d
Para modelar adecuadamente el comportamiento del diodo, el lenguaje de simulacin SPICE
ri
utiliza alrededor de 25 parmetros dependiendo de cada dialecto en particular. A continuacin se
d
explica el signicado de los parmetros ms generales en relacin con la fsica del dispositivo y las
a
ecuaciones que los ligan. Por sencillez consideraremos una unin N+ P abrupta, en la cual las trampas
M
estn en la energa correspondiente al centro de la banda prohibida y las secciones ecaces de captura
e
para electrones y huecos son iguales. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que los parmetros SPICE
d
son vlidos para cualquier tipo de diodo, sea Schottky, LED, etc. Simplemente, hay que ajustar de
se
manera apropiada el valor numrico de cada trmino.
n
la
s
m
.e
m
C
.u
w
id
w
rs
ra
Asimismo, en todo diodo existe una resistencia serie parsita, RS (RS), en la que se produce una
e
Pa
iv
p
tt
1. Corrientes en el diodo
h
ID = IF W D IREV (1)
1
El Diodo segn SPICE
donde IN RM modela la corriente ideal del diodo, KIN J modela el fenmeno de alta inyeccin y el
producto IN RM modela tanto la corriente de generacin cuando estamos en polarizacin inversa
como la de recombinacin cuando estamos en polarizacin directa. La expresin de IN RM es:
VD
IN RM = IS exp 1 (3)
N VT
donde IS , representado en SPICE como IS, es la corriente de saturacin ideal del diodo y N es el
d
factor de idealidad. Obviamente como estamos tratando con la zona ideal, N valdr por defecto 1.
ri
Para el caso de unin N+ P, que estamos tratando, la corriente ser:
d
a
M
qn2i Dn
IS = (4)
Ln NA
e
d
El paso a alta inyeccin se controla a travs de KIN J , cuya expresin depende de un parmetro
se
SPICE, IKF, y es:
n
la
IKF +IN RM
de
lu
donde IKF (IKF) es la corriente para la cual se da el cambio entre el rgimen ideal y el de alta
s
m
.e
inyeccin.
o
alu
m
C
que IKF el producto tiende a valer IN RM , mientras que cuando la tensin aplicada es tal que IN RM
de
d
.u
a
w
id
u
w
rs
VD
q
IN RM KIN J = IS IKF exp (5)
ra
2VT
e
Pa
iv
Si se comparan estas expresiones con las expresiones fsicas para el diodo propuesto se encuentra sin
:/
n
dicultad:
U
4q Dn ni
tt
IKF = (6)
Ln
h
El valor exacto de IKF no es sencillo de encontrar experimentalmente puesto que corresponde con el
encuentro entre la extrapolacin de la zona ideal y de la de alta inyeccin, que es un valor que no se
alcanza experimentalmente ya que, al valor de tensin en que se cambia de rgimen, le corresponde
una corriente IKF2 , como se puede demostrar con unos sencillos clculos.
Si IKF no se especica toma valor por defecto innito con lo que que KIN J se hace 1 en todo
el rango de corrientes.
Con respecto a las corrientes de generacin y recombinacin las expresiones de IREC y KGEN
son:
VD
IREC = ISR exp 1 (7)
NR VT
" 2 #M/2
VD
KGEN = 1 + 0,005 (8)
VJ
Siendo ISR (ISR), NR (NR), VJ (VJ) y M (M) parmetros que se pueden proporcionar al modelo
SPICE. En estas expresiones, ISR es la corriente de saturacin del mecanismo de recombinacin, NR
es el factor de idealidad de este mecanismo (nominalmente, 2) y M es el ndice de gradualidad de la
unin, que vale 1/2 para uniones abruptas y 1/3 para graduales. Si estamos en polarizacin inversa,
d
VD es negativo por lo que la exponencial desaparece y, en el trmino KGEN , 0.005 es despreciable
ri
2
frente a 1 VVDJ , por lo que el producto queda:
d
a
M
M
VD
IF W D = ISR 1 (9)
VJ
e
d
Si se recuerda la expresin de la corriente de generacin es JGEN = qni W
donde era:
se
n
ET Ei Ei ET
n exp + p exp
la
kT kT
(10)
te
=
n p NT
de
lu
2
(11)
m
n
=
m
NT
.e
o
alu
si las trampas estn en el centro de la banda y las secciones ecaces son iguales para electrones y
m
C
huecos. Por otra parte, la anchura de la zona espacial es dependiente de la tensin de forma:
c
de
d
.u
a
W = (VJ VD )M (12)
so
w
id
u
w
rs
w
e
Pa
iv
1
:/
ISR = q ni NT W0 (13)
n
2
U
p
tt
donde
VD + BV
IREV,HIGH = IBV exp (15)
NBV VT
VD + BV
IREV,LOW = IBV L exp (16)
NBV L VT
En estas expresiones BV es el potencial de ruptura, siendo complementado en SPICE con los
parmetros IBV (IBV ), IBVL (IBV L ), NBV (NBV ) y NBVL (NBV L ). Todos los parmetros se
entienden como positivos y han de hallarse experimentalmente.
2. Capacidades
d
ri
Como ya conocemos a travs de la fsica del dispositivo, existen dos capacidades diferentes que
d
a
se modelan por separado, siendo la capacidad total la suma:
M
CT = CD + CJ (17)
e
d
donde CT es la capacidad total, CD es la capacidad de difusin o de trnsito y CJ es la capacidad
se
de vaciamiento o de unin.
n
la
CD = T gD (18)
os
p
m
n
.e
o
alu
c
de
d
d
(19)
.u
dVD
so
w
id
w
rs
ra
w
e
Pa
CD = gD (20)
iv
2
:/
n
p
tt
DP pn0 p Ln + Dn np0 n Lp
= (21)
DP pn0 Ln + Dn np0 Lp
expresin que, para el caso que estamos analizando, coincide con el tiempo de vida para los electrones
en la zona P.
Con respecto a la capacidad de transicin o de unin, SPICE usa dos frmulas diferentes depen-
diendo del margen de tensin de polarizacin. Para ello introduce un parmetro que llama FC, de
forma que:
VD M
Si VD < F C VJ , entonces CJ = CJ0 1 VJ
Si VD > F C VJ , entonces CJ = CJ0 (1 F C)(1+M ) 1 F C (1 + M ) + M VD
VJ
El valor por defecto de FC es 0.5, lo que indica que para la zona de potenciales inversos o incluso
ligeramente directos la expresin de la capacidad de transicin es la habitual, siendo CJ0 (CJO) la
capacidad de unin medida a potencial cero.
d
ri
ciales
d
a
M
En SPICE se puede especicar una temperatura nominal, que ser la habitual de funcionamien-
to para todos los dispositivos y que llamaremos TN OM (TNOM en .OPTIONS). Sin embargo
e
podemos simular el circuito a otras temperaturas. Llamaremos T a la temperatura como variable
d
(TEMP en .OPTIONS). Por lo tanto hay que especicar las ecuaciones segn las cuales todos
se
las corrientes y tensiones dependen de la temperatura.
n
la
te
de
y, por tanto los ms importantes de modelar correctamente. SPICE usa la siguiente expresin para
m
.e
o
alu
c
de
d
IS (T ) = IS exp 1 (22)
a
TN OM N q VT TN OM
so
w
id
u
Recordemos que IS, TNOM y N son parmetros SPICE denidos previamente, EG (EG) es el
rs
ra
temperatura. Valdr por defecto 3, por las razones que a continuacin veremos. Esta expresin es
:/
n
en la ecuacin 4, en la que:
tt
EG
n2i = NC NV exp (23)
h
k T
!3/2
2 me kT
NC = 2 (24)
h
!3/2
2 mh kT
NV = 2 (25)
h
de donde se deduce la expresin de SPICE sin ms que operar.
d
La dependencia de IKF es mucho ms dbil que la de las corrientes de saturacin. Para el caso de
ri
una unin N+ P, vimos que su expresin estaba recogida en la ecuacin 6, por lo que las variaciones
d
con la temperatura solamente pueden provenir del coeciente de difusin a travs de la movilidad.
a
M
SPICE considera sucientemente preciso un ajuste lineal de la forma:
e
IKF (T ) = IKF (1 + TIKF (T TN OM )) (27)
d
se
siendo, evidentemente, TIKF (TIKF) el coeciente lineal de variacin con la temperatura del codo
n
de paso a alta inyeccin (IKF (IKF), T (TEMP) y TN OM (TNOM) han sido denidos con
la
te
anterioridad).
de
lu
Con respecto a la tensin de ruptura (BV) la expresin es algo ms complicada porque se supone
os
p
s
m
.e
o
h i
BV (T ) = BV 1 + TBV 1 (T TN OM ) + TBV 2 (T TN OM )2 (28)
alu
m
C
c
de
Con TBV 1 (TBV1) y TBV 2 (TBV2) dos parmetros trmicos. De la misma forma la resistencia
d
.u
a
w
id
u
w
rs
h i
RS (T ) = RS 1 + TRS1 (T TN OM ) + TRS2 (T TN OM )2 (29)
ra
w
e
Pa
iv
p
tt
T T T
VJ (T ) = VJ 3VT ln EG (30)
h
+ EG (T )
TN OM TN OM TN OM
En esta expresin pueden reconocerse algunos parmetros SPICE como VJ, TNOM, o EG. Otro
parmetro adicional es la evolucin de EG en funcin de la temperatura, que, en el caso del silicio,
SPICE calcula en eV como:
T2
EG (T ) = 1,16 0,000702 (31)
T + 1108
Otros semiconductores no se han implementado en SPICE. Esta expresin puede deducirse a partir
de:
NA ND
!
VJ = VT ln (32)
n2i
Finalmente, la variacin con la temperatura de la capacidad de transicin se expresa como:
!!!
VJ (T )
CJ0 (T ) = Cj0 1 + M 0,0004(T TN OM )+ 1 (33)
VJ
d
ri
4. Ruido
d
a
El ruido en el diodo proviene por una parte de la resistencia asociada a zonas neutras y contactos
M
(blanco) y el ruido proveniente de la conduccin a travs de la zona de vaciamiento (shot y icker ).
El ruido de la resistencia se modela como una fuente de corriente alterna que, suponiendo un ancho
e
d
de banda de 1Hz, tiene una densidad espectral de potencia por unidad de ancho de banda:
se
4k T
(34)
n
IN2 =
la
RS
te
de
lu
RS es la resistencia parsita, que se modela en SPICE como RS. El ruido generado intrnsecamente
os
s
m
.e
AF
ID
o
IN2 = 2q ID + KF (35)
alu
m
C
f
c
de
d
w
id
u
w
rs
w
e
Pa
iv
p
tt
5.1. 1N4148
h
5.2. BAT54
.model BAT54 D(Is=31.12n N=1.048 Rs=1.256 Ikf=0 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=13.36p M=.3913
5.3. BZX284-6V2
Diodo Zener con tensin de ruptura en torno a 6.2 V. Versin proporcionada por NXP.
d
.model BZX284-B6V2 D (IS=2.6665E-18 N=.82284 RS=.51617 IKF=11.760E-3
ri
d
+ CJO=167.78E-12 M=.37745 VJ=.86869 ISR=48.886E-9 BV=6.3329 IBV=.94329
a
M
+ TT=121.76E-9)
e
d
5.4. LXHL-BW02
se
Diodo LED de GaAs. Versin proporcionada por LTSPICE-IV.
n
la
te
Puede apreciarse que aparecen dos parmetros no convencionales propios de este dialecto SPICE
os
p
(IAVE, VPK). Ambos estn relacionados con la capacidad de disipacin del dispositivo.
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h