UNIDAD DE MEMORIA

Prof. Alfredo G. Rivamar

 Computadora digital: organizacin
Unidad de Memoria:
tendr a su cargo el
DESDE PERIFRICOS
UNIDAD LGICA
Y ARITMTICA
HACIA PERIFRICOS almacenamiento ordenado
de toda la informacin que
UNIDAD DE
ENTRADA
UNIDAD DE
MEMORIA
UNIDAD DE
SALIDA debe manejar la mquina,
recordando que
denominamos informacin
UNIDAD DE
CONTROL

tanto a los datos como a las

instrucciones del programa.
DESDE CONSOLA

DATOS E INSTRUCCIONES
MANDOS

Tambin es funcin de la
INSTRUCCIONES SOLAMENTE

COMANDOS

memoria, la bsqueda y
entrega de la informacin a
la unidad que lo solicite.
 Memoria. Esquema simplificado
DESDE U.L.A. HACIA U.L.A. Registro de direccin:
O U. ENTRADA O U. SALIDA almacena la direccin,
o sea el rtulo o alguna
O U. CONTROL
ESCRITURA LECTURA
caracterstica que
permite individualizar
DESDE
DESDE
cada una de las
posiciones o lugares
UNIDAD
UNIDAD
DE ALMACN
CONTROL DE
CONTROL
del almacn donde se
guarda una
informacin.
Sistema que se
DECODIFICADOR DE DIRECCIONES
encarga de interpretar,
o decodificar esta
REGISTRO DE DIRECCIONES direccin.
DATOS Almacn.
COMANDOS
DESDE UNIDAD DE
CONTROL
Circuitos de lectura y
escritura.
 Definiciones particulares I
En general damos el nombre de memoria a todo dispositivo capaz
de almacenar informacin, pero debemos hacer la distincin entre
la memoria de trabajo o interna o verdadera unidad de memoria
de la mquina, y los soportes externos o memorias de masa o
almacenes de la informacin, desde donde la misma es tomada por
la computadora para llevarla a su memoria de trabajo.
Punto de memoria: la celda capaz de almacenar un bit, o sea a la
mnima unidad de almacenamiento que puede existir. Tambin se la
conoce como celda de bit.
Celda de memoria: posicin de memoria, y es el grupo de celdas
de bit capaces de almacenar una palabra.
Palabra: tira de bits de una longitud prefijada, que puede manejar
la mquina como entidad nica. En general corresponde a la
longitud, medida en bits, de los registros de la unidad aritmtica y
lgica.
 Definiciones particulares II
Direccin de memoria: rtulo que permite identificar a cada una
de las celdas o posiciones de memoria, y est formado
generalmente por una lista de bits que representan un cdigo
hexadecimal.
Direccionamiento: el procedimiento por el cual es posible ubicar
las posiciones de memoria para efectuar su lectura o su escritura.
Lectura: el efecto de transferir el contenido de una celda de
memoria a un registro cualquiera de la mquina, generalmente el
registro de salida de la memoria.
Escritura: el proceso inverso, o sea el de almacenar una
informacin en una celda.
Tanto para la lectura como para la escritura es necesario primero
direccionar la celda y luego de ubicada la misma, producir la
transferencia de la informacin en el sentido deseado.
 Definiciones particulares III
Acceso a memoria: el proceso genrico de lectura/escritura en
memoria.
Tiempo de acceso: tiempo para efectuar una lectura o una
escritura en memoria. En el primer caso ser conocido como tiempo
de lectura y en el segundo, el tiempo de escritura, pudiendo no ser
ambos iguales. Por tanto, para no citarlos independientemente, se
acostumbra a definir el tiempo de acceso, como el promedio de
ambos.

ta = (tl + te)
Donde:

ta = tiempo de acceso.
tl = tiempo de lectura.
te = tiempo de escritura.
 Definiciones particulares IV
Ciclo de memoria: cada vez que se produce un acceso a memoria,
se desarrolla el llamado ciclo de memoria, que parte de la orden de
efectuar el proceso, hasta que el mismo ha sido completado.
1 2 3 4

orden comienzo direccion comienzo fin

busqueda encontrada transferencia
LATENCIA

Latencia (1): a partir del momento que se aplica, desde la unidad

de control, la seal de efectuar una bsqueda, hay un breve retardo
debido tanto a los tiempos de transmisin de los circuitos, como a
las demoras introducidas por el acomodamiento de los mismos al
estado necesario. Solo despus de ste breve lapso, comienza
efectivamente la bsqueda del lugar donde est guardada la
informacin (la posicin de memoria que debe ser accedida).
 Definiciones particulares V
Tiempo de bsqueda (2): tiempo entre el comienzo efectivo de la
bsqueda y el encuentro de la direccin de memoria.
Tiempo de lectura o escritura(3): tiempo de lectura o escritura.
Procedimiento de lectura o escritura.
Tiempo de transferencia(4): tiempo en realizar la transferencia al
registro de destino desde el registro fuente. Procedimiento de
transferencia.

Factores de los que depende la latencia: el principal de ellos es del

tipo de memoria. Si es de acceso aleatorio, la latencia no existe, si
es de cinta magntica, la latencia media puede llegar a valer tanto
como la mitad del tiempo total de lectura de toda la cinta, si es de
un disco, se trata de disponer la cabeza en la pista indicada y luego
 Dimensiones de las memorias
Capacidad: la cantidad de informacin que puede almacena. Se
mide en bits, bytes o palabras, y por supuesto mediante algn
mltiplo kilo, mega o giga. Ejemplo: 64 Megabytes.
Caudal: la cantidad de informacin que puede transferir por unidad
de tiempo, medida en bits o bytes. Ejemplo: 134
Gigabytes/segundo.

Densidad: puede ser lineal, superficial o volumtrica, y permite

determinar la cantidad de informacin, en bits o bytes que puede
ser almacenada por unidad de longitud, de superficie, o de
volumen. Ejemplo: 82 bits/cm, 300 Kilobytes/cm2 , 250
Megabytes/cm3.
Son tres dimensiones bsicas que permiten la comparacin y la
medicin de la performance de las memorias.
 Rendimiento de las memorias
Tiempo medio de acceso a memoria: una medida del rendimiento
de la misma. Tiene en cuenta los posibles errores que se producen
en los procedimientos, tanto de direccionamiento como de
transferencia de informacin.
Tiempo medio de acceso = Tiempo de acierto + (Frecuencia de falla
x Demora por falla)
Tiempo de acierto: tiempo necesario para un acceso correcto.
Frecuencia de fallas: la cantidad de veces por unidad de tiempo,
que ocurre una falla de acceso.
Demora por falla: el tiempo necesario para buscar la informacin
en otro bloque de memoria o en el almacn externo, y que se debe
agregar cuando el dato no se encuentra en la memoria principal.
 Clasificacin de las memorias I
1. Memoria central y almacn externo o memoria perifrica:

Memoria central (memoria interna): utilizada exclusivamente

para el almacenamiento de programas y datos que se estn
ejecutando en ese momento.

Memoria perifrica (memoria externa o memoria de

masa): almacena tambin programas y datos, pero que no
estn en ejecucin. Para su utilizacin, la unidad de control
deber proceder a transferirlos a la memoria central.
 Clasificacin de las memorias II
2. Por jerarqua:
Jerarqua de memoria: el grado de proximidad de la misma con
respecto a la unidad aritmtica y lgica. La mayor jerarqua
corresponde a los registros ubicados en sta, y la menor a los
almacenes externos.
Ancho de banda: la capacidad de transferencia de informacin.
En una PC, el ancho de banda de la unidad lgica y aritmtica es
el mayor de todos, debido al caudal de informacin que puede
manejar en la unidad de tiempo, siguiendo en orden de mritos
la memoria central y luego los perifricos.
Ventaja de utilizar un sistema de memoria jerrquico: tiende al
equilibrado de los anchos de banda
 REGISTROS

MEMORIA CACHE

D
I DA

CA
MEMORIA CENTRAL
OC

PA
CID
VEL

ALMACEN EXTERNO
CACHE DE DISCO

AD
DISCO MAGNTICO

CINTA MAGNTICA DISCO PTICO

A mayor jerarqua corresponde una menor capacidad y una mayor velocidad de

transferencia. En general la memoria CACH es del tipo SRAM o sea RAM
esttica, la CENTRAL y CACH DE DISCO tipo RAM dinmicas, aunque
actualmente se tiende a la utilizacin total de RAM estticas.
 Memoria Cach
Memoria intermedia entre la memoria central y la unidad de
clculo, utilizada para almacenar la informacin de prxima
utilizacin. Normalmente la transferencia de la cach a las
unidades de control y de clculo, es por palabras, mientras que
entre la memoria central y la cach lo es por bloques o
conjuntos de palabras.

A veces tambin se emplea una cach para el disco, la cual se

ubica entre la memoria central y los discos magnticos, pticos y
cinta magntica, cuya finalidad es la de permitir efectuar
transferencias en modo multiprocesamiento, o sea solapando
con otras funciones de la UCP.
 La memoria cach es utilizada para tener una velocidad de
acceso cercana a la de las mas veloces actualmente obtenibles,
al mismo tiempo que ayuda a tener una gran capacidad de
almacenamiento, a un precio correspondiente al de las mas
econmicas de las memorias de semiconductor.
Hay una memoria central relativamente grande, de velocidad no
muy elevada y precio bajo, conectada a la UCP mediante una
memoria cach, que es de pequea capacidad, y de muy alta
velocidad de acceso. Esta cach contiene la copia de parte de la
memoria central.
Se comporta como memoria central, an cuando su tamao es
relativamente chico, y el aumento de la velocidad se logra por la
magnitud de la transferencia, que entre cach y UPC es de
palabras, mientras que la cach se carga, desde la memoria
central, con bloques, cuyo tamao es de varias palabras.
 Cuando la UCP quiere hacer una lectura, primero verifica si la
palabra se encuentra efectivamente en la cach, si as ocurre, la
misma es inmediatamente entregada. En caso contrario se debe
cargar un bloque desde la memoria central y luego entregar la
palabra buscada.
En consecuencia, debe asegurarse que haya siempre una
porcin de programa en cada bloque, para que una vez ubicada
la palabra buscada, las dems a buscar sucesivamente tengan
gran probabilidad de ser encontradas dentro del mismo.
Cuando se introdujo el uso de la cach, el sistema tpico posea
una sola, sin embargo, actualmente es normal el uso de varias
de ellas. Los aspectos para el diseo, deben considerar la
cantidad de niveles de caches y al uso unificado o distribuido de
las mismas.
En un principio, se utiliz una sola cach para todos los usos, en
la actualidad se prefiere utilizar una cach dividida en dos
partes, una para los datos y otra para las instrucciones.
 Clasificacin de las memorias III
3. Por el tipo de acceso a la informacin almacenada:
Secuenciales: cuando la lectura se realiza recorriendo todas las
posiciones en forma secuencial, tal como sucede en las cintas
magnticas.
Cclicas: cuando la informacin es accesible en intervalos
regulares de tiempo, tal como en los discos magnticos.
Coordenadas: en este caso el acceso es independiente de cada
una de las posiciones, un sistema de direccionamiento por
coordenadas. Se encuentra en este caso las memorias RAM,
tanto estticas como dinmicas y las de ncleos magnticos.
 Clasificacin de las memorias IV
4. Por su funcionamiento (por la forma en que se mantiene la
informacin en sus celdas):
Estticas: cuando no es necesario ningn tipo de movimiento, ni
de cargas elctricas, ni de campos magnticos, tal como ocurre
en las memorias SRAM, en las ROM o en las de ncleos
magnticos.
Dinmicas: cuando es necesario el continuo refresco para
reponer cargas perdidas, tal como en las DRAM o RAM
dinmicas.
 Clasificacin de las memorias V
5. Por la permanencia de la informacin:
Voltiles: cuando la informacin almacenada se pierde al cabo
de cierto tiempo. Por ejemplo las DRAM.
No voltiles: cuando la informacin perdura indefinidamente, o
por lo menos un tiempo muy largo, tal como en los discos
magnticos.
 Clasificacin de las memorias VI
6. Por forma de lectura:
De lectura destructiva: cuando es necesario modificar la
informacin almacenada para leerla, tal como ocurre en los
sistemas de ncleos magnticos o en las DRAM.
De lectura NO destructiva: cuando no es necesario alterar su
contenido para leerlo, por ejemplo en los discos magnticos o
en las SRAM.
 Parmetros de las memorias
Tipo de Tipo de Tiempo de
Tecnologa Tamao Caudal
Memoria acceso acceso
RAM de 128 - 512 Depende
Cach Aleatorio <10 ns
semiconductor KB reloj central
Memoria RAM de 4 - 1.000 Depende
Aleatorio <50 ns
Principal semiconductor MB reloj central
Disco
Disco Rgido > 100 GB Cclico <10 ms 10 MB/seg
Magntico
Disco
CD-ROM 1 GB Secuencial 300 ms 600 KB/seg
ptico
Cinta Varios
Cinta Varios GB Secuencial 10 MB/min
Magntica segundos
 Memorias de semiconductor
Por su funcionamiento, existen dos tipos de almacenes de
semiconductor, los de lectura exclusiva o ROM (Read Only
Memory) y los de lectura y escritura, genricamente
denominados RAM (Random Access Memory o Memoria de
Acceso Aleatorio), aunque en algunos casos no responden a este
esquema.
ROM:
ROM
PROM (ROM Programable)
EPROM (PROM borrable y reescribible)
EAROM (ROM elctricamente alterable)
RAM:
DRAM (RAM Dinmicas)
SRAM (RAM Estticas)
 Tipo de
Alterable Voltil Caractersticas / Aplicaciones
memoria
ROM NO NO Almacenar programas especficos que se
deben realizar siempre por un instrumento o
computadora, por ejemplo los programas de
arranque, o datos de puesta a punto,
condiciones iniciales o de prueba.
PROM NO NO Cuando se necesita un programa fijo para
construir un prototipo, porque en caso de
fabricar gran cantidad de unidades, es ms
econmico solicitar las ROM a fbrica.
EPROM SI NO Variante de las PROM que permite su borrado
(Erasable PROM o PROM borrable), tambin
conocidas como REPROM (Reprogrammable
PROM o PROM reprogramable), dado que
permiten su total blanqueado para luego ser
programadas nuevamente.

El borrado se realiza mediante iluminacin con

luz ultravioleta generalmente de 2.573
Angstrom de longitud de onda, con una
energa de 12,5 w/cm2.seg, durante 30
minutos aproximadamente.
 Tipo de
Alterable Voltil Caractersticas / Aplicaciones
memoria
RAM dinmica SI (lectura / SI Es necesario refrescar la informacin contenida
(DRAM:Dinamic escritura) cada cierto tiempo, por cuanto el almacn
RAM) consiste en un capacitor, fsico o distribuido, o
sea integrado en el chip o la capacidad
equivalente de una juntura PN, que es cargado
para indicar el dgito binario, y dado que en el
tiempo el capacitor se descarga, es necesario
volver a recargarlo. Su estructura es muy
simple, pero se necesita un sistema de
refresco. Son las ms utilizadas actualmente
porque son muy compactas y de bajo costo.
RAM esttica SI (L/E) SI Los avances de la integracin en gran escala, la
disminucin de los precios y su practicidad,
han hecho que estas sean las memorias
preferidas para su uso como memoria principal
de una mquina.
Su utilizacin es fundamentalmente en
memorias cach o en toda aplicacin donde
haga falta una elevada velocidad de acceso y
grandes caudales de transferencia.
 Operacin de las celdas de memoria
A cada una de las celdas llegan tres lneas: la de seleccin, la de
control, y la de datos.
Control Control

Seleccin Datos Seleccin Datos

CELDA CELDA

a) Escritura b) Lectura

Lnea de seleccin: procede del decodificador de direcciones: Se

encarga de habilitar la celda para ejecutar la operacin indicada
por la lnea de control. Evidentemente, la lnea de datos es la
que llevar o traer la informacin binaria.
 Decodificador de direcciones
Sistema combinacional con n entradas y un nmero de salidas
<= 2n
Al aparecer una combinacin binaria en sus entradas, se activa
una sola de sus salidas.
Ejemplo: decodificador de 2 variables de entrada y 4 salidas.
b a S0 S10 S2 S3
0 0 1 0 0 0 S0 = b . a
0 1 0 1 0 0
1 0 0 0 1 0 S1 = b . a

1 1 0 0 0 1 S2 = b . a

a S0 S3 = b . a
S1
b
S2
S3
 Organizacin memorias en una PC
Coexisten tres tipos de memorias: central (ROMs y DRAMs), y la
cach (normalmente es una SRAM).
ROM: guarda la BIOS (sistema de arranque de la PC).
SRAM de bajo consumo: adosada a la ROM e implementada
mediante CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor, o
Semiconductor de Metal y Oxido Complementario), mantenida
por una pequea batera recargable, que es la que guarda la o
las configuraciones particulares, parte de las cuales son
opcionales para el usuario.
DRAM: actualmente del tipo DIMM (Dual In-Line Memory
Module o Mdulo de memoria doble en lnea): Capacidad de
direccionar 64 bits.
 Memorias externas
Todos los almacenes conectados a la mquina a travs de la
interface de E/S. Dicho de otra manera, las memorias externas
son perifricos conectados a la computadora.
En la actualidad se utilizan para ste propsito solamente
sistemas magnticos y pticos.
1. Almacenes magnticos:
Disco magntico: en desuso.
Disco rgido: cada disco est formado por un soporte rgido,
generalmente de aluminio aleado con sustancias que lo
endurecen, sobre el cual se deposita una mezcla finamente
pulverizada de xidos de hierro, cromo y nquel, conjuntamente
con aglomerantes plsticos. Finalmente se realiza un delgado
depsito de un material resistente a la abrasin, para proteger al
material magntico.
 Disco rgido
Los discos se agrupan
formando el llamado pack, o
pila, de varios de ellos, que
giran solidarios a un eje:

Formato: la divisin en
pistas y sectores de
cada cara del disco.
Formateo: la
operacin para realizar
el formato de un disco.
 Esquema de formateo del disco
En cada sector fsico
hay 17 bits de
separacin entre
grabaciones, un
campo para
identificacin del
contenido, un byte
de sincronismo, el
nmero de pista, de
cabeza (0 y 1) y
nmero de sector.

Adems se incluye el CRC, o control de redundancia cclica que sirve para

control de la grabacin, tal como el bit de paridad. Luego hay un gap o espacio
en blanco, y el campo de datos, el que tambin tiene el byte de sincronismo,
luego 512 bytes de datos y el CRC, para terminar en otro gap de 20 bytes.
 Funcionamiento
Las cabezas de lectura, una por cada cara, se desplazan sobre las
superficies, sin tocarlas, separadas a una distancia muy
pequea, del orden de algunos micrones, gracias al efecto
producido por las partculas de aire arrastradas por el disco en
su rotacin, y al diseo aerodinmico de los soportes.
En caso de falla, la cabeza aterriza sobre el disco dandolo, por
ello es que hay zonas especiales, denominadas "landing zones",
que es donde la cabeza se apoya sobre el disco cuando la
velocidad del mismo disminuye por debajo de cierto valor.
La velocidad de giro preferida est en las 7.200 revoluciones por
minuto, y las capacidades actualmente alcanzadas por packs de
discos de 3,5 pulgadas de dimetro, lo que equivale a 90 mm,
son de varios Gigabytes.
Escritura: se aplican pulsos de
corriente a los bobinados y el
magnetismo generado crea una
zona magntica por medio del
entrehierro.

Lectura: fem inducida al pasar la

zona magnetizada bajo en
entrehierro.
 Memorias externas
2. Almacenes pticos: Nos centraremos en los CD-ROM y DVD-
ROM
CD-ROM (1983): misma tecnologa que un CD de audio pero con
una mecnica ms precisa y robusta, as como incorporan
sistemas de correccin de datos, para asegurar su transferencia
a la UCP.
La informacin es grabada como una serie de pequeos huecos
en la superficie de lectura. El material de soporte es el
policarbonato, sobre el cual se deposita por pulverizacin una
delgadsima capa de aluminio.
Mediante un haz lser, se provocan las deformaciones en la
superficie del aluminio, la cual se cubre luego con una laca
acrlica transparente, para servir de proteccin.
Se utiliza el sistema de velocidad lineal constante, con lo cual la
informacin se almacena en una nica pista, que se desarrolla en forma
de espiral, aunque haya una mayor demora en la lectura, pero se
aprovecha mejor la capacidad posible del disco. El otro sistema es el de
velocidad angular constante que no se utiliza en CDs y CD-ROMs.
 Particin en pistas y sectores de un CD-
ROM de Velocidad Angular Constante
Con una separacin entre
pistas de 1,6 micrones y
un espacio grabable a lo
largo de su radio, de 32,55
mm, la cantidad de
vueltas de la espiral ser
de 20.344, con lo que
tendr una longitud total
aproximada de 5.270 m.

La velocidad lineal constante de un CD-ROM es de 1,2 metros por

segundo, lo cual da un total de 73,2 minutos, el que es el tiempo
estndar mximo de un disco de audio.
Si los datos son entregados por el disco a 176,4 bits/segundo, la
capacidad de almacenamiento es de 774,57 Megabytes, lo que
equivale a mas de 350 disquetes de 3,5 pulgadas.
 Formato de un bloque en el CD-ROM-CAV
Sinc: campo que indica el comienzo de un bloque y consiste en un
byte de todos 0, luego 10 bytes de todos 1 y nuevamente un byte
de todos 0.
Encabezamiento: contiene la direccin del bloque y el byte de modo.
Modo 0 especifica un campo de datos en blanco; el modo 1 que se
usa un cdigo corrector de errores y 2048 bytes de datos; el modo 2
en cambio especifica 2336 bytes de datos sin cdigo corrector de
errores.
Datos: datos del usuario.
Auxiliar: datos adicionales en el modo 2 y en modo 1 que hay un
cdigo corrector de errores de 288 bytes.
 Ventajas y desventajas
1. Ventajas:
La capacidad de almacenamiento es mucho mayor que en un
disco magntico.
El disco ptico con su informacin almacenada puede duplicarse
indefinida mente a un costo muy bajo, mientras que en un disco
magntico, la duplicacin se debe hacer por grabacin.
El disco ptico es removible, por lo que se lo puede cambiar por
otro, mientras que para capacidad similar, es necesario utilizar
disco rgido, el que no es removible y por tanto para cambiar la
informacin debe ser descargado en otro soporte y recargado
con la informacin pertinente.
2. Desventajas:
Es de lectura exclusiva, por lo que no puede ser actualizado.
Tiempo de acceso >> que el de un disco rgido: 5 dcimas seg.
 Memorias externas
DVD-ROM (Digital Versatile Disk): puede ser borrado y reescrito
repetidamente, tal como un disco magntico.
Si bien se han probado Varias tecnologas, la nica prctica, por
el momento, es la magneto-ptica, en la cual se utilizan
conjuntamente el campo magntico y el haz de lser para grabar
y borrar informacin.
Tiene como principal Ventaja su gran capacidad de
almacenamiento, siete veces superior al CD comn.
Esencialmente es igual al CD, pero tiene mayor capacidad,
lograda por un mayor acercamiento de las pistas y de los puntos
de quemado, as como por la inclusin de una capa ms de
material grabable.