Anda di halaman 1dari 9

LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI


LEMBAR DATA PERCOBAAN

PERCOBAAN 09
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASIS

NAMA PRAKTIKAN : ANDHIKA FAJAR A.S


NAMA REKAN KERJA : 1.ARY UTOMO
2. DINI .M

KELAS(KELOMPOK) : TT-3D(1)
TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM : 4 OKTOBER 2017
TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 10 0KTOBER 2017

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO


POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
2016/2017
PERCOBAAN XI
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASIS

I. TUJUAN
a. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi common basis.
b. Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi common basis
c. Mempelajari cirri-ciri harga dari resistansi input, resistansi output dan penguatan arus
transistor dalam konfigurasi common basis.

II. DASAR TEORI

Transistor merupakan piranti yang terdiri atas tiga lapisan semikonduktor,yaitu 2 buah
semikonduktor tipe-p dan seluruh lapisan semikonduktor tipe n,atau sebaliknya. Jenis
pertama dikenal sebagai transistor tipe pnp, sedang yangkedua dikenal dengan transistor tipe
npn. Ketiga terminal yang terhubung kesemikonduktor tadi dikenal dengan kolektor (C),
basis (B), emitter (E). Berikut gambarnya:

Gambar 1. Tipe transistor NPN & PNP

Ada 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu : Common-Emitter (CE),
Common-Base (CB), dan Common-Collector (CC). Namun yang akan dibahas kali ini adalah
konfigurasi Common Base.
A. Konfigurasi Common Base

Seperti namanya, yang dimaksud dengan Konfigurasi Common Base (CB) atau Basis
Bersama adalah konfigurasi yang kaki Basis-nya di-ground-kan dan digunakan bersama
untuk input maupun output. Pada Konfigurasi Common Base, sinyal input dimasukan ke
Emitor dan sinyal output-nya diambil dari Kolektor, sedangkan kaki Basis-nya di-ground-
kan. Oleh karena itu, Common Base juga sering disebut dengan istilah Grounded Base.
Konfigurasi Common Base ini menghasilkan Penguatan Tegangan antara sinyal input dan
sinyal output namun tidak menghasilkan penguatan pada arus. Penguat Basis ditanahkan
adalah penguat yang kaki basis transistor di groundkan, lalu input di masukkan ke emitor dan
output diambil pada kaki kolektor. Penguat Basis ditanahkan mempunyai karakter sebagai
penguat tegangan. Penguat Basis ditanahkan mempunyai karakter sebagai berikut :

Adanya isolasi yang tinggi dari output ke input sehingga meminimalkan efek umpan
balik.
Mempunyai impedansi input yang relatif tinggi sehingga cocok untuk penguat sinyal
kecil (pre amplifier).

Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis IB dibuat kecil
dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi
antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan
banyak atom donor yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron
dari tanah akan mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain
adalah arus basis itu. Tampak bahwa arus kolektor : IC = IE - IB. Arus basis ini sebanding
dengan arus emitor, yaitu IC = IE. Parameter disebut penguat arus untuk basis ditanahkan,
oleh karena pada rangkaian di atas basis dihubungkan dengan tanah. Parameter mempunyai
nilai hampir sama dengan satu, yaitu :

= 0,990 - 0,998
B. Karakteristik Keluaran

Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor iC berubah dengan vCB untuk
berbagai nilai arus statik dari emitor IE. Lengkung ciri statik transistor basis ditanahkan
ditunjukkan pada gambar berikut untuk transistor npn.

Gambar 2.2 Lengkung ciri statik transistor basis digroundkan

Pada ciri keluaran transistor dengan basis ditanahkan perlu diperhatikan hal berikut:

iCiE, kerena iC = iE dan 1.

Hal ini juga berarti arus keluaran iC berbanding lurus dengan arus masukan iE.
Sehingga dikatakan transistor dwi kutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh
arus.

Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat kecil (sangat horizontal). Ini berarti
hambatan keluaran transistor yang merupakan kebalikan kemiringan iC(vCB)
mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil dioda yang
ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.

C. Karakteristik Masukan
Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis ditanahkan sama dengan
lengkungan ciri statik dioda dalam keadaan panjar maju oleh karena sambungan emitor basis
diberi panjar maju. Pada ciri statik masukan transistor perlu diperhatikan hal berikut:

Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik dioda dalam keadaan panjar
maju. Ini tak mengherankan oleh karena sambungan emitor basis merupakan suatu
dioda dengan panjar maju.
Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai nilai vCB.Hail ini berarti
tegangan keluaran vCB tidak banyak berpengaruh pada masukan. Suatu penguat
memanga seharusnya demikian. Apa yang terjadi pada keluaran tak terasa pada
masukan.

Kedua sifat di atas membuat transistor dapat digunakan untuk memperkuat isyarat. Suatu
perubahan kecil pada vCB oleh suatu isyarat masukuan yang kecil akan menyebabkan
perubahan arus emitor iE yang besar. Perubahan ini diteruskan menjadi arus isyarat iC, yang
diubah menjadi isyarat tegangan oleh RC, yaitu vo = iC RC, yang lebih besar daripada
tegangan isyarat masukan.

III. ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN

1. DC power supply 2 buah


2. Transistor 1k 2 buah
3. Transistor NPN BC 107 1 buah
4. Multimeter 3 buah
5. Kabel-kabel penghubung

IV. CARA MELAKUKAN PERCOBAAN


A. Karakteristik Input
1. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 1.
2. Mengatur V sehingga V = 0V. kemadian atur pula V = 0V. lalu mengukur
CC CB EE

I dan V , hasilnnya dicatat pada Tabel 1.


E EB

3. Mengubah V sehingga V = 2 V. kemudian mengukur ulang I dan V .


CC CB E EB

4. Mengulangi pengukuran tersebut untuk harga V dan V yang lain


CB EE
Gambar 1. Rangkaian Karakteristik Input Common Base

B. Karakteristik Output
1. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 2.
2. Mengatur V sehingga V = 0V. kemadian atur pula V = 0V. lalu mengukur
CC CB EE

I dan V , hasilnnya dicatat pada Tabel 2.


E EB

3. Mengubah V sehingga V = 2 V. kemudian mengukur V sehingga I = 0.


CC CB EE E

Ukur I .C

4. Mengulangi pengukuran tersebut untuk harga V dan I yang lain


CB EE

Gambar 2. Rangkaian Karakteristik Output Common Base

VEE VCB = 0V VCB = 2V VCB = 4V VCB = 6V VCB = 8V


(V) IE (MA) VEB (V) IE (MA) VEB (V) IE (MA) VEB (V) IE (MA) VEB (V) IE (MA) VEB (V)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
-2 0,24 0,68 0,24 0,63 0,28 0,63 0,28 0,6 0,28 0,58
-4 2,6 0,73 2,6 0,68 3 0,65 3 0,62 3,05 0,61
-6 4,1 0,75 4,6 0,73 4,6 0,70 4,6 0,66 4,8 0,65
-8 6,2 0,76 6,2 0,75 6,3 0,73 6,3 0,7 6,3 0,67
V. HASIL PERCOBAAN
Tabel 1. Karakteristik Input
Tabel 2. Karakteristik Output
VCB = 0V VCB = 2V VCB = 4V VCB = 6V VCB = 8V
IE (MA) IC (MA) IE (MA) IC (MA) IE (MA) IC (MA) IE (MA) IC (MA) IE (MA) IC (MA)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0,6 1 1 1 1,1 1 1,1 1 1,2
2 0,6 2 2,2 2 2,1 2 2,2 2 2,2
3 0,6 3 3 3 3,2 3 3,2 3 3,2
4 0,6 4 3 4 4,1 4 4,3 4 4,3

LAMPIRAN