Any: 2016
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 1
ndice general
Listado de figuras
FIGURAS
FIGURA 1.1: CAPACIDAD DE GENERACIN DE POTENCIA DE RED INSTALADA EN LA UNIN EUROPEA ENTRE 2000-2013 [1]. ......... 11
FIGURA 1.2: EVOLUCIN TEMPORAL DE LA POTENCIA FOTOVOLTAICA INSTALADA EN EL MUNDO DEL AO 2000 AL 2013 (MW) [1].
............................................................................................................................................................. 12
FIGURA 1.3: GRFICA QUE MUESTRA LA EVOLUCIN DE LA EFICIENCIA DE LAS CLULAS SOLARES POR TECNOLOGA Y FABRICANTE HASTA
2015 [2]. ................................................................................................................................................ 13
FIGURA 2.1: DATASHEET DE MDULO SOLAR HIT COMERCIAL DE SANYO ELECTRIC. ........................................................... 16
FIGURA 2.2: MODELO DE CLULA CON ESTADOS INTERMEDIOS EN LA BANDA PROHIBIDA. SE APRECIAN LAS DOS VAS PARA LA
CREACIN DEL PAR ELECTRN-HUECO: MEDIANTE LA ABSORCIN DE UN SOLO FOTN PARA UNA TRANSICIN DE LA BANDA DE
VALENCIA A LA BANDA DE CONDUCCIN; Y MEDIANTE LA ABSORCIN DE DOS FOTONES DE MENOS ENERGA , QUE EXCITARAN EL
ELECTRN DE LA BANDA DE VALENCIA AL ESTADO INTERMEDIO, Y DEL ESTADO INTERMEDIO A LA BANDA DE CONDUCCIN. .... 17
FIGURA 2.3: MODELO DE BANDAS DE UNA CLULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA. LOS CONECTORES SE ENCUENTRAN EN LOS
EMISORES DE N Y P. SE MUESTRAN LOS POSIBLES PROCESOS DE EXCITACIN Y LAS DIFERENCIAS ENTRE BANDAS ENERGTICAS.18
FIGURA 2.4: ESTRUCTURA CONVENCIONAL DE UNA CLULA DE ESTRUCTURA HIT [6]. ........................................................... 19
FIGURA 2.5: ESTRUCTURA HIT SOBRE SUSTRATO C-SI TIPO P CON IMPLANTACIN DE TITANIO [6]. .......................................... 21
FIGURA 2.6: SECUENCIA DE PROCESOS QUE INTERVIENEN EN EL PASO 5 [6]. ...................................................................... 22
FIGURA 2.7: SECUENCIA DE PROCESOS QUE INTERVIENEN EN EL PASO 6 [6]. ...................................................................... 23
FIGURA 2.8: PERFIL DE CONCENTRACIN DE TI EN LOS SUSTRATOS C-SI TIPO P DE LAS MUESTRAS ELABORADAS [6]. ..................... 24
FIGURA 2.9: EQE DE LAS MUESTRAS CON SUSTRATO C-SI TIPO P DE 0.4 Y UN ESPESOR DE 5NM DE LA CAPA INTRNSECA A-SICX:H
[6]. ........................................................................................................................................................ 25
FIGURA 2.10: A LA IZQUIERDA: CARACTERSTICA I-V EN ILUMINACIN DE LAS CLULAS HIT_PSI SOBRE SUSTRATO DE 0,4 CON UN
ESPESOR DE 5 NM DE LA CAPA INTRNSECA. A LA DERECHA: CARACTERSTICA I-V EN OSCURIDAD DE LAS MISMAS CLULAS [6].
............................................................................................................................................................. 26
FIGURA 2.11: EVOLUCIN DEL PARMETRO ND PARA LAS MUESTRAS HIT_PSI SOBRE SUSTRATO DE 0,4 CON UN ESPESOR DE 5 NM
DE LA CAPA INTRNSECA [6]. ......................................................................................................................... 27
FIGURA 2.12: EVOLUCIN TEMPORAL APROXIMADA DE LA EFICIENCIA DE LAS CLULAS HIT [14]. ............................................ 28
FIGURA 2.13: ESQUEMAS DE LAS DIFERENTES CLULAS HETEROUNIN Y HIT USADAS EN EL ESTUDIO DE N. DWIVEDI, S. KUMAR, A.
BISHT, K. PATEL , S. SUDHAKAR EN EL AO 2012 [14]. ....................................................................................... 29
FIGURA 2.14: PARMETROS DE LAS CLULAS OPTIMIZADAS CON LOS MEJORES GROSORES DE CAPAS. SIMULACIN REALIZADA CON LA
HERRAMIENTA AFORS-HET. [14] ................................................................................................................. 30
FIGURA 2.15: ESTRUCTURA DE LA CLULA SIMULADA EN EL TRABAJO SIMULATION AND OPTIMIZATION OF THE PERFORMANCE IN HIT
SOLAR CELL DE BOUZAKI MOHAMMED Y BENYOUCEF BOUMEDIENE [15]. .............................................................. 32
FIGURA 2.16: EN LAS GRFICAS SE MUESTRAN LOS EFECTOS DE LA CONCENTRACIN DE DOPADOS EN EL RENDIMIENTO DE LA CLULA
HIT. CAPAS DE IZQUIERDA A DERECHA Y DE ARRIBA ABAJO: C-SI (P), A-SI:H(N), A-SI:H(P) [15]. ................................... 33
FIGURA 2.17: PRDIDAS PTICAS, DE RECOMBINACIN Y RESISTIVAS QUE PUEDEN PRODUCIRSE EN UNA CLULA HIT. .................. 34
FIGURA 2.18: RESPUESTA I-V EN OSCURIDAD E ILUMINACIN DE LAS MUESTRAS HT-PGAAS CON CAPAS INTRNSECAS DE A-GAAS O
GAASTI DE 5NM DE ESPESOR Y DEPOSITADAS A 200 C [6] .................................................................................. 36
FIGURA 2.19: REPRESENTACIN SEMI-LOGARITMICA DE LAS RESPUESTAS PRESENTADAS EN LA FIGURA 11. ................................ 36
FIGURA 2.20: CURVA J-V SIMULADA BAJO ILUMINACIN AM1.5, EN UNA CLULA ITO/(P)A-SI:H / (I)A-SI:H /(N)C-SI/METAL. A:
OFFSET DE BANDA EC = 0, EV = 0.6; B: OFFSET DE BANDA EC = 0.4, EV = 0.2 [10] ......................................... 37
FIGURA 2.21: ESQUEMA DE UNA CLULA A-SI:H (N) / A-SI:H (I) / C-SI (P) / A-SI:H (P+) /AG [11] ........................................ 37
FIGURA 2.22: CURVA J-V DE LA CLULA SOLAR HIT CON DIFERENTE CONCENTRACIN DE DOPADO EN LA CAPA EMISORA A-SI:H (N).
EN EL CUADRO INTERNO SE OBSERVA EL DIAGRAMA DE BANDAS DE LA CLULA CON BAJA Y ALTA CONCENTRACIN DE DOPADO
BAJO UNA ILUMINACIN DE 100 MW/CM2 [11]. ............................................................................................. 38
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Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
FIGURA 3.1: IZQUIERDA: DIAGRAMA DE BANDAS DE LAS CLULAS HIT_PSI CON IMPLANTACIN DE TI PARA DOS ESPESORES DISTINTOS
DE LA CAPA INTRNSECA DONDE SE MUESTRA EL EFECTO TNEL ENTRE LA BI Y LA BC. DERECHA: EFECTO DEL GROSOR DE LA
CAPA INTRNSECA EN VOC EN CONDICIONES STC DE ILUMINACIN. [6] .................................................................... 41
FIGURA 3.2: IZQUIERDA: DIAGRAMA DE BANDAS DE LAS CLULAS HIT_PSI CON IMPLANTACIN DE TI CON VARIACIN DE LA
RESISTIVIDAD DEL SUSTRATO C-SI. DERECHA: INFLUENCIA DE LA RESISTIVIDAD DEL SUSTRATO EN CONDICIONES STC EN
ILUMINACIN. [6] ...................................................................................................................................... 42
FIGURA 3.3: ESQUEMA DE UNA CLULA FOTOVOLTAICA PARA PODER SER REPRESENTADA EN PSICE. ....................................... 43
FIGURA 3.4: ESQUEMA DE UNA CLULA FOTOVOLTAICA CON DIODO EN INVERSA. ................................................................ 44
FIGURA 3.5: ESQUEMA DE UNA CLULA FOTOVOLTAICA CON DIODO EN INVERSA EN SERIE CON D1. ......................................... 44
FIGURA 3.6: ESQUEMA DE UNA CLULA SOLAR CON COMBINACIN DE CIRCUITO DE DIODO INVERSA MS RESISTENCIA SHUNT. ....... 45
FIGURA 3.7: REPRESENTACIN GRFICA DE UN EFECTO S-SHAPE DONDE PUEDE OBSERVARSE QUE LA DISTORSIN SOLO SE PRODUCE
DURANTE UN INTERVALO DE TENSIN. ............................................................................................................. 46
FIGURA 3.8: ESQUEMAS DE CLULAS SOLARES CON FUENTES CONTROLADAS CONMUTADAS. .................................................. 47
FIGURA 3.9: ESQUEMA DE CLULA SOLAR CON FUENTE DE CORRIENTE CONTROLADA POR TENSIN. ......................................... 47
FIGURA 4.1: CIRCUITO EQUIVALENTE ESTNDAR DE UNA CLULA FOTOVOLTAICA. ................................................................ 85
FIGURA 4.2: MODELO CIRCUITAL EQUIVALENTE TENIENDO EN CUENTA LAS PRDIDAS POR RECOMBINACIN PRODUCIDAS EN LAS
CLULAS CON HETEROUNIN C-SI / A-SI COMO EL CASO DE LAS CLULAS HIT [19] ...................................................... 86
TABLAS
TABLA 3.1: LISTADO DE CLULAS HIT ESTUDIADAS DE LA TESIS DE ALFRED BORONAT, CON CADA UNA DE SUS CARACTERSTICAS.
PUEDE OBSERVARSE UNA CLULA CON ORIENTACIN DE LUZ RADIADA IZQUIERDA, DADO QUE NO SE DISPONA DE UNA CON
ORIENTACIN DERECHA. .............................................................................................................................. 40
TABLA 3.2: LISTADO DE CLULAS HIT ESTUDIADAS, CON LA DIFERENCIA DE RESISTIVIDAD DEL SUSTRATO ENTRE CADA UNA. ............ 42
GRFICAS
GRFICA 3.1: CARACTERSTICA I-V Y CURVA DE POTENCIA DE UNA CLULA SOLAR TPICA. SIMULACIN REALIZADA CON LA
HERRAMIENTA PSPICE Y GRAFICADO MEDIANTE EXCEL. ........................................................................................ 39
GRFICA 3.2: SIMULACIN DE CLULA HIT CON FUENTES DE CORRIENTE CONMUTADAS EN FUNCIN DE LA TENSIN DE SALIDA. ..... 48
GRFICA 3.3: SIMULACIN PSPICE DE DIVERSAS CLULAS HIT DE DIFERENTE GROSOR Y ORIENTACIN DE LA ILUMINACIN, MEDIANTE
EL CIRCUITO DE LA FUENTE CONTROLADA POR TENSIN. ....................................................................................... 49
GRFICA 3.4: FUNCIN POLINMICA DE TERCER GRADO DEL EFECTO S-SHAPE DE LA MUESTRA
HIT_PSI_9FZSINTI_5NM_ASI_DCH_LUZ....................................................................................................... 50
GRFICA 3.5: RESULTADOS DE LA SIMULACIN DE LA CLULA HIT_PSI_9FZSINTI_5NM_ASI_DCH_LUZ CON FUENTE CONTROLADA
POR UNA FUNCIN POLINMICA. ................................................................................................................... 51
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 5
Agradecimientos
Primero, quera agradecer este trabajo especialmente a mis padres y
hermano, por su paciencia y apoyo continuo que han mostrado haca m
estos ltimos aos. Tambin a Marina por estar a mi lado y darme toda la
fuerza que necesitaba.
La segona part representa lestudi realitzat sobre els models elctrics per
a la simulaci de la caracterstica corrent-tensi per aquest tipus de cllula
solar que presenta lefecte S-Shape.
Abstract
The project is a study of electrical models for the simulation of the
current-voltage characteristic in HiT solar cells (Heterojunction with
Intrinsic Thin Layer) with S-Shape effect. This effect reduces the form factor
of the characteristic, and consequently, the conversion efficiency.
This work is mainly divided in three parts. The first one, is a theoretical
introduction to photovoltaics and HiT solar cells, its manufacturing process
and its main characteristics.
The second one, is a study of models of electric circuits for the simulation
of the current-voltage characteristic in HiT solar cells with S-Shape effect.
In the last one, you can see the simulation results of the current-voltage
characteristic from the designed models. The results are compared with the
I-V characteristics of the real solar cells and the mathematical error
between them.
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 9
Objetivo y alcance
El objetivo del trabajo es principalmente disear unos modelos elctricos
que permitan representar la caracterstica corriente-tensin de unas clulas
solares HiT que presentan un efecto en la forma conocida como S-Shape.
1. Introducci
1.1 La energa solar fotovoltaica
La electricidad es una de las principales formas de energa utilizadas en
la sociedad actual. Gracias a ella podemos disponer de iluminacin,
comunicaciones, transporte y mtodos de refrigeracin, entre otros.
Cuando incide sobre la clula una radiacin luminosa con una energa en
los fotones suficiente, dependiendo del material semiconductor, los
electrones de valencia se desprenden del tomo. Este efecto es conocido
como efecto fotovoltaico.
Una vez producida la ruptura del par electrn-hueco del tomo causada
por el efecto fotovoltaico, es posible la recombinacin por la existencia de
un defecto en la estructura cristalina del material. Para evitarlo, se crea en
el interior un campo elctrico que separa los dos tipos de portadores. Esto
se consigue mediante una unin P-N. De esta forma, se crea una corriente
elctrica que atraviesa la clula solar.
Para poder aprovechar todas las cargas libres posibles, debe trabajarse
con una estructura cristalina con el menor nmero de defectos posibles.
Por este motivo se utilizan normalmente obleas de silicio puro cristalino.
1.3Tecnologas actuales
Con el fin de reducir costes en la tecnologa fotovoltaica, hace falta que
se desarrolle de forma continua y se encuentren nuevas formas de
implantacin y se investiguen nuevos materiales. Uno de los puntos ms
importantes a tener en cuenta en el desarrollo de la tecnologa fotovoltaica,
es el aumento de la eficiencia de conversin energtica.
2.1Fundamentos principales
Las clulas HIT son clulas solares de mltiples niveles de energa, que
generan portadores libres a partir de la absorcin de fotones con energa
inferior a la de la banda prohibida del semiconductor. Esto se consigue
creando estados energticos intermedios dentro de la banda prohibida del
material.
Figura 2.3: Modelo de bandas de una clula solar de banda intermedia. Los
conectores se encuentran en los emisores de N y P. Se muestran los posibles
procesos de excitacin y las diferencias entre bandas energticas.
2.2Proceso de fabricacin
En esta seccin se describir el proceso de fabricacin de las estructuras
de heterounin con capa intrnseca (HIT).
Los sustratos de c-Si tipo p son obleas crecidas con el mtodo de zona
flotante y un espesor de 285 m. A continuacin se describen los pasos
llevados a cabo durante el proceso de fabricacin:
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 21
Figura 2.5: Estructura HIT sobre sustrato c-Si tipo p con implantacin de
titanio [6].
Figura 2.9: EQE de las muestras con sustrato c-Si tipo p de 0.4 y un espesor
de 5nm de la capa intrnseca a-SiCx:H [6].
Figura 2.11: Evolucin del parmetro nd para las muestras HIT_pSi sobre
sustrato de 0,4 con un espesor de 5 nm de la capa intrnseca [6].
29
27
25
Eficiencia (%)
23
21
19
17
15
1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020
Ao
o
Figura 2.14: Parmetros de las clulas optimizadas con los mejores grosores
de capas. Simulacin realizada con la herramienta AFORS-HET. [14]
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 31
o Para obtener una buena clula solar, es necesaria una VOC alta. La
tensin VOC mnima se obtiene de la clula de heterounin bsica
(clula 1). Esto se debe a la densidad de defectos en la interfaz.
Las clulas HIT mejoran la tensin VOC. Sin embargo, la tensin
VOC ms alta se encuentra en las clulas con capa BSF, donde
disminuye con el aumento de grosor de las capas emisor y base.
Respecto al dopado de las capas, hay otros estudios que demuestran que
tambin puede afectar al rendimiento. En concreto, Bouzaki Mohammed y
Benyoucef Boumediene, en su trabajo Simulation and Optimization of the
Performance in HIT Solar Cell del 2013 [15], realizan una simulacin
utilizando la herramienta AFORS-HET de una clula HIT formada por una
32
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
capa emisora, una capa intrnseca, una capa base y una capa BSF de
composicin a-Si:H(n), a-Si:H(i), c-Si(p) y a-Si:H(p), respectivamente.
Prdidas pticas
Prdidas de recombinacin
Prdidas resistivas
Son las prdidas que se dan al paso de la corriente elctrica por la red
de electrodos de la clula solar y en la interfaz entre el contacto hmico y
la clula. Estas prdidas pueden afectar al factor de forma (FF).
Figura 2.20: Curva J-V simulada bajo iluminacin AM1.5, en una clula
ITO/(p)a-Si:H / (i)a-Si:H /(n)c-Si/metal. A: offset de banda EC = 0, EV =
0.6; B: offset de banda EC = 0.4, EV = 0.2 [10]
Figura 2.21: Esquema de una clula a-Si:H (n) / a-Si:H (i) / c-Si (p) / a-Si:H
(p+) /Ag [11]
38
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
En la simulacin llevada a cabo por la herramienta AFORS-HET, se
observ que cuando la capa emisora a-Si:H (n) tena una baja
concentracin de dopado (<1x1019 cm-3), se comenzaba a observar la S-
Shape en la caracterstica J-V de la clula, llevando a esta a un pobre factor
de forma (FF).
Figura 2.22: Curva J-V de la clula solar HIT con diferente concentracin de
dopado en la capa emisora a-Si:H (n). En el cuadro interno se observa el
diagrama de bandas de la clula con baja y alta concentracin de dopado bajo
una iluminacin de 100 mW/cm2 [11].
Caracterstica I-V
1E-02
1E-02
Corriente (A)
1E-02
8E-03
6E-03
4E-03
2E-03
0E+00
0E+00 1E-01 2E-01 3E-01 4E-01 5E-01 6E-01 7E-01 8E-01
Tensin (V)
I-V Potencia
Grfica 3.1: Caracterstica I-V y curva de potencia de una clula solar tpica.
Simulacin realizada con la herramienta PSpice y graficado mediante Excel.
40
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
Mtodo
Implantacin Capa Grosor capa Orientacin
ID Sustrato crecimiento
TI intrnseca intrnseca luz radiada
obleas
HIT_pSi_12FZsinTi_5nm_aSi_dch_LUZ 12 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 5nm derecha
HIT_pSi_12FZsinTi_10nm_aSi_izq_LUZ 12 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 10nm izquierda
HIT_pSi_12FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ 12 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 20nm derecha
HIT_pSi_02FZTi_5nm_aSi_dch_LUZ 02 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 5nm derecha
HIT_pSi_02FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ 02 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 10nm derecha
HIT_pSi_02FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ 02 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 20nm derecha
HIT_pSi_9FZsinTi_5nm_aSi_dch_LUZ 09 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 5nm derecha
HIT_pSi_9FZsinTi_10nm_aSi_dch_LUZ 09 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 10nm derecha
HIT_pSi_9FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ 09 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 20nm derecha
HIT_pSi_9FZsinTi_40nm_aSi_dch_LUZ 09 c-Si p 285m Zona Flotante sin a-SiCx:H 40nm derecha
HIT_pSi_3FZTi_5nm_aSi_dch_LUZ 03 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 5nm derecha
HIT_pSi_3FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ 03 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 10nm derecha
HIT_pSi_3FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ 03 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 20nm derecha
HIT_pSi_3FZTi_40nm_aSi_dch_LUZ 03 c-Si p 285m Zona Flotante con a-SiCx:H 40nm derecha
Las clulas listadas en la tabla anterior son las clulas simuladas en este
trabajo, cuyo objetivo ser estudiar el efecto S-Shape que presentan y
encontrar un patrn de comportamiento.
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 41
Resistividad del
ID
sustrato
HIT_pSi_12FZsinTi_5nm_aSi_dch_LUZ 12 1,7 cm
HIT_pSi_12FZsinTi_10nm_aSi_izq_LUZ 12 1,7 cm
HIT_pSi_12FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ 12 1,7 cm
HIT_pSi_02FZTi_5nm_aSi_dch_LUZ 02 1,7 cm
HIT_pSi_02FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ 02 1,7 cm
HIT_pSi_02FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ 02 1,7 cm
HIT_pSi_9FZsinTi_5nm_aSi_dch_LUZ 09 0,4 cm
HIT_pSi_9FZsinTi_10nm_aSi_dch_LUZ 09 0,4 cm
HIT_pSi_9FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ 09 0,4 cm
HIT_pSi_9FZsinTi_40nm_aSi_dch_LUZ 09 0,4 cm
HIT_pSi_3FZTi_5nm_aSi_dch_LUZ 03 0,4 cm
HIT_pSi_3FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ 03 0,4 cm
HIT_pSi_3FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ 03 0,4 cm
HIT_pSi_3FZTi_40nm_aSi_dch_LUZ 03 0,4 cm
Figura 3.3: Esquema de una clula fotovoltaica para poder ser representada
en PSICE.
Figura 3.5: Esquema de una clula fotovoltaica con diodo en inversa en serie
con D1.
Figura 3.6: Esquema de una clula solar con combinacin de circuito de diodo
inversa ms resistencia shunt.
Figura 3.9: Esquema de clula solar con fuente de corriente controlada por
tensin.
HIT_pSi_02FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ
0,007
0,005
0,003
Corriente (A)
0,001
-0,003
-0,005
Tensin(V)
2,00E-3
-3,00E-3
-8,00E-3
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
Tensin (V)
y= -0,0048x3 + 0,0049x2 - 0,0009x - 8E-05
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
V-I HIT V-I simulada
Puede observarse como, a pesar que los dos primeros factores difieren,
los dems son parecidos. Estas ecuaciones podrn utilizarse para estudios
matemticos posteriores con el fin de encontrar una ecuacin que las
relacione.
52
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -1,74E-04x6 - 1,47E-03x5 - 3,52E-03x4 - 5,69E-04x3 + 4,71E-03x2 - 1,26E-03x
+ 4,73E-04
HIT_pSi_9FZsinTi_5nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) -0,00007975
Voc (V) 0,393162
Rsh () 12000
Rs () 38
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y = 1,01E-04x6 + 1,59E-04x5 - 1,24E-03x4 - 2,40E-03x3 + 2,28E-04x2 - 1,70E-03x
+ 1,22E-03
54
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_9FZsinTi_10nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,000040768
Voc (V) 0,37185929648
Rsh () 1265,82278481013
Rs () 5,88824118235883
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -2,12E-04x6 - 1,50E-03x5 - 2,68E-03x4 + 1,53E-03x3 + 5,12E-03x2 - 3,23E-03x
+ 3,96E-04
HIT_pSi_9FZsinTi_10nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) -0,00009977
Voc (V) 0,444915
Rsh () 12000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,29E-04x6 + 2,16E-04x5 - 1,59E-03x4 - 3,29E-03x3 - 4,22E-06x2 - 1,65E-03x +
1,57E-03
56
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_9FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00011538
Voc (V) 0,37185929648
Rsh () 462,962962962963
Rs () 9,3711929528629
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -7,19E-05x6 - 1,08E-03x5 - 3,92E-03x4 - 3,25E-03x3 + 2,71E-03x2 - 5,25E-04x
+ 1,46E-03
HIT_pSi_9FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,0001995
Voc (V) 0,525862
Rsh () 12000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,11E-04x6 + 1,78E-04x5 - 1,42E-03x4 - 3,05E-03x3 - 5,45E-04x2 - 1,94E-03x +
1,80E-03
58
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_9FZsinTi_40nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,000133
Voc (V) 0,5527638191
Rsh () 386,100386100386
Rs () 10,0170289492137
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -7,39E-05x6 - 1,16E-03x5 - 4,31E-03x4 - 3,59E-03x3 + 3,63E-03x2 + 4,19E-04x
+ 9,07E-04
HIT_pSi_9FZsinTi_40nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,0002993
Voc (V) 0,491379
Rsh () 12000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,39E-04x6 + 2,69E-04x5 - 1,61E-03x4- 3,64E-03x3 - 5,42E-05x2 - 9,83E-04x +
1,34E-03
60
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
Series1
2,00E-03 Series2
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -3,33E-05x6 - 6,66E-04x5 - 3,22E-03x4 - 4,78E-03x3 + 9,20E-04x2 + 2,66E-03x
+ 2,63E-04
HIT_pSi_3FZTi_5nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) -0,00009977
Voc (V) -0,173729
Rsh () 12000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,26E-04x6 + 4,05E-04x5 - 1,18E-03x4 - 4,69E-03x3 - 1,45E-03x2 + 1,87E-03x
+ 6,14E-04
62
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_3FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,000040506
Voc (V) 0,1608040201
Rsh () 1265,82278481013
Rs () 5,88824118235883
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 2,31E-05x6 - 2,18E-04x5 - 2,22E-03x4- 4,88E-03x3 - 1,46E-03x2 + 1,08E-03x +
2,61E-04
HIT_pSi_3FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) -0,00009977
Voc (V) -0,072034
Rsh () 12000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 7,58E-05x6 + 2,50E-04x5 - 8,66E-04x4 - 3,70E-03x3 - 1,96E-03x2 + 4,00E-04x
+ 3,71E-04
64
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_3FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,000020608
Voc (V) 0,1608040201
Rsh () 462,962962962963
Rs () 9,3711929528629
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 5,29E-05x6 - 2,08E-04x5 - 2,75E-03x4- 5,70E-03x3 - 5,77E-04x2 + 3,25E-03x +
6,61E-04
HIT_pSi_3FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) -0,00004983
Voc (V) -0,091463
Rsh () 8000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,09E-04x6 + 3,51E-04x5 - 1,06E-03x4 - 4,37E-03x3 - 1,80E-03x2 + 1,66E-03x
+ 6,81E-04
66
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_3FZTi_40nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00007914
Voc (V) 0,1608040201
Rsh () 386,100386100386
Rs () 10,0170289492137
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,18E-04x6 + 1,77E-04x5 - 2,78E-03x4- 9,60E-03x3 - 8,16E-03x2 - 5,18E-04x +
1,17E-03
HIT_pSi_3FZTi_40nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00005979
Voc (V) 0,128049
Rsh () 8000
Rs () 28
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,75E-04x6 + 8,88E-04x5 - 2,71E-05x4- 6,07E-03x3 - 8,52E-03x2 - 3,00E-03x +
7,93E-04
68
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
Series1
2,00E-03 Series2
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -1,30E-04x6 - 1,25E-03x5 - 3,48E-03x4 - 1,66E-03x3 + 3,12E-03x2 - 1,60E-03x
+ 1,24E-03
HIT_pSi_12FZsinTi_5nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00004982
Voc (V) 0,413375
Rsh () 9000
Rs () 32
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 9,30E-05x6 + 1,26E-04x5 - 1,27E-03x4 - 2,51E-03x3 - 3,25E-04x2 - 2,15E-03x +
1,74E-03
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 71
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= -9,12E-05x6 - 8,43E-04x5 - 2,17E-03x4 - 6,24E-04x3 + 1,80E-03x2 - 3,26E-03x
+ 8,68E-04
HIT_pSi_12FZsinTi_10nm_aSi_izq_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00009965
Voc (V) 0,063291
Rsh () 9000
Rs () 32
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 7,24E-05x6 + 5,32E-05x5 - 1,20E-03x4 - 2,16E-03x3 - 4,20E-04x2 - 2,84E-03x +
1,34E-03
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 73
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
HIT_pSi_12FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ - Real
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00011464
Voc (V) 0,34170854271
Rsh () 462,962962962963
Rs () 9,3711929528629
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 8,94E-06x6 - 6,89E-04x5 - 3,69E-03x4 - 4,15E-03x3 + 2,18E-03x2 + 2,14E-04x
+ 1,61E-03
HIT_pSi_12FZsinTi_20nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00007972
Voc (V) 0,046
Rsh () 9000
Rs () 32
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 9,46E-05x6 + 1,31E-04x5 - 1,27E-03x4 - 2,53E-03x3 - 2,83E-04x2 - 2,13E-03x +
1,67E-03
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 75
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y = 1,77E-06x6 - 4,83E-04x5 - 2,59E-03x4 - 2,88E-03x3 + 2,44E-03x2 + 7,69E-04x
+ 1,05E-04
HIT_pSi_02FZTi_5nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00009948
Voc (V) 0,230337
Rsh () 9000
Rs () 47
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y = 1,29E-04x6 + 3,23E-04x5 - 1,19E-03x4 - 3,04E-03x3 + 5,63E-04x2 - 1,49E-05x
+ 3,65E-04
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 77
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 7,28E-05x6 + 1,19E-04x5 - 1,11E-03x4 - 2,28E-03x3 + 1,34E-03x2 + 7,15E-04x
- 7,36E-05
HIT_pSi_02FZTi_10nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,0000199
Voc (V) 0,35625
Rsh () 9000
Rs () 47
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,40E-04x6 + 4,11E-04x5 - 1,16E-03x4 - 3,62E-03x3 + 3,44E-04x2 + 1,09E-03x
+ 1,73E-04
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 79
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 9,48E-05x6 - 1,45E-04x5 - 3,17E-03x4 - 5,81E-03x3 + 1,29E-03x2 + 3,47E-03x
+ 3,50E-04
HIT_pSi_02FZTi_20nm_aSi_dch_LUZ - PSPICE
A (cm2) 0,25
Isc (A) 0,00000997
Voc (V) 0,324675
Rsh () 9000
Rs () 47
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
y= 1,90E-04x6 + 5,46E-04x5 - 1,66E-03x4 - 5,39E-03x3 - 5,84E-04x2 + 2,07E-03x
+ 5,06E-04
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 81
1,00E-02
5,00E-03
0,00E+00
-5,00E-03
-1,00E-02
-2,50E+00 -1,50E+00 -5,00E-01 5,00E-01 1,50E+00 2,50E+00
Tensin (V)
3,00E-03
V
2,00E-03 I
1,00E-03
0,00E+00
Muestras
-1,00E-6
-2,00E-6
-3,00E-6
-4,00E-6
-5,00E-6
-6,00E-6
-1,00 -0,80 -0,60 -0,40 -0,20 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00
Tensin (V)
-1,00E-4
-2,00E-4
-3,00E-4
-4,00E-4
-5,00E-4
-6,00E-4
-1,00 -0,80 -0,60 -0,40 -0,20 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00
Tensin (V)
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape 83
-1,00E-5
-2,00E-5
-3,00E-5
-4,00E-5
-5,00E-5
-6,00E-5
-1,00 -0,80 -0,60 -0,40 -0,20 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00
Tensin (V)
-1,00E-4
-2,00E-4
-3,00E-4
-4,00E-4
-5,00E-4
-6,00E-4
-1,00 -0,80 -0,60 -0,40 -0,20 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00
Tensin (V)
2,00E-6
Corriente (A)
0,00E+0
-2,00E-6
-4,00E-6
-6,00E-6
-1,00 -0,80 -0,60 -0,40 -0,20 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00
Tensin (V)
4. Conclusiones
En este trabajo se ha intentado crear una simulacin del efecto S-Shape
producido en las clulas HIT a partir de unas muestras con implantacin de
titanio, y acercarse asimismo a un modelo circuital equivalente.
Sin embargo, una clula con heterounin, como es el caso de las clulas
HIT, se aleja de esta realidad debido a los efectos de la unin y el
comportamiento de las zonas de carga espacial, diferente al de las clulas
de una sola unin. Segn algunos estudios [19], cuando la unin c-Si / a-
Si padece defectos o centros de recombinacin, la caracterstica V-I bajo
iluminacin muestra, para tensiones por debajo del punto mximo de
potencia, una dependencia cuasi-lineal de la densidad de corriente con la
tensin. Volviendo al modelo circuital estndar anterior, se podra
representar aadiendo una cuarta corriente de recombinacin que estara
controlada por la tensin. Esta teora reforzara el modelo circuital
equivalente planteado en el trabajo mediante fuentes controladas por
tensin.
86
Modelos de simulacin para clulas solares HiT con efecto S-Shape
Figura 4.2: Modelo circuital equivalente teniendo en cuenta las prdidas por
recombinacin producidas en las clulas con heterounin c-Si / a-Si como el
caso de las clulas HIT [19]
= + ( 1 (, )) 2 ( )
0
( 1 (, )) = 1 ( )
0
Por otro lado, mediante las simulaciones, han podido obsevarse las
siguientes caractersticas de las clulas que presentan S-Shape:
5. Referencias
- [1] EPIA, Global Market Outlook for Photovoltaics 2014-2018, 2014.
- [2] NREL, http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg,
consultado el 25/08/2015.
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Shaped photocurrent-voltage characteristics of polymer: fullerene
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based on the c-Si / a-Si:h heterostructure. Thin Solid Films 383, 2001.
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90
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