a. Jelaskan struktur dari keluarga semi konduktor FET! b. Jelaskan perbedaan JFET dengan MOSFET! c. Gambarkan simbol dari JFET tipe kanal-n! d. Gambarkan simbol dari D-MOSFET tipe kanal-p!
2. Jawablah pertanyaan berikut ini dengan tepat!
a. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari JFET tipe kanal-n! b. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari D-MOSFET tipe kanal-p! c. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-n! d. Gambarkan dan jelaskan kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-p!
3. Jawablah pertanyaan berikut ini dengan bahasa Anda sendiri!
a. Jelaskan perbedaan antara D-MOSFET dengan E-MOSFET! b. Jelaskan yang dimaksud dengan UGS + (Positif) dan UGS (Negatif)! c. Gambarkan dan jelaskan prinsip kerja MOSFET sebagai saklar pada saat kondisi MOSFET ON! d. Gambarkan dan jelaskan prinsip kerja MOSFET sebagai saklar pada saat kondisi MOSFET OFF! PENYELESAIAN SOAL 1. a)
FET
JFET MOSFET
Tipe Kanal Tipe Kanal D- E-
P N MOSFET MOSFET
Tipe Kanal Tipe Kanal Tipe Kanal Tipe Kanal
P N P N
b) *JFET (Junction FET) merupakan sebuah transistor kutub tunggal. Dimana untuk bekerjanya dia hanya memerlukan pembawa mayoritas (majority channel). Pada JFET tegangan Gate (gerbang) dibias negatif (reverse). Semakin negatif tegangan gerbang, arusnya semakin kecil. Kemudian perbedaan paling mendasar adalah dari simbolnya. JFET ada 2 macam simbol, yakni untuk tipe kanal-n dan tipe kanal-p. Sedangkan untuk MOSFET ada 4 macam simbol, yakni D-MOSFET tipe kanal n, D- MOSFET tipe kanal-p, E-MOSFET tipe kanal-n dan E-MOSFET tipe kanal-p.
*MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) mempunyai sumber, gerbang dan
cerat (drain). Tegangan gerbang mengendalikan arus cerat. Jika pada JFET tegangan Gate (gerbang) hanya dapat dibias negatif, sedangkan untuk MOSFET dapat dibias negatif dan positif. Untuk D-MOSFET kanal-n dan kanal-p keduanya dapat dibias tegangan positif maupun negatif. Untuk E-MOSFET kanal-n hanya dibias tegangan positif dan E-MOSFET kanal-p hanya dibias tegangan negatif.
c) Simbol JFET tipe kanal-n adalah anak panah
masuk ke arah Gate (gerbang). d) Simbol D-MOSFET tipe kanal-p adalah garis substrat tidak putus-putus dan anak panah menuju keluar.
2. a) Kurva karakteristik dari JFET tipe kanal-n
Penjelasan : Semakin negatif tegangan gerbang (VGS) semakin kecil arusnya.
b) Kurva karakteristik dari D-MOSFET tipe kanal-p
Penjelasan : D-MOSFET dapat dibias tegangan negatif maupun tegangan positif. D-
MOSFET tipe kanal-p adalah kebalikan dari tipe kanal-n. Semakin negatif tegangan gerbang (VGS) semakin besar arusnya. c) Kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-n
Penjelasan : E-MOSFET tipe kanal-n hanya dapat dibias dengan tegangan positif. Semakin positif tegangan gerbang (VGS) semakin besar arusnya.
d) Kurva karakteristik dari E-MOSFET tipe kanal-p
Penjelasan : E-MOSFET tipe kanal-p hanya dapat dibias dengan tegangan negatif. Semakin negatif tegangan gerbang (VGS) semakin besar arusnya. 3. a) Pada Depletion MOSFET, lapisan substrat dipasang dalam kanal dengan tidak menyentuh oksida logam (Si O2) sehingga ada sisa kanal yang sempit. Sedangkan pada Enhancement MOSFET, lapisan substrat dipasang pada kanal langsung menembus lapisan oksida loga (Si O2) sehingga kanal tertutup sedang antara Drain dan Source terpisah oleh Substrat. Kemudian yang membedakan antara D-MOSFET dengan E-MOSFET adalah simbolnya, jika pada D-MOSFET garis substrat tidak putus-putus sedangkan pada E- MOSFET garis substrat putus-putus.
Simbol D-MOSFET tipe kanal-n Simbol E-MOSFET tipe kanal-n
b) UGS + (Positif) dan UGS (Negatif) adalah proses pembiasan atau pemberian tegangan pada Gate (gerbang) MOSFET. Dimana jika pada UGS + (Positif), gate MOSFET diberikan tegangan positif. Dan jika UGS (Negatif), gate MOSFET diberikan tegangan negatif. D-MOSFET kanal-n dan kanal-p keduanya dapat dibias tegangan positif maupun negatif. Untuk E-MOSFET kanal-n hanya dibias tegangan positif dan E- MOSFET kanal-p hanya dibias tegangan negatif.
c) Saat kondisi MOSFET ON, tegangan input gate (VGS) tinggi karena tersambung ke VDD. Tegangan drain dan source (VDS) adalah mendekati 0V karena R beban (RL) bernilai kecil. Karena ada arus yang melewati gerbang mosfet, sehingga menyebabkan mosfet saturasi/jenuh dan seolah-olah mosfet sebagai switch tertutup. Jika pada output diletakkan sebuah LED, maka kondisi LED akan OFF karena arus dari RL akan langsung menuju ke Ground. Gambar rangkaian sebagai berikut. d) Saat kondisi MOSFET OFF, tegangan input gate (VGS) mendekati 0V karena tersambung ke ground. Tegangan drain dan source (VDS) adalah besar karena mendapat tegangan dari VDD. Karena tidak ada arus yang melewati gerbang mosfet, sehingga menyebabkan mosfet cut off dan seolah-olah mosfet sebagai switch terbuka. Jika pada output diletakkan sebuah LED, maka kondisi LED akan ON karena arus dari RL akan menuju LED. Gambar rangkaian sebagai berikut.
