TECNICAS DE DOPADO

En este trabajo
ALEACION
Antes de explicar la tcnica definamos la aleacin: En ingeniera es aquello que funde
materiales o componentes a una temperatura relativamente baja e inferior a la de fusin
de sus componentes.
Habiendo dicho eso, esta tcnica conveniente para las uniones p. n. es la aleacin de un
metal que contenga tomos dopantes en un semiconductor con el tipo opuesto de
dopantes. Este proceso era usado en los aos 50 para producir diodos y transistores.
Como un ejemplo de aleacin, supongamos que tenemos una muestra de Germanio (Ge)
de tipo n siendo calentado mediante una bola de Indio (In). El Ge se ira derritiendo para
despus obtener como resultado una unin p-n creciendo en el cristal. Como el In y el Ge
son calentados a temperaturas de 160 C, se formar una solucin derretida de los dos
materiales. La proporcin del Ge en el In en esta aleacin derretida esta sobre la
solubilidad a baja temperatura. Como la temperatura es baja, el Ge crecer fuera de la
mezcla de la aleacin debido a la baja solubildiad. En la interface entre la mezcla
refrigerada y el cristal de Germanio una regin de regresin cristalina de Ge es formada.
Esta regin tiene la misma estructura cristalina del Ge, sin embargo, esta tendr altas
concentraciones de tomos de In. Una imagen que muestra el proceso descrito con
anterioridad se muestra a continuacin.

EPITAXIAL
Antes de describir la tcnica epitaxial de dopado definamos que es epitaxia. es el crecimiento
ordenado de una capa monocristalina que mantiene una relacin definida con respecto al
substrato cristalino inferior.

Es muy utili para la fabricacin de capas semiconductoras de calidad. Para muchas aplicaciones la
oblea es nicamente un soporte mecnico.

Sobre ella se crecen una o ms capas de un material que preserva la estructura del monocristal y
de conductividad apropiada (epitaxia). La epitaxia es un modo de controlar de manera precisa el
perfil de dopaje para optimizar dispositivos y circuitos y el grosor de la capa epitaxial puede variar
desde 0.1 m hasta 100 m segn la aplicacin. De menor espesor para aplicaciones de alta
velocidad. De mayor espesor para aplicaciones de potencia

Se caracteriza por realizarse a temperatura inferior a la de fusin del material.

El crecimiento epitaxial, puede dividirse en dos categoras muy amplias:

Homoepitaxia: la capa que se crece es qumicamente similar al substrato:

Es la epitaxia ms simple e involucra la extensin de la red del substrato en una red de material
idntico (autoepitaxia u homoepitaxia), por ejemplo:

Si sobre Si.
GaAs sobre GaAs.
AlGaAs sobre GaAs: hay una desadaptacin de la constante de red del
0.13(homoepitaxia).
Heteroepitaxia: la capa que se crece difiere en trminos qumicos,estructura cristalina,
simetra o parmetros de red con respecto al substrato. Por ejemplo:
Materiales III-V ternarios o cuaternarios sobre GaAs (AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre
SiC)
GaAs sobre Si: existe un 4.5 % de desadaptacin en la constante de red
Silicon on Insulator (SOI)
Silicon on Shaphire (SOS)
DIFUSION
Otra tcnica que podemos utilizar para el dopado de
semiconductores es la de difusin que consiste en
`redistribuir tomos desde regiones de alta concentracin
de especies mviles hacia regiones de baja concentracin.
Las impurezas que son previamente depositadas sobre la
superficie del cristal penetran en el interior.
Este fenmeno puede realizarse a cualquier temperatura,
sin embargo, la difusin tiene una dependencia
exponencial con la temperatura.
A continuacin, se mostrara una comparativa del uso de la
difusin en el Si y el GaAs:

En el de Si es la tcnica ms empleada utilizando la capacidad del xido de Si

(SiO2) para actuar como mscara.
Permite la formacin de la fuente y el drenador de MOS y regiones activas de
transistores bipolares.
Pueden manejarse muchas obleas en cada proceso.
En GaAs, la difusin es menos controlable, adems las estructuras avanzadas de diferentes
capas requieren en su mayora procesos epitaxiales.

La difusin de tomos en una red cristalina depende de los diferentes tipos de mecanismos de
difusin que se pueden producir en la red. Tipos de mecanismos de difusin:

1. Intersticial: La impureza penetra en el cristal de forma intersticial y se mueve o salta a otra

posicin intersticial.

2. Substitucional: Un tomo salta desde un punto de la red cristalina a otro adyacente que es
necesario que est vacante. Este mecanismo ocurre con menor velocidad que la difusin
intersticial. Muchos de los dopantes de Si son substitucionales.

3. Mecanismo kick-out o patada: Un tomo de impureza pasa de un lugar intersticial a un lugar

de la red desplazando un tomo: se forma una intersticial de tomo de la red que puede
difundirse como una impureza.

+
IMPLANTACIN INICA
Este mtodo es una til alternativa a la difusion a altas temperaturas, en el cual se
implantan de manera directa iones energticos en el semiconductor. En este proceso un
rayo de iones impuros es acelerado a energas cinestesicas variando desde keV a MeV y
es dirigida a la superficie del semiconductor. Como las impurezas entran al
semiconductor, le dan su energa al cristal mediante colisiones donde finalmente termina
a una penetracin de profundidad promedio, llamada en ingles project range.
Dependiendo de la impureza y su energa implantada el rango en un semiconductor dado
podra variar desde algunos cientos de angstroms a 1 micrometro.
Un implantador de iones tpico es mostrado a continuacin.

En la maquina se ioniza un gas que contiene la impureza deseada dentro de una fuente y
entonces es extraida en el tubo de aceleracin. Despues de la aceleracin de la energa
cinestesica deseada, los iones pasan a travs de un separador de masa para asegurarse
de que solamente el ion deseado entre al drift tube. El rayo ionico es enfocado y
escaneado electrostticamente sobre la superficie de la oblea en el target chamber. Un
escaneo repetitivo en un patrn que deja rastro prueba excepcionalmente el dopa
(Streetman & Banerjee, 1995)do uniforme en superficie de la oblea.
Una ventaja de este proceso es que puede ser hecho relativamente a bajas temperaturas;
esto significa que las capas de dopado pueden ser implantadas sin alterar las regiones
difusas con anterioridad.
Otra ventaja de este mtodo es el control preciso de las concentraciones de dopado. Ya
que el rayo ionico puede ser medido de manera precisa durante la implantacin, una
precisa cantidad de impurezas pueden ser aadidas.
El problema de este mtodo es el dao de la estructura cristalina, el cual resulta de las
colisiones entre los iones y los atomos dentro de la misma. Sin embargo, este dao puede
ser removido en el silicio calentando el cristal despus de la implantacin. Esto debido a
que el silicio puede calentarse a temperaturas que excedan los 1000 sin dificultad, mas
no obstante, otros semiconductores como el Arseniuro de Galio deben ser recubiertos con
una capa de silicio ya que As se evaporara del compuesto y asi poder para eliminar el
dao.
Oxidacion
Varios pasos de fabricacin involucran el calentamiento de la oblea (como se ha visto
anteriormente) para mejorar el proceso quimico. Un ejemplo importante de esta tcnica es
la oxidacin trmica del silicio. Consiste en implantar varias obleas en tubos de slice
(quarzo) limpios el cual puede ser calentado a altas temperaturas (800 1000)
usando bobinas de calentamiento en un horno con revestimientos aislantes de ladrillo
cermico. Un gas que contiene oxigeno como el Oxigeno puro, o el agua es fluido en un
tubo de presin atmosfrica, de una punta a otra. Antes eran usados los hornos
horizontales. Pero ahora se ha vuelto mas comn el uso de hornos verticales que se
muestran en la siguiente figura.

En donde un lote de obleas de silicio es puesta en un porta obleas de slice, cada una
puestas boca abajo, para minimizar la contaminacin de partculas. Las obleas son
entonces movidas en el horno. Ah los gases fluyen desde la parte superior hacia afuera
desde la parte inferior, proporcionando un flujo mas uniforme que el horno horizontal. Las
reacciones que ocurren durante la oxidacin son:
+ 2 2 ( )
+ 22 2 + 22 ( )
En ambos casos el silicio es consumido desde la superficie del sustrato. La oxidacin es
producto de tener molculas oxidantes difusas dentro del ya crecido oxido, desde la
interface del silicio al dixido de silicio, donde las reacciones anteriores toman lugar.
BIBLIOGRAFIA
Streetman, B. G., & Banerjee, S. (2016). Solid state electronic devices: Seventh Edition.
Upper Saddle River, NJ: Pearson/Prentice Hall.
file:///C:/Users/Usuario/Downloads/Tema_5_Dopado.pdf
gmun.unal.edu.co/ijaramilloj/cursos/.../Resumen%20Crecimiento%20Epitexial.pdf

Bibliografa
Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (1995). Solid State Electronic Devices (Cuarta ed.). Estados
Unidos: Prentice Hall.

Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (2016). Solid State Electronic Devices (Sptima ed.). Boston:
Pearson.