OBJETIVO GENERAL
Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo
OBJETIVOS PARTICULARES
Determinar la dependencia exponencial dada por la ley de SHOCKLEY entre la
corriente I0 y el voltaje VGS.
INTRODUCCIN:
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolar (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el
collar figura 1.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N
entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa
estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas
desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
Si Vds se hace positiva (Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en
toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la
ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la
tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin
aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de ste disminuye.
1 Generador de funciones
1 Osciloscopio.
1 Fuente de voltaje variable.
Transistores. 2N3819
Resistencias.
Multimetro Digital.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
Q1
2N3821
R2
1k
Figura. 4
d) Con el Multmetro mida el valor de lDSS, para cada uno de los incrementos.
300
250
200
IDSS
150
100
50
0
0 1 2 3 4 5 6
VDS
curva de transferencia
325.5
325
324.5
324
IDSS
323.5
323
322.5
322
321.5
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
VDS
XMM1
R1 V1
10k 15V
Q1 XMM2
2N3821
R3
1M
R2
V2 32k
16V
c) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.25
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.25 volts).
el Vp=9.6 V R2=32k
d) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener valores de VDS de 0 a
15 Volts en intervalos de tres volts cada uno.
TENSION VDS Volts ID (A)
3 0.6 0.06
6 0.59 0.13
9 0.59 0.20
12 0.58 0.28
15 0.56 0.35
Figura 5.
h) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.5 volts).
v
j) e) Localizar el punto Q de trabajo en la grafica de transferencia.
XSC1
V5
Ext Trig
+
_
R6 B
16V A
10k + _ + _
C2
1F
C1 Q3
2N3821
1F
V6 R8
10Vpk 1M R7
60Hz 33k
0
V3
15V
Figura.6
E%=(1.80-1.436)/1.80=20.22%
CUESTIONARIO
BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p)
electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.
Ventajas del FET con respecto al BJT
Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos
de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas de los FET
Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.
Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener
grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La
figura 1.13 muestra la representacin grfica de este punto Q y la relacin existente
en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de
un transistor utilizando mtodos grficos.
Dado que la unin puerta est polarizada inversamente y puesto que no hay una
contribucin de portadores minoritarios al flujo a travs del dispositivo, la impedancia
de entrada es extremadamente alta. El elemento de control del JFET proviene del canal
n, por el drenaje de los portadores de carga.
TRANSISTOR MOSFET
Ecuacin de Shockley:
ID=IDSS(1-VGS/Vp)2
Donde:
14. Cuales son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT.
Cuando hay contacto entre dos cuerpos hay electrones de un cuerpo que pasan al otro,
de manera que un cuerpo queda con ms electrones y en consecuencia ms negativo y
otro con menos electrones (los electrones que acaba de perder) y en consecuencia ms
positivo.
Como no existe un camino para que los electrones regresen al cuerpo original, este
desbalance se mantiene. En caso de que el rozamiento no se mantuviera, la electricidad
esttica desaparecera poco a poco. Si este proceso (de carga elctrica), de que un
cuerpo pierda electrones para que otro lo gane, contina el desbalance se hace mayor y
mayor hasta que llegar un momento en que la descarga se produce y estos electrones
buscan el camino de regreso a su estado anterior.
Un caso por todos conocido son los rayos que saltan de una nube a otra o que saltan a
la tierra. Esta diferencia de voltaje (diferencia de potencial) creada por el roce entre
nubes se hace muy grande al punto que se crea un arco de corriente que todos llamamos
rayo.