Anda di halaman 1dari 6

SOAL

1. Jawablah pertanyaan berikut ini dengan tepat!


a. Jelaskan struktur dari keluarga semi konduktor FET!
b. Jelaskan perbedaan JFET dengan MOSFET!
c. Gambarkan simbol dari JFET tipe kanal-n!
d. Gambarkan simbol dari D-MOSFET tipe kanal-p!

2. Jawablah pertanyaan berikut ini dengan tepat!


a. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari JFET tipe kanal-n!
b. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari D-MOSFET tipe kanal-p!
c. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-n!
d. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-p!

3. Jawablah pertanyaan berikut ini dengan bahasa Anda sendiri!


a. Jelaskan perbedaan antara D-MOSFET dengan E-MOSFET!
b. Jelaskan yang dimaksud dengan UGS + (Positif) dan UGS (Negatif)!
c. Gambarkan dan jelaskan prinsip kerja MOSFET sebagai saklar pada saat kondisi
MOSFET ON!
d. Gambarkan dan jelaskan prinsip kerja MOSFET sebagai saklar pada saat kondisi
MOSFET OFF!
PENYELESAIAN SOAL
1. a)

FET

JFET MOSFET

Tipe Kanal Tipe Kanal D- E-


P N MOSFET MOSFET

Tipe Kanal Tipe Kanal Tipe Kanal Tipe Kanal


P N P N

b) *JFET (Junction FET) merupakan sebuah transistor kutub tunggal. Dimana untuk
bekerjanya dia hanya memerlukan pembawa mayoritas (majority channel). Pada JFET
tegangan Gate (gerbang) dibias negatif (reverse). Semakin negatif tegangan
gerbang, arusnya semakin kecil. Kemudian perbedaan paling mendasar adalah dari
simbolnya. JFET ada 2 macam simbol, yakni untuk tipe kanal-n dan tipe kanal-p.
Sedangkan untuk MOSFET ada 4 macam simbol, yakni D-MOSFET tipe kanal n, D-
MOSFET tipe kanal-p, E-MOSFET tipe kanal-n dan E-MOSFET tipe kanal-p.

*MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) mempunyai sumber, gerbang dan


cerat (drain). Tegangan gerbang mengendalikan arus cerat. Jika pada JFET tegangan
Gate (gerbang) hanya dapat dibias negatif, sedangkan untuk MOSFET dapat dibias
negatif dan positif. Untuk D-MOSFET kanal-n dan kanal-p keduanya dapat dibias
tegangan positif maupun negatif. Untuk E-MOSFET kanal-n hanya dibias tegangan
positif dan E-MOSFET kanal-p hanya dibias tegangan negatif.

c) Simbol JFET tipe kanal-n adalah anak panah


masuk ke arah Gate (gerbang).
d) Simbol D-MOSFET tipe kanal-p adalah garis substrat
tidak putus-putus dan anak panah menuju keluar.

2. a) Kurva karakteristik dari JFET tipe kanal-n

Penjelasan : Semakin negatif tegangan gerbang (VGS) semakin kecil arusnya.

b) Kurva karakteristik dari D-MOSFET tipe kanal-p

Penjelasan : D-MOSFET dapat dibias tegangan negatif maupun tegangan positif. D-


MOSFET tipe kanal-p adalah kebalikan dari tipe kanal-n. Semakin negatif
tegangan gerbang (VGS) semakin besar arusnya.
c) Kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-n

Penjelasan : E-MOSFET tipe kanal-n hanya dapat dibias dengan tegangan positif.
Semakin positif tegangan gerbang (VGS) semakin besar arusnya.

d) Kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-p

Penjelasan : E-MOSFET tipe kanal-p hanya dapat dibias dengan tegangan negatif.
Semakin negatif tegangan gerbang (VGS) semakin besar arusnya.
3. a) Pada Depletion MOSFET, lapisan substrat dipasang dalam kanal dengan tidak
menyentuh oksida logam (Si O2) sehingga ada sisa kanal yang sempit. Sedangkan pada
Enhancement MOSFET, lapisan substrat dipasang pada kanal langsung menembus
lapisan oksida loga (Si O2) sehingga kanal tertutup sedang antara Drain dan Source
terpisah oleh Substrat.
Kemudian yang membedakan antara D-MOSFET dengan E-MOSFET adalah
simbolnya, jika pada D-MOSFET garis substrat tidak putus-putus sedangkan pada E-
MOSFET garis substrat putus-putus.

Simbol D-MOSFET tipe kanal-n Simbol E-MOSFET tipe kanal-n

b) UGS + (Positif) dan UGS (Negatif) adalah proses pembiasan atau pemberian tegangan
pada Gate (gerbang) MOSFET. Dimana jika pada UGS + (Positif), gate MOSFET
diberikan tegangan positif. Dan jika UGS (Negatif), gate MOSFET diberikan tegangan
negatif. D-MOSFET kanal-n dan kanal-p keduanya dapat dibias tegangan positif
maupun negatif. Untuk E-MOSFET kanal-n hanya dibias tegangan positif dan E-
MOSFET kanal-p hanya dibias tegangan negatif.

c) Saat kondisi MOSFET ON, tegangan input gate (VGS) tinggi karena tersambung ke
VDD. Tegangan drain dan source (VDS) adalah mendekati 0V karena R beban (RL)
bernilai kecil. Karena ada arus yang melewati gerbang mosfet, sehingga menyebabkan
mosfet saturasi/jenuh dan seolah-olah mosfet sebagai switch tertutup. Jika pada output
diletakkan sebuah LED, maka kondisi LED akan OFF karena arus dari RL akan
langsung menuju ke Ground. Gambar rangkaian sebagai berikut.
d) Saat kondisi MOSFET OFF, tegangan input gate (VGS) mendekati 0V karena
tersambung ke ground. Tegangan drain dan source (VDS) adalah besar karena mendapat
tegangan dari VDD. Karena tidak ada arus yang melewati gerbang mosfet, sehingga
menyebabkan mosfet cut off dan seolah-olah mosfet sebagai switch terbuka. Jika pada
output diletakkan sebuah LED, maka kondisi LED akan ON karena arus dari RL akan
menuju LED. Gambar rangkaian sebagai berikut.

Anda mungkin juga menyukai