Semiconductores

INTRINSECOS (PUROS)
Semiconductores
EXTRINSECOS (DOPADOS)

Semiconductores Intrínsecos

Son semiconductores puros. Que forman una estructura conocida como cristal
En dicho material hay pocos electrones disponibles para la conducción cuando la
Temperatura es baja. Por lo tanto el material se comportará como un aislante con todos sus
electrones de valencia estrechamente ligados formando enlaces covalentes.

Fig. : Semiconductor Intrínseco (estructura cristalina)

Sin embargo, si la Temperatura del cristal aumenta, la resistividad del material disminuye.
Ello se debe a que el aumento de la temperatura entrega a la estructura una energía
adicional con la cual algunos electrones son capaces de romper su enlace covalente y pasar
de la banda de valencia a la de conducción, en la que pueden comportarse como portadores
de corriente al aplicar un campo eléctrico al cristal.

Hueco (+)
Figura: Ruptura de un enlace Covalente

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Semiconductores Extrínsecos

Supongamos que a una masa de Germanio fundido le agregamos una pequeña cantidad de
impurezas PENTAVALENTE (5 é), como por ejemplo el Arsénico (As). Cuando el líquido se
solidifica (cristal); los átomos de arsénico se encuentran distribuidos de un modo uniforme
en toda la estructura cristalina.
Como hay más átomos de Germanio que de Arsénico, cada uno de estos últimos se
encuentran rodeados por cuatro átomos de germanio, dando lugar a la formación de una
estructura básica, como se indica en la figura:

Figura: Semiconductor dopado con impurezas pentavalente

En la figura cuatro de los electrones de valencia del Arsénico forman un enlace covalente
con cuatro electrones de Germanio. El quinto queda débilmente ligado a la estructura,
puesto que no forma parte de ningún enlace covalente.
A los átomos de As, puesto que donan un electrón a la estructura se le denomina impureza
o átomo donador.
A este tipo de material semiconductor se le denomina SEMICONDUCTOR TIPO N.
En este tipo de semiconductor los portadores mayoritarios serían los electrones y los
portadores minoritarios serían los huecos.

Si en lugar de agregar impurezas pentavalentes a la estructura de germanio como se hizo

antes le adicionamos una pequeña cantidad de impurezas TRIVALENTE como por ejemplo
el Aluminio (Al), obtendremos una estructura básica como muestra la figura:

Figura: Semiconductor dopado con impurezas trivalente

A los átomos de la impureza que hacen aparecer un hueco en la estructura se les denomina
impurezas o átomos aceptadores
A este tipo de material semiconductor se le denomina SEMICONDUCTOR TIPO P.
En este tipo de semiconductor los portadores mayoritarios serían los huecos (+) y los
portadores minoritarios serían los electrones (-).

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Todo lo aplicado anteriormente tomando como base el Germanio es válido también para el
Silicio.
Si unimos los dos tipos de semiconductores, obtenemos un semiconductor conocido
como DIODO DE UNION

Diodo de Unión

DIODOS

Un diodo es un elemento de dos terminales UNIDIRECCIONAL, es decir conduce en un

solo sentido, cuya característica tensión-corriente no es lineal. Está formado por un cristal
semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "P" y la otra "N", constituyendo
una unión “PN”. La terminal que corresponde con la parte "P" se llama ánodo (A) y el que
coincide con la "N" es el cátodo (K).

Simbología

Las figuras siguientes muestran los símbolos eléctricos de los diodos más conocidos

Curva característica

Polarización del diodo

Los diodos se polarizan de dos formas diferentes:

1.- Polarización Directa

2.- Polarización Inversa

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Aproximaciones del diodo rectificador.

- Primera aproximación: el diodo ideal.

Es la aproximación más simple. Se utiliza para obtener respuestas rápidas y es muy útil para
la detección de averías. Esta aproximación consiste en suponer que en la zona directa el
diodo se comporta como un conductor perfecto, resistencia nula y en la zona inversa como
un aislante perfecto, resistencia infinita. Cuando la tensión es muy elevada y la corriente
muy pequeña el diodo real se comporta como un diodo ideal.

- Segunda aproximación.

En esta aproximación se tiene en cuenta la tensión de codo (0,7 V). Cuanto menor es la
tensión aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo ideal, por lo cual este
puede ser útil.

- Tercera aproximación.

Se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo, rB, además de la tensión de codo. Una
vez que el diodo entra en conducción se considera que la tensión aumenta linealmente con
la corriente.

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Comprobación de un diodo.

Conectando la sonda positiva del Multímetro (en escala de Ohmios) en el extremo P del
diodo y la negra en el extremo N, la resistencia debe de ser pequeña, si colocamos la sonda
roja en el extremo N y la sonda negra en el extremo P, la resistencia debe de ser infinita.

Rectificadores
En las figuras siguientes se muestra el diodo en un rectificador de media onda y de onda
completa.

Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa tipo puente

DIODO ZENER

El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha diseñado para que trabaje en la zona de
ruptura. Estos diodos funcionan mejor en la zona de ruptura que en la directa, se denominan
también diodos de avalancha. Se utilizan como estabilizador o regulador de tensión.

Simbología

Cátodo (K)

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Ánodo (A)
Curva Característica

La siguiente figura nos muestra la curva característica de un diodo zener

Regulador básico con diodo zener

El siguiente circuito muestra al diodo zener en su utilización como regulador de tensión

La resistencia Rs se le conoce como resistencia limitadora de corriente.

La tensión zener Vz es igual a la tensión en la carga Vo.

TRANSISTORES bipolares (BJT)

Son semiconductores de tres terminales: emisor (E), base (B) y colector (C). Que tienen una
gran variedad de usos, dependiendo de su configuración, como por ejemplo: Amplificador de
corriente, rectificador, oscilador, conmutador, adaptador de impedancias etc. Son de dos
tipos PNP Y NPN.

Simbología

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Características generales

1. El sentido de la corriente continua electrónica es siempre opuesto al de la flecha del

emisor
La unión emisor-base siempre está polarizada en sentido directo.
La resistencia emisor-base es menor que la resistencia colector-base.
La analogía de un transistor corresponde a 2 diodos en serie y en oposición.

Corrientes y voltajes en un transistor

En la figura se muestran los voltajes y corrientes más importantes en los transistores

Configuraciones

1. Base común

Características de la configuración base común

 La base es común a la señal de entrada como a la señal de salida

 Al circuito base común también se le conoce como base a tierra
 El circuito presenta una baja impedancia de entrada del orden del 1 a 100 ohms y
una alta impedancia de salida del orden de 1000 ohms a 1 mega ohms.
 El circuito de base común puede dar grandes ganancias de voltaje, pero su
ganancia de corriente es inferior a uno.
 La señal de entrada está en fase con la señal de salida.

2. Emisor común

Características de la configuración emisor común

 El emisor es común a la entrada y a la salida del amplificador

 La señal de entrada está desfasada en 180º con respecto a la salida
 Es un amplificador de mediana y alta corriente o potencia
 Impedancia de entrada mediana (1000 – 5000 ohms) e impedancia de salida
mediana (1 – 50 Kohms)

3. Colector común

Características de la configuración colector común

 El colector es común a la entrada y a la salida del circuito

 Es la configuración de menor impedancia de salida
 La ganancia de voltaje nunca puede ser mayor que uno.
 La ganancia de corriente siempre es mayor que uno, valor típico 50.
 Este circuito también recibe el nombre de seguidor de emisor.

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  Esta configuración se utiliza con mayor frecuencia como dispositivo de igualación o
adaptación de impedancia.

Tiristores.
Tiristor es el nombre genérico que se da a una familia entera de semiconductores
construidos con cuatro o más capas de material semiconductor y tres o más junturas PN.
Aunque a toda la familia de semiconductores de cuatro capas se les llama Tiristor, es al
SCR al que normalmente se le aplica el nombre de Tiristor, siendo también el más usado y
desarrollado.

Los Tiristores más comunes son los siguientes:

1. DIAC.

DEFINICIÓN: El DIAC (Diode Alternative Current, Figura 1) es un dispositivo bidireccional

simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control.
Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales.

Simbología y Estructura

Figura 1: Símbolo del DIAC Figura 2: Estructura básica del DIAC.

APLICACIONES.

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente

del TRIAC, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la
alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable,
calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de
motores.
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en
la Figura

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 Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC.

2. SCR.

DEFINICIÓN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un

dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposición PNPN.
Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre
ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional
(sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Simbología y Estructura

Figura 1: Símbolo del SCR.

Figura 2: Estructura básica del SCR.

APLICACIONES DEL SCR.

Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificación de corrientes

alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas
conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos
Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre
ellas están las siguientes:

. Controles de relevador. · Inversores.

· Circuitos de retardo de tiempo. · Ciclo conversores.
· Fuentes de alimentación · Cargadores de baterías.
reguladas. · Circuitos de protección.
· Interruptores estáticos. · Controles de calefacción.
· Controles de motores. · Controles de fase.
· Recortadores.

3. TRIAC

DEFINICIÓN:
El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres
terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la
particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la
tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede
ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa.

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Símbolo y Estructura

Figura 1: Símbolo del TRIAC.

Fi
gura 2: Estructura básica del TRIAC.

En la Figura 1 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de

un TRIAC, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por
Terminal Principal 2 (T2) y Terminal Principal 1 (T1) respectivamente.

CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.

La versatilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hace ideal para una amplia
variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. Una de ellas es su
utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores
mecánicos convencionales, que requieren siempre el movimiento de un contacto

- La principal utilidad de los TRIACS es como regulador de potencia entregada a una carga,
en corriente alterna.

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