UNIDAD 3

TEMA: EL TRANSISTOR
 INDICE:
INTRODUCCION.
TIPOS DE TRANSISTORES
TRANSISTOR BIPOLAR
ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN BJT
CONCLUCIONES I PARTE
TALLER
CARACTERISTICAS ELECTRICAS DEL BJT TIPO NPN
ZONAS DE OPERACIN
CARACTERISTICAS ELECTRICAS DEL BJT TIPO PNP
EL FOTOTRNSISTOR
EL OPTOACOPLADOR
 INTRODUCCIN
El Transistor, que se empez a utilizar a finales de la dcada de los aos cuarenta
del siglo XX, se considero en su poca como una maravilla de lo compacto en
comparacin con el tamao de los tubos al vacio que se utilizaban hasta esa
poca, los transistores vinieron a cumplir la misma funcin de los tubos de vacio.
A partir de los aos 50 el tamao de los dispositivos electrnicos se ha reducido
en un factor de diez veces cada cinco aos.
En los aos 60 se empez a utilizar la palabra microelectrnica, un bloque(chip)
de silicio de un rea de 0,5 cm cuadrados poda contener de 10 a 20 transistores
con varios diodos ,resistencias y capacitores.
Hoy en da tales bloques pueden contener varias docenas de miles de
componentes-
Gran parte del estimulo para miniaturizar circuitos electrnicos provino de los
programas para construir diferentes equipos para la guerra.
A medida que la microelectrnica se desarroll, se aplico muy rapidamente a las
computadoras comerciales, reduciendo enormemente el tamao de sus
procesadores.
Mas tarde se disearon diferentes dispositivos portatiles como las calculadoras y
otros que han inundado la casa, la oficina, la escuela, las carreteras, etc.
En la actualidad vivimos la era de la nanoelectronica
Introduccin: tipos de transistores

NPN
BIPOLARES (BJT)
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO

METAL-OXIDO-
CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor es un dispositivo electrnico

semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y

tres partes dopadas artificialmente que forman dos
uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
est intercalada entre las dos primeras, modula el paso
de dichos portadores (base).
El transistor es un dispositivo controlado por corriente y
del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de
circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores, capacitores e
inductores que son elementos pasivos.
Estructura de un transistor bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor)

+
- - - - -

+
-

+
+
+

+
- - - + - - -

+
+
-

+
- + + - -
-

+ +
-
+

+
+

+
- - - - -
+
-

+
+
-

+
+

- - + - - -

+
+

+
-

+
P N N + - P

Concentracin
de huecos
Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP

P N P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula

entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base

Emisor Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin

de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Transistor NPN

N P N

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y
base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Transistor NPN

Base

Emisor Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de
forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de
aplicaciones en comparacin con los PNP.
Concluciones I parte:

Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN, cuyo

comportamiento ser igual que el de la unin del diodo
semiconductor visto en el capitulo anterior.
La zona de Base es mas estrecha que las otras zonas,
aproximadamente en una proporcin de 150:1
La zona de base es menos impura que las otras zonas o capas en
una proporcin de 10:1
El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector es menos dopado que el emisor y es
mucho mayor en rea que la base y el emisor
C

N-

P N+

B E
 TALLER

CADA ESTUDIANTE DEBE REALIZAR:

INVESTIGACIN SOBRE UN TIPO DE CONFIGURACIN DE UN
TRANSISTOR BJT
ANALIZARA LAS CARACTERISTICAS IMPORTANTES DE OPERACIN
DE UN BJT EN :
BASE COMUN
EMISOR COMUN
COLECTOR COMUN
HACER EN DIAPOSITIVAS SU INVESTIGACIN.
DEFENDERA SU TRABAJO.
CALIFICACIN SOBRE 2 PUNTOS EN TRABAJO INVESTIGATIVO
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
caractersticas elctricas importantes
Transistor NPN a tomar en cuenta en un transistor
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada para su operacin en un circuito:
En principio necesitamos conocer 3
IC tensiones y 3 corrientes:
+ +
VCB IC, IB, IE

IB VCE, VBE, VCB

+ - VCE
En la prctica basta con conocer solo
VBE 2 corrientes y 2 tensiones.
IE
-
-
Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE
y VBE.

Por supuesto las otras dos pueden

obtenerse fcilmente:
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida
IE = IC + IB
VCB = VCE - VBE
Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE

IC IB
+

IB VCE
+
VBE VBE
-
-

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE
IC IB
+

IB Ideal
+ VCE
VBE
-
- VBE

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean

las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.
Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida
IC IC
+

IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

base IB.
ZONAS DE OPERACIN DE UN TRANSISTOR
ZONA DE SATURACIN:
-Entrada polarizado directamente y salida polarizado directamente
(ambos diodos polarizados directamente).
-Se da el fenmeno de la conduccin en la entrada y salida por estar
polarizados directamente, la corriente tiende a aumentar, limitada
solamente por las caractersticas del cristal y por la magnitud del
voltaje de polarizacin.
-El transistor se comporta como un corto circuito, es decir como un
interruptor en estado ON
ZONA DE CORTE:
-Entrada polarizado inversamente y salida polarizado inversamente
(ambos diodos polarizados inversamente).
-Se da el fenmeno de NO conduccin en la entrada y salida por estar
polarizados inversamente, .
-El transistor se comporta como un circuito abierto, es decir como un
interruptor en estado OFF

NOTA: cuando el transistor BJT se encuentra en condiciones de

saturacin o corte, el dispositivo se utiliza como un conmutador,
porque prende o apaga.
ZONAS DE OPERACIN DE UN TRANSISTOR

ZONA ACTIVA:
-Entrada polarizado directamente y salida polarizado
inversamente.
-Se dice que el transistor esta en operacin, su funcionamiento
ser el de un amplificador y es la funcin que se estudiara como
lo contempla un curso de electrnica bsica, las otras funciones
corresponden a cursos de electrnica mas avanzados.
-La diferencia entre un transistor PNP y NPN en esta zona de
operacin radica en el sentido de la corriente de entrada y
salida que son en sentido contrario

ZONA NO UTILIZADA o SIN APLICACIN:

-Entrada polarizado inversamente y salida polarizado
directamente.
Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Caractersticas reales (NPN)

Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5

Saturacin IB4 PMax = VCEIC

IB3
Avalancha
IB2 Primaria

IB1

VBE IB= 0

1V VCEMax VCE
Caracterstica
Corte
de Entrada
Caracterstica
de Salida
Zonas de operacin del transistor bipolar:

Transistor NPN: caracterstica de salida

IC
Zona activa: IC=IB
IC (mA) IB (A)
+ 400
40

IB 30 300
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturacin
Zona de corte
FIG.- zonas de operacin de un transistor NPN

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del

transistor es la ganancia de corriente .
Zonas de operacin del transistor bipolar
Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC
+
IC Zona IB
+ activa + IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturacin + IC<IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor PNP
IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC

IC IB
-

IB VEC
-
VEB VEB
+ +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN.

Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es

saliente.
Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor PNP
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida
IC IC
-

IB
IB VEC
-
VEB

+ + VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante

la corriente de base IB.
 Caractersticas o parmetros elctricos a tomar en cuenta a la hora
de comprar un transistor bipolar
Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC
C
IC-MAX Corriente mxima de colector B
ICMAX
VCE-MAX Tensin mxima CE E
PMAX Potencia mxima PMAX

VCE-SAT Tensin C.E. de saturacin SOAR

VCE-MAX
HFE Ganancia

VCE
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
Ejemplos de Transistores bipolares BJT que existen en la practica

T O S H IB A
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
 Existe otro tipo de transistor: El fototransistor
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los
infrarrojos, La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella.
Esta carga de base lleva al transistor al estado de conduccin.
El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio
del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor BJT comn, con la diferencia que el
primero puede trabajar de 2 formas:
Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ib (modo de iluminacin).
Puede utilizarse las dos formas simultneamente, aunque el fototransistor se
utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como
sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de
una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc.
Para comunicaciones con fibra ptica se puede usar como detectores, pero se
prefiere utilizar fotodiodos, Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos
cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad.
 El Fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base
desempean el papel de la corriente de base

C
El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

E
El fototransistor
El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS
UNA APLICACIN DEL LED Y EL FOTOTRANSISTOR

OPTOACOPLADOR

Conjunto led + fototransistor

OBJETIVO:

Proporcionar aislamiento elctrico

Al interrumpir el has de luz, deja de

conducir el fototransistor y se abre,
cuando existe la presencia de luz el
fototransistor conduce es decir se
comporta como un interruptor
Conclusiones II parte

Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de

Potencia y en Electrnica Digital.

Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica

analgica (bsica).

Como se ha visto los dos tipos de transistores bipolares NPN Y PNP tienen
iguales caractersticas elctricas y constructivamente similares, su
diferencia radica en el sentido de circulacin de las corrientes que actan en
estos elementos.

Tambin se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona

bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos
(Mayoritarios del emisor en cada caso).

Recurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los

huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de
condiciones.
 CONFIGURACIONES TRANSISTORES BIPOLARES
Todos los transistores bipolares, NPN Y PNP pueden
polarizarse de manera que quede una terminal comn en su
circuito de polarizacin; es decir un terminal que forma
parte tanto del lazo (malla) de entrada como del lazo de
salida. Este puede ser cualquiera de las tres terminales de
dispositivo (emisor, base, colector). As entonces se tiene
tres configuraciones
 CONFIGURACION BASE COMUN

La base es comn a la entrada (emisor-base) y a la salda

(colector-base)

Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres

terminales se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno
para la entrada y otro para la salida
CARACTERISTICAS DE ENTRADA PARA EL AMPLIFICADOR
BASE COMUN
En la figura se muestra el conjunto de caractersticas de entrada
para el amplificador base comn, relaciona la corriente de
entrada IE con el voltaje de entrada VBE para varios niveles de
voltaje de salida VCB
 CARACTERISTICAS DE SALIDA PARA EL AMPLIFICADOR
BASE COMUN
En la figura se muestra el conjunto de caractersticas de salida
para el amplificador base comn, relaciona la corriente de salida
IC con el voltaje de salida VCB para varios niveles de corriente
de entrada IE

El conjunto de caractersticas de salida tiene tres regiones

operativas del transistor bipolar, como se indica en la figura, la
regin activa (active regin), la regin de corte (cutoff region) y
la region de saturacin (saturation region)
 CONFIGURACION EMISOR COMUN

El emisor es comn a la entrada (base-emisor) y a la salida

(colector- emisor), la entrada esta en la base y la salida en el
colector

Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres

terminales se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno
para la entrada y otro para la salida
CARACTERISTICAS DE ENTRADA PARA EL AMPLIFICADOR
EMISOR COMUN
En la figura se muestra el conjunto de caractersticas de entrada
para el amplificador emisor comn, relaciona la corriente de
entrada IB con el voltaje de entrada VBE para varios niveles de
voltaje de salida VCE
CARACTERISTICAS DE SALIDA PARA EL AMPLIFICADOR
EMISOR COMUN
En la figura se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el
amplificador emisor comn, relaciona la corriente de salida IC con el
voltaje de salida VCE para varios niveles de corriente de entrada IB

El conjunto de caractersticas de salida tiene tres regiones operativas

del transistor bipolar, como se indica en la figura, la regin activa
(active regin), la regin de corte (cutoff region) y la region de
saturacin (saturation region)
 GRACIAS
PREPARARSE PARA LA EVALUACIN Y
RELIZAR LA TAREA DE FIN DE UNIDAD