EAP Ingeniera Electrnica-UNMSM Dispositivos Electrnicos

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera Elctrica, Electrnica y Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres: N de Matrcula:

Suica Huillca Juan 11190022

Paucar Gallegos Yesenia 11190105

Diaz Machuca Daniel 10190017

Saavedra Tarazona Edinson 11190018

Curso: Tema:

LABORATORIO DISPOSITIVOS EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN.

ELECTRNICOS CARACTERSTICAS BSICAS.

Informe: Fechas: Nota:

Final Realizacin: Entrega:

Nmero:
06 de Julio 13 de Julio
07

Grupo: Profesor:

Nmero: Horario:

viernes Ing. Luis Paretto Quispe

07
4:00-6:00pm
 EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERSTICAS BSICAS

I. OBJETIVOS

1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.

2. Comprobar las caractersticas del funcionamiento de un transistor bipolar NPN.

II. CUESTIONARIO PREVIO

1. De los manuales obtenemos las especificaciones del funcionamiento del transistor

bipolar 2N3904.

2. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento.

III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un Multmetro.

2. Un miliampermetro.

3. Un micro ampermetro.

4. Un voltmetro de c.c.

5. Un transistor BF494B

6. Un osciloscopio.

7. Resistores: Re = 330 , Rc = 1K, R1 = 56K, R2 = 22K

8. Condensadores: Cb = 0.1F, Cc = 0.1F, Ce = 3.3F

9. Una fuente de c.c. variable.

10. Cables conectores ( 3 coaxiales ORC )

11. Un potencimetro de 1M

12. Una placa de zcalo de 3 terminales.

13. Dos placas con zcalo de 2 terminales.

IV. MARCO TERICO

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la

regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin

bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin
base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de

material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la
base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho
hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .

El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros

transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico.
Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y
comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la
estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de y en
modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se
podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de
en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de
dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el
colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la
tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin
base-emisor deben provenir del emisor.

El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en

procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin emisor-base se

polariza en directa y la unin base-colector en inversa.
Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-
base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el campo
elctrico que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos

diodos con la regin del nodo compartida. En una
operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector
est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva
es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados
trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se des balancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana
al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P,
los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
re combinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).

En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es

aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el
modelo Ebers-Moll.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces
de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo
dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados
desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de
corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa
de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa
directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la
ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta
estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor
NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base
en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces

est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato
del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para
maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic= Ie= 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0

(Ib =0).

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic= Ie= 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic= Ie= Imxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).
V. PROCEDIMIENTO:

1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar la tabla

2. Armar el siguiente circuito:

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener
el (Usar P1=0 ).

b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), y entre emisor-tierra (Ve) .

c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los dato en la
tabla 3 (Por ajuste de P1).

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K y 1M.Observar lo que sucede con

las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce .Llenar la tabla 5.

3. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp , 1KHz, onda senoidal .Observar la

salida Vo con el osciloscopio .anotar en la tabla 4

Desarrollo:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el (Usar
P1= 0)
En el anlisis con corriente continua, los condensadores se comportan como circuito
abierto. Se tiene el siguiente circuito:
Aplicando Thevenin

Por dato ya que el transistor 2N3904 est hecho de silicio su VBE = 0.6 V

Se tiene =IC/IB

RBB = 22k (56k)/(22 + 56)k 200(IB) = IC

RBB = 15.794k

VBB = 22kx12/(22+56)k

VBB = 3.384 V

Ahora

-3.384 + 15.794k (IB) + VBE + 220(IC) = 0

15.794k (IB) + 0.6 + 220(200IB) = 3.384

IB= (3.384 0.6)/(15.794k + 220x200)

IB= 46.56A

9.312mA = IC
 Entonces

VE = 220(9.312mA)

VE = 2.019 V

-12 + 1k(IC) + VCE + 220(IC) = 0

VCE = 12 9.312x10-3x(1000+220)

VCE = 0.639V

Hallando Icmax( VCE = 0)

Icmax = 12/(1000 + 220)

Icmax = 9.836mA

b) Medir los voltajes entre colector emisor (VCE), entre base emisor (VBE) y entre
emisor tierra (VE).

VE = 0.010 V

VBE = 0.6 V

VCE = 0.639 V

c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2

Valores(R1 = Ic(mA) IB(A) VCE(V) VBE (V) VE(V)

56K)
Tericos 9.312 46.56 200 0.639 0.6 2.049
Medidos 6.6 47 140.4 3.42 0.712 1.448
 d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en la tabla 3 (por
ajuste de P1)

Aplicando Thevenin

RBB = 68k (22k)/ (68 + 22) k

RBB = 16.622k

VBB = 22k (12)/ (22 + 68)k

VBB = 2.933 V

Ahora

Se tiene

-2.933 + 16.622k(IB) + VBE + 220(IC) = 0 200IB = IC

16.622k(IB) + 220(200IB) = 2.933 0.6 7.696mA = IC

IB = (2.933 0.6)/(16.622x1000 + 220x200)

IB = 38.48A
 Entonces

-12 + 1k(IC) + VCE + 220(Ic) = 0

VCE = 12 7.696mA(1000 + 220)
VCE = 2.611 V

Icmax= 12/(1000 + 220)

Icmax= 9.836 mA
VE = 220(7.696mA)
VE = 1.69 V

Valores(R1=68K) IC (mA) IB (A) VCE (V) VBE (V) VE (V)

Tericos 7.696 38.48 200 2.611 0.6 1.69
Medidos 5.4 37 149 4.96 0.705 1.187
 e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K, 250K, 500K Y 1 M. Observar lo que
sucede con las corrientes IC, IB y con el voltaje VCE.

Para P1 = 100K

Aplicando Thevenin

RBB = 22k(100 + 56)k/(22 + 100 + 56)k

RBB = 19.281k

VBB = 22k(12)/(100 + 56 + 22)k

VBB = 1.483 V

Entonces

-1.483 + 19.281k(IB) + VBE + 220IC = 0 200IB = IC

19.281k(IB) + 220(200IB) = 1.483 0.6 IC = 2.912mA
IB = (1.483 0.6)/(19.28x1000 + 220x200)
IB = 14.56A..

-12 + RC(Ic) + VCE + 220IC = 0

VCE = 12 (2.912)mA(1000 + 220)
VCE = 8.45 V
Para P1 = 250K

Aplicando Thevenin

RBB = (22k)(56 + 250)k/(22 + 56 + 250)k

RBB = 20.524k

VBB = 22k(12)/(250 + 56 + 22)k

VBB = 0.804 V

Entonces

-0.804 + 20.524k(IB) + VBE + 220IC = 0 200IB = IC

IB = 3.162A.. 0.632mA = Ic

-12 + 1k(Ic) + VCE + 220Ic = 0

VCE = 11.23 V
Para P1 = 500K

Aplicando Thevenin

RBB = (22k)(500 + 56)k/(22 + 500 + 56)k

RBB = 21.162k

VBB = 0.456 V

El transistor no conduce porque la tensin en la base es menor que 0.6V.

 Para P1 = 1M

Aplicando Thevenin

RBB = (22k)(1M + 56K)/(22K + 56K +1M)

RBB = 21.551K

VBB = 22K(12)/(1M + 56K + 22K)

VBB = 0.244 V

El transistor no conduce porque la tensin en la base es menor que 0.6V.

P1 100K 250K 500K 1M

Tericos Ic ( mA ) 2.912 0.632 0 0
IB (A) 14.56 3.162 0 0
VCE ( v ) 8.45 11.23 12 12
Medidos Ic ( mA ) 3.6 0.625 0 0
IB (A) 24.9 4.4 0 0
VCE ( v ) 7.38 11.22 12 12
 3. Ajustar el generador de seales a 840mv.pp, 1KHz, onda senoidal .Observar la salida Vo
con el osciloscopio .anotar en la tabla 4.

Los grficos muestran el valor rms de los voltajes.

Tabla Vi (mV.pp) Vo (V.pp) Av Vo (sin Ce) Av (sin Ce)

3 (Q2) 840 9.00 -10.71 3.8 -4.52

VI. Cuestionario
3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 3?

Para ambos casos, la tabla 2 y 3, los puntos de trabajo se ubican en la zona activa,
debido a ello funcionan como amplificadores.
Esto se puede comprobar tambin si analizamos lo valores. Si estuviera en la zona de
corte, la corriente de colector sera muy pequea y el voltaje Vce sera igual al valor de
la fuente Vcc.
Si estuviera en la zona de saturacin el voltaje Vce sera cero.

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 150K? Explicar lo

ocurrido e indicar sus valores tericos.

Si cambiamos el valor de R1 el punto de trabajo se desplazara como cuando se vara el

valor de P1.
Si tomamos el valor R1=150K para la tabla 2, los valores tericos son:

Valores(R1 = 150K) Ic(mA) IB(A) VCE(V) VBE (V) VE(V)

Tericos 2.96 14.798 200 8.389 0.6 0.651

Vemos q el valor de las corrientes de colector y de base dependen del valor de R1, si
cambia su valor, el valor de las corrientes tambin lo har.

5. Indicar las diferencias ms importantes entre el circuito de este experimento con

respecto al anterior.

La mayor diferencia radica en el tipo de transistor.

En el anterior experimento el transistor usado fue uno de tipo PNP, por ello el colector
era polarizado negativamente. Para este caso el transistor era de tipo NPN y el colector
se polarizo positivamente.
Otra diferencia es que el transistor PNP del experimento anterior tena una ganancia de
300, mientras que el transistor NPN tiene una ganancia alrededor de 150.

A pesar de que el resto del circuito era el mismo para ambos experimentos, los puntos
de trabajo son distintos debido a la gran diferencia que ay entre las ganancias.
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Internamente est formado por un cristal que contiene una regin P entre dos N
(transistor NPN)

O una regin N entre dos regiones P, (transistor PNP )

La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad
de sus electrodos

Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son: Corte,
saturacin y activa.

VII. BIBLIOGRAFIA

Gua de laboratorio

Fundamentos de circuitos elctricos Sadiku