Kapan digunakan transistor MOSFET, BJT, IGBT pada motor?

Transistor BJT merupakan pengendali arus dan Transistor MOSFET merupakan pengendali
tegangan. Penggunaan transistor tergantung dengan kondisi motor yakni power level, drive
voltage, load voltage, switching speed, effiency, cost, etc.

BJT lebih cocok digunakan untuk mengendalikan beban yang memiliki daya yang kecil, BJT juga
memiliki switching speed yang lebih tinggi dibandingkan dengan MOSFET, namun MOSFET
lebih stabil terhadap perubahan suhu dan merupakan resistor yang baik.

Pada aplikasi yang daya dan tegangan rendah, kurang dari 10V dan berkisar 1A, BJT
merupakan pilihan yang bagus. Bipolar memiliki tegangan jatuh yang bergantung terhadap
arus pada beban, driver current, dan tipe alat. Sebuah MOSFET memiliki resistandi
dibanding dengan . bergantung pada drive voltage, load current dan nilai resistansi
akan meningkat sepanjang temperature dan mungkin menjadi dua kali lipat dibandingkan nilai
suhu. MOSFET memiliki kelebihan dikebanyakan aplikasi dan dapat digunakan pada tegangan
yang besar. Diskrit MOSFET memiliki kelebihan pada diode komunikasi yang terdapat
didalamnya, dimana memberikan perlindungan terhadap kerusakan akibat reverse-bias.

IGBT juga digunakan, namun lebih kompleks saat digunakan, terbatasnya switch, switch hanya
digunakan untuk energy yang besar, dan terdapat penggabungan bipolar thyristor dan
teknologi transistor, lebih dari 10 kW untuk pengolahan tenaga. Untuk aplikasi motor,
MOSFET lebih bagus untuk arus dan tegagan yang lebih kecil dan memiliki frekuensi yang
tinggi; IGBT digunakan pada tegangan/arus yang lebih besar dan memiliki frekuensi yang lebih
kecil.

Kesimpulan, kembali ke awal semuanya tergantung dengan spesifikasi motor, semuanya

terdapat trade offs.

Tegangan nominal pada motor

Nilai tegangan yang lebih kurang sesuai untuk mengidentifikasi sistem atau gawai.

Full load ampere (FLA) atau arus nominal adalah banyaknya jumlah maksimum arus normal
yang dapat diterima oleh sebuah motor, informasi FLA dapat diketahui di nameplate yang
dipasang di motor. Penulisan yang ada di nameplate motor pun berbeda-beda, ada pabrikan
yang menulis amps, fla, ampere, dan sebagainya. Mudah saja, cari saja yang satuannya
ampere atau semakin lama nantinya anda akan terbiasa mencari mana yang FLA.

Fungsi:

1. Mengetahui besar circuit breaker yang digunakan. Hal ini bertujuan untuk melindungi atau proteksi
sistem tenaga listrik.

2. Mengetahui beban maksimum yang dapat dicapai oleh motor.

3. Memelihara motor agar dapat awet dan tahan lama.

Transistor MOSFET

Transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate. Namun perbedaannya
gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti
aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang
terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET. Bahan
semikonduktor yang digunakan untuk membuat MOSFET adalah silikon, namun beberapa
produsen IC, terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe)
sebagai kanal MOSFET.

Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis
enhancement-mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang logika
dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor) yang tidak
lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.

MOSFET Depletion-mode

Gambar1. MOSFET Depletion-mode

Dengan menghubung singkat subtrat p dengan source diharapkan ketebalan lapisan deplesi
yang terbentuk antara subtrat dengan kanal adalah maksimum. Sehingga ketebalan lapisan
deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh tegangan gate terhadap source. Pada gambar,
lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daerah yang berwarna kuning.
Semakin negatif tegangan gate terhadap source, akan semakin kecil arus drain yang bisa
lewat atau bahkan menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan deplesi telah
menutup kanal. Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan tegangan source, arus
akan mengalir.

Karena lapisan deplesi muali membuka. Sampai di sini prinsip kerja transistor MOSFET
depletion-mode tidak berbeda dengan transistor JFET. Karena gate yang terisolasi, tegangan
kerja VGS boleh positif. Jika VGS semakin positif, arus elektron yang mengalir dapat semakin
besar. Di sini letak perbedaannya dengan JFET, transistor MOSFET depletion-mode bisa
bekerja sampai tegangan gate positif.

R dson = Vds / Ids

MOSFET Enhancement-mode

Gambar2. MOSFET Enhancement-mode

Tegangan positif ini akan menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p. Elektron-elektron
akan bergabung dengan hole yang ada pada subtrat p. Karena potensial gate lebih positif,
maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi subtrat yang berbatasan dengan
gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir menuju gate karena terisolasi
oleh bahan insulator SiO2 (kaca). Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron
akan menyebabkan terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus
drain dan source dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion
layer. Kira-kira terjemahannya adalah lapisan dengan tipe yang berbalikan. Di sini karena
subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah bermuatan negatif atau tipe
n.

Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk. Tegangan minimun
ini disebut tegangan threshold VGS(th). Tegangan VGS(th) oleh pabrik pembuat tertera di
dalam datasheet. Di sini letak perbedaan utama prinsip kerja transitor MOSFET enhancement-
mode dibandingkan dengan JFET. Jika pada tegangan VGS = 0 , transistor JFET sudah bekerja
atau ON, maka transistor MOSFET enhancement-mode masih OFF. Dikatakan bahwa JFET
adalah komponen normally ON dan MOSFET adalah komponen normally OFF.

NMOS dan PMOS

Transistor MOSFET dalam berbagai referensi disingkat dengan nama transistor MOS. Dua jenis
tipe n atau p dibedakan dengan nama NMOS dan PMOS. Simbol untuk menggambarkan MOS
tipe depletion-mode dibedakan dengan tipe enhancement-mode. Pembedaan ini perlu untuk
rangkaian-rangkaian rumit yang terdiri dari kedua jenis transistor tersebut.

Gambar3: Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe depletion mode

Gambar4: Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe enhancement mode

Transistor IGBT

IGBT adalah sebuah komponen transistor yang memiliki kepanjangan Insulated Gate Bipolar
Transistor. Perangkat transistor semi konduktor ini adalah sebuah komponen yang bisa juga
bekerja sebagai switch atau saklar. IGBT pada umumnya banyak digunakan di rangkaian
seperti inverter, AC drive, servo, stepper, vektor drive dan beberapa power supply yang
menggunakan sistem switching. Cara kerja IGBT yang mirip dengan MOSFET membuat
transistor ini terkadang disamakan dengan MOSFET.

IGBT merupakan gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar seperti terlihat pada
gambar, dan kaki-kakinya dinamakan G (gate), C (collector) dan E (emitor). Bedanya dengan
transistor, IGBT memiliki impedansi input yang sangat tinggi sehingga tidak membebani
rangkaian pengendalinya (atau sering disebut rangkaian driver). Kemudian disisi output, IGBT
memiliki tahanan(Roff) yang sangat besar pada saat tidak menghantar, sehingga arus bocor
sangat kecil. Sebaliknya pada saat menghantar, tahanan pensaklaran (Ron) sangat kecil,
mengakibatkan tegangan jatuh (voltage drop) lebih kecil daripada transistor pada umumnya.
Disamping itu, IGBT memiliki kecepatan pensaklaran/frekuensi kerja yang lebih tinggi
dibanding transistor lainnya. Oleh sebab itulah mengapa IGBT sering digunakan dalam driver
(alat penggerak motor) yang membutuhkan arus yang besar dan beroperasi di tegangan tinggi,
karena memiliki efisiensi yang lebih baik dibanding jenis transistor lainnya.

Selain memiliki kelebihan seperti diatas, IGBT juga memiliki kekurangan. Diantaranya,
harganya lebih mahal dibanding transistor biasa, sehingga jarang dipakai dalam alat
elektronika rumah tangga. Berbeda dengan driver penggerak motor listrik yang membutuhkan
arus besar hingga ratusan bahkan ribuan ampere.

Selain itu IGBT juga rentan rusak pada saat standby (tidak menghantar) apabila tegangan
pengendali (tegangan antara gate dengan source/emitor) hilang(=0v), maka IGBT bisa
jebol/short. Oleh sebab itu meskipun sedang tidak bekerja/menghantar input/gate IGBT harus
diberi tegangan standby sekitar 2-15V tergantung spesifikasi IGBT. Sedangkan untuk jumlah
kaki, pada dasarnya IGBT memiliki jumlah kaki sama dengan transistor yakni 3 kaki. Terdiri dari
gate, di transistor disebut basis, lalu drain atau sering disebut collector pada transistor, dan
terakhir source atau sering disebut emitor. Seperti gambar di atas, yang pertama IGBT sedang
yang kedua transistor yang biasa kita temui.