Clase Dispositivos

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE
MXICO
FACULTAD DE INGENIERIA
APUNTES DE DISPOSITIVOS Y
CIRCUITOS ELECTRNICOS
DIODO Y TRANSISTOR TBJ
AUTOR: ING. JESS MARA FRANCISCO HERNNDEZ

MORALES
1 Dispositivos y Circuitos Electrnicos
TEORA DEL SEMICONDUCTOR
En la actualidad, los dispositivos electrnicos

usan silicio como material bsico. El silicio
est en el Grupo IV de la tabla peridica
(grupo tetravalente) y se clasifica como un
"semiconductor" debido al hecho que es un
conductor pobre en estado puro. Cuando se
agregan cantidades controladas de ciertas
"impurezas" a un semiconductor se hace un
buen conductor. Dependiendo del tipo de
impureza agregada al semiconductor bsico,
su conductibilidad puede tomar dos tipos: P y Figura2 Semiconductor tipo N.
N.
La conductibilidad del tipo N en un
semiconductor es la conductibilidad debido a En la conductibilidad del tipo P, las cargas
la tendencia de electrones libres. En el silicio que llevan la corriente elctrica por el cristal
puro a temperatura ambiente hay muy pocos actan como si ellos fueran las cargas
electrones libres. positivas. Sabemos que electricidad siempre
El silicio es un elemento tetravalente, con se lleva por los electrones flotando en
cuatro electrones de valencia en la orbita cualquier material, y que no hay ningn
exterior; todos se aseguran por la fuerte portador positivo mvil en un slido. Los
unin covalente de la celosa del cristal, portadores de carga positiva pueden existir
como se muestra en la figura 1. Cuando en los gases y lquidos en la forma de iones
cantidades controladas de impurezas del positivos pero no en los slidos. El carcter
donador (los elementos del grupo V) como positivo del flujo real en el cristal del
fsforo se agregan, los tomos pentavalentes semiconductor puede pensarse como el
que entran en la estructura atmica movimiento de vacantes (llamados huecos)
proporcionan electrones extras no requeridos entre los enlaces covalentes.
por los enlaces covalentes. Estas impurezas Estos huecos flotan del positivo hacia el
se llaman las impurezas del donador dado negativo en un campo elctrico,
que "donan" un electrn libre. Estos comportndose como si fueran los
electrones donados son libres para flotar del portadores positivos.
negativo al positivo por el cristal cuando se
aplica un campo elctrico, como se muestra
en la figura 2. La nomenclatura de "N" para
este tipo de conductibilidad implica a los
portadores de carga negativa.
Figura3 Semiconductor tipo P.
La conductibilidad del tipo P en los

Figura1 Estructura del cristal de silicio semiconductores es el resultado de agregar
puro. las impurezas del aceptador (elementos del
Dispositivos y Circuitos Electrnicos 2
Grupo III) como el boro al silicio. En este

caso, los tomos del boro, con tres
electrones de valencia, forman uniones con
la estructura tetravalente del silicio. Dado que
los enlaces covalentes no se pueden
satisfacerse con slo tres electrones, cada
tomo del aceptador deja un hueco en el
enlace covalente. Estos huecos aceptan
electrones introducidos por las fuentes
externas o creados por la radiacin o por el
calentamiento, como se muestra en la figura
3. Cuando un circuito externo se conecta, los
electrones de la fuente "llenan" estos huecos
desde la terminal negativa y saltan de hueco Figura5 Curva del comportamiento ideal del
en hueco a travs del cristal, se puede diodo.
pensar en este proceso de una manera
diferente pero equivale al desplazamiento de Su smbolo se muestra a continuacin:
huecos positivos hacia la terminal negativa.
Es esta tendencia de huecos cargados
positivamente la base para el trmino de la
conductibilidad tipo P.
Cuando las regiones de semiconductores de
tipo N y tipo P se forman en un cristal Figura6 Representacin grfica del diodo.
semiconductor adyacentes una a la otra, se
llama unin PN. La punta de la flecha del smbolo circuital,
representada en la figura 6, indica el sentido
permitido de la corriente.
Apoyndonos en la ley de Ohm y analizando
EL DIODO IDEAL la figura 5 deducimos que:
El diodo es el dispositivo electrnico ms
sencillo, se forma con la unin de dos 1. Para Vd>0, Id ser diferente a cero y
semiconductores uno del tipo N y otro del tipo por lo tanto R=0
P y se puede fabricar en estructura vertical o 2. Para Vd<0, Id = 0 y por lo tanto R=.
plana como se muestra en la siguiente figura:
Esto es equivalente a un interruptor que se
cierra o se abre dependiendo de la direccin
de la corriente.
Ejemplo 1.- Determinar el comportamiento

del diodo en el siguiente circuito, tomando en
cuenta que el voltaje aplicado a la entrada es
una seal cuadrada que varia entre +10 y -10
Voltios.
Figura4 Construccin del diodo.

Su comportamiento ideal nos muestra al
diodo como un dispositivo capaz de permitir
el flujo de corriente en una direccin (nodo a
ctodo) con una resistencia de valor cero,
mientras que presenta una resistencia infinita
cuando el flujo de la corriente se realiza en
sentido contrario (ctodo a nodo), este Ejemplo 1
comportamiento lo podemos visualizar en la
siguiente figura:
Solucin:
Para el anlisis del diodo se consideran las
dos opciones: cuando la entrada es de +10
Voltios y cuando la entrada es de -10 Voltios,
en el primer caso el circuito a analizar ser el
siguiente:
Finalmente el voltaje de R1 con respecto a la

entrada ser el siguiente:
En este caso el diodo se polariza en directa,

lo cual implica que la corriente fluir de
nodo a ctodo y con lo cual el diodo se
comportar como un interruptor cerrado
como se observa en la siguiente figura:
Problema 1.- Empleando el modelo ideal del

diodo determinar el voltaje en R1 del
siguiente circuito, considerando que el voltaje
a la entrada Vi = Vm sen()t como se
muestra a continuacin:
Con lo anterior tendremos que VR1 = 10V, y
la corriente en este caso ser de 10mA.
En el segundo caso el voltaje de entrada es

de -10 Voltios:
Bajo esta condicin el diodo se polariza en

forma inversa, lo cual forzar el flujo de
corriente de ctodo a nodo, en est
situacin el diodo se comportar como un
interruptor abierto, con lo cual la corriente
que fluye a travs del circuito ser cero.
Problema 2.-Empleando el mismo voltaje a

la entrada determinar el voltaje en R1 del
siguiente circuito:
Aplicando el modelo del diodo ideal tenemos

que para el lbulo positivo de la seal (0 a )
el diodo se comportar como un interruptor
Problema 3.- Empleando SPICE determinar cerrado. Por lo que el voltaje en la resistencia
el voltaje en R1, as como la corriente en R1 ser:
ambos circuitos, para esto R1 = 1K, la
amplitud mxima del voltaje de entrada Vm =
10 V y su frecuencia es de 1Khz.
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos de los problemas anteriores
pertenecen a un grupo de circuitos conocidos
como rectificadores, por lo general se
emplean para convertir Voltajes de Corriente
Alterna (VCA) a Voltajes de Corriente Para el lbulo negativo ( a 2 ), el diodo se
Continuo (VCC) o bien con ayuda de algunos polariza en inversa, lo cual hace que el diodo
elementos adicionales a Voltajes de se comporte como un interruptor abierto,
Corriente Directa (VCD). Su principal dado que no hay flujo de corriente el voltaje
aplicacin son las fuentes de alimentacin. en R1 ser 0, como se muestra a
A su vez estos circuitos se dividen en continuacin:
rectificadores de media onda y rectificadores
de onda completa.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Un circuito rectificador de media est
constituido como se muestra a continuacin:
Dado que este es un proceso cclico,

despus de 2p, se repiten las condiciones
iniciales, por lo cual el voltaje en R1 ser el
siguiente:
Figura 7 Circuito rectificador de media onda.
Despejando y sustituyendo obtenemos lo

siguiente:
Vcc = 0.318 ( 2 VRMS )
Vcc = 0.318 ( )
2 12V = 5.4V
Figura 8 Seal rectificada en un circuito Problema 4.- Obtenga el voltaje promedio

rectificador de media onda rectificado en circuitos rectificadores de
media onda, si empleamos transformadores
Para determinar el valor promedio de la seal con los siguientes voltajes en el secundario:
rectificada, se debe calcular el rea bajo la a) 9 VRMS.
curva de la figura 2, dividiendo este valor por b) 18 VRMS.
el periodo de la onda rectificada: c) 24 VRMS.
d) 48 VRMS.
1 1
T 2 0
Vcc = vdt = (Vm Sen)d
Otra consideracin en el uso de estos
circuitos es el Voltaje Inverso de Pico (VIP),
que representa el mximo voltaje al que se
Vm
Vcc = [ Cos]0 = Vm = 0.318 Vm somete el diodo en polarizacin inversa y que
2 por lo general es igual a Vm:
Con lo cual podemos afirmar que el valor VIP = Vm

promedio de la seal rectificada para este
circuito ser: Este parmetro es importante para evitar que
el diodo se destruya.
Vcc = 0.318 Vm
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Donde: Con el fin de obtener un mejor
Vcc = Valor promedio del voltaje aprovechamiento de la onda senoidal a la
rectificado. entrada, se emplea el siguiente circuito:
Vm = Valor mximo (pico) del
voltaje de C.A.
Ejemplo 2.- Calcular el voltaje promedio de

un circuito de media onda, tomando en
cuenta que se emplea un transformador con
un voltaje en el secundario de 12 Voltios
(RMS).
Solucin.- Sabemos que Vcc = 0.318 Vm,

Figura 9 Circuito rectificador de onda
sin embargo el dato del voltaje en el
completa.
secundario se da en VRMS lo cual nos indica
que: Como se puede observar en la figura anterior
se emplea un transformador con derivacin
central en el secundario, lo cual tiene una
Vm desventaja, esta derivacin es un divisor de
V RMS = voltaje, lo cual provoca que el voltaje
2
aprovechado sea igual a Vm/2, sin embargo
el circuito es capaz de aprovechar ambos
lbulos de la seal de entrada como se
muestra a continuacin:
Considerando la siguiente entrada senoidal:
Tenemos que analizar la onda resultante

mediante el anlisis de cada uno de los
lbulos de la seal, para el caso del lbulo En esta polarizacin se observa que el diodo
positivo el circuito adquiere la siguiente D1 est polarizado en inversa y por lo tanto
polarizacin: funciona como un circuito abierto y por lo
cual no habr flujo de corriente en esa rama.
Por su parte el diodo D2 est polarizado en
directa lo cual permitir el flujo de corriente
por esa rama del circuito, nuevamente R1 se
conecta a un voltaje pico igual a Vm/2.
Dado que se trata de un ciclo repetitivo, se

Podemos observar que el diodo D1 se obtiene el siguiente voltaje en R1:
polariza en directa mientras que el diodo D2,
se polariza en inversa, con lo cual el diodo
D1, funcionar como un interruptor cerrado y
permitir el flujo de la corriente, mientras que
el diodo D2 se comportar como un
interruptor abierto, lo cual impedir el flujo de
corriente a travs de este. Adems el voltaje
pico que alimenta a la resistencia R1, es
igual a Vm/2. Figura 10 Forma de onda resultante de un
circuito rectificador de onda completa.
En este caso el voltaje promedio rectificado

ser:
1
Vcc = 0.636 (Vm/2)
Para el caso de lbulo negativo se tiene la

siguiente polarizacin del circuito: 1
Muchos autores consideran Vcc = 0.636 Vm, sin
embargo suponen que cada lbulo entrega un
voltaje pico igual a Vm, en este anlisis Vm es el
mximo que ofrece el secundario del
transformador.
Ejemplo 3.- Determine el voltaje promedio

para un circuito rectificador de onda 2 127V
completa, que utiliza un transformador cuyo V2 = = 68.03V
voltaje en el secundario es de 9 VRMS y posee 2.64
una derivacin central. Finalmente el valor promedio ser:
Solucin: El voltaje en el devanado 68.03

Vcc = 0.636 = 21.63V
2
secundario del transformador es de 9 VRMS,
por lo cual podemos determinar que el voltaje
Vm del secundario es:
Problema 5.- Mediante el anlisis de la onda

Vm = 2 VRMS resultante para un circuito rectificador de
onda completa, demuestre que:
Con lo cual obtenemos:
Vcc = 0.636 Vm
Vm = 2 9V = 12.72V
Considere el valor mximo para cada lbulo
Finalmente el voltaje promedio ser: como Vm.
Problema 6.- Calcule el valor promedio para

Vm 12.72
Vcc = 0.636 = 0.636 = 4.04V
un circuito rectificador de onda completa, y
2 2 con derivacin central en el secundario, para
los siguientes casos:
Ejemplo 4.- Obtenga el valor promedio para
un circuito rectificador de onda completa, que a) El voltaje en el secundario es de 12
utiliza un transformador con derivacin VRMS.
central en el devanado secundario con una b) El transformador se alimenta de la
relacin de vueltas de 2.64, considere que el lnea (127 VRMS) y posee una relacin
primario se conecta a la lnea de de vueltas de 10.6.
alimentacin (127 VRMS).
CIRCUITO PUENTE RECTIFICADOR
Solucin.-La relacin de vueltas se define Una variante del circuito rectificador de onda
como razn del nmero de espiras en el completa es el circuito puente rectificador
devanado primario (N1), entre el nmero de que emplea cuatro diodos para rectificacin
espiras en el devanado secundario (N2), esta completa, en este caso el secundario del
razn tambin es proporcional a la relacin transformador no utilizar la derivacin
del voltaje en el devanado primario, entre el central, con esto se aprovecha mejor el
voltaje en el devanado secundario: voltaje en el secundario:
N1 V 1
= = 2.64
N2 V2
Despejando tenemos que el voltaje en el
secundario ser:
V1
V2 =
2.64
Dado que el valor del voltaje en el primario
est en VRMS , se requiere obtener su valor
instantneo, por lo cual V2 ser: Figura 11 Circuito Puente Rectificador de onda
completo
Para el anlisis de la operacin del circuito se

necesita analizar las rutas de conduccin
para cada lbulo de la seal de entrada, as
cuando se presente el ciclo positivo de la
seal, el circuito se polarizara de la siguiente
manera:
Para este caso observamos que D2 y D3

estn polarizados en directa, de manera que
permitirn el paso de corriente, por su parte
D1 y D4 tienen polaridad inversa con lo cual
se comportarn como un interruptor abierto,
impidiendo as el paso de corriente. El flujo
de la corriente se muestra a continuacin:
Podemos observar que los diodos D1 y D4
estn polarizados en directa, mientras que
los diodos D2 y D3 se polarizan en inversa,
con lo D1 y D4 conducen, mientras que D2 y
D3 se comportan como circuitos abiertos, de
manera que la ruta es la siguiente:
Al igual que en el lbulo positivo el voltaje en

R1 ser Vm, cabe resaltar que la polaridad
en R1 en los dos casos permaneci igual.
Cabe mencionar que el voltaje en R1 ser

Vm, para este lbulo positivo.
Durante el lbulo negativo de la seal de

entrada la polarizacin del circuito se
manifiesta de la siguiente manera:
Finalmente el voltaje resultante a la salida de Solucin.- Sabemos que:

un puente rectificador ser el siguiente:
2 Vm
Vcc =

despejando Vm obtenemos lo siguiente:

Vm = Vcc = 21.6V = 33.93V
2 2
Figura 12 Voltaje resultante de un puente
rectificador. Por otro lado sabemos que la relacin de
Para determinar el valor promedio de la seal vueltas de un transformador esta dada por:
rectificada, se debe calcular el rea bajo la
curva de la figura 12, dividiendo este valor N1 V 1
por el periodo de la onda rectificada: R= =
N2 V 2
1 1
Vcc =
T vdt =
2
0
(Vm Sen) d + Para nuestro caso el valor del voltaje pico en
el secundario (V2) es de 33.93V, sin
1 2 2 Vm embargo, necesitamos el valor del voltaje
2 (Vm Sen)d =

= 0.636 Vm pico en el primario:
V 1 = 2 127V = 179.6V
Vcc = 0.636Vm
Finalmente nuestra relacin de vueltas en el
A diferencia del rectificador de onda completa transformador ser:
con derivacin central el puente rectificador
aprovecha completamente el voltaje en el V1
secundario de un transformador. R= = 5.29
V2
Ejemplo 5.- Determine el voltaje promedio de
Problema 7.- Determine la relacin de
la seal rectificada de un circuito puente
vueltas de un transformador de un circuito
rectificador si se emplea un transformador
puente rectificador, de tal manera que Vcc =
con un voltaje nominal de 12 VRMS en su
100 V y el primario esta conectado a la lnea
secundario.
de alimentacin de 127 VRMS.
Problema 8.- Determine el voltaje promedio
Solucin.- El voltaje nominal en el
de la seal rectificada de un circuito puente
secundario es de 12 VRMS, lo primero que
rectificador, cuando se emplea un
debemos obtener es su voltaje pico (Vm):
transformador con un voltaje en su
secundario de 24 VRMS.
Vm = 2 12V = 16.97V
con lo cual obtenemos que:
Vcc = 0.636 (16.97V)=10.79 V
Ejemplo 6.- Determine la relacin de vueltas

de un transformador empleado en un puente
rectificador de tal manera que Vcc = 21.6 V,
cuando el primario del transformador se
conecte a una alimentacin de 127 VRMS.
El voltaje obtenido mediante circuito Voltaje de Rizo.

rectificadores, funciona bien para cargar
bateras o para encender lmparas, sin Los diodos rectificadores cargan al capacitor
embargo la mayora de los circuitos de filtrado C1, hasta el valor pico Vm, durante
electrnicos necesitan un voltaje de los ciclos de no conduccin el capacitor se
alimentacin mas suave. Por ejemplo, en el descargar mediante la resistencia de carga
caso de los amplificadores de audio, un RL. Esto crear una onda del tipo de diente
voltaje rectificado sin filtrar se puede de sierra que se le denominar Voltaje de
escuchar como un zumbido en las bocinas. Rizo. El valor del voltaje de rizo depende de
Este zumbido es proporcional a la frecuencia la corriente de la carga, la frecuencia de la
de la fuente de alimentacin. El suavizado fuente de alimentacin y el valor del
del voltaje de alimentacin se realiza capacitor. Un clculo aproximado del voltaje
agregando un capacitor de valor alto en de rizo se obtiene de la siguiente ecuacin:
paralelo con la carga, justamente despus de
la seccin de rectificacin, a esta seccin en i
las fuentes de alimentacin se le conoce Vr =
como seccin de filtrado. f C
Donde:
Vr es el voltaje de rizo
i es la corriente en la carga
f es la frecuencia.
C es el valor del capacitor de filtrado
Dado que la corriente en la carga tambin se

puede calcular como:
Vm
La onda resultante se muestra a i=
continuacin. RL
Donde:
i es la corriente en la carga
Vm es el valor pico del secundario.
RL es la resistencia de carga.
Sustituyendo lo anterior tenemos que:
Vm
Vr =
Figura 13 Onda resultante al agregar un f R C
capacitor de filtrado.
Este clculo se aplica a circuitos con carga
ligera. La frecuencia variar en funcin del
De la figura anterior podemos afirmar que el tipo de circuito rectificador que se emplea,
voltaje rectificado promedio obtenido ser: as cuando se emplea un rectificador de
media onda la frecuencia es de 60 Hz, en el
Vr caso del puente rectificador y el circuito
Vcc = Vm
2 rectificador de onda completa la frecuencia
de operacin es de 120 Hz.
Donde:
Vcc es el voltaje promedio rectificado.
Vm es el voltaje pico en el secundario
del transformador.
Vr es el voltaje de rizo.
Ejemplo 6.- Determinar el voltaje promedio CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE

rectificado de un circuito puente rectificador, VOLTAJE
considerando que su transformador tiene un
valor nominal de 24 VRMS en el secundario, el Con el fin de obtener un voltaje rectificado
capacitor empleado en el filtrado tiene un pico (Vm) mayor al que puede ofrecer el
valor de 2200F y su resistencia de carga es secundario del transformador, se emplea
de 1K. este tipo de circuitos, el voltaje resultante a la
salida es un mltiplo de dos, tres o ms
Solucin.- Sabemos que veces el voltaje pico del secundario del
transformador.
Vm
Vr = DOBLADORES DE VOLTAJE.
f R C
En la figura 1, se muestra un doblador de
Tenemos que la frecuencia de operacin es voltaje de media onda.
de 120 Hz, dado que estamos empleando un
circuito puente rectificador.
Por otro lado el voltaje en el secundario del

transformador es de 24 VRMS, as que su
voltaje pico ser:
Vm2 = 2 24V = 33.94V

Figura 14 Circuito doblador de voltaje de
Para obtener el voltaje del rizo tenemos que:
media onda.
33.94V
Vr = = 128mV Al igual que en el caso de los circuitos
[(120 Hz ) (1k) (2200F )] rectificadores el voltaje en el secundario, ser
una seal senoidal. Para su anlisis se debe
Finalmente el voltaje promedio obtenido ser: considerar los dos casos posibles, para
cuando la polarizacin de entrada es positiva
Vr .128V y para cuando la polarizacin de entrada es
Vcc = Vm 2 = 33.94V = 33.87V inversa:
2 2
En el caso de la polarizacin positiva, la
Problema 9.-Obtenga el voltaje promedio, polarizacin resultante en el circuito ser:
as como su voltaje de rizo de un circuito
rectificador, si se emplea un capacitor de
filtrado de 470F, con una resistencia de
carga de 2.2 k, el transformador tiene un
valor nominal en el secundario de 12 VRMS,
bajo las siguientes configuraciones:
1. Rectificador de media onda.

2. Puente rectificador.
Problema 10 .-Realizar el anlisis del

problema anterior mediante SPICE. Podemos observar que el diodo D1 se
polariza en directa, lo cual provoca que
conduzca corriente, mientras que el diodo D2
se polariza en inversa lo cual provoca que no
conduzca corriente.
Al comportarse D1 como un corto circuito,

provoca que el capacitor C1 se cargue con
un voltaje igual al voltaje pico en el
secundario (Vm), dado que el capacitor tiene
la propiedad elctrica de almacenar carga en
forma de voltaje, el voltaje tiende a conservar
su valor.
Figura 15 Forma de onda resultante del
Para cuando se invierte la polaridad en la circuito doblador de media onda
entrada, el circuito tiene la siguiente
polarizacin:
La figura 3 nos muestra a un doblador de
voltaje de onda completa
En esta polarizacin el diodo D1 se polariza

en inversa con lo cual se comporta como un
circuito abierto y el diodo D2 se comporta
como un corto circuito, lo cual hace que fluya
corriente a travs de l:
Figura 16 Circuito doblador de voltaje de onda
completa.
Para una entrada positiva la polarizacin ser

la siguiente:
Como podemos observar C2 se carga con un

voltaje debido a la suma del voltaje
almacenado en el capacitor C1 ms el voltaje
debido al voltaje pico del secundario del
transformador, con lo cual:
Vo = 2 Vm
Como podemos observar el diodo D1 se

polariza en directa, con lo cual tenemos un
corto circuito, mientras que el diodo D2 de
polariza en inversa y se comportar como un
circuito abierto. De lo anterior tenemos que:
Como podemos observar la salida ser:
Vo = 2 Vm
El capacitor C1 se carga con un voltaje igual Su forma de onda a la salida se presenta a

al voltaje pico del secundario del continuacin:
transformador.
Para el semiciclo negativo tenemos la
siguiente polarizacin:
Figura 17 Forma de onda resultante a la salida

de un circuito doblador de voltaje de onda
En este caso el diodo D1 se polariza en completa.
inversa con lo cual no conduce corriente y el
diodo D2 se polariza en directa de tal forma
que se comporta como corto circuito: Ejemplo 7.- Se desea construir circuito
doblador de voltaje de onda completa, su
salida tendr que dar 50 V. Determinar Cul
debe ser la relacin de vueltas del
transformador empleado, si el primario se
conecta a la lnea de alimentacin de 127
VRMS?.
Solucin.- Dado que un doblador de voltaje

ofrece el doble del voltaje pico en el
transformador, tenemos que:
Si medimos el voltaje a travs del capacitor

C1, obtendremos a Vm, en el capacitor C2 el
Vo valor es de 2Vm, el voltaje a travs de C1 y
Vm = = 25V C3 es de 3Vm y finalmente el voltaje a travs
2
de C2 y C4 es de 4Vm.
El voltaje RMS en el secundario ser:
Cabe notar que el Voltaje Inverso de Pico
(V.I.P.) para este circuito es de 2 Vm.
Vm 25V
V2= = = 17.67V PROYECTO 1.- Desarrolle un circuito
2 2 multiplicador de voltaje, de tal forma que
podamos obtener los siguientes voltajes a la
Finalmente la relacin de vueltas ser: salida de un solo circuito:
N1 127V a) 25 Voltios.
R= = = 7.18 b) 50 Voltios
N 2 17.67V c) 75 Voltios.
d) 100 Voltios.
Multiplicadores de Voltaje
CIRCUITOS RECORTADORES
El siguiente circuito es una variacin del
doblador de voltaje de media onda que es Los circuitos recortadores son circuitos
capaz de desarrollar hasta 4 veces el voltaje formadores de onda, que eliminan una
pico del secundario del transformador (Vm). porcin de la seal de entrada, por lo general
constan de un diodo y una resistencia, sin
embargo adicionalmente pueden contar con
una batera.
El siguiente circuito es un ejemplo de un

circuito recortador.
Figura 18 Circuito multiplicador de voltaje.
En el primer semiciclo positivo de la seal de

entrada, el capacitor C1 se carga a travs del Figura 19 Circuito recortador
diodo D1 al voltaje pico Vm, en el semiciclo El voltaje de entrada se muestra a
negativo el capacitor C2 se carga con valor continuacin:
pico de 2Vm desarrollado por la suma del
voltaje en el Capacitor C1 y el secundario del
transformador.
En el siguiente semiciclo positivo los diodos

D1 y D3 conducen lo cual provoca que el
capacitor C3 se cargue con el valor del
capacitor C2 : 2Vm.
Para el siguiente semiciclo negativo los

diodos D2 y D4 conducen, de tal forma que
C4 se carga con C3 : 2Vm.
Considerando un anlisis de diodo ideal

tenemos que:
Para Vi < 15 V, el diodo se polarizar en
inversa lo cual implica que habr flujo de
corriente a travs de ste, cuando el valor de
Vi > 15V, el diodo se polariza en directa lo
cual permite un flujo de corriente hacia R1.
La forma de onda resultante a la salida ser:
La figura anterior muestra la porcin de la

onda se recorta cuando D1 no conduce, de
tal forma que la forma de onda a la salida
ser la siguiente:
Ejemplo 8.- Analice el siguiente circuito

recortador para determinar la forma de onda
a la salida (VR1):
Ejemplo 9.- Determine la forma de onda a la

salida (VR1) del siguiente circuito recortador:
Su voltaje a la entrada Vi se muestra a

continuacin:
Su entrada se muestra a continuacin:
Solucin .- La condicin para que el diodo

D1 conduzca es cuando Vi > V2, que en este
caso es de 8 V, cuando Vi < V2, el diodo no Solucin.- En este circuito la condicin para
conducir. Una manera grfica de explicarlo
que D1 conduzca es que Vi < V2, en el caso
se muestra a continuacin:
contrario cuando Vi > V2, D1 no conducir.
Una manera grfica de visualizar la onda

resultante se muestra a continuacin:
CIRCUITOS SUJETADORES
Estos circuitos tambin cambian la forma de

onda a la salida, desplazando la seal a un
nivel de referencia distinto.
Por lo general estos circuitos constan en su
forma ms bsica de tres elementos: un
diodo, un capacitor y una resistencia,
adicionalmente se le puede agregar una
batera.
Con el fin de que el voltaje a travs del
Con lo cual la onda resultante ser la
capacitor no vari significativamente, se
siguiente:
deben elegir valores de C y R, de tal forma
que la constante del tiempo = R C sea lo
suficientemente grande.
Por lo general, en un circuito RC el capacitor
se carga alrededor de 5, para evitar
deformaciones considerables en la salida del
circuito deberemos disearlo de tal forma
que:
Problema 11.- Determine la forma de onda T <<

resultante para el siguiente circuito
recortador: Donde:
T es el periodo de la seal
es la constante de tiempo RC
Ejemplo 10.- Determine la forma de onda a

la salida del siguiente circuito:
Su voltaje de entrada se muestra a

continuacin:
El voltaje de entrada tiene una frecuencia de
1 kHz y se muestra a continuacin:
En todo el anlisis considere al diodo como

diodo ideal.
Solucin .- El primer paso es determinar la

constante de tiempo = RC:
= 100k 0.1F = 10ms
= 10 ms
si comparamos Toff con observamos que

efectivamente:
Toff << En este caso D1 se polariza en inversa con lo

cual el circuito resultante ser:
0.5ms << 10ms
Con esto aseguramos que la seal a la salida

no variara en forma significativa cuando se
descargue el capacitor.
Analizando para el primer caso, cuando Vi =

10V, tenemos el siguiente circuito:
Durante este intervalo de tiempo,

observamos que Vo = -30 V. Durante este
periodo el capacitor se descargar por R1,
sin embargo como se comprob
anteriormente, Toff << , con esto
aseguramos que el voltaje en el capacitor
variar muy poco.
Podemos observar que D1 se polariza en
Finalmente la onda resultante con respecto a
directa, lo cual hace que se comporte como
la entrada se muestra a continuacin:
un corto circuito como se muestra a
continuacin:
De lo anterior podemos decir que Vo = 0V, y

que el capacitor se cargar a travs del corto
circuito, considerando que la resistencia del
diodo en polarizacin directa es cero, la
constante del tiempo ser = RC = 0C =0,
con esto podemos observar que el capacitor
se carga de manera inmediata al valor del
voltaje Vi.
Cuando el valor de la entrada es Vi = -20V,

se tiene el siguiente circuito:
Problema 12.- Determinar la forma de onda

a la salida del siguiente circuito: a b Vo
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
De la tabla anterior podemos afirmar que el

circuito en cuestin se comporta como una
funcin AND.
Si el voltaje a la entrada es el siguiente:
En el circuito anterior observamos que si a

una entrada se le aplica una entrada de nivel
COMPUERTAS LGICAS alto (1), el diodo se polarizar en directa, que
lo har comportarse como un corto circuito,
Mediante el uso de diodos es posible con esto la salida Vo tendr un nivel alto (1),
implementar funciones lgicas como se si por el contrario la entrada es un nivel bajo
muestra a continuacin. (0), el diodo no conducir corriente y la salida
ser de un nivel bajo.
Al combinar ambas entradas obtenemos lo

siguiente:
a b Vo
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
En el circuito anterior observamos que hay Con estos datos podemos afirmar que se
dos entradas a y b, nuestra salida ser Vo, trata de un circuito que se comporta como
nuestras entradas tendrn dos niveles una funcin OR
lgicos: alto (V+) y un bajo (0V).
Problema 13.- Disear circuitos con diodos
Si una entrada se conecta a un nivel alto el de tal forma que realicen las siguientes
diodo estar al mismo nivel de potencial en funciones:
sus dos extremos, lo cual no generar un
flujo de corriente, en este caso la salida 1. (A + B) C
tendr un nivel alto. 2. (A B) + C
Cuando una entrada se conecta a un nivel
bajo, provoca que el diodo se polarice en
directa, lo cual provoca que se comporte
como un corto circuito, de esta forma el nivel
de la salida ser bajo.
Cuando combinamos ambas entradas
obtenemos los siguientes resultados:
Polarizacin inversa
DIODO REAL
Al aplicar un potencial externo a la unin PN
Para poder entender mejor el de tal forma que la terminal positiva se
comportamiento del diodo real, primero conecta al material tipo N y la terminal
debemos ver el comportamiento electrnico negativa al material tipo P, el nmero de
de su construccin. portadores descubiertos en la zona de
Como sabemos el diodo se forma de la unin agotamiento del material N se incrementar
de dos materiales semiconductores: uno tipo debido al gran nmero de electrones libres
P y otro tipo N, ambos construidos de la atrados por el potencial positivo del voltaje
misma base Ge (Germanio) Si (silicio). aplicado. De manera similar el nmero de
Cuando ambos materiales se juntan portadores negativos descubiertos en el
fsicamente, los electrones y los huecos de la material P aumentar. Sin embargo, el efecto
regin de la unin se combinan de tal forma resultante es una ampliacin de la zona de
que se genera una zona libre de carga. A agotamiento.
esta zona se le denomina zona de
agotamiento.
Unin PN sin polarizacin
En esta situacin tanto el material

semiconductor P como el N, estn libres de
cargas o campos elctricos externos, Para
este caso los portadores cada material son
atrados por su contraparte, esto se
acentuar ms en la zona de agotamiento,
donde podremos encontrar portadores de Esto crea una gran barrera que debe vencer
carga de signo contrario al material. la corriente para fluir. A pesar de que existe
una oposicin de corriente, el diodo genera
por si mismo una pequea corriente que se
llama corriente de saturacin inversa (Is). El
valor de esta corriente es muy pequea del
orden de microamperios, el trmino
saturacin, se refiere al hecho a que
alcanza su valor mximo rpidamente y se
mantiene constante an con el aumento del
voltaje aplicado.
Polarizacin directa.
Cuando se aplica un voltaje de tal forma que

la terminal positiva se conecte al material tipo
Al hacer un anlisis de la corriente veremos P y la terminal negativa se conecte con el
que esta combinacin genera un flujo de material tipo N, se dice que se polariza en
portadores en ambas direcciones, sin forma directa, el efecto de esta polarizacin
embargo cada material llega a una condicin se refleja en la disminucin de la zona de
de equilibrio, en la cual no existe un exceso agotamiento, lo cual representa una
de carga contraria dentro de un material. Por oposicin menor al flujo de corriente.
lo cual podemos afirmar que, el flujo neto de
carga en cualquier direccin sin voltaje
aplicado, es cero.
o
Tk = Tc + 273 ( Temperaturas: Tk
temperatura en grados Kelvin, Tc
temperatura en grados centgrados).
Esta ecuacin se aproxima mucho al

comportamiento, sin embargo por factores
como la resistencia del material, la
resistencia de la unin y la resistencia del
conductor metlico hace que la curva se
desplace en la regin de polarizacin directa.
Ejemplo 11.- Determinar la corriente de un

La magnitud de la corriente se incrementa en
diodo de Silicio, polarizado en directa a
forma exponencial, a medida que
0.65V, con una temperatura ambiente de
aumentamos el voltaje de la polarizacin o
10 C.
directa.
Solucin.- Tenemos que convertir nuestra
La curva caracterstica del comportamiento
temperatura a grados Kelvin:
del diodo real se muestra a continuacin:
T o K = T o C + 273 = 10 + 273 = 283 o K

Calculamos K debemos tomar en cuenta que
se trata de un diodo de silicio por lo cual n=2.
11600
K= = 5800
2
Consideramos la corriente inversa de
saturacin como 1A, de tal forma que:
( 5800 )(.65 )
I D = (1A)(e 283
1) = 0.61A.
Ejemplo 12.- Determinar la corriente del

ejemplo anterior, esta vez con una
o
temperatura ambiente de 20 C.
Observamos que en la zona de polarizacin
directa la corriente aumenta en forma Solucin.- Convirtiendo la temperatura
exponencial, una ecuacin que puede tendremos lo siguiente:
describir este comportamiento es la
siguiente: o o
T K = 20 C+273 = 293 K
o
K V
La corriente resultante ser:
I D = I s (e TK
1)
( 5800 )( 0.65 )
Donde: I D = (1A)(e 293

1) = 0.38 A
ID es la corriente en el diodo.
V es el voltaje aplicado al diodo. Ejemplo 13.- Determinar la corriente de un
Is es la corriente de polarizacin en diodo de Germanio, que est polarizado en
inversa. directa a un 0.1V, la temperatura ambiente es
o
K = 11 600/n con n = 1 para Ge y de 22 C.
n = 2 para Si.
Solucin.- Necesitamos convertir la
temperatura:
o o
T K = 22 + 273 = 295 K El valor de Rd puede determinarse a partir de
unos valores. De la grfica podemos
Considerando una corriente de saturacin en observar que para un valor de polarizacin
inversa del diodo de Germanio de 1A, de 1V tendremos una corriente de 10mA,
tendremos que: considerando que para Vd = 0, corresponde
una corriente de Id = 0 mA, Con lo anterior
(11600 )( 0.1) podemos calcular Rd (resistencia promedio)
I D = (1A)(e 295
1) = 50 A mediante la siguiente frmula:
Problema 14.- Determinar la corriente de un Vd

diodo de silicio, con una temperatura
Rd =
o Id Puntoapunto
ambiente de 15 C cuando se polariza en
directa a los siguientes voltajes:
De lo anterior obtenemos que:
1. 0.2V
2. 0.3V (1 0.7V ) 0.3V
3. 0.5V
Rd = = = 30
(10mA 0) 10mA
En el caso de germanio, el valor de Rd ser

Circuito equivalente
de 70.
La siguiente grfica muestra el Finalmente el modelo equivalente de un

comportamiento del diodo en polarizacin diodo de silicio en polarizacin directa se
directa: muestra a continuacin:
Ejemplo 14.- Determinar el voltaje de RL, la

corriente a travs del diodo y la resistencia
equivalente del diodo del siguiente circuito,
considerando que es un diodo de silicio:
Un circuito equivalente para este

comportamiento se muestra a continuacin:
Sustituyendo el modelo equivalente del diodo

tendremos el siguiente circuito:
Dado que el diodo de silicio no conduce
hasta despus de que se polariza por arriba
de 0.7V, se incluye una batera que
representa el voltaje de inicio de conduccin
del diodo. En el caso del germanio este
voltaje tendra un valor de 0.3V.
Solucin.- Dado que el voltaje Vi es mucho Solucin.- Al igual que el caso anterior Vi es
mayor que 0.7V el diodo D1 se polariza en mucho mayor que 0.7V, esto garantiza que el
directa, con lo cual se comportar como un diodo D se polarice en directa y por lo cual se
cortocircuito, entonces para obtener el voltaje comportar como un cortocircuito.
de RL tenemos que:
Para obtener el voltaje en la carga VRL
(15 0.7V )(1k) tenemos que:
V RL = = 13.88V
(1000 + 30)
(10 0.7V )(100)
V RL = = 7.15V
La corriente a travs del circuito ser: (100 + 30)
Vi Vo 20V 0.7V La corriente a travs del circuito ser:
ID = = = 18.7 mA
R L + R D 1k + 30
10V 0.7V
ID = = 71.5mA
El voltaje en el diodo se calcula como sigue: 100 + 30
V D = Vo + R D I D = 0.7V + (18.7 mA 30) El voltaje en el diodo ser:
VD = 1.26V V D = VO + R D I D = 0.7V + (71.5mA 30)
Finalmente la resistencia equivalente del VD = 2.84V

diodo ser:
La resistencia equivalente del diodo:
V 1.26V
Rcc = D = = 67.43 VD 2.84V
I D 18.7 mA Rcc = = = 39.69
I D 71.5mA
Ejemplo 15.- Determinar el voltaje de RL, la
corriente a travs del diodo y la resistencia Problema 15.- Determinar el voltaje en RL, la
equivalente del diodo del siguiente circuito, corriente a travs del diodo ID, el voltaje en el
considerando que es un diodo de silicio: diodo VD y la resistencia equivalente en el
diodo RCC, considerando que el diodo D1,
sea de:
1. silicio
2. germanio
en el siguiente circuito:
Sustituyendo el circuito equivalente se tendr

el siguiente circuito:
tomo y se generan portadores. Aunque

existan estos dos mecanismos de ruptura, en
ambos casos el voltaje asociado al cambio
brusco en las caractersticas de conduccin
se le conoce como regin Zener.
Diodo Zener
El diodo Zener es un dispositivo diseado

Al analizar la zona de la polarizacin inversa
para hacer uso de la zona Zener.
observamos que existe una zona donde la
corriente se dispara a partir de cierto valor.
Durante la construccin de estos diodos es
posible variar su voltaje zener (VZ), variando
los niveles de contaminacin del
semiconductor; as al incrementar las
impurezas, el voltaje zener se reducir, este
voltaje puede variar desde 2.4 hasta 200V,
con potencias que van desde 0.25 hasta 50W
y por lo general estos diodos se fabrican de
silicio.
Dado que la regin Zener se encuentra en la

polarizacin inversa, estos diodos por lo
general funcionan bajo esta polarizacin.
Regin Zener
Cuando la polarizacin en inversa llega hasta

cierto valor conocido como voltaje zener (Vz) Un circuito equivalente del diodo Zener que
donde los portadores libres desarrollan una puede corresponder al comportamiento en
velocidad suficiente para liberar portadores polarizacin inversa se muestra a
adicionales por medio de la ionizacin. Esto continuacin.
provoca que los electrones de la valencia
choquen entre si, desarrollando la energa
suficiente para abandonar a sus respectivos
tomos. A medida que aumenta el nmero de
portadores libres aumenta tambin la
ionizacin de los dems tomos, hasta que
se llega a un punto en el cual se genera una
gran corriente de avalancha y se determina la
regin de ruptura por avalancha.
Dependiendo del grado de dopaje del

material semiconductor la regin de El valor de Vz es igual al voltaje Zener, por
avalancha se puede acercar al eje vertical su parte la resistencia dinmica del Zener es
(Vd = 0V). Sin embargo para valores de VZ
muy pequea. Suponiendo que las
por debajo de los 5V, el diodo utiliza el
resistencias externas al diodo Zener son
mecanismo conocido como ruptura Zener. En
mucho mayores a la resistencia equivalente
este caso se presenta un fuerte campo del Zener (Rz), lo cual nos lleva a reducir
elctrico en la unin PN, que provoca la nuestro diodo Zener polarizado en inversa al
ruptura de las uniones de enlace dentro del
siguiente circuito equivalente:
(20 15V )
I Ri = = 2.27 mA
2.2k
Por otro lado:
15V
I RL = = 1.5mA
Siempre y cuando el voltaje con el que se 10k
este polarizando sea mayor a Vz.
Dado que la corriente de IRi = IRL + IZ
Circuitos de referencia
Despejando tenemos que:
Una de las principales aplicaciones del diodo
Zener, es su empleo como un generador de IZ = IRi - IRL
voltaje de referencia fijo, para esto se tendr
que polarizar al diodo Zener con un voltaje IZ = 2.27 mA 1.5 mA = 0.77 mA.
mayor a su voltaje Zener, una ventaja de este
circuito es que el voltaje de polarizacin Cuando Vi = 18V, tenemos las siguientes
puede variar, sin embargo, el voltaje condiciones:
resultante se mantendr constante.
Considerando que Vi es mayor que Vz, se
Ejemplo 16.- Se desea saber cuales son las debe suponer que el diodo Zener debe estar
posibles variaciones dentro del siguiente en la regin Zener, sin embargo se debe
circuito, el diodo Zener empleado es un tomar en cuenta el siguiente anlisis:
1N965B, cuyo voltaje de Zener nominal es de
15 V, calcule la corriente del circuito cuando: El voltaje al cual se polariza en inversa al
diodo esta determinado tambin por el divisor
1. Vi = 20 V de voltaje Ri y RL, calculando el Voltaje del
2. Vi = 18 V diodo Zener tenemos:
Vi RL 18V 10k
Vz = = = 14.75V
( RL + Ri ) 10k + 2.2k
Dado que el voltaje al que se polariza no es

igual al Vz nominal del diodo, no podremos
realizar ningn anlisis como un circuito de
referencia.
Ejemplo 17.- Determinar el voltaje a la salida

Solucin.- Considerando que Vi es mayor del siguiente circuito:
que Vz, entonces nuestro diodo Zener
entrar a la regin de Zener. Con lo cual el
circuito resultante es el siguiente:
Para cuando Vi es de 20V, tenemos que:

Con Vsin = 0.5 Sen t.
1
Solucin.- De las hojas de especificaciones VR = (2 + Sent )V
de diodos Zener, obtenemos que el voltaje 2
Zener del diodo 1N961B es de 10V.
Grficamente el voltaje en la resistencia R
El voltaje a la entrada es igual a la suma de (VR) ser:
la fuente de corriente directa y la fuente
senoidal.
El voltaje combinado a la entrada se muestra

a continuacin:
Finalmente la corriente en R se calcula como:
VR (2 + 0.5Sent )V
IR = =
IR 4.7k
I R = (425 + 106Sent ) A
De este circuito podemos observar que

aunque la entrada muestre variaciones en su
Como se puede observar, este voltaje tiene entrada a la salida se tendr una salida
variaciones a la entrada, sin embargo el valor constante o de referencia.
del voltaje a la entrada siempre ser mayor a
los 10V, por lo cual el diodo estar en la zona Generadores de onda cuadrada
Zener. Para su anlisis el circuito se puede
reducir como sigue: El siguiente circuito es un generador de
ondas cuadradas, para esto se deber tener
una entrada lo suficientemente grande de tal
manera que su voltaje se mucho mayor que
el voltaje del diodo Zener empleado.
Podemos observar que la salida ser

constante y ser de un valor constante de
10V.
El diodo Zener 1N751A es un diodo cuyo Vz
es de 5.1V.
El voltaje en la resistencia se calcula a partir
de la diferencia de potenciales a la entrada y
Supongamos que tenemos la siguiente
en la salida:
entrada:
1
V R = Vi VZ = (12 + Sent )V 10V
2
En este instante la salida ser Vz (5.1V),

cuando la entrada vuelve a bajar de nivel y
Analizando el primer lbulo tenemos la
Vi < Vz, entonces la salida volver a ser Vi.
siguiente polarizacin para los diodos Zener:
Para el lbulo negativo se aplica un anlisis
similar, de tal manera que la onda resultante
se muestra a continuacin:
Podemos observar que el diodo DZ1 se

polariza en directa, en esta zona de
polarizacin el diodo se comporta como un
diodo normal, as que podemos asumir que
se trata de un cortocircuito; por su parte el
diodo DZ2 se polariza en inversa, sin
embargo aqu hay una condicin extra,
mientras el voltaje de polarizacin sea menor
a Vz (que en este caso es de 5.1V), este
diodo se comportar como un circuito abierto,
esto se muestra en la siguiente figura:
Regulador de voltaje
Dado que el diodo Zener provee de un voltaje

estable cuando se le polariza
apropiadamente, es muy comn su uso para
la regulacin de voltaje en circuitos con carga
ligera (poca demanda de corriente), la
capacidad del diodo Zener da oportunidad a
Con lo anterior el voltaje a la salida (Vo), ser obtener voltajes constantes a la salida ante
el mismo que el de la entrada (Vi). variaciones de la carga.
Cuando el voltaje a la entrada supera el Es importante recalcar que se debe asegurar

voltaje de Zener del diodo DZ2 est se que el diodo Zener se encuentre a su
comportar como una fuente de referencia de potencial de Zener (Vz) para poder ofrecer
5.1V, como se ocurre en el siguiente circuito: una buena regulacin.
Ejemplo 18.- Determinar el mnimo voltaje a

la entrada en el cual nuestro diodo DZ A su vez VRL = VZ = 10V.
1N951B (Vz = 10V) se enciende en el
siguiente circuito: Para determinar la corriente en la carga se
tiene lo siguiente:
V RL 10V
I RL = = = 0 .1 A
RL 100
Para calcular IRi tendremos que:
Vi Vz 100V 10V
I Ri = = = 0 .9 A
Ri 100
Solucin.- Sabemos que el potencial Zener
del diodo 1N951B es de 10V, sin embargo no Por la ley de Kirchoff de corrientes tenemos
sabemos cual es la entrada. que:
Por divisor de voltaje tenemos que: IRi = Iz + IRL
RL Vi Despejando Iz tenemos que:

VZ =
RL + Ri
Iz = I Ri I RL = 0.9 A 0.1A = 0.8 A
Despejando Vi tenemos que:
Ejemplo 20.- Para el siguiente circuito
determine el rango de IL que har que VL se
Vz ( RL + Ri ) 10V (100 + 100)
Vi = = mantenga en 10V.
RL 100
Vi = 10V (2) = 20V
Por lo cual podemos concluir que el mnimo

voltaje de entrada para que nuestro diodo
pueda conducir ser de 20V.
Ejemplo 19.- Determinar las corrientes del

ejemplo anterior considerando Vi = 100V.
Considere:
Izmin= 0 mA
Izmax = 32 mA
Para calcular RLmin, tenemos que suponer

que el voltaje en el divisor de voltaje Rs y RL
es de 10V:
(Vi )( RLmin )
V L = VZ = = 10V
Solucin.- Dado que el voltaje mnimo a la ( RLmin + RS )
entrada para encender nuestro diodo es de
20V, podemos asegurar que nuestro diodo Despejando RLmin, tenemos:
Zener esta encendido.
De lo anterior podemos asegurar que

Vz = 10V.
V L RS 10V 1k Vz = 220 V
RLmin = = = 250 Iz = 15 mA
(Vi VL ) (50V 10V ) IL = 25 mA
Bajo esta condicin la corriente que circula Problema 17 .- Determine RLmin y RLmax,
en RL ser mxima: para el siguiente circuito:
Vz 10V
ILmax = = = 40mA
RLmin 250
Cuando tenemos la condicin de Izmax,

implica que la corriente en la carga ser la
mnima, pero tambin por otro lado por las
leyes de Kirchoff tenemos que:
Con los siguientes datos:
IRS = IZ + IL
Vi = 340 V
Dado que el diodo Zener se mantiene Vz = 220V
activado IRS ser constante como se muestra Rs = 1.5 k
a continuacin:
Adems la corriente del diodo Zener deber
(Vi Vz ) (50V 10V ) estar en el siguiente intervalo:
I RS = = = 40mA
Rs 1k
3mA Iz 50mA
De lo anterior tenemos que:
I RS = Iz max ILmin
despejando ILmin tenemos que:
ILmin = I RS Iz min = 40mA 32mA = 8mA
Finalmente la resistencia mxima de la

carga:
Vz 10V
Rmax = = = 1.25k
ILmin 8mA
Problema 16.- Determine Rs, IRS, y RL, para

el siguiente circuito
Si:
Vi = 300 V
El Transistor
y su smbolo electrnico es:
El transistor es un dispositivo electrnico
formado por tres capas de semiconductores
que constan de dos capas de material tipo N
y una capa intermedia de material
semiconductor tipo P, esta configuracin se
le llama NPN, o bien por dos capas de
material semiconductor tipo P y una capa
intermedia de material semiconductor tipo N, Empleando el transistor pnp, explicaremos su
a esta configuracin se le conoce como PNP. operacin bsica.
Las capas exteriores del transistor estn

fuertemente contaminadas y sus
dimensiones son mayores que el material
intermedio como se muestra en la figura
En la figura anterior observamos que el
anterior. Dado que la contaminacin del
transistor pnp, ha sido polarizado nicamente
material central es mucho menor, el nmero
con polarizacin emisor-base (VEB) y sin
de portadores libres es menor lo cual implica
polarizacin base-colector (VBC). Para este
que su conductividad es menor.
caso vemos que la unin PN se polarizara en
directa, lo cual hace que la zona de
Operacin bsica agotamiento de la unin disminuya, lo cual
implica tambin un flujo de corriente del
El transistor consiste de tres terminales:
material tipo P al tipo N.
colector, base y emisor, para el caso de los
transistores tipo npn tendremos:
Su smbolo electrnico se muestra a

Para la polarizacin anterior el transistor
continuacin:
ahora tiene polarizacin base-colector (VBC),
mientras que la no hay polarizacin en la
unin emisor-base. Para este caso la unin
base-colector se polariza en inversa, de esta
forma la regin de agotamiento aumenta en
esta unin, lo cual implica una mayor
resistencia al flujo de corriente, solo existe
una pequea corriente inducida por la zona
Para el caso de los pnp, se tiene: de agotamiento.
Si aplicamos ambas polarizaciones
obtendremos que una unin del transistor se
polariza en inversa, mientras que la otra se
polariza en directa:
Aplicando la ley de Kirchhoff tenemos que:
I E = IC + I B
Sin embargo la corriente del colector, se

compone de dos partes, la corrientes de
portadores mayoritarios y la corriente de
portadores minoritarios, a esta ultima, se le
conoce como corriente de escape (ICO). Esta
De este modo encontraremos dos zonas de corriente es del orden de los microamperios o
agotamiento en ambas uniones, sin embargo nanoamperios, en la mayora de los casos
ambas estn en condiciones inversas, sus efectos pueden ser ignorados, salvo en
mientras que la unin emisor-base esta aquellos con amplias variaciones de
polarizada en directa, la unin base-colector temperatura.
se polariza en inversa, con esto la zona de
agotamiento de la unin emisor-base es
I C = I Cmayoritaria + I CO min oritaria
angosta, la zona de agotamiento de la unin
base-colector es ms ancha.
La relacin de pequeos cambios de IC en
proporcin a pequeos cambios de IE se
denomina factor de amplificacin de
cortocircuito, de base comn y se le da el
smbolo de .
I C
=
I E VBC = cons tan te
El valor tpico de es muy prximo a la

unidad (0.9 ~ 0.998). Una forma de obtener
el valor de , es la siguiente ecuacin:
Un gran nmero de portadores fluirn a
travs de la unin polarizada en directa
IC
(emisor-base) hasta el material tipo n, dado
que el material tipo n, es muy delgado y su IE
conductividad es baja, un pequeo nmero
de portadores de carga tomar ruta hacia la
nos indica el porcentaje de huecos
terminal de la base, esta corriente es del
(portadores mayoritarios) que se originan en
orden de microamperios, que resulta mucho
el material tipo p del emisor y que llegan a la
menor a la corriente que fluye entre el emisor
terminal del colector.
y el colector. La mayor parte de este flujo de
portadores provienen de la zona de
agotamiento de la unin polarizada en I C = I Emayoritario + I CO min oritario
inversa (base-colector) e irn al material tipo
p, conectado en la terminal del colector. Con el fin de acercar a a la unidad, la
regin de la base del transistor se debe
construir lo ms estrecho posible.
Por otro lado sabemos que:
I E = IC + I B
Despreciando la corriente de escape (ICO),

tenemos que:
IC
= IC + I B

Despejando IC, obtenemos que:

IC = I B ( )
1
o bien: Como podemos observar en la figura, los
potenciales aplicados en la configuracin
IC = I B base comn siempre sern referidos a la
base, por lo cual tenemos: Veb y Vcb. En
otras palabras el segundo subndice siempre
En consecuencia, cuando el transistor bipolar
indicar la configuracin del transistor. Para
est funcionando en modo activo se
nuestro transistor pnp, tendremos que el
comporta como una fuente ideal de corriente
potencial Veb es positivo y el potencial Vcb
constante en la que controlando la corriente
es negativo.
de base IB podemos determinar la corriente
de colector IC, siendo la constante un
parmetro particular de cada transistor
bipolar, denominado ganancia de corriente
en emisor comn y cuyo valor, en contraste
con el de , que es cercano a la unidad y
difcil de medir, est comprendido
tpicamente en un rango que va de 100 a
600, aunque puede ser tan elevado como
1000 en determinados dispositivos activos En el caso de un transistor npn, observamos
muy especficos. que Veb es negativo y Vbc es positivo.
Adems, pequeos cambios en el valor de
se corresponden con grandes variaciones en La curva caracterstica de esta configuracin
el valor de . Por todo ello, el parmetro es se muestra a continuacin:
el ms utilizado en el anlisis y diseo de
circuitos basados en transistores bipolares.
De esta forma, el valor de la corriente de

emisor IE en un transistor bipolar funcionando
en modo activo puede expresarse como
I E = I B ( + 1)
Dado que >> 1, podemos considerar que:
I E IC
Configuraciones del transistor

Podemos encontrar tres zonas en la curva:
La zona de saturacin, la zona de corte y la
zona activa.
Base comn
En la regin activa la unin del colector es
En esta configuracin la base es un punto polarizada en forma inversa mientras que la
comn tanto para el emisor, como al colector. unin del emisor se polariza en forma directa,
Esto se muestra en la siguiente figura: la regin de activa se utiliza para
amplificacin de sonidos con una distorsin un rango de valores de entrada (Ib). Como se
mnima. Cuando la corriente del emisor (Ie) muestra en la figura a continuacin:
es cero la corriente del colector se deber
nicamente a la corriente inversa de
saturacin ICO, dado que esta corriente tiene
valores del orden de microamperios puede
considerarse como cero.
En la regin de corte ambas uniones del

transistor estn polarizadas en sentido
inverso, lo cual produce una corriente de
colector despreciable.
En la regin de saturacin ambas uniones del

transistor estn polarizadas en directa, lo
cual genera un crecimiento exponencial de la
corriente en el colector con incrementos
pequeos en el voltaje colector base (Vcb).
En la grfica tenemos que la magnitud de Ib
Emisor comn esta en el orden de microamperios, mientras
Ic es del orden de miliamperios. Otra
Esta es una de las configuraciones ms caracterstica es que las curvas de Ib no son
frecuentes, su denominacin se debe a que tan horizontales como las que se obtienen en
el emisor resulta comn tanto a las las curvas de Ie en la configuracin base
terminales de la base como a la terminal del comn, para este caso la magnitud del
colector. voltaje colector emisor influenciar en la
magnitud de la corriente del colector Ic.
En la zona activa la unin del colector est

polarizado en inversa, mientras que la unin
del emisor esta polarizado en directa. La
zona activa de esta configuracin (emisor
comn), se puede emplear para la
amplificacin de corriente, voltaje potencia.
La zona de corte se localiza bajo la curva

para Ib=0, sin embargo podemos observar
que aun as existe corriente en el colector,
Para un transistor tipo pnp, la configuracin esta corriente se define como:
emisor comn tendr esta forma:
I CO
I C = I CEO =
1 Ib = 0
Puesto que ICEO es del orden de

microamperios, la zona de corte existir
cuando se emplea el transistor para fines de
conmutacin, cuando Ib = 0.
Colector comn
La configuracin colector comn se utiliza

principalmente para acoplamiento de
Para esta configuracin las caractersticas de impedancias ya que posee una impedancia
salida es una grfica del voltaje de salida alta a la entrada y una impedancia baja a la
(Vce) versus la corriente de la salida (Ic) para salida, en oposicin a los mismos valores
para las configuraciones base comn y propias del dispositivo, tal informacin la
emisor comn. podremos encontrar en las curvas
caractersticas del dispositivo, si por ejemplo
analizamos la respuesta de un transistor TBJ
en configuracin emisor comn, veremos la
siguiente curva:
La figura anterior muestra la configuracin

colector comn para un transistor npn.
Consideremos 4 puntos de inters (A, B, C y

D), los cuales los localizaremos en varias
zonas de las curvas caractersticas:
Las curvas caractersticas de esta configuracin

son similares a las de la configuracin emisor
comn, lo nico que varia es que se graficar IE
versus VEC para valores de IB constantes.
Polarizacin de los transistores TBJ
Las aplicaciones del transistor TBJ son muy

variadas van desde la amplificacin de
voltaje y corriente hasta aplicaciones de
control (on o off), lo primero que se necesita La regin de operacin es el rea de
realizar en el transistor es polarizar el corriente y voltaje, comprendida dentro de los
dispositivo, la razn principal de polarizar el limites del dispositivos, podemos observar
transistor es que este conduzca, y ponerlo en que los lmites son el voltaje mximo, la
una regin de su curva caracterstica donde corriente mxima y la potencia mxima
su operacin sea ms lineal. disipada (producto de la corriente por el
voltaje). Un transistor TBJ puede polarizarse
La polarizacin en si se trata de poner al fuera de esta rea, sin embargo, esto
dispositivo en un punto de operacin lineal, producir una vida de operacin reducida, o
para este punto se deber tener una bien la destruccin inmediata del transistor.
corriente especifica al igual que un voltaje De tal forma que es recomendable, localizar
especifico, en ambos casos se les conoce puntos de operacin dentro de esta rea.
como voltaje de operacin (VQ) y corriente de
operacin (IQ). En la grfica anterior tenemos que el punto A
nos representa al dispositivo sin polarizar, el
Para obtener el punto de operacin (VQ, IQ), cual esta completamente cortado. Se
se debe poner atencin en las caractersticas necesita polarizar al dispositivo para que
pueda responder a cambios de corriente o polarizacin. Para evitar esto el circuito de

voltaje a partir de una seal de entrada. Para polarizacin debe tener cierta estabilidad a la
el punto B, los puntos de operacin permiten variacin de temperatura, con el fin de evitar
una operacin mas adecuada del dispositivo, variaciones en el punto de operacin debido
en caso que se este empleando una seal a la temperatura.
pequea a la entrada, el dispositivo podr
funcionar como amplificador, dependiendo de
su uso, y puede que con esta seal el Circuito de polarizacin Base Comn
dispositivo no alcance las zonas de corte o
saturacin. Si por el contrario la seal de En esta configuracin, la localizacin del
entrada es lo suficientemente grande, el punto de operacin es muy fcil, la siguiente
dispositivo podr alcanzar la zona de corte o figura muestra una configuracin base
la de saturacin, cuando se llega a la zona comn, podemos observar que la base es
de corte el transistor no conducir. En referencia tanto a la entrada (emisor), como a
saturacin el voltaje del transistor es muy la salida (colector).
pequeo y la corriente en el dispositivo
alcanza un valor lmite o de saturacin
delimitado por los componentes externos. Un
amplificador ideal deber funcionar dentro de
la zona de operacin, fuera de la zona de
corte y de saturacin.
En el punto C el transistor permite

variaciones positivas y negativas, sin
embargo su voltaje a la salida no puede Si recordamos la curva caracterstica de esta
decrecer mucho dado que a que la configuracin tendremos lo siguiente:
polarizacin en voltaje de C es menor que el
punto B. Adems, su corriente de operacin
es mucho menor, en este punto la ganancia
del circuito se encuentra en una zona muy
limitada, por lo cual puede caer dentro de las
zonas de corte o de saturacin cuando la
entrada exceda cierto valor, lo cual provocar
una ganancia no lineal, por lo cual es
preferible trabajar en un punto en la regin de
operacin en el cual la ganancia sea ms
lineal.
Finalmente el punto D est localizado muy

prximo al valor del voltaje mximo, lo cual
limita al voltaje a la entrada.
Lo primero que podemos observar es que la
Como se puede observar el mejor punto de
corriente de colector o de salida IC,
operacin se localiza en B, aqu podemos
corresponde casi al valor de la corriente del
obtener mejores variaciones de voltaje y de
emisor o de entrada IE, esta relacin esta
corriente, y por consiguiente una mejor
dada por:
ganancia lineal.
Otro factor que se debe tomar en cuenta al IC = I E

momento de polarizar un transistor es la
temperatura. La temperatura hace que las Donde tiene un valor tpico de 0.9 a 0.998.
caractersticas de ganancia de corriente, as
como la corriente de escape del transistor El punto de operacin de esta configuracin
cambien. A mayor temperatura aumenta el se muestra a continuacin:
flujo de corriente en el transistor, lo cual
afecta el punto de operacin del circuito de
Donde Vee es la fuente de alimentacin de la

seccin de entrada, Re es bsicamente una
resistencia limitadora de la corriente del
emisor y Vbe es el voltaje base-emisor (0.3
Voltios para Germanio y 0.7 Voltios para
Silicio).
En el caso del anlisis de la salida se tiene lo

siguiente:
De la grfica anterior podemos ver que el

punto de operacin se determino para:
Vcc En este caso se tiene una batera (Vcc), la

VCBQ = resistencia de carga Rc y el voltaje de la
2 unin colector-base. Para poder operar esta
configuracin como amplificador la unin
A su vez podemos ver que la corriente a la
colector-base se debe polarizar en inversa.
salida se puede determinar de:
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se
Vcc VCBQ tiene que para esta rama del circuito:
I CQ =
Rc
Vcc Ic Rc Vcb = 0
Con lo anterior podemos ver que este
transistor est dentro de la regin lineal de Despejando el voltaje colector-base se tiene
ganancia. lo siguiente:
Un anlisis de esta configuracin nos lleva a Vcb = Vcc Ic Rc

observar tanto la entrada como la salida. De
tal forma que a la entrada tendremos lo Dado que la corriente de colector IC es
siguiente: aproximadamente de la misma magnitud que
la corriente del emisor IE, podemos afirmar
que:
Ic Ie
Para poder solucionar esta configuracin se
recomiendan los siguientes pasos:
Empleando ley de voltaje de Kirchhoff 1. Determinar el voltaje Vbe para el

tenemos que: transistor en cuestin (0.7 V para
silicio y 0.3V para germanio).
Vee + Veb Ie Re = 0 2. Calcular la corriente del emisor Ie
mediante:
De lo anterior obtenemos que la corriente del Vee Vbe
Ie =
emisor se calcula: Re
Vee Vbe 3. El valor de la corriente del colector es
Ie = aproximadamente la misma que la
Re
corriente del emisor, de tal forma
que:
Ic Ie En el caso del voltaje mximo de Vcb ser

igual a Vcc = 9V.
4. Se calcula el voltaje colector-base
mediante: La grfica se muestra a continuacin:
Vcb = Vcc Ic Rc
Ejemplo 21. Calcule los voltajes de
polarizacin, as como las corrientes de
colector y emisor, para el siguiente circuito
que contiene un transistor npn de silicio,
adems realice la localizacin del punto de
operacin en una grfica de su regin de
operacin:
Tambin es posible obtener el valor de Ic a

partir de un valor de Vcb, a partir de la
siguiente ecuacin:
Vcc Vcb
Ic =
Solucin: Dado que estamos empleando un Rc
transistor de silicio el valor de Vbe es de 0.7 Ejemplo 22. Obtener los valores de Ic, del
Voltios. ejemplo anterior a partir de los siguientes
valores de Vcb:
Para obtener la corriente del emisor se
emplea la ecuacin: a. 8V
b. 6V
c. 2V
Vee Vbe 9V 0.7V
Ie = = = 2.075mA
Re 4 K Solucin: Sabemos que Vcc = 9V, y Rc =
2.4 K, empleando la ecuacin:
Dado que Ic Ie , tenemos que:
Vcc Vcb
Ic =
Ic = 2.075mA Rc
Para el clculo del voltaje colector-base,
9V 8V
tenemos lo siguiente: a.- Ic = = 416 A
2 .4 K
Vcb = Vcc Ic Rc = 9V (2.075mA 2.4 K )
Vcb = 4.02V 9V 6V
b.- Ic = = 1.25mA
2 .4 K
Finalmente para ver la grfica del punto de
operacin tenemos que el valor de corriente 9V 2V
de colector mxima se calcula como: c.- Ic = = 2.916mA
2 .4 K
Vcc 9V
I C max = = = 3.75mA Ejemplo 23.- Calcule el voltaje de operacin
Rc 2.4 K Vcb y la corriente del colector Ic para el
siguiente circuito de configuracin base
comn, con un transistor npn. El valor de Vbe

es de 0.7 V y = 0.985, adems grafique el
punto de operacin.
Problema 18.- Calcule el voltaje colector

Solucin.- Lo primero que se debe base para el circuito del ejemplo anterior,
determinar es el voltaje Vbe, que para este teniendo en cuenta que sus componentes
caso es de 0.7 V, a partir de esto podemos son los siguientes: Re = 1.8 K, Rc = 2.7
calcular Ie: K, Vee = 9V, Vcc = 22V, = 0.995 y Vbe =
0.7 V.
Vee Vbe 1.5V 0.7V Realice adems su grfica del punto de
Ie = = = 1.11mA
Re 720 operacin, finalmente determine la corriente
a la salida para los siguientes valores de Vcb:
En este caso = 0.985, dado que a) 5 Voltios
b) 10 Voltios
IC = I E , tenemos que: c) 15 Voltios.
Ic = Ie = 0.985 1.11mA = 1.09mA Problema 19.- Realice el anlisis del punto

de operacin del problema anterior mediante
El voltaje colector-base: SPICE, de tal forma que se determine el
voltaje colector-base de operacin (VCBQ) y la
Vcb = Vcc Ic Rc = 9V (1.09mA 3.9 K) corriente de colector de operacin (ICQ).
Vcb = 4.749V Configuracin Emisor Comn
Para graficar debemos determinar sus puntos Una conexin muy popular para amplificar,
mximos, en el caso de Vcb, tenemos que el implica que la seal de entrada se conecte a
mximo es Vcc = 9V. la base, mientras que el emisor vaya
En el caso de Ic, tenemos que el valor conectado como terminal comn, a diferencia
mximo es el siguiente: de la configuracin base-comn, en la emisor
comn, solo se necesita una fuente de
Vcc 9V alimentacin, debemos recordar que para
I C max = = = 2.3mA amplificar en un transistor, la unin emisor-
Rc 3.9 K
base deber polarizarse en directa, mientras
que la unin base-colector debe polarizarse
en inversa, para este caso con una fuente de
alimentacin es suficiente.
Debemos recordar que las curvas Aplicando la ley de Kirchhoff para esta rama
caractersticas de esta configuracin son las del circuito tenemos:
siguientes:
Vcc Ib Rb Vbe = 0
Despejando la corriente de base Ib,
obtenemos:
Vcc Vbe
Ib =
Rb
Seccin de salida
La seccin de salida para esta configuracin

ser la mostrada a continuacin:
Se recomienda tener el punto de operacin

dentro de la zona activa, tratando de evitar
tener el punto cerca de la zona de corte o la
zona de saturacin.
Para poder determinar el punto de operacin

de un circuito con emisor comn deberemos
analizarlo en dos partes:
Seccin de entrada
La seccin de entrada la asociamos al En esta rama la corriente del colector se

circuito base-emisor, que se muestra a considera prcticamente la misma que la
continuacin: corriente en el emisor, como se ha visto
anteriormente, sin embargo, la corriente del
colector se relaciona con la corriente de base
mediante la ganancia de corriente del
transistor, beta ():
Ic = Ib
Cabe recordar que esta relacin es

independiente de cualquier resistencia en el
colector.
Vcc Vbe 12V 0.7V

Calculando las cadas de voltaje en la Ib = = = 51.3A
seccin de salida, obtenemos: Rb 220 K
Corriente en el colector:
Vcc Ic Rc Vce = 0
Despejando Vce: Ic = Ib = 60(51.3A) = 3.08mA
Vce = Vcc Ic Rc Voltaje colector-emisor:
La ecuaciones anteriores de la seccin de Vce = Vcc Ic Rc = 12V 3.08mA( 2.2 K)

salida sern validas, siempre y cuando el Vce = 5.22V
transistor no tenga su punto de operacin
dentro de la seccin de saturacin, para La corriente de saturacin, para este circuito
evitarlo debemos tomar en cuenta que la ser el siguiente:
corriente en el colector Ic, deber ser menor
al valor mximo de corriente, esto se debe Vcc 12V
satisfacer de tal manera que: Ic SAT = = 5.45mA
Rc 2.2 K
Vcc
Ic < Como podemos observar nuestra corriente
Rc del punto de operacin es menor a la
corriente de saturacin del colector, con lo
Cabe recordar que cuando se tiene una cual podemos asegurar que se encuentra en
corriente mxima (de saturacin), el voltaje la zona de ganancia lineal.
colector-emisor de saturacin ser
prcticamente 0 Voltios. Finalmente la regin de operacin para este
circuito tendr como lmites:
Aunque el transistor tambin puede funcionar
bajo condiciones de corte y saturacin, en a) Icmax= Icsat= 5.45 mA
aplicaciones de control, lgica digital y otras b) Vcemax= Vcc= 12 V
aplicaciones, cuando se desee su uso para
amplificacin deberemos tratar de evitar
estas situaciones.
Ejemplo 24.- Determine el punto de

operacin del siguiente circuito, considerando
a Vbe = 0.7 V y = 60
Ejemplo 25.- Determine el punto de

Solucin.- Clculo de la corriente de base: operacin para el circuito mostrado:
Considerar a Vcc = 9V, Vbe = 0.7V, Rc =

1.5K, Rb = 150K y = 100.
Solucin.- Corriente de base:
Vcc Vbe 9V 0.7V

Ib = = = 55.3A
Rb 150 K
Corriente en el colector: Para este caso podemos observar como
nuestro circuito est polarizado muy cerca de
Ic = Ib = 100(55.3A) = 5.53mA la zona de saturacin, con lo cual podemos
afirmar que no es muy recomendable para
amplificacin, ya que ante variaciones de la
Voltaje colector-emisor:
seal de entrada considerables, el transistor
estar en la zona de saturacin.
Vce = Vcc Ic Rc = 9V 5.53mA(1.5 K)
Vce = 0.705V Problema 20.- Determine el punto de
operacin para el circuito mostrado:
Corriente de saturacin:
Vcc 9V
IcSAT = = 6mA
Rc 1.5 K
En este circuito podemos observar que la
corriente en el punto de operacin est muy
cercana a la zona de saturacin, esto
tambin se ve reflejado en el voltaje colector-
emisor, cuyo valor es muy cercano a cero.
La grfica del punto de operacin para este

circuito se muestra a continuacin: Considerar a Vcc = 12V, Vbe = 0.7V, Rc =
1.8K, Rb = 250K y = 70.
Estabilizacin de la polarizacin
El circuito emisor comn, presentado

anteriormente ofrece una buena ganancia
como amplificador, sin embargo presenta
dificultades cuando se varia la temperatura,
esto se ve reflejado del hecho que la
ganancia de corriente del transistor

aumenta con la temperatura, una de las
principales manifestaciones es la variacin
del punto de operacin con la temperatura.
Con el fin de estabilizar la polarizacin se
debe agregar una resistencia en el emisor.
esta resistencia deber cumplir la siguiente
condicin con el fin de estabilizar la
polarizacin:
Rb
( + 1) >>
Re
Siendo >> 1.
Circuito con resistencia en el emisor Haciendo un anlisis mediante la ley de

voltajes de Kirchhoff, para esta seccin,
Como vimos el agregar una resistencia en el tenemos lo siguiente:
emisor aumenta la estabilidad en el circuito
emisor comn, con lo cual nuestro nuevo Vcc Ib Rb Vbe Ie Re = 0
circuito tendr el siguiente arreglo:
Sustituyendo a Ie por ( +1)Ib y despejando la
corriente de base de la ecuacin anterior
tenemos:
Vcc Vbe
Ib =
Rb + ( + 1) Re
Seccin de salida
La rama de la seccin de salida se conforma

de los siguientes componentes:
Para poder analizar este circuito se debe

analizar en dos secciones:
Seccin de entrada
Esta seccin se muestra a continuacin:
El anlisis de esta seccin nos da la

siguiente ecuacin:
Vcc Ic Rc Vce Ie Re = 0
Considerando que:
En el caso de la corriente de colector, el
Ic Ie mximo se obtiene cuando Vce = 0, para
este caso la corriente de saturacin se
Obtenemos que el voltaje colector-emisor se calcula:
calcula como:
Vcc
Icmax = IcSAT =
Vce Vcc Ic( Rc + Re) Rc + Re
Ejemplo 26.- Determinar el punto de Para nuestro caso:
operacin del siguiente circuito, considere
= 100 y Vbe = 0.7V: 20V
Icmax = = 6.66mA
2 K + 1K
Para el mximo del voltaje colector-emisor,
este ocurrir cuando Ic = 0, en este caso el
voltaje colector-emisor mximo es igual a
Vcc, que en nuestro caso Vcc = 20V.
De lo anterior se obtiene la siguiente grfica

para el circuito en cuestin.
Solucin.
Corriente de base:
Vcc Vbe 20V 0.7V

Ib = =
Rb + ( + 1) Re 400 K + (101)1K
Ib = 38.5A
Corriente de colector: Problema 21.-Determinar el punto de

operacin para el siguiente circuito:
Ic = Ib = 100(38.5A) = 3.85mA
Corriente de emisor:
Ie Ic = 3.85mA
Vce Vcc Ic( Rc + Re)

Vce 20V 3.85mA(2 K + 1K)
Vce 8.45V
Para determinar los lmites en la lnea de
carga, se tiene lo siguiente:
Para estos casos:
a) Vcc = 18V, Vbe = 0.7V, Rb = 47 K,

Rc = 500, Re = 750 y = 55.
b) Vcc = 10V, Vbe = 0.7V, Rb = 75 K,
Rc = 500, Re = 470 y = 80.
Circuito de polarizacin independiente de
En los circuitos de emisor anteriores, hemos

observado como la corriente y el voltaje del
colector dependen de la ganancia de
corriente (). Sin embargo el valor de b varia
con la temperatura, incluso varia de un
Se puede reducir al siguiente circuito
transistor a otro. El siguiente circuito cumple
equivalente:
con las condiciones de un circuito de
polarizacin independiente de las variaciones
de :
Donde Vbb es el voltaje del divisor de voltaje:

Rb 2(Vcc)
Vbb =
Rb1 + Rb 2
Y Rbb es el paralelo de Rb1 y Rb2:
Rb1 Rb2
Rbb =
Rb1 + Rb 2
Anlisis del circuito La cada de voltajes dentro de la seccin de
salida ser entonces:
Para hacer un anlisis de la seccin de
entrada de este circuito, es necesario recurrir
Vbb Ib( Rbb) Vbe Ie(Re) = 0
a un circuito equivalente de Thevenin, as la
seccin de entrada que se muestra a
continuacin: En la ecuacin anterior podemos sustituir a Ie
por ( +1)Ib, de tal forma que al despejar Ib
obtenemos lo siguiente:
Vbb Vbe
Ib =
Rbb + ( + 1) Re
En la seccin de salida tenemos la siguiente

rama:
Rb 2(Vcc) 4 K(22V )
Vbb = = = 2V
Rb1 + Rb 2 40 K + 4 K
Resistencia equivalente de base (Rbb):
Rb1 Rb 2 40 K( 4 K)
Rbb = = = 3.63K
Rb1 + Rb 2 40 K + 4 K
Corriente de base (Ib):
Vbb Vbe 2V 0.65V

Ib = =
Rbb + ( + 1) Re 3.63K + (121)1.5K
Ib = 7.29 A
La cada de voltajes en esta rama es la Corriente en el colector:

siguiente:
Ic = Ib = 120 7.29 A = 0.875mA
Vcc Ic( Rc) Vce Ie(Re) = 0
Corriente del emisor:
Considerando que Ic Ie , al despejar Vce
de la ecuacin anterior tenemos: Ie Ic = 0.875mA
Vce = Vcc ( Rc + Re) Ic Voltaje colector-emisor (Vce):
Finalmente la corriente en el colector es: Vce = Vcc ( Rc + Re) Ic

Vce = 22V (10 K + 1.5 K)0.875mA
Ic = Ib
Ejemplo 27.- Determine el punto de Vce = 11.93V
operacin del siguiente circuito:
Para graficar el punto de operacin, primero
debemos determinar los lmites de operacin,
en el caso de la corriente, tenemos que la
corriente de saturacin ser:
Vcc 22V
Ic SAT = = = 1.91mA
Rc + Re 10 K + 1.5K
En caso del lmite de voltaje colector-emisor,

tenemos que Vcemax = Vcc = 22V.
De tal forma que la grafica del punto de

operacin para este circuito se muestra a
continuacin:
= 120 y Vbe = 0.65
Solucin.-
Voltaje equivalente de base (Vbb):

Problema 22.- Determinar el punto de

operacin del circuito de ejemplo 27 para los
siguientes valores de :
El anlisis de la cada de voltajes nos da la
a) = 100 siguiente ecuacin:
b) = 150
Comentar cuanta fue la variacin del punto

Vcc Ib Rb Vbe Ie Re = 0
de operacin, considerando como referencia
el valor obtenido del punto operacin en el Utilizando la relacin de corriente:
ejemplo 27 (11.93V, 0.875mA).
Ie = ( + 1) Ib
Circuito de polarizacin para colector Despejando Ib obtendremos la siguiente

comn. ecuacin:
La tercera conexin para transistores tiene la Vcc Vbe

entrada por la base y la salida por el emisor Ib =
del circuito, esto implica que el colector sea Rb + ( + 1) Re
comn tanto a la entrada como a la salida,
como se muestra a continuacin: El circuito de la rama de la salida es el
siguiente:
Por el lado de la rama de entrada tenemos el

siguiente circuito: Para esta rama el voltaje emisor-colector
ser:
Vec = Vcc Ie Re
Ejemplo 28.- Calcule el punto de operacin

del siguiente circuito, con los valores de = Finalmente la grfica para este circuito se
50 y Vbe = 0.65V. muestra a continuacin:
Solucin.-
Corriente de base:
Problema 23.- Determinar el punto de
Vcc Vbe 9V 0.65V
Ib = = operacin para el circuito mostrado en la
Rb + ( + 1) Re 100 K + (51)2.2 K figura, sus componentes tienen los siguientes
Ib = 39.35A valores: Rb = 220 K, Re = 1.8 K, Vcc =
9V, Vbe = 0.7V y = 100.
Ie = ( + 1) Ib = (51)39.35A = 2mA
Voltaje emisor colector:
Vec = Vcc Ie Re = 9V 2mA 2.2 K

Vec = 4.6V
Aqu cabe comentar que por lo general es
deseable disear el voltaje emisor-colector,
como la mitad de Vcc, en este caso podemos
observar que su valor es muy prximo a lo
deseado. Diseo de circuitos de polarizacin
Lmites de operacin: Cuando se desea disear un circuito de
polarizacin a partir de un punto de
En el caso de la corriente de emisor: operacin se debe tomar en cuenta algunos
parmetros de diseo.
Vcc 9V
IeSAT = = = 4.1mA
Re 2.2 K En el caso de tener resistencia en el emisor
con el fin de estabilizar, el voltaje del emisor
Para el voltaje emisor-colector: debe ser un dcimo de el voltaje Vcc:
VecMAX = Vcc = 9V
1 Vcc VceQ VeQ

VeQ = (Vcc) Rc =
10 IcQ
Cuando se tiene un divisor de voltaje en la (16 6 1.6)V
base con el fin de estabilizar las variaciones
Rc = = 8 .4 K
1mA
de , el valor de Rb2, se calcula como sigue:
Corriente de base:
1
Rb 2 ( Re)
10 IcQ 1mA
Ib = = = 6.6 A
Ejemplo 29.- Determinar los valores de los
150
componentes del circuito mostrado en la
figura, a partir del siguiente punto de Voltaje de base:
operacin: corriente de colector 1mA y voltaje
colector-emisor 6V. VbQ = VeQ + Vbe = 1.6V + 0.7V = 2.3V
El valor de es de 150 y el valor de Vcc es
de 16V. Determinar Rb2:
1 150(1.6 K)
Rb 2 ( Re) = = 24 K
10 10
Calculo de Rb1:
Sabemos que:
Rb 2(Vcc)
VbQ = = 2.3V
Rb1 + Rb 2
despejando Rb1 tenemos:
Rb2(Vcc VbQ ) 24 K(16V 2.3V )

Rb1 = =
VbQ 2.3V
Solucin.- Rb1 = 143K
Voltaje de emisor: Problema 24.- Obtenga los valores de los

componentes para un circuito similar al
1 16V ejemplo 29, de tal forma que el punto de
VeQ = (Vcc) = = 1.6V operacin sea:
10 10 a) IcQ = 10mA y VceQ = 10V, Adems
Vcc = 22V y = 250.
Resistencia de emisor: b) IcQ = 2mA y VceQ = 10V, Adems
Vcc = 22V y = 80.
VeQ 1.6V
Re = = = 1 .6 K
IcQ 1mA
Resistencia de colector:
Dispositivos y Circuitos Electrnicos. 49
Anlisis del transistor TBJ en seal Este parmetro nos indica la impedancia en
pequea cortocircuito.
Como se comento anteriormente un Ahora bien, si I1 = 0, despejando h12 de la

transistor puede configurarse como un primera ecuacin obtenemos que:
dispositivo amplificador. Esto provoca que a
una seal pequea a la entrada podamos V1
generar una seal ms grande a la salida, h12 =
esta ganancia puede ser en corriente, voltaje V2 I 1= 0
o bien en potencia.
Este parmetro hbrido nos indica la relacin
Para poder analizar el comportamiento de un de transferencia de voltaje inversa, cuando la
transistor en el uso de seales pequeas, corriente de la entrada es cero.
tendremos que emplear circuitos
equivalentes. Empleando la segunda ecuacin, cuando
V2=0, tenemos que h21 ser:
Para comenzar a entender el uso de los
circuitos equivalentes, nos tenemos que
I2
basar en la teora de dos puertos. Para el h21 =
dispositivo bsico de tres terminales se I1 V 2 =0
muestra tanto la entrada como la salida.
Tenemos que observar que en ambos
Este parmetro se conoce como la relacin
puertos existen dos variables de inters.
de transferencia de corriente, con salida
cortocircuitada.
Finalmente si I1 = 0, en la segunda ecuacin

obtendremos que h22, ser:
I2
h22 = (Siemens )
V2 I 1= 0
Para poder relacionar las cuatro variables en
cuestin utilizamos las siguientes Este parmetro se conoce como parmetro
ecuaciones: de conductancia de salida en circuito abierto.
V1 = h11 I 1 + h12V2 Un circuito que se ajusta para la primera

ecuacin se muestra a continuacin:
I 2 = h21 I 1 + h22V2
Los parmetros que relacionan las cuatros

variables se denominan parmetros h, la
letra h, se deriva de la palabra hbrido. El
trmino hbrido fue escogido debido a la
mezcla de variables (v e i ) en cada ecuacin
que resulta en un conjunto hbrido de
medidas para los parmetros h.
Si hacemos V2= 0, despejando h11 de la

primera ecuacin:
En el caso de la segunda ecuacin
tendremos el siguiente circuito:
V1
h11 = ( )
I1 V 2= 0
50 Dispositivos y Circuitos Electrnicos.
De los circuitos anteriores, podemos afirmar

que los parmetros h, correspondern a: Los valores tpicos de estos parmetros
variara de configuracin, a continuacin se
h11: Resistencia de entrada (hi). muestran algunos valores tpicos para las
h12: Relacin de transferencia inversa tres configuraciones:
de voltaje (hr).
h21: Relacin de transferencia directa
de corriente (hf) Parmetro EC CC BC
h22: Conductancia de salida (ho). hi 1 k
1 k
20 k
hr 2.5 10 4 1 3 10 4
hf 50 - 50 -0.98
ho A/V
25 A/V
25 A/V
0.5
1/ho 40 k
40 k 2 M
Un anlisis de los valores anteriores nos

permite observar que los parmetros hr y ho,
son despreciables en comparacin de hi y hf.
La figura anterior muestra el circuito
equivalente hbrido completo del transistor, y Con base en esto el modelo hbrido
se aplica a cualquier configuracin. Sin equivalente para una configuracin emisor
embargo, los parmetros h variarn comn puede simplificarse como se muestra
dependiendo de la configuracin empleada. a continuacin:
As en el caso de una configuracin emisor

comn, tendremos lo siguiente:
O bien de la siguiente configuracin:
En el caso de una configuracin base comn,

el circuito resultante ser:
El modelo anterior se conoce como modelo

y sus valores se obtienen como se muestra a
continuacin:
IC
gm =
VT

R =
gm
Solucin.- El primer paso es hacer un
En el caso de la configuracin base comn, anlisis de corriente directa, para este caso
el circuito equivalente hbrido obtiene de la los capacitores C1 y C2, se consideran como
siguiente configuracin: circuito abierto:
De lo cual se puede reducir al siguiente

circuito:
Para el calculo de la corriente del emisor
tenemos que:
Vee Veb 10V 0.7V

IE = = = 1.86mA
Re 5 K
Del modelo equivalente hbrido tenemos que:
Donde la resistencia de emisor se calcula

como:
VT
re =
Ie
Ejemplo 30.- Obtenga IE, V, i, Zi y Zo, para

el circuito mostrado a continuacin:
Calculo de la resistencia equivalente del
emisor:
VT 26mV
re = = = 13.97
I E 1.86mA
Entonces el circuito equivalente hbrido

completo se muestra a continuacin:
El voltaje a la salida se calcula mediante la

siguiente ecuacin:
Vo = Ic Rc = Ie Rc
El voltaje a la entrada se calcula de la
siguiente ecuacin:
Solucin.-
Vi = Ie re
Anlisis en corriente directa:
La ganancia de voltaje:
Corriente de base:
Vo Ie Rc Rc
V = = = Vcc Vbe 10V 0.7V
Vi Ie re re Ib = = = 46.5A
Rb 200 K
4 K
V = = 286.32
13.97 Corriente de colector:
La ganancia de corriente: Ic = Ib = 50(46.5A) = 2.32mA

Io Corriente del emisor:
i = 1
Ii
Ie Ic = 2.32mA
Dado que Ic = Ie.
Voltaje colector emisor:
Impedancia de salida:
Vce = Vcc Ic Rc
Zo = Rc = 4 K Vce = 10V (2.32mA 2 K) = 5.35V
Impedancia de entrada:
Anlisis en seal pequea:
Zi = Re re = 5 K 13.97 = 13.93 Circuito equivalente:
De lo anterior podemos observar que:
Zi re
Esto es valido para un clculo rpido.
Ejemplo 31 .- Determine V, i, Zi y Zo para

Transconductancia del transistor:
el siguiente circuito:
Ic 2.32mA
gm = = = 89.23mS
VT 26mV
50
r = = = 560.34
gm 89.23mS
Calculo de r mediante otro mtodo:

Donde claramente podemos afirmar que:
Resistencia de emisor equivalente:
Vi = Vbe
VT 26mV
re = = = 11.20
Ie 2.32mA De tal forma que:
r = re = 50(11.2) = 560 Vo Vbe gm Rc

V = = = gm Rc
Vi Vbe
por lo tanto podemos afirmar que:
V = 89.23mS (2 K) = 178.46
ri = r = 560
Ganancia de corriente:
Ganancia de voltaje:
Analizando la salida observamos que:
Anlisis de la salida:
Io = Ic = Vbe gm
Podemos observar que:
Analizando la entrada:
Vo = Ic Rc
a su vez:
Ic = Vbe gm
Con lo cual:
Vo = Vbe gm Rc
Anlisis de la entrada:
Vi Vi
En la malla de la entrada tenemos la i0 = i1 + i2 = i Rb + ir = +
siguiente rama de circuito: Rb r
Sin embargo vemos que Rb >> r , con lo

cual iRb<<ir , por lo cual podemos afirmar
que:
Vi Vbe
Ii I r = =
r r
La ganancia de corriente ser:
Io Vbe gm
I = = = gm r
Ii Vbe
r
pero sabemos que:
Solucin:
R =
gm Anlisis en corriente directa:
Por lo cual:
Corriente de base:
I = = 50
Vcc Vbe 20V 0.7V
Impedancia de entrada: Ib = =
Rb + ( + 1) Re 400 K + (101)1K
Para nuestro caso: Ib = 38.5A
Zi = Rb r = 200K 560 = 558.4 Corriente de colector:
Ic = Ib = 100(38.5A) = 3.85mA
Para fines prcticos en este tipo de circuitos,
tendremos que:
Zi r Ie Ic = 3.85mA
Vce Vcc Ic( Rc + Re)
En este tipo de circuitos:
Vce 20V 3.85mA(2 K + 1K)
Zo Rc = 2k Vce 8.45V
Ejemplo 32. Determinar V, i, Zi y Zo para Anlisis en seal pequea:

el siguiente circuito, considere = 100 y Vbe
Circuito equivalente:
= 0.7V:
Calculo de r: Anlisis de la entrada:
Ic 3.85mA Ii ( Rb)
gm = = = 148mS Ib =
VT 26mV Rb + r + ( + 1) Re
100
r = = = 675.3 Despejando Ii, tenemos:
gm 148mS
Ganancia de Voltaje: Ib[Rb + r + ( + 1) Re]

Ii =
Rb
De la rama de la salida tenemos que:
Finalmente:
Vo = gm Vbe Rc
Io gm r Rb
En la rama de la entrada tenemos que: I = =
Ii Rb + r + ( + 1) Re
r Vi 148mS 675.3 400 K
Vbe = I =
r + ( + 1) Re 400 K + 675.3 + (101)1K
I = 79.7
Despejando Vi, obtenemos:
Vbe[r + ( + 1) Re]
Vi =
r Zi = Rb (r + ( + 1) Re)
Con lo cual la ganancia de voltaje ser: Zi Rb ( + 1) Re
Vo gm Vbe Rc Si >> 1, entonces la ecuacin se reduce a:

V = =
Vi Vbe[r + ( + 1) Re]
r Zi Rb Re
gm Rc r
V = Zi 400 K (100)1K
r + ( + 1) Re
Zi 80 K
148mS 2 K 675.3
V =
675.3 + (101)1K Impedancia de salida:
V = 1.96
Zo Rc = 2 K
En el lado de la salida tenemos que:
Io = Ic = Vbe gm
Por su parte:
Vbe = Ib r
Con lo cual:
Io = Ib r gm
Ejemplo 33.- Determinar V, i, Zi y Zo para

el siguiente circuito, considere = 50 y Vbe =
0.65V:
Ganancia de voltaje:
En la salida del circuito observamos que:
Vo = Ie Re = Vbe gm Re
Por otra parte en la entrada tenemos que:

Solucin:
r Vi
Anlisis en corriente directa: Vbe =
r + ( + 1) Re
Corriente de base:
Despejando Vi, obtenemos:
Vcc Vbe 9V 0.65V
Ib = =
Rb + ( + 1) Re 100 K + (51)2.2 K Vbe[r + ( + 1) Re]
Vi =
Ib = 39.35A r
Con lo cual la ganancia de voltaje ser:
Vo gm Vbe Re
V = =
Ie = ( + 1) Ib = (51)39.35A = 2mA Vi Vbe[r + ( + 1) Re ]
r
Voltaje emisor colector: gm Re r 76.9mS 2.2 K 628
V = =
r + ( + 1) Re 628 + (51)2.2 K
Vec = Vcc Ie Re = 9V 2mA 2.2 K V = 0.94
Vec = 4.6V
Anlisis del circuito equivalente:
En el lado de la salida tenemos que:
Ie 2mA
gm = = = 76.9mS Io = Ie = Vbe gm
VT 26mV
50 Por su parte:
r = = = 628
gm 76.9mS
Vbe = Ib r
Con lo cual el circuito equivalente se Con lo cual:
conforma por los siguientes componentes:
Io = Ib r gm
Anlisis de la entrada:
Ii ( Rb)
Ib =
Rb + r + ( + 1) Re
Despejando Ii, tenemos:
Ib[Rb + r + ( + 1) Re]
Ii =
Rb
Finalmente:
Io gm r Rb
I = =
Ii Rb + r + ( + 1) Re
76.9mS 628 100 K
I =
100 K + 628 + (51)2.2 K
I = 22.7
Zi = Rb (r + ( + 1) Re)
Zi = 100 K (628 + (51)2.2 K)
Zi = 53K
r Re
Zo =
( + 1)
628 2.2 K
Zo =
51
Zo = 12.24

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE

DIODO Y TRANSISTOR TBJ

AUTOR: ING. JESS MARA FRANCISCO HERNNDEZ

TEORA DEL SEMICONDUCTOR

En la actualidad, los dispositivos electrnicos

Figura3 Semiconductor tipo P.

La conductibilidad del tipo P en los

Grupo III) como el boro al silicio. En este

Ejemplo 1.- Determinar el comportamiento

Figura4 Construccin del diodo.

Finalmente el voltaje de R1 con respecto a la

En este caso el diodo se polariza en directa,

Problema 1.- Empleando el modelo ideal del

En el segundo caso el voltaje de entrada es

Bajo esta condicin el diodo se polariza en

Problema 2.-Empleando el mismo voltaje a

Aplicando el modelo del diodo ideal tenemos

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Dado que este es un proceso cclico,

Despejando y sustituyendo obtenemos lo

Vcc = 0.318 ( 2 VRMS )

Figura 8 Seal rectificada en un circuito Problema 4.- Obtenga el voltaje promedio

Con lo cual podemos afirmar que el valor VIP = Vm

Ejemplo 2.- Calcular el voltaje promedio de

Solucin.- Sabemos que Vcc = 0.318 Vm,

Considerando la siguiente entrada senoidal:

Tenemos que analizar la onda resultante

Dado que se trata de un ciclo repetitivo, se

En este caso el voltaje promedio rectificado

Para el caso de lbulo negativo se tiene la

Ejemplo 3.- Determine el voltaje promedio

Solucin: El voltaje en el devanado 68.03

Problema 5.- Mediante el anlisis de la onda

Problema 6.- Calcule el valor promedio para

Para el anlisis de la operacin del circuito se

Para este caso observamos que D2 y D3

Al igual que en el lbulo positivo el voltaje en

Cabe mencionar que el voltaje en R1 ser

Durante el lbulo negativo de la seal de

Finalmente el voltaje resultante a la salida de Solucin.- Sabemos que:

Vcc = 0.636 (16.97V)=10.79 V

Ejemplo 6.- Determine la relacin de vueltas

El voltaje obtenido mediante circuito Voltaje de Rizo.

Dado que la corriente en la carga tambin se

Sustituyendo lo anterior tenemos que:

Ejemplo 6.- Determinar el voltaje promedio CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE

Por otro lado el voltaje en el secundario del

Vm2 = 2 24V = 33.94V

1. Rectificador de media onda.

Problema 10 .-Realizar el anlisis del

Al comportarse D1 como un corto circuito,

En esta polarizacin el diodo D1 se polariza

Para una entrada positiva la polarizacin ser

Como podemos observar C2 se carga con un

Como podemos observar el diodo D1 se

Como podemos observar la salida ser:

El capacitor C1 se carga con un voltaje igual Su forma de onda a la salida se presenta a

Figura 17 Forma de onda resultante a la salida

Solucin.- Dado que un doblador de voltaje

Si medimos el voltaje a travs del capacitor

El siguiente circuito es un ejemplo de un

Figura 18 Circuito multiplicador de voltaje.

En el primer semiciclo positivo de la seal de

En el siguiente semiciclo positivo los diodos