Universidad Autnoma del Estado de Hidalgo

Instituto de Ciencias Bsicas e Ingeniera

Ingeniera en Telecomunicaciones

Electrnica Integrada:

Dossier

Bentez Martnez Ariztdy

Cruz Huerta Guadalupe Jairo
Gmez Silva Jos Luis
6to. Semestre Grupo 1

1 de 62
Tabla de contenido
ENSAYO CAPTULO 16. ..................................................................................................................................................4
ENSAYO CAPTULO 18. ..................................................................................................................................................6

ENSAYO MODELOS DEL DIODO. ...................................................................................................................................8

AMPLIFICADORES DE AUDIO Y BOCINAS: IMPEDANCIA..............................................................................................9

Amplificadores. ..................................................................................................................................................... 9
Bocinas. ............................................................................................................................................................... 10

NOM008. .....................................................................................................................................................................10
IMPEDANCIA EN UNA BATERA. .................................................................................................................................11

Importancia......................................................................................................................................................... 11
Medicin de la resistencia interna de una batera. ............................................................................................. 11

DISTORSIN TOTAL ARMNICA.................................................................................................................................12

Qu es?.............................................................................................................................................................. 12
Ejemplo ............................................................................................................................................................... 12

CMARAS DE VIDEO: RELACIN SEAL A RUIDO Y PRECIOS. ...................................................................................14

ANLISIS DEL 2N3055. ................................................................................................................................................15
Descripcin. ......................................................................................................................................................... 15
Tabla de comparacin......................................................................................................................................... 15

SOLUCIN DE ECUACIONES: DETERMINANTES Y MATRICES.....................................................................................15

Operaciones con matrices. .................................................................................................................................. 15

Determinantes. ................................................................................................................................................... 16
SIMULACIONES CAPTULO 17 (FLOYD). ......................................................................................................................18
SIMULACIN Y GRFICA: POTENCIA EN FUNCIN DE LA RESISTENCIA ....................................................................24
Circuito. ............................................................................................................................................................... 24

MODELO IDEAL Y MODELO IDEAL MS BATERA. .....................................................................................................27

Modelo ideal con voltaje positivo. ...................................................................................................................... 27
Modelo ideal ms batera con voltaje positivo. .................................................................................................. 27
Modelo ideal con voltaje negativo. ..................................................................................................................... 28
Modelo ideal ms batera con voltaje negativo.................................................................................................. 28
EJERCICIOS CAPTULO 3 Y 4 (BOYLESTAD)..................................................................................................................29
EJERCICIOS DE EJEMPLO CAPTULO 5 Y 6 (BOYLESTAD). ...........................................................................................36

Captulo 5. ........................................................................................................................................................... 36
Captulo 6. ........................................................................................................................................................... 40

PRCTICAS...................................................................................................................................................................42
GLOSARIO....................................................................................................................................................................58

2 de 62
REFERENCIAS...............................................................................................................................................................60
ANEXOS .......................................................................................................................................................................62

3 de 62
Ensayo captulo 16.
Los materiales semiconductores son aquellos que se encuentran entre los aislantes y
los conductores en cuanto a su capacidad para conducir corriente. Estos materiales
tienen cuatro electrones de valencia y tienen suma importancia en la industria
tecnolgica por los beneficios que ofrecen.

De entre los dispositivos semiconductores se destaca el uso del silicio y del germanio.
Lo cierto es que, pese a que ambos sean bastamente usados en la industria, el
preferido es el silicio. Esto es porque los electrones de valencia del germanio se
encuentran a niveles de energa ms altos que aquellos en el silicio y requieren una
cantidad de energa adicional ms pequea para escaparse del tomo, esto causa
que, a temperaturas mayores, el germanio es ms inestable.

Un punto importante que se deriva del silicio es su capacidad para formar cristales.
Esto es posible gracias a los enlaces covalentes, los cuales, en cortas palabras, son
aquellos que mantienen a los tomos unidos. Estos enlaces, en el silicio, se sitan con
los cuatro tomos de silicio adyacentes para formar el cristal.

Una banda de energa es representada por la capa de valencia de un tomo y los

electrones de ste, estn dentro de dicha banda. Es importante resaltar que cuando
un electrn adquiere suficiente energa adicional puede abandonar la capa de
valencia, convertirse en un electrn libre y existir en lo que se conoce como banda
de conduccin.

La diferencia de energa entre la banda de valencia y la banda de conduccin se

llama banda prohibida. sta, es la cantidad de energa que un electrn de valencia
debe tener para saltar de la banda de valencia a la de conduccin. La banda
prohibida vara segn el material, siendo ms amplia en los aislantes y ms estrecha
en los conductores.

Para hablar de lo que pasa dentro de las bandas de energa se tiene que saber
acerca de los electrones de conduccin y los huecos. Para empezar se tomar el
caso de un cristal de silicio. ste, a temperatura ambiente tiene energa trmica
suficiente para que algunos electrones de valencia salten la banda prohibida desde
la banda de valencia hasta la banda de conduccin, convirtindose as en
electrones libres, electrones de conduccin. Cuando un electrn salta a la banda de
conduccin, deja un espacio vaco en la banda de valencia. Este espacio vaco se
llama hueco.

Para comprender acerca de la corriente de electrn y hueco se sigue tomando al

silicio como ejemplo. Cuando se aplica voltaje a travs de un trozo de silicio
intrnseco, el cual es un material puro, los electrones libres generados trmicamente
presentes en la banda de conduccin son fcilmente atrados hacia el extremo

4 de 62
positivo. Este movimiento de electrones se llama corriente de electrn. En pocas
palabras, la corriente de electrones en silicio intrnseco se produce por el movimiento
de electrones libres generados trmicamente. Se considera que la conduccin en
semiconductores es el movimiento de electrones libres en la banda de conduccin
o el movimiento de huecos en la banda de valencia.

As como existen materiales semiconductores intrnsecos, tambin los hay extrnsecos.

Estos materiales son conocidos como impuros, dos tipos de estos materiales son los
tipo n y tipo p. Estos dos materiales son los bloques de construccin fundamentales
en la mayora de los tipos de dispositivos electrnicos.

El proceso de agregar impurezas pentavalentes o trivalentes a un semiconductor se

llama dopado. En los tomos de silicio y germanio, su conductividad se incrementa
drsticamente mediante la adicin, controlada, de impurezas al material intrnseco.

Dos elementos importantes en el estudio de los materiales semiconductores son los

materiales tipo n y tipo p. Se crea un semiconductor tipo n agregando tomos de
impureza que tienen cinco electrones de valencia. Estas impurezas son tomos
pentavalentes. Se crea un semiconductor tipo p agregando tomos de impureza
con slo tres electrones de valencia. Estas impurezas son tomos trivalentes.

Los portadores mayoritarios de un semiconductor tipo n son electrones libres y los

portadores minoritarios son huecos libres. Para el semiconductor tipo p ocurre lo
inverso; los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los electrones
libres.

Se forma una unin pn cuando una parte del material se dopa con impurezas tipo n
y otra parte de l se dopa con impurezas tipo p. Junto con ello, se forma una regin
de empobrecimiento a partir de la unin que se queda sin portadores mayoritarios.
Para un bloque de silicio y de germanio, lo resultante es un diodo bsico, el cual es
un dispositivo que conduce corriente en slo una direccin.

El potencial de barrera, el cual es la cantidad de energa requerida para producir

conduccin completa a travs de la unin pn con polarizacin en directa, es por lo
general de 0.7 V para un diodo de silicio y de 0.3 V para germanio.

Existe corriente a travs de un diodo slo cuando est polarizado en directa.

Idealmente, no hay corriente cuando no hay polarizacin ni cuando se polariza en
inversa. En realidad, se presenta una corriente muy pequea en la condicin de
polarizacin en inversa debido a los portadores minoritarios generados
trmicamente, pero en general se puede despreciar. Con esto se puede llegar a
entender que un diodo conduce corriente cuando est polarizado en directa y la
bloquea cuando est polarizado en inversa.

5 de 62
 Una forma de probar un diodo es usando un multmetro. Un diodo que trabaje
correctamente mostrar una resistencia extremadamente alta con polarizacin en
inversa, y una resistencia muy bajo con polarizacin en directa. Mientras que un
diodo defectuoso mostrar una resistencia extremadamente alta tanto con
polarizacin en directa como en inversa. Un diodo en corto mostrar una baja
resistencia o cero, tanto con polarizacin en directa como en inversa.

Con todo lo expuesto, se puede atender a la importancia de los materiales

semiconductores y a los usos que se les dan. En este caso, diodos. Los elementos
como el silicio y el germanio son ampliamente estudiados en el ramo de la
electrnica pues son manejables en cuanto a su conduccin, claro, recordando que
el silicio es preferido por la estabilidad que ofrece. El dopado de estos materiales,
dependiendo las impurezas que se agreguen, dan paso a los materiales
semiconductores tipo n y tipo p. Dichos materiales son la parte elemental de la
formacin de un diodo que, como se ha mencionado, es un dispositivo que tiene la
caracterstica de conducir corriente en una sola direccin y se podra representar
anlogamente como un switch, dependiendo su polarizacin.

Ensayo Captulo 18.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer-resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se
les encuentra prcticamente en todos los electrodomsticos de uso diario y existen una
gran variedad de modelos.

Un BJT (Transistor de unin bipolar) se constituye de tres regiones: base, colector y emisor
y tiene dos uniones pn, la unin base-emisor y la unin base-colector, a gran escala
podemos decir que la regin de la base es muy delgada y esta levemente dopada
comparada con las regiones colector y emisor. El trmino bipolar viene de que la
corriente en un BJT se compone tanto de electrones libres como huecos. Los dos tipos
de transistor de unin bipolar son el npn y el pnp.

Como operacin bsica, podemos decir que los BJT pueden actuar como amplificador
si la unin base-emisor esta polarizada en directa y la unin base-colector estn
polarizada en inversa, a esto se le llama polarizacin en directa-inversa. Curiosamente
los transistores tienen 3 corrientes diferentes: Corriente de emisor (IE), corriente colector
(IC) y corriente de base (IB), esta ltima es pequea comparada con la de emisor y
colector.

La beta de cd y la alfa de cd son dos parmetros importantes para analizar un circuito

BJT. La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de I C entre I B y se
expresa como CD, sus valores tpicamente van desde menos de 20 hasta varios cientos.

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Como dato, cabe destacar que CD normalmente aparece como hFE en las hojas de
datos del transistor. La relacin de IC a IE se llama CD. Los valores en general van desde
0.95 hasta 0.99. Desafortunadamente, existe variacin en CD con la temperatura y
tambin de un transistor a otro del mismo tipo, esto causa que no se puedan
estandarizar valores y obliga a revisar datos tcnicos de los transistores que se utilizan en
el campo laboral.

La amplificacin es la accin de incrementar la amplitud de una seal elctrica y es

una de las propiedades ms importantes de un transistor. Cuando un transistor est
polarizado en directa o en inversa, la ganancia de voltaje depende de la resistencia
interna del emisor y de la resistencia externa del colector. Las resistencias internas de un
transistor estn representadas por una r minscula. Para que podamos calcular la
ganancia de voltaje debemos realizar el cociente del voltaje de salida entre voltaje de
entrada.

Adems de la amplificacin, podemos utilizar los BJT para aplicaciones de conmutacin

o interrupcin es por ello que hoy en da muchos circuitos digitales lo utilizan como
interruptor. Podemos operarlo como interruptor electrnico en corte y saturacin,
Cuando decimos que est en corte es porque ambas uniones pn estn polarizadas en
inversa y en esencia no existe corriente en el colector, pudisemos decir que idealmente
se comporta como interruptor abierto entre el colector y el emisor. En cuanto a
saturacin, es cuando ambas uniones pn estn polarizadas en directa y la corriente de
colector es mxima, idealmente se comporta como interruptor cerrado.

Otros dispositivos, adems del BJT, son los transistores de efecto de campo (JFET) que es
un dispositivo controlado por voltaje en el cual un voltaje particular define las
condiciones de operacin. Constan de tres terminales: Fuente, compuerta y drenaje.
Tambin tenemos los transistores de efecto de campo semiconductor de xido metlico
(MOSFET) pueden ser tipo enriquecimiento o empobrecimiento: En el MOSFET de
empobrecimiento es posible regular el ancho del canal, de esta forma presenta una
regin activa en donde la salida es proporcional a la entrada (la compuerta grada el
ancho del canal, lo que lo convierte en un amplificador casi ideal ya que tiene alta
impedancia de entrada y baja de salida mientras que el MOSFET de enriquecimiento
acta como un interruptor (la compuerta no grada el canal, solo lo abre o lo cierra);
actualmente debido a la tendencia digital son los ms comunes.

Existen tambin los transistores de monounin (UJT) que son dispositivos que absorben
poca potencia en condiciones de operacin normales, son una gran ayuda en el
esfuerzo continuado de disear sistemas relativamente eficientes.

Algunos dispositivos ms elaborados son los SCR y los TRIAC; Un SCR puede ser
encendido con una corriente de compuerta cero aplicando simplemente suficiente
voltaje a travs del dispositivo. Sin embargo, cuanta ms alta sea la corriente de
compuerta, menor ser el voltaje de polarizacin requerido para encender el SCR. Una

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funcin de un TRIAC es la capacidad de controlar la potencia de ca suministrada a la
carga encendindose y apagndose durante las regiones positiva y negativa de la
seal senoidal de entrada.

Algunos dispositivos optoelectrnicos son el diodo emisor de luz y los fotodiodos (emisor
y detector de luz respectivamente). Tenemos los fototransistores que son similares a los
BJT. En un fototransistor, la luz incidente produce corriente en la base, son dispositivos
que pueden llegar a tener dos o tres terminales de conexin. Un optoacoplador se
compone de un LED y un fotodiodo o fototransistor, se utilizan principalmente para aislar
circuitos elctricamente.
Hoy en da existen muchos tipos de encapsulados de transistores que utilizan plstico,
metal o cermica. Estos diversos tipos de encapsulados varan de acuerdo a las
aplicaciones, por ejemplo los transistores de potencia cuentan con pernos de montaje
o disipadores de calor, los transistores de baja y mediana potencia vienen en cajas de
metal o plstico y los transistores de radiofrecuencia cuentan con formas inusuales
diseados para optimizar parmetros de alta frecuencia.

En trabajos de electrnica es fundamental contar con la capacidad de identificar fallas

en circuitos y aislarlas a un solo componente, en este caso es mejor revisar un transistor
en el circuito antes de quitarlo ya que existen fallas comunes en circuitos con transistor,
como lo son: uniones abiertas, valor bajo de CD, corriente de fuga excesiva y aberturas
y cortos externos en la tarjeta del circuito.

La importancia que tienen los transistores se ve reflejado en la variedad de sus

aplicaciones: rectificador, amplificador, oscilador, conmutador, etc. Prcticamente se
encuentran en radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos
de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, mviles, etc.

Ensayo modelos del diodo.

El dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo de los

dispositivos semiconductores, pero desempea un papel vital en los sistemas
electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un
sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se
extienden desde las simples hasta las sumamente complejas, por esto mismo existen
varios modelos de diodos.

La flecha en el smbolo apunta en la direccin de la corriente convencional

(opuesta al flujo de electrones).

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Circuito equivalente del diodo: Un circuito equivalente es una combinacin de
elementos apropiadamente seleccionados para que representen mejor las
caractersticas terminales reales de un dispositivo o sistema en una regin de operacin
particular. El resultado es una red que se puede resolver con tcnicas tradicionales de
anlisis de circuito.

Modelo ideal: es la aproximacin menos precisa y puede ser representado por un

interruptor simple. Cuando el diodo est polarizado en directa, acta idealmente como
un interruptor cerrado, el diodo est polarizado en inversa, idealmente acta como un
interruptor abierto (apagado). y la corriente de polarizacin en inversa se desprecian,
este modelo es adecuado en la mayora de las situaciones de solucin de fallas cuando
se est tratando de determinar si el diodo est trabajando apropiadamente.

Modelo practico del diodo: Cuando el diodo est polarizado en directa, equivale a un
interruptor cerrado en serie con una pequea fuente de voltaje equivalente (VF) igual
al potencial de barrera (0.7 V). Esta fuente de voltaje equivalente representa el
potencial de barrera que debe ser excedido por el voltaje de polarizacin antes de que
el diodo conduzca y no sea una fuente de voltaje activa.

Modelo completo del diodo: es la aproximacin ms precisa e incluye el potencial de

barrera, la pequea resistencia dinmica de polarizacin en directa y la gran resistencia
interna de polarizacin en inversa. Cuando el diodo est polarizado en directa, acta
como un interruptor cerrado en serie con el voltaje de potencial de barrera equivalente
y la pequea resistencia dinmica de polarizacin en directa.

Los diferentes modelos del diodo nos permiten analizar el comportamiento diferentes
circuitos elctricos con ciertas caractersticas, el funcionamiento del diodo nos ayuda
proteger nuestro de descargas y/o disminucin de voltaje.

Amplificadores de audio y bocinas: Impedancia.

Amplificadores.
Marca y Impedancia de Precio.
modelo. salida.

SONY XM-N1004 2-8 (stereo). $1,799.00

4-8 (bridge).
SONY XM- 2-8 (stereo). $1,200.00
ZR1852 4-8 (bridge).
QSC RMX-850 2-8 (stereo) $14,199.00
4-8 (bridge
mono)
QSC RMX-4050 2-8 (stereo) $29,950.00

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 4-8 (bridge
mono)

Bocinas.
Marca y modelo. Impedancia de entrada. Precio.

Cerwin-Vega XED62 6.5 4 $599.00

Bocina 18 Pro 1700w Pmpo 8 $890.00

Bocina Eminence 18 Kilomax subwoofer 8 $4,999.00

NOM008.

Tabla 20.- Reglas generales para la escritura de los smbolos de las unidades del SI.

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Impedancia en una batera.
Importancia.
La impedancia es la oposicin a la medida de una corriente
alterna. Si se disminuye la impedancia de la batera aumentar
su rendimiento incrementando as la capacidad de la batera y
prolongando la vida de la misma. Es importante la impedancia
en la batera porque principalmente el circuito equivalente de
una batera es una impedancia.

Rm es la resistencia de la conexin metlica a travs de la

clula incluyendo los terminales, los electrodos y las
interconexiones.
Ra es la resistencia de la va electroqumica incluidos los
electrolitos y el separador.
Cb es la capacitancia de las placas paralelas que forman
FIG 4 Circuito
los electrodos de la clula. equivalente para una
Ri es la resistencia de contacto no lineal entre la placa o celda de energa.
el electrodo y el electrolito.

Medicin de la resistencia interna de una batera.

La resistencia interna nos da informacin til para detectar problemas e indicar cundo
una batera debe ser reemplazada. Sin embargo, la resistencia nicamente, por s
misma, no posee una relacin lineal con la capacidad de la batera. El incremento de
resistencia interna solamente se relaciona con el envejecimiento y brinda algunas
indicaciones de posibles fallos.

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La resistencia interna, en definitiva, es un concepto que ayuda a imaginar las
consecuencias elctricas de las complejas reacciones qumicas que se producen
dentro de una batera. Es imposible medir directamente la resistencia interna de una
batera, pero sta puede ser calculada mediante los datos de corriente y voltaje
medidos sobre ella. As, cuando a una batera se le aplica una carga, la resistencia
interna se puede calcular mediante cualquiera de las siguientes ecuaciones:

= ( ) = ( )

= .
= .
= .
= .
= .

Distorsin total armnica.

Qu es?

La Distorsin Armnica Total (DAT o ms conocida como THD por sus siglas en ingls) es
una magnitud que sirve para representar la calidad de un amplificador o de un
oscilador. Mide la cantidad de armnicos no deseados presentes en la salida. Es decir si
la seal de salida se parece mucho a la de entrada si es un amplificador, o a la que
debera ser en caso de un oscilador (sinusoidal, cuadrada, etc).

Se calcula aplicando a la entrada una seal de frecuencia y amplitud conocidas. Se

suma la potencia de salida de todos los armnicos (basta con los diez primeros) y se
divide la suma entre la potencia de salida de la frecuencia fundamental. El resultado se
expresa casi siempre en porcentaje pero en ocasiones tambin podis verlo en
decibelios. Siempre que se da el dato de la THD, se debe indicar tambin para qu
frecuencia y amplitud de entrada.

Ejemplo
Se muestra a continuacin un circuito de ejemplo (HandFreePreamp) del software
LTSpice.

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En l se muestran:

La THD, indicando la frecuencia y la amplitud para la que se mide. En este caso

0.05% para 1 kHz con 0.4 Vpp de amplitud.
El consumo y la tensin de alimentacin. 1.9 mA Una batera de 9 V tiene entre
400 y 570 mA, as que 370 horas de duracin es aproximado y no para uso
continuo.
La ganancia en decibelios, as como la banda pasante a -3 dB. Este amplificador
tiene una ganancia de 26.4 dB (x20) y se puede usar entre 38 Hz y 12 kHz. Ms
que suficiente para la voz. Para la msica se queda un tanto corto en los agudos.
La impedancia de salida y la frecuencia para la que se refiere. 387 a 1 kHz. Es
normal que no proporcionen la potencia de salida. Es un preamplificador, no lo
olvidemos, y est pensado para conectarlo a un amplificador final de potencia.
El ruido referido a la entrada. Un parmetro que no suelen darnos. Significa que
en un amplificador exactamente igual slo que sin ruido -ideal-, tendramos que
aplicar un ruido de 1.2 V a la entrada para tener a la salida el mismo nivel de
ruido que tenemos en silencio en el circuito real.
El nmero de componentes de cada tipo.

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Cmaras de video: relacin seal a ruido y precios.

Marca y Relacin S/N Precio

modelo

Samsung SNB- 50 dB $841.00

7002

JVC GY- 63 dB $5,995.00

DV5000U

Sony HDW- 54 dB $80,019.95

F900R CineAlta

Sony HDW-530 65 dB $32,063.95

XDCAM

AXIS V5914 PTZ 83 dB $1,998.00

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Anlisis del 2N3055.
Descripcin.

The 2N3055 is a silicon Epitaxial-Base Planar NPN transistor mounted in Jedec TO-3 metal
case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages
and high fidelity amplifiers. The complementary PNP type is MJ2955.

Tabla de comparacin.
Fabricante P

STMicroelectronics 15 A 115 W 20-70 ( = 4 ; = 4 )

5-70 ( = 10 ; = 4 )

Siemens 15 A 115 W 20-70 ( = 4 ; = 4 )

MOSPEC 15 A 115 W 20-70 ( = 4 ; = 4 )

5-70 ( = 10 ; = 4 )

FIG 5 Smbolos y encapsulado.

Solucin de ecuaciones: Determinantes y matrices.

Operaciones con matrices.
Suma y diferencia.
Dadas dos matrices A y B podemos realizar su suma o diferencia si son del mismo
tamao, se suman o restan los elementos que se encuentren en la misma posicin. Si
tienen diferente tamao no se puede sumar o restar. Sus propiedades son:
Conmutativa: A + B = B + A

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 Asociativa: A + (B + C) = (A + B) + C
Elemento neutro: La matriz nula del tamao correspondiente.
Elemento opuesto de A: La matriz -A, que resulta de cambiar de signo a los
elementos de A.

Producto de matrices.
Dos matrices se pueden multiplicar cuando se cumple la siguiente condicin: Para
multiplicar dos matrices A y B, en este orden, AB, es condicin indispensable que el
nmero de columnas de A sea igual al nmero de filas de B Si no se cumple esta
condicin, el producto AB no puede realizarse, de modo que esta es una condicin
que debemos comprobar previamente a la propia multiplicacin. Una vez comprobado
que el producto AB se puede realizar, si A es una matriz m x n y B es una matriz n x p,
entonces el producto AB da como resultado una matriz C de tamao n x p del siguiente
modo:

Propiedades del producto de matrices

a) Asociativa: A(BC) = (AB)C

b) Distributiva respecto de la suma:

A (B + C) = A B + A C

(B + C) A = B A + C A

c) Elemento neutro, la matriz identidad correspondiente, si A es m x n:

A In = A

Im A = A

d) En general el producto de matrices no es conmutativo.

(A* B) = (B*A)

e) El producto de dos matrices no nulas A y B puede dar lugar a una matriz nula.

Determinantes.
Si es una matriz 2 x 2 se define el determinante de la matriz A, y se expresa como det(A)
o bien |A|, como el nmero:

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Dada una matriz cuadrada A de orden n, definimos el menor complementario de un
elemento de A, aij , como el determinante de la matriz que se obtiene al suprimir la fila i
y la columna j en la que se encuentra dicho elemento aij. Se representa por Mij.

Definicin: Dada una matriz cuadrada A de tamao n se define su determinante como

la suma del producto de los elementos de una lnea cualquiera de la matriz (fila o
columna) elegida, por sus correspondientes adjuntos. Se puede demostrar, aunque
dicha demostracin excede los contenidos del curso, que el valor del determinante no
depende de la fila o columna elegida para calcularlo.

17 de 62
Simulaciones Captulo 17 (Floyd).

Ejercicio 1.

Ejercicio 2.

18 de 62
Ejercicio 3.

Ejercicio 4.

XSC4

Tektronix

P 1 2 3 4 T
G
V4 T2 D4
127Vrms
60Hz
0 C1
10:1 1F
1B4B42 R4
1k

Ejercicio 5.

19 de 62
Ejercicio 6.

Ejercicio 7.

Ejercicio 8.

20 de 62
Ejercicio 9.

Ejercicio 10.

Ejercicio 11.

XSC11

Tektronix

P 1 2 3 4 T
G

R14

V11 100
120Vrms R13
D12
60Hz 1k
0

21 de 62
Ejercicio 12.
U1
+ -
XMM1 D13 1 147.41 2
V
V12 T4
115Vrms DC 10MOhm
60Hz

1
2
0
1:1 C7 R15
1B4B42 100F 1k

Ejercicio 13.

XSC12

Tektronix

P 1 2 3 4 T
6
7
1
2
3
4
5

S1
X1
V13 T5 D14
Tecla =A
110Vrms R16
FUSE
60Hz
0 330 D15
5:1 C8
1B4B42 100F 1N4742A

Ejercicio 14.

XSC13

Tektronix

P 1 2 3 4 T
G

D16

V14
R17
50Vrms
60Hz 10k
0

22 de 62
Ejercicio 15.
XSC16

Tektronix

P 1 2 3 4 T
G

R20

1k
D20 D21

V17
25Vrms
1kHz
0
V18 V19
5V 5V

Ejercicio 16

XSC1
R1

V1 1k D1 Ext Trig
+
R2 _
120Vrms 1k A
_
B
_
+ +
60Hz
0 V2
12V

Ejercicio 17

R1 XSC1

V1 1k D1 Tektronix
R2
120Vrms 1k P 1 2 3 4 T
60Hz G
0 V2
12V

23 de 62
Ejercicio 18

R1 XSC1

V1 1k D1 Tektronix
R2
120Vrms 1k P 1 2 3 4 T
60Hz G
0 V2
12V

Ejercicio 19

R1 XSC1

V1 1k D2
D3 Tektronix
1N914
15Vrms 1N914
60Hz V3 V2 P 1 2 3 4 T
G
0 7V 7V

Ejercicio 20

Simulacin y grfica: Potencia en funcin de la resistencia

Circuito.
Realizado en Orcad Capture CIS.

24 de 62
25 de 62
 Grfica de potencia en funcin a la resistencia.

26 de 62
Modelo ideal y modelo ideal ms batera.

Modelos realizados en Orcad Capture.

Modelo ideal con voltaje positivo.

Modelo ideal ms batera con voltaje positivo.

27 de 62
Modelo ideal con voltaje negativo.

Modelo ideal ms batera con voltaje negativo.

28 de 62
Ejercicios captulo 3 y 4 (Boylestad)
Construccin de un transistor
1. Qu nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Trace la construccin
bsica de cada uno y marque los varios portadores minoritarios y mayoritarios en cada
uno. Trace el smbolo grfico junto a cada uno. Cambia cualquier parte de esta
informacin al cambiar de silicio a germanio?

Transistores NPN.

Transistores PNP.

Unin polarizada en directa de un transistor pnp. Unin polarizada en inversa de un transistor pnp.

Notacin y smbolos utilizados con la configuracin en base comn: (a) transistor pnp; (b) transistor
npn.

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La diferencia principal que existe entre un transistor de silicio o germanio es la cada de
tensin entre base-emisor. La de Silicio es de 0,7 V mientras que la de Germanio es de
0,3 V.

Operacin del transistor

3. Cmo se deben polarizar las dos uniones de transistor para la correcta operacin de
amplificador del transistor?

Polarizacin en directa.
Polarizacin en inversa.

5. Trace una figura similar a la figura 3.3 de la unin polarizada en directa de un transistor
npn. Describa el movimiento resultante de los portadores.

Figura 3.3

Unin polarizada en directa de un transistor PNP.

Sin polarizacin entre la base y el emisor. Acta como un diodo polarizado en directa.
El ancho de la regin de empobrecimiento se redujo a causa de la polarizacin
aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo
p al material tipo n.

7. Trace una figura similar a la figura 3.5 del flujo de portadores mayoritarios y minoritarios
de un transistor npn. Describa el movimiento resultante de los portadores.

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 Figura 3.5

Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin pn

polarizada en directa hacia el material tipo n. El mayor nmero de estos portadores
mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada en inversa hacia el material tipo
n conectado al colector. Ha habido una inyeccin de portadores minoritarios en el
material tipo n de la regin de la base.

9. Si la corriente en el emisor de un transistor es de 8 mA e I B es de 1/100 de I C, determine

los niveles de I C e I B.

= 8

= = 100
100
8
= = = 79.21
101 101
= 100 = 100(79.21 ) = 7.921

= 7.921

= 79.21

= 8

Configuracin en base comn

11. Utilizando las caractersticas de la figura 3.7 determine V BE con I E = 5 mA y V CB = 1.10
y 20 V. Es razonable suponer de una forma aproximada que V CB tiene slo un efecto
leve en la relacin entre V BE e I E?

= 5

= 1.1 = 800

31 de 62
 = 10 = 770

= 20 = 750

Escalas:

= 20 : 1

= 800 : 750 1.07: 1

Es un efecto muy leve.

Figura 3.7

Caractersticas de entrada para un

amplificador de transistor de silicio en
13. a. Con las caractersticas de la figura 3.8,
configuracin en base comn.
determine la corriente en el colector si IE = 4.5 mA
y VCB = 4 V.

b. Repita la parte (a) con IE = 4.5 mA y VCB = 16 V.

c. Cmo han afectado los cambios en VCB el nivel resultante de IC?

d. De una forma aproximada, Cmo se relacionan IE e IC con base en los resultados

anteriores?

Figura 3.8

Salida o caractersticas del colector de un amplificador de transistor en base comn.

32 de 62
(a) = 4.5

(b) = 4.5

(c) Despreciable. El cambio no puede ser detectado en este tipo de caractersticas.

(d)

15.
a. Dada de 0.998, determine si = 4.
b. Dada si = 28 e = 20.
c. Encuentre si = 40 y = 0.98.

Solucin
(a) = = (0.998)(4) = 3.992
(b) = + = = 2.8 0.02 = 2.78
0.98 1.96
(c) = = ( ) = ( ) (40) = 1.96 = = = 2
1 10.98 0.993
Accin amplificadora del transistor.
17. Calcule la ganancia de voltaje ( = ) para la red de la figura 3.8 si =500 mV
y R=1k. (Los dems valores del circuito no cambian.)

Solucin
500
= = = 25
20
= 25
= = (25)(1) = 25
25
= = = 50
0.5

33 de 62
Configuracin en emisor comn.
19. Defina ICBO e ICEO. En qu son diferentes? Cmo estn relacionadas? Son en
general de magnitud parecida?

Solucin: Por lo general ICEO es de baja magnitud en materiales de silicio, para efectos
de conmutacin el corte se dar cuando IB=0 A o IC=ICEO slo para transistores de silicio.
Para transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos de conmutacin se
definir como aquellas condiciones que se presentan cuando I C=ICBO.

21.
a. Para las caractersticas en emisor comn de la figura 3.14, determine la beta de cd
en un punto de operacin de VCE=+8 V e IC=2 mA.
b. Determine el valor de correspondiente a este punto de operacin.
c. En VCE=+8 V, determine el valor correspondiente de ICEO.
d. Calcule el valor aproximado de ICBO con el valor de beta de cd obtenido en la parte
(a).

Solucin:
2
(a) = = = 117.65
17
117.65
(b) = = = 0.992
+1 117.65+1
(c) I CEO=0.3mA
(d) I CBO=(1 ) = (1 0.992)(0.3) = 2.4

23.

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a. Con base en las caractersticas de la figura 3.14a, determine cd con IB=80 A y VCE=5
V.
b. Repita la parte (a) en IB=5 A y VCE=15 V.
c. Repita la parte (a) en IB =30 A y VCE=10 V.
d. Revisando los resultados de las partes (a) a (c), cambia el valor de cd de punto a
punto sobre la curva de las caractersticas? Dnde se encontraron los valores ms
altos? Puede llegar a alguna conclusin general sobre el valor de cd con las
caractersticas de la figura 3.14a?

Solucin
6.7
(a) = = = 83.75
80
0.85
(b) = = = 170
5
3.4
(c) = = = 113.33
30
(d) no cambia de punto a punto en las caractersticas.
Bajo I B, alto V CE -> betas altas.
Alto I B, bajo V CE-> betas bajas.

25. Utilizando las caractersticas de la figura 3.14a, determine cd en IB=25 A y VCE=10 V.

Luego calcule y el nivel resultante de IE. (Use el nivel de IC determinado por IC= cd/IB.)
2.9
= = = 116
25
116
= = = 0.991
+ 1 116 + 1
2.9
= = = 2.93
0.991

27. De memoria, trace la configuracin en emisor comn (npn o pnp) e inserte la

modalidad de polarizacin correcta con las direcciones resultantes de IB, IC e IE.

Notacin y smbolos utilizados con la configuracin en emisor comn: (a) transistor npn; (b)
transistor pnp.

35 de 62
Ejercicios de ejemplo captulo 5 y 6 (Boylestad).

Captulo 5.
EJEMPLO 5.1 Para la red de la figura 5.25.

a. Determine re.
b. Encuentre Zi(con ro= ).
c. Calcule Zo (con ro= ).
d. Determine Av (con ro= )
e. Repita las partes (c) y (d), incluida ro=50 k
en todos los clculos y compare los resultados.

Solucin:
ANALISIS DE CD:
120.7
a) = = = 24.04
470

= ( + 1) = (101)(24.04) = 2.428

26 26
= = = 10.71
2.428

b) = (100)(10.71) = 1.071
= = 4701.07 = 1.07

c) = = 3
3
d) = = = 280.11
10.71
e) = = 503 = 2.38k vs. 3k
2.83
= = = 264.24 . 280.11
10.71

EJEMPLO 5.2 Para la red de la figura 5.28, determine:

a. Re.
b. Zi.
c. ( = ).
d. ( = ).
e. Los parmetros de la partes (b) a (d) si ( = 50) y compare los resultados.

36 de 62
 a) Cd: Prueba de > 102
(90)(1.5) > 10(8.2)

135 > 82()

Utilizando el mtodo aproximado, obtenemos

2 (8.2)(22)
= = = 2.81
1 + 2 56 + 8.2

= = 2.81 0.7 = 2.11

2.11
= = = 1.41
1.5

26 26
= = = 18.44
1.41

b) = 1 2 = (56(8.2))7.15
1 = = 7.15(90)(18.44) = 7.151.66 = 1.35
c) 0 = = 6.8
6.8
d) = = = 368.76
18.44
e) = 1.35
0 = = 6.850 = 5.98 . 6.8

37 de 62
 5.98
= = = 324.3 . 368.76
18.44

EJEMPLO 5.3 Para la red de la figura 5.32, sin CE (sin

puenteo), determine:

a. re.
b. Zi.
c. Zo.
d. Av.

200.7
a) Cd: = = = 35.89
+(+1) 470+(121)0.56
= ( + 1) = (121)(35.89) =
4.34

b)

c)

EJEMPLO 5.4 Repita el anlisis del ejemplo 5.3 con CE en su lugar.

Solucin:

a) El anlisis de cd es el mismo y
b) es puesta en cortocircuito por para el anlisis de . Por consiguiente,

c)

38 de 62
EJEMPLO 5.5 Para la red de la figura 5.34 (con CE desconectado), determine
(utilizando aproximaciones apropiadas):

a. re.
b. Zi.
c. Zo.
d. AV.

a) Al comprobar la condicin

b) El circuito equivalente de ca se proporciona en la figura

c) 5.35. La configuracin resultante es diferente de la figura 5.30 slo porque ahora

Las condiciones de prueba de se satisfacen.

Utilizando aproximaciones apropiadas se obtiene:

d)

39 de 62
 e)

Captulo 6.
EJEMPLO 6.1 Trace la curva de transferencia definida por IDSS=12 mA y Vp=6 V.

Solucin: Dos puntos de grficas se definen como:

En VGS=Vp/2/=6 V/2 =-3 V la corriente de drenaje se determina como I D=I DSS/4 =12 mA/4
=3 mA. Con I D=I DSS/2 =12 mA/2 =6 mA el voltaje de la compuerta a la fuente se determina
como VGS 0.3Vp =0.3 (-6V) 1.8 V. Los cuatro puntos aparecen bien definidos en la figura
6.18 con la curva de transferencia completa.

EJEMPLO 6.2 Trace la curva de transferencia para un dispositivo de canal p con IDSS =4
mA y Vp = 3 v.

Solucin:

En VGS= Vp/2 =3 V/2 = 1.5 V, ID = IDSS=4 = 4 mA/4 = 1 mA. En ID = IDSS/2 = 4 mA/2 =2 mA, VGS
= 0.3Vp = 0.3 (3 V) = 0.9 V. Ambos puntos de grficas aparecen en la figura 6.19 junto
con los puntos definidos por IDSS y Vp.

EJEMPLO 6.3 Trace las caractersticas para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n
con IDSS =10 mA y Vp=-4 V.

40 de 62
Solucin:

EJEMPLO 6.4 Utilizando los datos proporcionados en la hoja de especificaciones de la

figura 6.43 y un voltaje de umbral promedio de VGS (Th) =3 V, determine:

El valor resultante de k para el MOSFET.

Las caractersticas de transferencia.

Solucin:

41 de 62
Prcticas

42 de 62
 Divisor de voltaje
Medidas de forma: Analtica, simulada y real

Bentez Martnez Ariztdy Cruz Huerta Guadalupe Jairo Electrnica Integrada

code.ashfor@gmail.com wada.jairo95@hotmail.com Universidad Autnoma del Estado
de Hidalgo.
Gmez Silva Jos Luis
Jolugosi1602962@live.com.mx

Resumen: El objetivo de esta prctica, es conocer los
voltajes en los diferentes puntos del circuito con
distintos puntos de referencia. En esta prctica se va a
realizar un divisor de voltaje, el circuito se va a
construir con resistencias del 10 % y dos fuentes de
voltaje directo, las resistencias van conectados en serie
cerrando el circuito de la fuente, el voltaje se midi con
diferentes puntos con distintos instrumentos de
medicin. El divisor de voltaje se hace para conocer el
voltaje y/o intensidad que circula en circuito. La
ventaja d este circuito que el voltaje se va a mantener
contante. La fuente de voltaje fue inconveniente porque
no sabamos cmo colocarla en serie. Los resultados
que obtuvimos variaron respecto a los clculos
analticos por los instrumentos de medicin ya que no
estaban en buenas condiciones y las puntas de la fuente
estaban un poco oxidadas.
Introduccin. Para el desarrollo exitoso de todas las
prcticas de electrnica es necesario conocer y operar
correctamente los instrumentos de mediciones
elctricas. Estos instrumentos permiten medir la
intensidad de corriente elctrica por un conductor
(ampermetro), la diferencia de potencial entre dos
puntos de un circuito (voltmetro) o la resistencia
elctrica de un dispositivo resistor (hmetro).
Afortunadamente, el Multmetro Digital rene estos
instrumentos de medicin y otros tiles para medir
temperatura, probar diodos o medir capacitancias.
Otro trmino relevante en la medicin de voltaje es el
de Tierra. En circuitos elctricos, la tierra es el punto de
referencia. Tierra de referencia. Los voltajes siempre se
especifican con respecto a otro punto.
Es importante reconocer la medicin del voltaje, que es
lo que se usa en esta prctica. Para medir voltaje, el
voltmetro se conecta a travs del componente para el
cual el voltaje ha de ser medido. Tal conexin es una
conexin en paralelo. La terminal negativa del medidor
se conecta al lado negativo del circuito, y la terminal
positiva se conecta al lado positivo del circuito.
Para hacer los clculos del comportamiento ideal del
circuito se necesita conocer la Ley de Ohm y la Ley de
Voltaje de Kirchhoff.
La ley de Ohm describe matemticamente la relacin
entre voltaje, corriente y resistencia en un circuito. La
ley de Ohm establece que la corriente es directamente
proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la
resistencia.
La ley del voltaje de Kirchhoff es una ley fundamental
de circuito que establece que la suma algebraica de
todos los voltajes localizados en una sola trayectoria
cerrada es cero o, en otras palabras, que la suma de las
cadas de voltaje es igual al voltaje de fuente total.
En esta prctica se utilizar la configuracin de fuentes
en serie. Cuando dos o ms fuentes de voltaje estn en
serie, el voltaje total es igual a la suma algebraica de los
voltajes de fuente individuales. La suma algebraica
implica que las polaridades de las fuentes deben ser
incluidas cuando las fuentes se combinan en serie. Las
fuentes con polaridades opuestas tienen voltajes con
signos opuestos.
Por ltimo, se tiene que tener claro que es un circuito
divisor de voltaje. Un circuito en serie acta como
divisor de voltaje. El divisor de voltaje es una
aplicacin importante de los circuitos en serie. La cada
de voltaje a travs de cualquier resistor o combinacin
de resistores en un cir- cuito en serie es igual a la
relacin de dicho valor de resistencia a la resistencia
total, multiplicada por el voltaje de fuente [1].
Objetivo

43 de 62
Confirmar los resultados de las mediciones en sus
formas: analtica, simulada y en prctica. Observar los
cambios en el voltaje y corriente cuando el punto de
referencia se fija en distintos puntos de un mismo
circuito.
Desarrollo.
Para llevar a cabo esta prctica se utiliz:
- 1 Osciloscopio Tektronix DPO-2014B.
- 1 Generador de funciones Rigol G1062.
- 1 Fuente de voltaje Keithley 2230-30-1.
- 2 Multmetros BK Precisin 390.
- 1 Multmetro HIOKI DT4261.
- Resistencia de 2k, 4k y 3k.
FIG 1. Osciloscopio Tektronix DPO 2014B.
FIG 2. Fuente de voltaje Keithley.
FIG 3. Conexin para los circuitos que requieren
tener tierra comn.
FIG 4. Multmetros utilizados para la prctica.
Se solicit calcular los voltajes en los nodos (A, B, C,
D y E), cuando la referencia se fija en el nodo E, D y C
del circuito de la FIG 1.
44 de 62
Como primer paso, se midieron los valores de las
resistencias a utilizar con la ayuda de un multmetro
para determinar su valor real y as poder obtener
resultados fiables.
Una vez tomada nota de los valores reales de
nuestras resistencias, procedemos a armar nuestro
circuito en protoboard usando el circuito de la FIG 1.
La fuente de voltaje (FIG 2) fue necesaria configurarla
en modo serie independiente (FIG 3). Cada canal cont
con un voltaje de salida de 6 volts.
Se tuvo que comprobar con el multmetro el voltaje real
que nos proporciona la fuente al igual que las
resistencias para obtener los resultados ms fiables.
Preparada la fuente, el circuito en protoboard y las
anotaciones correspondientes sobre los valores de
voltaje y resistencia, procedemos a realizar las
mediciones correspondientes fijando el primer punto de
referencia en el nodo E, despus en el punto D y por
ltimo en el punto C. Cada medicin fue realizada 4
veces (una con cada multmetro y una con el
osciloscopio). Para medir el voltaje con el osciloscopio
fue necesario configurarlo y as poder obtener el voltaje
RMS.
FIG 5. Figura de referencia.
 Resultados
Punto de referencia en el nodo C
Nodo. Analtica. Simulacin. Multmetro 1. Multmetro 2. Multmetro 3. Osciloscopio.
A 7.871 v 7.867 v 7.798 v 7.901 v 7.893 v 7.884 v
B 5.301 v 5.131 v 5.29 v 5.30 v 5.30 v 5.29 v
C 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v
D -4.127 v -4.133 v -4.159 v -4.123 v -4.162 v -4.161 v
E 1.873 v 1.867 v 1.886 v 1.836 v 1.875 v 1.835 v
Tabla 1. Datos de voltaje cuando la referencia est en el nodo C.

Punto de referencia en el punto D

Nodo. Analtica. Simulacin. Multmetro 1. Multmetro 2. Multmetro 3. Osciloscopio.
A 12.00 v 12.00 v 12.00 v 12.00 v 11.97 v 11.99 v
B 9.354 v 9.264 v 9.452 v 9.455 v 9.221 v 9.259 v
C 4.122 v 4.133 v 3.58 v 3.595 v 3.557 v 3.64 v
D 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v
E 6.00 v 6.00 v 6.00 v 5.9997 v 6.00 v 5.98v
Tabla 2. Datos de voltaje cuando la referencia est en el nodo D.

Punto de referencia en el punto E

Nodo. Analtica. Simulacin. Multmetro 1. Multmetro 2. Multmetro 3. Osciloscopio.
A 6.00 v 6.00 v 6.001 v 6.00 v 6.00 v 5.98 v
B 3.29 v 3.264 v 3.38 v 3.375 v 3.165 v 3.93 v
C -1.82 v -1.867 v -1.8 v -1.841 v -1.802v -1.851 v
D -6.00 v -6.00 v -5.99 v -6.00 v -6.00 v -5.98 v
E 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v 0.00 v
Tabla 3. Datos de voltaje cuando la referencia est en el nodo E.

tabla representa un punto de referencia donde se

FIG 6. Comparacin del voltaje de la fuente con el
voltaje que le llega al circuito.
midieron los valores. Los resultados obtenidos del
circuito varan un poco con la forma analtica. Los
factores que pueden influir en las mediciones pueden
ser que los instrumentos de medicin no estn bien
calibrados, que las puntas de los multmetros estn
daadas, que la protoboard afecte las mediciones o que
el circuito no sea correcto.

Podemos observar claramente que el divisor de voltaje

FIG 7. Medicin de los voltajes en un punto de
referencia.
Conclusiones:
En las tablas encontramos datos de las diferentes
mediciones con diferentes instrumentos de medicin
(multmetro, osciloscopio) en diferentes puntos, cada
sirve para convertir alto voltaje en voltaje inferior. Es
una herramienta fundamental utilizada cuando se
desean conocer voltajes de resistencias especficas.
Solo hay que tener conocimiento sobre las leyes de
voltajes y corrientes de Kirchhoff para que se pueda
realizar fcilmente el anlisis de un circuito elctrico.
Referencias:
[1] Floyd, & Thomas. (2007). Principios de
Circuitos Elctricos. Mxico: PEARSON.

45
 Seguidor en emisor comn
Seguidor de voltaje
Bentez Martnez Ariztdy Cruz Huerta Guadalupe Jairo
code.ashfor@gmail.com wada.jairo95@hotmail.com
Gmez Silva Jos Luis
correo@x.com
Resumen: Conocer la transmisin mediante un diodo
infrarrojo con una seal cuadrada de entrada.
Conocer la funcin que realiza un circuito de seguidor
de voltaje. Para realizar el circuito necesitamos un
generador de funciones, una resistencia, un
potencimetro, un transistor (2N3904) y dos 2 LED
infrarrojos. La resistencia va conectada la Base del
transistor, el emisor va conectado al potencimetro,
los diodos van conectado al colector. Podemos
visualizar que la seal de entrada va hacer la misma
de salida. Las ventajas de estos circuitos eliminan
efectos de carga, pero el uso de las corrientes es un
adaptador de impedancias de diferentes etapas.
Cuando variamos el potencimetro poco a poco el Led
encenda y apagaba hasta llegar a un punto que led ya
no se poda ver cuando se apagaba.
Introduccin. Resistencia: Oposicin a la corriente.
La unidad de medicin es el ohm (). Potencimetro:
Resistor variable de tres terminales. Transistor: es un
dispositivo electrnico semiconductor utilizado para
entregar una seal de salida en respuesta a una seal de
entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilado,
conmutador o rectificador. [1]
Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED
(acrnimo del ingls de light-emitting diode) es un
dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz
incoherente de espectro reducido cuando se polariza de
forma directa la unin PN del mismo y circula por l
una corriente elctrica. El seguidor de tensin es aquel
circuito que proporciona a la salida la misma tensin
que a la entrada. Amplificadores: son circuitos que se
utilizan a aumentar (amplificar) el valor de la seal de
entrada generalmente muy pequea y as obtener una
seal a la salida con una amplitud mucho mayor a la
seal original. [2]
Seguidor de Voltaje tambin se conoce como:
Amplificador Seguidor de Fuente, Amplificador de
Ganancia Unitaria o Amplificador de Aislamiento. La
seal de entrada (Ve) se aplica directamente a la
Terminal no-inversora (+) del Op-Amp (Amplificador
operacional) y la seal de salida (Vs) es igual a la seal
de entrada (Ve), por lo tanto, la ganancia (Av) del
46 de 62
Electrnica Integrada
Universidad Autnoma del Estado
de Hidalgo.
seguidor es igual a uno. El Seguidor de voltaje se utiliza
porque su impedancia de entrada es muy alta, por lo
tanto, la corriente que extrae el circuito de una fuente
de seal externa es despreciable. El seguidor de voltaje
es de ganancia unitaria porque su resistencia de
realimentacin es igual a CERO y la seal de entrada
al Op-Amp est por la entrada NO INVESORA (ver
formula). En los comparadores, ocurren los cambios a
la salida porque los voltajes en ambas entradas del Op-
Amp no son iguales, estn cambiando (detecta cambios
de microvolts o ms pequeos). [3]
Estos circuitos tratan de aprovechar las
caractersticas de alta impedancia de entrada y baja
de salida de los amplificadores operacionales. Se
utiliza como buffer, para eliminar efectos de carga,
pero su uso ms corriente es el de adaptador de
impedancias de diferentes etapas (conectar un
dispositivo de gran impedancia a otro con baja
impedancia o viceversa). [4]
Objetivo. Construir un circuito a travs del cual se
visualizar el funcionamiento de un seguidor de emisor
simple. Esto generar un circuito de un flash repetitivo
guiado por un transistor y un generador de funciones.
Desarrollo
Se realiz el siguiente circuito en protoboard:
VDC4
XFG1
24V
XSC1
COM
LED1
Tektronix
P 1 2 3 4 T
LED2
G
XMM1
R1
10k
Q2
2N3904
R2
10k 20 %
Key=A
FIG 1. Circuito utilizado.
El material y equipo utilizado para esta prctica fue:
- 1 Transistor PNP ST2N3904.
- 1 Potencimetro de 10 k.
- 1 Resistencia de 10k.
- 1 Generador de funciones Rigol G1062 a 5Hz,
5 V de voltaje pico y con una forma de onda
cuadrada.
- 1 Fuente de voltaje Keithley 2230-30-1 a 24 V.
- 1 Osciloscopio Tektronix DPO-2014B. FIG 4. Resistencia de 10k
- 2 LEDS.

FIG 5. Fuente de voltaje Keithley 2230-30-1

FIG 2. Configuracin Transistor ST2N3904.

Un potencimetro de 10k: FIG 6. Osciloscopio Tektronix DPO 2014B.

FIG 3. Diagrama y configuracin del potencimetro.

FIG 7. Configuracin y smbolo de LED.

Una vez reconocidas los valores del circuito se

procedi a su ensamble en protoboard:

47 de 62
 Se puede observar el cambio de intensidad de la luz
producida por el seguidor de voltaje cuando variamos
la resistencia.

FIG 10. LED encendidos.

FIG 8. Circuito en protoboard.
Conclusiones
En los resultados obtenidos del circuito en las formas
de analtico, simulado y real existe una pequea
diferencia de voltaje, esto pudiera ser causado debido
al nmero de nmeros que se tom al hacer los clculos
correspondientes.

En primer lugar, ste circuito tiene diferencias con

otros tipos, en especial por la conexin que en este caso
se trata de colector comn, que comnmente se le llama
como emisor seguidor. Y precisamente sta
nomenclatura responde a una caracterstica de ste
FIG 9. Circuito en protoboard funcionando. circuito, que tambin observamos en la prctica. sta
caracterstica se refiere a la igualdad en las fases de las
seales de entrada y salida. En ste tipo de transistor,
Resultados se ve la muy trascendente peculiaridad de que las seal
Se obtiene un amplificador de colector comn, a de salida, al estar conectada al emisor, no sufre desfase,
menudo llamados seguidor emisor puesto que su salida por eso, en el emisor, donde se encuentra la salida, la
se toma de la resistencia del emisor, es til como seal sigue exactamente el viaje de la seal de entrada,
dispositivo adaptador de impedancias, puesto que su de ah el nombre de emisor seguidor.
impedancia de entrada es mucho ms alta que su
impedancia de salida [5]. En sta configuracin, presenta muy baja ganancia de
voltaje, que como se vio en la prctica se ve reflejado
Resultados del voltaje a la salida del circuito en la salida, ya que sta no es muy amplia en voltaje,
Resistencia respecto a la entrada. Adems en ste circuito existe
Analtico Simulado Real una muy alta impedancia de entrada, lo cual puede ser
del emisor
10 k 9.2999 V 9.278 V 9.28 V de gran ayuda para el acoplamiento de circuitos.
5 k 9.2777 V 9.208 V 9.21 V
1 k 8.7921 V 8.799 V 8.8 V Referencias
100 5.6731 V 5.637 V 5.64 V [1] Floyd, T. L. (2007). Principios de circuitos
Tabla 1. Datos de voltaje obtenido en el emisor.
electricos. Mexico: Pearson Educacion.

[2] Annimo. (n.d.). DAQ circuitos. Retrieved

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 http://daqcircuitos.net/index.php/circuitos-
tipicos-con-amplificadores-
operacionales/circuito-seguidor-de-
tension/81-circuito-seguidor-de-tension

[3] Tovar, I. J. (n.d.). Universidad Autonoma del

estado de Baja California . Retrieved from
Seguidor de voltaje:
http://yaqui.mxl.uabc.mx/~ea_ii/sem07-
2/Practica_EAII_6.pdf

[4] Annimo. (2016). Electronica Unicrom.

Retrieved from Amplificadores:
http://unicrom.com/amplificadores-
amplificacion/

[5] http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/electronic/npncc.html#c2
; Amplificador con colector comn

49 de 62
 Configuracin Darlington
Transistores

Bentez Martnez Ariztdy Cruz Huerta Guadalupe Jairo Electrnica Integrada

code.ashfor@gmail.com wada.jairo95@hotmail.com Universidad Autnoma del Estado
de Hidalgo.
Gmez Silva Jos Luis
Jolugosi160296@live.com.mx

Resumen: Estudio y anlisis de circuitos
amplificadores en cascada con transistores. Para
aprender a calcular de manera sencilla circuitos y
obtener una amplificacin de ganancia de voltaje, por
medio de la conexin de los amplificadores en cascada.
Se busca hacer un amplificador en cascada usando
Transistores TIP122G tratando de obtener 1 ampere a
la salida y una ampliacin del voltaje con respecto a la
entrada. Un amplificador en cascada funciona
bsicamente conectando la salida de una etapa a la
entrada de la siguiente de ah el trmino cascada. Se
busca obtener la salida deseada as como el anlisis
sobre la seal en cada una de las etapas utilizando
instrumentos de medicin como el osciloscopio para
poder observar el cambio de la seal de entrada y sus
modificaciones a lo largo del sistema.
En la FIG 1 se ilustra el par Darlington. Dicho par es
una configu-racin compuesta de dos transistores en
cascada. Esta combinacin de transistores posee
algunas caractersticas deseables que la hacen ms til
que un solo transistor en ciertas aplicaciones. Por
ejemplo, el circuito tiene alta impedancia de entrada,
baja impedancia de salida y alta ganancia de corriente.
Una desventaja del par Darlington es que la corriente
de fuga del primer transistor es amplificada por el
segundo [3].

Introduccin.
Una conexin popular entre etapas de amplificador es
la conexin en cascada. Bsicamente una conexin en
cascada es aquella en la cual la salida de una etapa se
conecta a la entrada de la segunda etapa. Un
amplificador en cascada est compuesto de dos bloques
amplificadores diseados de manera de obtener una
alta impedancia de entrada y una ganancia baja de
voltaje para asegurar que la capacitancia de entrada sea
mnima, permitindole operar adecuadamente a altas FIG 1. Par Darlington
frecuencias. La conexin en cascada proporciona una
multiplicacin de la ganancia en cada una de las etapas La caracterstica principal de la conexin Darlington es
para tener una mayor ganancia en total [1]. que el transistor compuesto acta como una sola unidad
con una ganancia de corriente que es el producto de las
En la electrnica el transistor Darlington es un ganancias de corriente de los transistores individuales.
dispositivo semiconductor que combina dos Si la conexin se hace con dos transistores distintos con
transistores bipolares en un tndem (a veces llamado ganancias de corriente de 1 y 2 , la conexin
par Darlington) en un nico dispositivo Darlington proporciona una ganancia de corriente de:

La configuracin originalmente realizada con dos = 1 2 (EC 1.)

transistores separados fue inventada por el ingeniero de
los laboratorios Bell Sdney Darlington. La idea de Si los dos transistores se acoplan de modo que
poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada 1 = 2 = , la conexin Darlington proporciona una
por l, pero no la idea de poner un nmero arbitrario de ganancia de corriente de:
transistores que originara la idea moderna de circuito = 2 (EC 2.)
integrado [2].

50 de 62
Una conexin Darlington proporciona un transistor con
una ganancia de corriente muy grande, por lo general
de unos miles [4].
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea
capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente
y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio
que dos transistores normales en la misma
configuracin. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales.
Un inconveniente del par Darlington es el aumento de
su tensin de saturacin. El transistor de salida no
puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe
permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin
colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia
tensin colector-emisor del primer transistor, ambas
positivas en condiciones de funcionamiento normal.
Otro problema es la reduccin de la velocidad de
conmutacin, ya que el primer transistor no puede
inhibir activamente la corriente de base de la segunda,
haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar
esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de
cientos de ohmios conectada entre su base y emisor.
Esta resistencia permite una va de descarga de baja
impedancia para la carga acumulada en la unin base-
emisor, permitiendo un rpido apagado [2].
Objetivo. Analizar en la salida del circuito que
debemos tener una corriente de 1 A si tenemos un
voltaje de 24 V, encontrar la resistencia para obtener en
la salida 1 A. En la salida del circuito debemos tener
una corriente 1 A encontrar los valores faltantes de los
circuitos.
Desarrollo. Para obtener los resultados ideales se
deber hacer una simulacin del circuito siguiendo el
esquema de la FIG 2.
Se procede a hacer las medidas reales de las resistencias
para los clculos correspondientes.
Despus, se armar el circuito mostrado en la FIG 2.
Teniendo en cuenta la datasheet del TIP122G, la cual
se obtendr segn la marca correspondiente.
Se destaca que las fuentes VCC son independientes. Es
importante no situarlas como una misma.
51 de 62
El generador de funciones se ajusta a una frecuencia de
10 Hz con un Vp de 3 V. La forma de onda es cuadrada.
Armado y revisado el circuito, se conecta el
osciloscopio. La primera punta de prueba se coloca en
la salida del generador. La segunda punta de prueba es
colocada en el colector del TIP122G.
Se observa el comportamiento de ambas seales.
El equipo trabajado para esta prctica es el siguiente:
- Fuente de Voltaje KEITHLEY 2230-30-1. Dos
canales a 24 V.
- Generador de funciones RIGOL DG1062. Con una
frecuencia de 5 Hz y un Vp de 3 V.
- Osciloscopio Tektronix DPO-2014B.
- TIP122G. Su configuracin se muestra en la FIG 3.
- Resistencia de 10k, 9.8k y 10, una de cada una.
VCC
24V
VCC1
24V
R3
10
XFG1
COM
R1
9.83k
Q1
TIP122G
R2 Q2
10k
TIP122G
FIG 2. Circuito de transistores en
cascada.
FIG 3. Configuracin interna y pines
correspondientes del TIP122G.
Resultados. El circuito armado debe ser anlogo al de
la FIG 4. Los resultados mostrados en la simulacin
(FIG. 5) nos darn una idea de la aproximacin a la
realidad con el osciloscopio de Tektronix.
 VCC
24V

VCC1
R3
En la FIG 6. Se aprecia una amplificacin parecida que
24V 10 la de la simulacin mostrada anteriormente.
XFG1 + U1
1.161 A DC 1e-009Ohm
R1 -
COM
9.83k
XSC1
Q1
TIP122G
Tektronix
R2 Q2
TIP122G P 1 2 3 4 T

10k G

FIG 4. Circuito completo.

En la FIG 4. Se puede apreciar que la salida del colector

tiene una corriente de aproximadamente 1 A. Esta
medida no se puede medir con un multmetro en la
prctica. Por ello los resultados se apoyan del uso del
FIG 7. Seal de entrada y salida del
osciloscopio.
segundo TIP122G.

En la FIG 7. Se aprecia la onda de salida, conserva parte

de su forma inicial con una leve distorsin.

Valor Analtico Simulado Real

1 53.75mA 51.8mA 53.75mA
2 0.96 0.99 0.91
1 12V 12V 11.99V
2 24V 24V 24.001V

FIG 5. Resultados de la simulacin. Conclusiones.

La FIG 5. Nos muestra la entrada y salida del circuito.
Se alcanza a visualizar que la salida del voltaje es
amplificada con respecto al de la entrada sin que la
onda pierda su forma inicial.
A continuacin se muestran los resultados reales del
circuito.
Se pueden comparar los resultados obtenidos en este
circuito en las formas de analtico, simulado y real. La
seal de entrada y la seal de salida varan muy poco,
por algunos decimales. Las variaciones pueden ser por
el ruido de las puntas del osciloscopio o por el nmero
de decimales usadas para hacer los clculos.
Los amplificadores en cascada son el acoplo de las
configuraciones de amplificadores sean BJT o FET.

Todos los amplificadores tienen un lmite de

amplificacin ya sea por su fabricacin o lmite de
operacin por eso hemos acoplado un amplificador en
colector comn y despus en conexin source comn a
un emisor comn.

Referencias:
[1] http://www.usc.edu.co/files/LABORATORIO
S/GUIAS/INGENIERIA/BIOINGENIERIA/L
FIG 6. Seal de entrada y salida del primer ABORATORIO%20PARA%20ELECTRONI
TIP122G.

52 de 62
 CA%20II/Amplificador%20BJT%20en%20C
ascada.pdf

[2] Castiblanco, F. E., & Vela, D. S. (s.f.).

Amplificador Darlington. SENA (CEET).

[3] Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009).

Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. Mxico: Prentice Hall.

[4] Nio, J. E. (s.f.). Amplificadores de Potencia.

Obtenido de AngelFire:
http://www.angelfire.com/al3/VGhp/darlingt.h
tml

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 Optoacoplador
Bentez Martnez Ariztdy Cruz Huerta Guadalupe Jairo
code.ashfor@gmail.com wada.jairo95@hotmail.com
Gmez Silva Jos Luis
Jolugosi160296@live.com.mx
Resumen. Siempre que se vaya a interconectar un
sistema digital cualquiera a un sistema de potencia, es
necesario hacer optoacoplamiento, para garantizar
aislamiento elctrico. De no hacerlo, se corren
enormes riesgos que se traducirn en problemas de
seguridad elctrica, daos costosos en los sistemas de
control digitales y perjuicios al proceso de produccin
sobre el cual se est operando. Por ello, se ver a
continuacin la implementacin de un optoacoplador.
En esta prctica se har un circuito simple con un
optoacoplador. Para ello se utilizarn los componentes
necesarios, descritos dentro de la prctica, as como
instrumentacin para realizar las operaciones y
mediciones necesarias. La finalidad de esta prctica es
entender el funcionamiento e importancia de los
optoacopladores en conjunto con otros componentes
como el TRIAC.
Introduccin. Muchos sistemas digitales controlan a
otros sistemas o realizan funciones de control tales que
deben ser interconectados a una etapa de potencia, que
utilizan TIRISTORES o TRIACS para actuar sobre
cargas resistivas o inductivas en sistemas de
iluminacin, o en procesos industriales o en control de
velocidad de motores, entre otros.
El Triac es disparado por su Compuerta, con un nivel
de corriente especifico. Generalmente este nivel es un
pulso, el cual hace conducir al triac desde el momento
del disparo hasta que la onda senoidal regresa a cero,
momento en que el Triac se recupera y regresa a su
estado de no-conduccin.
El triac es un thyristor (semiconductor de dos vas) para
control de corriente alterna. Es disparado generalmente
con un Diac, pero el uso de un optotriac como el
MOC3030 facilita su montaje y acopla muy bien esta
etapa de potencia con etapas anteriores de bajo voltaje
y de corriente directa [1].
La manipulacin de altas corrientes, de hasta varios
centenares de amperios, implica el tener
consideraciones de seguridad elctrica para los
operarios y de proteccin para el sistema digital.
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Electrnica Integrada
Universidad Autnoma del Estado
de Hidalgo
Es deseable que la interconexin entre ambas etapas (la
digital y la de potencia) se haga por un medio de
acoplamiento que permita aislar elctricamente los dos
sistemas. Esto se puede lograr con los dispositivos
llamados OPTOACOPLADORES, mediante los cuales
se obtiene un acoplamiento ptico y, al mismo tiempo,
un aislamiento elctrico. Por ello tambin se les conoce
como OPTOAISLADORES. El acoplamiento se
efecta en el rango del espectro infra-rojo a partir de
dispositivos emisores de luz, usualmente IRED (infra-
rojo) LEDs (diodos emisores de luz), actuando como
emisores y utilizando dispositivos detectores de luz
(optodetectores), actuando como receptores.
La razn fundamental para llevar a cabo acoplamiento
ptico y aislamiento elctrico es por proteccin de la
etapa o sistema digital ya que si ocurre un corto en la
etapa de potencia, o cualquier otro tipo de anomala
elctrica, el OPTOACOPLADOR protege toda la
circuitera digital de control [2].
Los optoacopladores son a menudo utilizados para
separar dos elementos de circuito que operan con
voltajes extremadamente diferentes. Esto evita daos a
la parte que trabaja a un voltaje menor. Tambin
trabajan para evitar que los dos elementos se daen por
voltaje inverso o sobrecargas de energa.
Debido a esta caracterstica, los optoacopladores son
mejor utilizados al asociarse con interruptores de
encendido/apagado y la transferencia de datos
digitales. Generalmente, se encuentran entre un
transmisor y un receptor en un circuito elctrico [3].
Los optoacopladores juegan un papel integral en
muchos artculos comunes del hogar, tales como
telfonos, telfonos celulares, circuitos de
computadoras, mdems de Internet e incluso el circuito
elctrico de la casa entera. Los optoacopladores se han
convertido en esenciales para televisores modernos
conforme ha crecido la tecnologa y la complejidad de
los componentes digitales. Se utilizan ampliamente
para separar las partes del circuito que manejan el
receptor de cable, el rendimiento y la configuracin de
la pantalla [4].
Objetivo.
Analizar el funcionamiento de un optoacoplador y
entender su importancia en la vida diaria, as como
aprender a saber cmo utilizarlo de manera adecuada.

Desarrollo.

El material y equipo que se utiliz para esta prctica es:

- 1 MOC3011.
- 1 TRIAC MAC218A. FIG 3. Transformador de 120 V a 12 V.
- 1 Transformador de 120 V a 12 V.
- 1 Foco de 20 W.
- 1 Resistencia de 220.
- 1 Fuente de voltaje Fuente de voltaje
Keithley 2230-30-1.
- Generador de funciones Rigol G1062.

FIG 4. Foco de 20 W.

FIG 1. Encapsulado y esquema del MOC. FIG 5. Resistencia de 220.

FIG 6. Fuente de voltaje Keithley.

Una vez identificados todos los materiales y equipos

FIG 2. Encapsulado y esquema del TRIAC.
pasamos a realizar el circuito de la FIG 7 en protoboard.
Despus variamos la frecuencia del generador de
funciones para observar las diferentes acciones que
realiza el foco.
L2

R4
1K
U3
1 6 12V
V1
VSINE
U4 VA=12V
2 4 TRIAC FREQ=60HZ
MOC3021

FIG 7. Diagrama del circuito.

55 de 62
Resultados.
Los resultados que obtuvimos en esta prctica
fueron satisfactorios.
FIG 8. En esta observamos que el foco esta prendido,
la frecuencia del generador es de 60Hz.
FIG 9. Nos muestra que la frecuencia del generador
de funciones de 60.200Hz.
FIG 10. Observamos que foco apagaba rpido, se
debe esto por frecuencia que tiene de entrada (60.2
Hz).
56 de 62
FIG 11. Nos muestra que la frecuencia del generador
de funciones de 59.900 Hz.
FIG 12. Observamos que el foco tardaba un poco
para apagarse o prender.
Conclusiones.
En esta prctica que observ que un optoacoplador es
un componente formado por la unin de al menos un
emisor (diodo LED) y un fotodetector (fototransistor u
otro) acoplados a travs de un medio conductor de luz,
pueden ser encapsulados. Cuanta mayor intensidad
atraviesa el fotodiodo, mayor ser la cantidad de
fotones emitidos y, por tanto, mayor ser la corriente
que recorra el fototransistor. Se trata de una manera de
transmitir una seal de un circuito elctrico a otro.
Un optoacoplador combina, en una misma base, un
LED y un fotodetector. El voltaje que alimenta al LED
fuerza la circulacin de la corriente a travs del mismo.
La luz que ste emite incide en el fotodiodo y crea una
corriente inversa que pasa por el resistor.
El voltaje de salida del fotodiodo depender de la
magnitud de la corriente inversa. Si se modifica el
voltaje que alimenta al LED, vara la intensidad
luminosa, la corriente del fotodiodo y en consecuencia,
Vsal. Si la corriente del LED tiene una variacin de ca,
Vsal tendr la misma variacin de ca
Referencias:
[1] Babiruso. (2004). TRiac. 24 febrero del 2016,
de Todos Expertos Sitio web:
http://www.todoexpertos.com/categorias/cienc
ias-e-ingenieria/ingenieria-
electronica/respuestas/816961/funcionamiento
-triacs-y-moc3021

[2] Proyectos Electrnicos. (4 de Septiembre de

2008). Obtenido de Optoacoplador:
http://proyectoselectronics.blogspot.mx/2008/
11/acerca-de_29.html
[3] http://www.ehowenespanol.com/optoacoplado
res-sobre_152949/; Qu es lo que hacen los
optoacopladores?
[4] http://www.educachip.com/optoacoplador-
que-es-y-como-utilizarlo/; Optoacoplador
Qu Es y Cmo Utilizarlo?

57 de 62
Glosario

Admitancia
Medida de la capacidad de un circuito reactivo para permitir corriente; es el recproco
de la impedancia. La unidad es el siemens (S).

BJT
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras
separadas por dos uniones pn. Para que un BJT opere adecuadamente como
amplificador, las dos uniones pn deben estar correctamente polarizadas con voltajes de
cd externos.

Conductancia
El recproco de la resistencia es la conductancia, simbolizada mediante G. La
conductancia es una medida de la facilidad con que se establece la corriente.

Diodo Freewheel (Diodo flyback, diodo volante)

La desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido
inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su activacin. Un
diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El
inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la
frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente
diodo volante.

FET
Una de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada. El
transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en
varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT.

Impedancia
Oposicin total a la corriente sinusoidal expresada en ohms.

Interface
Trmino en ingls. Su traduccin al espaol es interfaz.

Interfase
1. f. Biol. Perodo del ciclo celular en el que tiene lugar la sntesis de protenas y la
replicacin del material gentico.

2. f. Fs. y Qum. Superficie de separacin entre dos fases.+

Interfaz
(Del ingl.interface, superficie de contacto).

58 de 62
1. f. Inform. Conexin fsica y funcional entre dos aparatos o sistemas independientes.

Inversor
La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de corriente continua a un
voltaje simtrico de salida de corriente alterna, con la magnitud y frecuencia deseada
por el usuario o el diseador.

JFET
El JFET (transistor de efecto de campo de unin) es un tipo de FET que opera con una
unin pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. El transistor BJT es
un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un dispositivo
controlado por voltaje.

MOSFET
Un transistor MOSFET conduce corriente elctrica entre dos patillas cuando aplicamos
tensin en la otra patilla. Es un interruptor que se activa por tensin.

Optoacoplador
La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor.
Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal
luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un
optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los
circuitos de entrada y salida.

PLC
El trmino PLC proviene de las siglas en ingls para Programmable Logic Controler, que
traducido se entiende como Controlador Lgico Programable. Se trata de un equipo
electrnico, que, tal como su mismo nombre lo indica, se ha diseado para programar
y controlar procesos secuenciales en tiempo real.

Reactancia
Parte imaginaria de la impedancia.

Resistencia Interna
Las fuentes de tensin / voltaje, sean estas bateras, generadores, etc., no son ideales
(perfectas). Una fuente de tensin real est compuesta de una fuente de tensin ideal
en serie con una resistencia llamada resistencia interna. Esta resistencia, no existe en la
realidad de manera de que nosotros la podamos ver. Es una resistencia deducida por
el comportamiento de las fuentes de tensin reales. La resistencia interna de una fuente
es una resistencia que se coloca en un circuito elctrico a fin de modelar el efecto que
poseen las fuentes de alimentacin reales cuando a partir de ellas circula una corriente.

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SCR
El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo
semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. Presenta dos
estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Susceptancia
Parte imaginaria de la admitancia.

THD Distorsin Total Armnica

Este ndice se define como la relacin entre el valor eficaz del total de las componentes
armnicas y el valor eficaz correspondiente a la componente fundamental. Este valor
es usualmente expresado como un porcentaje de la onda fundamental.

Tiristor
Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos
estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de
una estructura PNPN. El ms empleado es el rectificador controlado de silicio (SCR).

Transconductancia
La transconductancia es igual a la corriente alterna de drenador dividida entre la
tensin en alterna puerta-fuente. La transconductancia nos dice cuan efectiva es la
tensin de puerta-fuente para controlar la corriente de drenador. A mayor
transconductancia, mayor control ejerce la tensin de puerta sobre la corriente de
drenador.

Transistor
Los transistores son componentes electrnicos semiconductores de estado slido, que
tienen como funcin amplificar seales o hacen de switch electrnico. Adems, hacen
parte fundamental de los circuitos integrados.

TRIAC
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin.
Conduce la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el inverso, por
ello, al igual que el diac, es un dispositivo bidireccional. La aplicacin de los triacs, a
diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. La principal
utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en
corriente alterna.

Referencias
Captulo 16

60 de 62
 FLOYD, THOMAS. L. (2008). Dispositivos Electrnicos. Octava edicin. Mxico:
Pearson Educacin.

Captulo 18
FLOYD, THOMAS. L. (2008). Dispositivos Electrnicos. Octava edicin. Mxico:
Pearson Educacin.

Modelos del Diodo

FLOYD, THOMAS. L. (2008). Dispositivos Electrnicos. Octava edicin. Mxico:
Pearson Educacin.

Amplificadores
Annimo. (2016, Febrero 20). SONY. Recuperado de Amplificadores de estero de
4 canales.: http://www.sony.com.mx/electronics/amplificadores-coche/xm-
n1004/specification
SONY. (2016, Febrero 20). Amplificadores. Recuperado de XMZR1852.pdf:
https://docs.sony.com/release/XMZR1852.pdf
Annimo. (2016, Febrero 20). QSC audio. Recuperado de QSC RMX-
85o:http://www.qsc.com/resource-
files/productresources/amp/discontinued/rmx/q_amp_rmx_series2ru_usermanual
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BOCINAS
Cervin. (2016, Febrero 16). Audio online. Recuperado de Cerwin-Vega XED62
6.5: https://www.audioonline.com.mx/bocinas/cerwin-vega-xed62.html
Pmpo. (2016, Febrero 16). Mercado libre. Recuperado de Bocina 18 Pro 1700w
Pmpo: http://articulo.mercadolibre.com.mx/MLM-539292070-bocina-18-pro-
1700w-pmpo-pbajo-woofer-graves-bobina-4-_JM
Kilomax. (2016, Febrero 20). Mercado libre. Recuperado de Bocina Eminence 18
Kilomax subwoofer: http://articulo.mercadolibre.com.mx/MLM-543981146-
bocina-eminence-18-pulgadas-kilomax-pro18-subwoofer-8-ohms-_JM

Norma
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NORMA Oficial Mexicana NOM-008-SCFI-2002

Impedancia en una batera

RenoBat. (2011, Junio 01). Expertos en bateras. Recuperado de Impedancia en
una batera.: https://expertosenbaterias.wordpress.com/2011/06/01/que-es-la-
impedancia-de-una-bateria-i-porque-es-importante/

61 de 62
 Distorsin armnica
Annimo. (2016, Febrero 20). Electrnica y Ciencia. Recuperado de Distorsin
Armonica.:http://electronicayciencia.blogspot.mx/2013/03/la-distorsion-
armonica-total-thd.html

Cmaras
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JVC. (2016, Febrero 20). JVC. Recuperado de GY-DV5000U:
http://pro.jvc.com/prof/attributes/tech_desc.jsp?model_id=MDL101367&feature
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Sony. (2016, Febrero 20). Sony. Recuperado de HDW-F900R:
http://www.sony.es/pro/product/broadcast-products-camcorders-hdcam/hdw-
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Axis. (2016, Febrero 20). Cmara de red. Recuperado de HDTV 720:
http://www.axis.com/mx/es/products/axis-v5914

Solucin de ecuaciones
Sadiku, M. N. (2006). Circuitos elctricos. Mxico: McGRAW-
HILL/INTERAMERICANA.

Anexos
Contenido disco anexo.

Amplificadores de potencia.
Sistema de unidades para audio.
Redes de dos puertos: parmetros de impedancia, admitancia e hbridos.
Simulaciones.

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