh ----------- n p ( X B )
L nB L
nB L
nB
V BC
-
qAD pC X
C ----------
I pC ( 0 ) = ------------------- cot gh ----------- p C ( 0 ) U
a e T 1
L pC L
pC 22

PARMETROS PARA ZONA ACTIVA DIRECTA:

1 1
F = ------------------------------ = ------------------------------------------------------------------------
I pE ( 0 ) XB
1 + -------------------- D pE N aB L nB tgh -----------
I nB ( 0 ) L nB
V BE
------------ 1 + --------------------------------------------------------------
XE
UT
V BC D nB N dE L pE tgh -----------
------------
UT L pE
2
I nB ( X B ) XB XB
B F ----------------------- sech ----------- 1 --------------
I nB ( 0 ) L nB 2
ZAD 2L nB
I nB ( X B ) a 21
F = F B F = --------------------------------------------- = ---------
I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) a 11
V
BE
------------
UT
V BC
------------
UT
14
Circuitos Equivalentes del Modelo de EBERS-MOLL:
Versin Inyeccin
C
Transistor BJT NPN IC
-
C
C IR VBC FIF
- +
VBC IC
n +
+ IB
IB
B p B VCE B
+
n+ +
VBE
IE
- - IF VBE RIR
E
E
-
IE
E
El transistor bipolar se representa como:
dos diodos enfrentados:

V U V U
I F = I ES e BE T 1 I R = I CS e BC T 1

y dos fuentes de intensidad controladas por intensidad:

En AD, no todos los e- emitidos por E ( I F ) llegan a C; los que
llegan generan una intensidad F I F .
En AI, no todos los e- emitidos por C ( I R ) llegan a E ; los que
llegan generan una intensidad R I R .
15
Se tiene que:
IE = IF R IR IC = F IF IR IB = IE IC
V U V U Ecuaciones de
I E = I ES e BE T 1 R I CS e BC T 1
Ebers-Moll
V U V U
I C = F I ES e BE T 1 I CS e BC T 1

Relaciones entre constantes:

a 11 = I ES
a 12 = R I CS Parmetros: IES, ICS, F, R
a 21 = F I ES
a 22 = I CS
F 0.99 I ES 10 15 A
R 0.66 I CS 10 15 A
E
Transistor BJT PNP IE
+
E
E IF VEB RIR
+ +
VEB IE
p+ -
- IB
IB
B n B VEC B
-
p -
VCB
IC
+ - IR VCB FIF
C
C
+
IC
C
Cambiando el signo de las tensiones y el sentido de las intensidades,
las relaciones de Ebers-Moll siguen siendo vlidas para el BJT pnp.
16
Versin Transporte
C
-
F I ES = R I CS = I S I EC
-------- VBC ICC
R
V U
I CC = I S e BE T 1
+
IB
B
V U
I EC = I S e BC T 1 +

I CC
-------- VBE
F IEC
-
Parmetros: IS, F, R IE
E
Versin Hbrida en :
C
-
I EC
--------
R VBC
I CT = I CC I EC
IB
V U V U B + ICT
I CT = I S e BE T e BC T

I CC
-------- VBE
F
Parmetros: IS, F, R -
IE
E
17
Las ecuaciones de Ebers-Moll, aunque compactas, son demasiado

complejas para el anlisis manual de circuitos con BJTs. Se pueden
deducir modelos ms simples si se conoce el punto de operacin del
transistor Simplificacin del modelo de Ebers-Moll
El modelo depende de la regin en la que se est operando el BJT:
IS V U
I B = ------ ( e BE T 1 )
F
B C B C
+
VBE I VBE(on) I
FB FB
-
E E
ACTIVA DIRECTA ACTIVA DIRECTA: Simplificado
B C B C
VBE(sat) VCE(sat)
I < F IB
C
E E
SATURACIN DIRECTA CORTE
Activa Directa: V BE V BE ( on ) V BC < V BC ( on )

La diferencia de potencial VBE es prcticamente constante
V BE ( on ) 0.6V 0.75V
Se cumple que I C = F I B
Saturacin Directa: V BE V BE ( on ) V BC V BC ( on ) V BE V BC
La diferencia de potencial VBE es prcticamente constante
V BE ( sat ) 0.8V
La diferencia de potencial V CE es prcticamente constante
V CE ( sat ) 0.1V 0.2V
Se cumple que I C < F I B
Corte: V BE < V BE ( on ) V BC < V BC ( on )

Todas las corrientes son 0 I C = I E = I B 0
18
GRFICAS I-V IDEALES (CARACTERSTICA DE SALIDA):

PRIMER CUADRANTE: IC >0 Y VCE>0 TERCER CUADRANTE: IC <0 Y VCE<0
15 0.00 IB = 25A
VBC=0
SAT. ZAD IB = 50A
DIRECTA IB = 100A IB = 75A
10 IB = 100A
IC (mA)
IC (mA)
IB = 75A
-0.25
IB = 50A
5
SAT.
IB = 25A ZAI
INVERSA
0 -0.50
0 1 2 3 -3 -2 -1 0
VCE (V) VCE (V)
CARACTERSTICA DE SALIDA DE UN TRANSISTOR NPN A EMISOR COMN:
IC
VBC = 0
SATURACIN
DIRECTA
ACTIVA IB
DIRECTA
CORTE
IB = 0
VCE
IB = 0
CORTE
IB
ACTIVA
INVERSA
SATURACIN
INVERSA
VBE = 0
19
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden
RESISTENCIAS PARSITAS (CADAS HMICAS EN LAS REGIONES NEUTRAS):

E B C
R E n+ p+ n+
rE RB p
p+ R C3 n-epitaxial
R C1 p+
R C2 capa enterrada n+
substrato p
Resistencias parsitas asociadas a las regiones semiconductoras.

La resistencia ms importante es la de colector. sta puede disminu-
irse profundizando la capa n+ que forma C (colector profundo).
RE ~ 10 RB ~ 50 500
RC ~ 20 (con colector profundo) 1k (normal)
C,
INFLUENCIA DE RC:
Modelo Ideal
RC IC RC = 0
RB
B, MODELO
EBERS-MOLL Modelo Real
RC 0
RE
E,
VCE
E,,C,,B,:TERMINALES EXTERNOS Afecta fundamentalmente a la regin de saturacin:
V CE ( sat ) Real
> V CE ( sat ) Ideal
10-0
VCE = 3V IC
ln(IC,IB ) (A)
INFLUENCIA DE RB Y RE: IB
Aunque RE sea pequea la influencia 10-5 IBRB+IERE
F
es equivalente a (F + 1)RE ya que
IE = (F + 1)IB
10-10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VBE (V)
20
TENSIN EARLY (MODULACIN DE ANCHURA DE BASE):

IC V BE4
SAT. ZAD V BE3
DIRECTA
V BE2
V BE1
V AF V CE
Aparece cuado una de las uniones esta inversamente polarizada (ZAD

ZAI).
El modelo simplificado supone que I C f ( V CE ) en ZAD.
xB
XB disminuye si VCE aumenta
+ p n
n
IE IC
Disminucin de XB
E C
Aumento de IC
VBE Emisor Base Colector
VBC
IB
B
Sin embargo, un aumento de V CE aumento de la regin de empo-

brecimiento en la unin B-C disminucin de la anchura XB
aumento de la intensidad de colector.
Si se extrapolan las caracterstica I C V CE en AD todas cortan en un

mismo punto del eje V CE llamado tensin Early ( V AF 15V 100V ).
V CE VBE uT
I C = I S 1 + --------- e
V AF
Similar en ZAI.
21
VARIACIONES DE :
ln(I )
Alta inyeccin
ZAD
IKF
IC
1
F -------
U
T
IB
VBE
Recombinacin
Recombinacin: Aumento de I B debido a la recombinacin de porta-

dores en la regin de deplexin de la unin B-E. Existe siempre, pero
se manifiesta para valores pequeos de la tensin VBE.
Alta inyeccin: La intensidad de difusin de h+ de B-E no es despre-
ciable empeora el rendimiento del dispositivo y disminuye I C .
Para modelar la alta inyeccin se pasa de un coeficiente de inyeccin
n de 1 a 2 a partir de la corriente de codo IKF :
I C = I S e VBE ( nUT ) n2 si I C > I KF
22
Modelo de Gummel-Poon
(incluye el modelo de Ebers-Moll ms efectos de 2 orden)
C
(1) Modela Cadas hmicas
(2)Modela Recombinacin (1) RC
IC
V BC
--------------- -
n U (2)
C T
I SC e 1 I EC
--------
R VBC

(1) IB
B + ICT=ICC-IEC
RB
V BE
(2)
--------------- I CC
n U -------- VBE
E T F
I SE e 1

-

IE
Modelo (1) RE
Ebers-Moll
E
ln(I )
1
-------
UT
ZAD
IC
1
F -------
UT
IB
IS
1
ISE ---------------
nE U
T
VBE
nE 2
Recombinacin
23
El Efecto Early y de Alta Inyeccin se incluyen en el modelo a

travs de ICC e IEC:
V BE V BC
-----------
- -----------
-
IS UT IS UT

I CC = ------ e 1
I EC = ------ e 1
qb qb

2
q1 q 1 + 4q 2
q b = ------ ----------------------
2 2
Efecto Early:
V BE V BC
q 1 = 1 + ------------ + ------------
V AR V AF
Alta Inyeccin:
V BE V BC
-----------
- ------------
IS UT IS UT

q 2 = ---------- e
1 + ---------- e 1
I KF I
KR

SITUACIONES EXTREMAS EN ZAD:
Slo Efecto Early y Baja Inyeccin: q "" y q q :

2 b 1
V BE V BE
-----------
- ------------
IS UT UT V BC
IC I ---------------------
- e
1 IS e 1 ------------
CC V BC V AF
1 + ------------
V AF
I C IC
= ------------
V CB V AF
24
V BE
------------
I S 2U T
Slo Alta Inyeccin: q 2 q 1 y q b q 2 ----------e :
I KF
V BE
-----------
-
2U
T
IC I I S I KF e 1
CC

ln(IC )
Alta inyeccin
ZAD 1
-----------
I KF 2 UT
1
IC -------
UT
I S I KF
IS
VBE
Las asntotas de Baja y Alta Inyeccin en Modo Activo Directo

se cortan en IKF.
25
TENSIONES DE RUPTURA:
El efecto es similar al descrito para un diodo.
Cuando se polariza en inversa una unin p-n de un transistor BJT con

una diferencia de potencial grande, llega un momento en que la unin
empieza a conducir, bien por efecto avalancha o por efecto Zener.
BVEB0 ~ -6V -8V Tensin de ruptura de la unin B-E
BVCB0 ~ 200V Tensin de ruptura de la unin B-C
BVCE0 ~ 70V -100 V Tensin de ruptura C-E
IC
VBC = 0
SATURACIN
DIRECTA
ACTIVA IB
DIRECTA
IB=0
BVCE0
VCE
LIMITACIONES DE POTENCIA:
Podemos considerar el BJT como una bipuerta a Emisor comn:
IB Ic
Potencia=IBVBE+ICVCE
Bipuerta
B + + C
ZAD
VBE VCE
- - Potencia~ICVCE
La potencia debe ser menor que un cierto valor dado por los fabricantes.
Pmax
IC
VBC = 0
SATURACIN
DIRECTA
ACTIVA IB
Zona Prohibida
DIRECTA
VCE
26
El transistor bipolar: Comportamiento dinmico
MODELO DINMICO DEL BJT:

QBC
C
CBC
Modelo
B Esttico
QBE

CBE E
Es similar al caso del diodo, pero ahora existen tres uniones p-n.
El almacenamiento de carga en un BJT se modela introduciendo dos

condensadores no lineales:
dQ BC dQ BE
C BC = C BE =
d V BC d V BE
Cada uno de estos dos condensadores tiene dos componentes.
Unin Base (p+) -Emisor (n+):

Asociada a la variacin de la carga de minoritarios en exceso en
la regin neutra de B en directa ( Q F ) Capacidad de difusin
Cargas almacenadas en las regiones neutras: Q F = Q nB + Q pE .
XB X
Q nB = qA n B ( x ) dx y Q pE = qA p E ( x ) dx .
0 0
Sea cual sea la relacin con x (corta o larga):

V BE
-----------
-
U
T
Q F = F I CC = F I s e 1 .

Asociada a la variacin de la carga en la regin de deplexin de
27
V BE V BE
----------
- ----------
-
U U
T
p E0 e 1
n B0 e T
1
Caso 1: VBE>0; VBC=0

Base
Emisor Largo Corta Colector
+ p n
n
IE nB ( x ) IC
p E ( x )
n B0
E p E0 C
x,, 0,, 0 XB 0, x,
IB
VBE B
la unin Capacidad de unin

Capacidad total CBE:
dQ F F IS C je0
- + C be = ---------- e VBE u T + -----------------------------------------
C BE = ------------ -
dV BE UT ( 1 V V ) me BE bi e
Unin Base (p+) -Colector (n+):

Asociada a la variacin de la carga de minoritarios en exceso en
la regin neutra de B en inversa ( Q R ) Capacidad de difusin
V BC
-----------
U
T
n B0 e 1 V BC
-----------
U
T
p C0 e 1 Caso 2: VBE=0; VBC>0

Base
Emisor Largo Corta Colector Largo
n+ p n
IE nB ( x ) IC
p C ( x )
n B0
E p C0 C
x,, 0,, 0 XB 0, x,
IB
B VBC
28
Cargas almacenadas en las regiones neutras: Q R = Q nB + Q pC .
0 X
Q nB = qA n ( x ) dx
B
y Q
pC
= qA p ( x ) dx
C
.
XB 0
Sea cual sea la relacin con x (corta o larga):

V BC
-----------
-
U
T
Q = I = I e 1 .
R R EC R s

Asociada a la variacin de la carga en la regin de deplexin de

la unin Capacidad de unin
Capacidad total CBC:
dQ R R IS C jc0
- + C bc = ---------- e VBC u T + -----------------------------------------
C BC = ------------ -
dV BC uT ( 1 V V ) mc BC bi c
Unin Colector (n+) -Sustrato (p ):
E B C
n p n+
Sustrato p
Para los BJT integrados puede incluirse el condensador unin

entre colector y sustrato Capacidad de unin
29
El transistor bipolar: Modelos en Pequea Seal
C js0
C CS = -----------------------------------------
( 1 V SC V bi s ) ms
C
C bc
QR C cs
MODELO CAPACITIVO DEL BJT
B
QF
C be
MODELOS LINEALIZADOS ALREDEDOR DE UN PUNTO DE OPERACIN:

SUPONGAMOS TRANSISTOR FUNCIONANDO EN ZAD V BE > 0, V BC < 0 .
PARTIMOS DE UN MODELO EN GRAN SEAL ESTTICO.

BAJA INYECCIN, SIN EFECTO EARLY, SIN RECOMBINACIN EN ZONA
DE DEPLEXIN... => ECUACIONES DE EBERS-MOLL SIN EFECTOS DE
SEGUNDO ORDEN.
SUPONGAMOS UNA COMPONENTE EN PEQUEA SEAL:

V BE = V BE + v BE .
Q
NUESTRO OBJETIVO ES DESARROLLAR RELACIONES ENTRE i b E i c EN

FUNCIN DE v BE .
30
C I C = f 1 ( V BE ) = I C + ic
BJT NPN - +
VBC IC Q
+
IB I B = f 2 ( V BE ) = I B + ib
B VCE Q
+
VBE+vbe DESARROLLO EN SERIE DE TAYLOR.

IE
- - Se modelan como Fuentes Controladas
E
df 1 df 2
ic = v be ib = v be
d V BE d V BE
Q Q
Modelo en Pequea Seal para ib e ic:

ib ic C
B +
vbe gmvbe
g
ie
E
DEFINICIONES:
df 1
Transconductacia del BJT: g m = .
d V BE
Q
31
df 2
Conductacia de entrada del BJT: g = .
d V BE
Q
Parmetros en funcin del Punto de Operacin:

V BE
------------
UT
En ZAD y segn las ecuaciones de Ebers-Moll: f ( V
1 BE ) I S e .
V BE
------------
IC UT
df 1 Q IS e
gm = = ------------ = --------------------- .
d V BE UT UT
Q
mA
Si I C 1mA g m = 38 --------- .
Q V
Tipico
V BE
------------
IS UT
En ZAD y segn las ecuaciones de Ebers-Moll: f 2 ( V BE ) ------- e .
F
V BE
------------
IB UT
df 2 Q IS e gm
g = = ------------ = --------------------- = ------- .
d V BE UT F U F
Q T
1 F
r = ------ = ------- r 2.6K .
g gm Tipico
Parmetros considerando Efectos de Segundo Orden:
Recombinacin y Alta Inyeccin:

IC
Hecho: Ganancia en Intensidad ------ cte => F cte .
IB
Nueva Conductacia de entrada:
dI B dI B dI C 1
g = = = ------ g m .
d V BE d IC d V BE 0
Q Q Q
32
dI C
.
0 = dI
B
Q
<
F.
0
en el caso de baja inyeccin y no recombinacin.
0 F
Parmetros h dado por los fabricantes:
dI C
h fe = 0 = h FE = F
dI B
Q
Efecto Early:
V BE
------------
UT V CE
Hecho: I C = f ( V CE ) => ZAD I C I S e 1 + ------------ ..
V AF
Nuevos componentes:
ib ic C
B +
vbe gvce gmvbe

g g
-
ie
dI dI
C B
g = g = .
o d V CE d V CE
Q Q
33
V BE
------------
UT IC
dI
C IS e Q
ZAD => g o = --------------------- ------------ .
d V CE V AF V AF
Q
No solucin analtica para g , habra que obtener la

expresin IB = f ( VCE ) o IB = f ( X B ) .
RESUMEN DE COMPONENTES EN PEQUEA SEAL:
gm g0 En general:
g = ------- g = ------
0 0 gm > g > g0 > g
IC IC
Q Q
g 0 = ------------ g m = ------------ g 0
V AF UT
MODELO DINMICO EN PEQUEA SEAL DEL BJT:
34
Circuito Hbrido en se le aade los condensadores

en el Punto de Operacin... ZAD
V BE V BE
-----------
- ------------
U UT
T = I Condensador Difusin
QF F Is e
= Q F0 e
F C

dQ F
Cb = = F gm
d V BE

Q

C je, C jc, C CS Condensadores Unin
C = C jc V BC
Q
ib ic C
B C je V BE

Q
1 1
------ ------
Cb = F gm g g m v be g0
ie
C CS V CS

Q
C = C b + C je V BE E

Q
35

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Electrnica TEMA 4: Transistor Bipolar

Introduccin: Definiciones y smbolos

El transistor bipolar real Efectos de 2o orden

El transistor bipolar: Introduccin

BJT: Bipolar Junction Transistor

Dispositivo de 3 terminales con dos uniones p-n enfrentadas entre s.

Convenio de intensidades y tensiones

El transistor bipolar: Introduccin

El transistor BJT puede funcionar en 4 modos diferentes dependiendo

Polarizacin unin B-E Polarizacin unin B-C Modo de Operacin

npn VBC Anlogamente pero

Corte: No fluye corriente por ninguno de los terminales.

El transistor bipolar: Introduccin

La relacin entre corriente y tensin en B es exponencial permite

El transistor bipolar: Introduccin

1 5m 1 0.1 m 5 10m VBC

Tipicamente, la Base ser de longitud muy corta (~1-0.1m).

La regin del Colector la ms ancha (~5-10m).

La regin de Emisor la ms dopada (~1018at/cm3).

El transistor bipolar: Estudio Cualitativo

ZONA ACTIVA DIRECTA V BE > 0, V BC < 0 :

FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR.

UNIN BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MAYORI-

UNIN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MINORI-

BASE ESTRECHA: LOS PORTADORES PRCTICAMENTE NO SE RECOMBINAN CUANDO LA

EL FLUJO MS IMPORTANTE EST CONSTITUIDO DE e- QUE VAN DEL EMISOR (EMITE) AL

Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:

El transistor bipolar: Estudio Cualitativo

Coeficiente de transporte y Coeficiente de eficiencia:

Ganancia de intensidad del Colector a la Base: F :

ZONA DE SATURACIN V BE > 0, V BC > 0 :

AMBAS UNIONES POLARIZADAS EN DIRECTA.

PROPIEDAD IMPORTANTE: AMBAS UNIONES DIRECTAMENTE POLARIZADAS, ENTONCES

PEQUEO (~ UN CORTOCIRCUITO ENTRE SUS EXTREMOS C Y E).

El transistor bipolar: Estudio Cualitativo

ZONA DE CORTE V BE < 0, V BC < 0 :

AMBAS UNIONES INVERSAMENTE POLARIZADAS => INTENSIDADES MUY PEQUEAS EN

NICA ZONA DONDE IB < 0.

ZONA ACTIVA INVERSA V BE < 0, V BC > 0 :

ANLOGA A LA ZONA ACTIVA DIRECTA SLO QUE INTERCAMBIANDO LOS PAPELES DE

Ganancia de intensidad del Emisor al Colector:

Ganancia de intensidad del Emisor a la Base: R

ESTOS COEFICIENTES RESULTAN DIFERENTES QUE F

El transistor bipolar: Comportamiento esttico

ECUACIONES DE EBERS-MOLL A PARTIR DE LAS

VBE Emisor Base Colector

SUPOSICIONES PARA EL ANLISIS:

Estudio monodimensional del transistor prototipo.

Se divide el BJT en regiones de deplexin y regiones neutras.

No hay cada de tensin en regiones neutras.

No hay recombinacin en regiones de deplexin.

Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula.

El transistor bipolar: Comportamiento esttico

Emisor Base Colector

El transistor bipolar: Comportamiento esttico

Se resuelve la ecuacin de difusin de los portadores minoritarios

Se considera que la intensidad es slo de difusin.

Se considera que no hay recombinacin en las regiones de

Y ADEMS TENEMOS QUE I

Caso simplificado: Emisor y Colector Largos y Base corta

(sentido del eje x,, y de la intensidad IE coinciden)

(sentido del eje x y de las intensidades IE e IC no coinciden)

(sentido del eje x, y de la intensidad IC no coinciden)