Materiais Eltricos e Medidas

Prof. Dr. Lus Bara e Prof. Dr. Helder Galeti

Lista de Exerccios 06 Juno p-n e Dispositivos Semicondutores

1) Em uma juno p-n ideal a relao entre a corrente, I, e a diferena de potencial

aplicada juno, V, dada por

( )
= 0 ( 1),
Onde I0, que depende dos materiais de que feita a juno, mas no da corrente
nem da diferena de potencial, a corrente inversa de saturao. A tenso V
positiva quando a juno polarizada diretamente e negativa quando a juno
polarizada reversamente. Para mostrar que um dispositivo com essas
caractersticas se comporta como um diodo retificador, (a) faa um grfico de I em
funo de V para uma juno ideal, de -0,12V a 0,12V, supondo que T=300K e
I0=0,5nA (b) Para a mesma temperatura, calcule a razo entre a corrente em uma
juno submetida a uma polarizao direta de 0,50 V e uma juno submetida a
uma polarizao inversa de 0,50 V.

2) Explique por que os portadores no se redistribuem por difuso, at uma

distribuio uniforme, no semicondutor que contm uma juno p-n?

3) Por que se forma uma barreira de potencial em uma juno p-n?

4) Qual a relao entre a corrente total de difuso e de deriva em uma juno p-n
em equilbrio?

5) Como varia a largura da regio de depleo com os nveis de dopagem em uma

juno p-n? De que forma isso pode influenciar a corrente de polarizao reversa?

6) Quais so as duas funes que um transistor pode executar em um circuito

eletrnico?
7) Cite as diferenas de operao e de aplicaes dos transistores de juno e dos
MOSFET.