Valor Calculo Medicion Simulacion

VBB 2.7 V 2.6 V 2.687 V

VB 2.7 2.6 V 2.687 V
VR1 12.29 V 12.35 V 12.313 V
VR2 2.70 2.6 2.687 V
VRE 2V 2.02 V 2.047
VBE 0.7 V 0.625 V 0.639 V
VE 2V 2.02 V 2.027 V
VCE 7.58 V 7.15 V 7.456 V
VBC 6.7 V 6.5 V 6.817 V
VC 9.58 V 9.73 V 9.502 V
Fig. 6.1.3 Recta de carga con su VRC 5.49 V 5.5 V 5.496 V
punto Q. I1 1.2296 1.23 mA 1.232 mA
mA
I2 1.229 1.18 mA 1.221 mA
mA
IB 600 uA 0.008 0.011 mA
mA
IE 2.004 4.79 mA 2.048 mA
mA
IC 2.004 3.81 mA 2.036 mA
mA
Circuito 6.2

Valor Calculo Medicion Simulacion

VBB 14.298 V 14.52 V 14.315 V
VB 0.702 V 0.585 V 0.685 V
VBE 0.7 V 0.642 V 0.685 V
VCE 10.927 V 11.02 V 9.946 V
VBC 10.225 V 10.28 V 9.261 V
VC 10.925 V 10.943 V 9.261 V
VRC 4.073 V 4.11 V 5.054 V
IB 43.33 uA 30.40 uA 45 uA
IRB 43.33 uA 30.40 uA 45 uA
IE 8.666 mA 8 mA 11 mA
IC 8.666 mA 8 mA 11 mA
PDC 94.693 mW 88.16 mW 106.955 mW
Circuito 6.3.

U14
+ -
A
V3 0.025
12V
DC 1e-009Ohm R3
+ U12
470 V DC 10MOhm
11.854
-

+ U10
-0.593 V DC 10MOhm
S2 U8 - Q2
+ - R4 + U13
A V DC 10MOhm
0.425m 0.146
-
Key = A 10k U11
+
V4 DC 1e-009Ohm V
2N2222A
0.739 DC 10MOhm
5V -

+ U9
0.026 A DC 1e-009Ohm
-

U14
+ -
A
V3 0.153m
12V
DC 1e-009Ohm R3
+ U12
470 V DC 10MOhm
0.072
-

+ U10
11.371 V DC 10MOhm
S2 U8 - Q2
+ - R4 + U13
A V DC 10MOhm
-0.111u 11.928
-
Key = A 10k U11
+
V4 DC 1e-009Ohm V
2N2222A
0.558 DC 10MOhm
5V -

+ U9
0.153m A DC 1e-009Ohm
-

Fig. 6.3 Circuito en polarizacin como interruptor en corte saturacin.

 Calculo Medicion Simulacion
Valor Corte Saturacion Corte Saturacion Corte Saturacion
VB 0V 4.3 V 0 5 -5.557 nV 4.261 V
VBE -0.7 V 0.7 V -0.637 V 0.637 V -0.636 V 0.636 V
VCE 12 0 12 0.092 11.928 V 0.146 V
VBC 0 -0.7 V 0V -0.642 V 11.371 V -0.593 V
VRC 0V 12 V 0V 11.67 V 0.072 V 11.854 V
IBsat 0A 430 uA 0A 1 uA -0.111 uA 0.425 mA
IBmin 0A 127.68 uA 0A 0.001 mA 0A 153 uA
ICsat 0 25 mA 0A 25 mA 0A 25 mA
Bcd 200 200 200 200 200 200
RB 10 k 10 k 10 k 10 k 10 k 10 k
VBB 0V 5V 0V 5V 0V 5V

Cuestionario:

1.- Mencione los tipos y caractersticas de los transistores de unin bipolar.

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material
tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp,
o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos
hablando de un transistor npn.

2.- Investigue las curvas caractersticas de colector de un BJT.

3.- Mencione las caractersticas de las regiones de operacin de un BJT:

Region activa: Cuando un transistor no esta ni en su regin de saturacin ni en la regin de

corte entonces esta en la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de B (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Region inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles.
Region de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente del colector es igul a la
corriente del emisor = 0, (Ic=Ie=0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito (como no hay corriente circulando, no
hay cada de voltaje, ver Ley de ohm.). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 o es menor a la de saturacin.
Region de saturacin: Un transistor esta saturado cuando la corriente del colector es igual
a la corriente del emisor y ambos son igual a la corriente mxima.

En este caso la magnitud de la corriente depene del voltaje de alimentacin del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente del colector B veces mas grande.

4.- Que relacin tiene la IC y la IB en el circuito de la figura 1?.

La suma de ambas es igual a IE.

5.- Explique el comportamiento de la recta de carga, los valores de la corriente IC, IB y el VCE
porque adopta esos parmetros

El Ic corresponde al eje y en la grafica de la recta mientras que el VCE corresponde al eje X

dictando los parmetros para la recta y el punto Q.

6.- Cuando en el transistor no esta energizada su base Cmo es el VCE y VRC?

Cuando esto ocurre VCE = VCC y VRC = 0

Conclusiones:
Aprendimos a conectar y comprender un poco mas sobre las aplicaciones que tiene el transistor
BJT como son: Polarizacion de base, divisor de voltaje y conmutacin (como interruptor). El que
aprendi a utilizar para futuros proyectos fue el transistor como interruptor debido a que al activar
un relay con el voltaje en RC podemos estar mas seguros de que no exisitra un chispazo de retorno
a nuestro sistema de control ya que el transistor contienen dos diodos que permiten el paso de
corriente en una sola direccin.

Kevin Osnar Sanchez Torres

En esta practica se tocaron temas ya vistos en clases acerca del transistor BJT como son la base
colector y el emisor y se reforzaron llevando el transistor a la practica. El transistor BJT tiene
muchas aplicaciones por lo que se puede tomar muy en cuenta para proyecto o trabajos
realizados, finalmente la practica se concluyo con xito y con tiempo obteniendo los resultados
esperados.

Eduardo Ojeda Zumaya

Al manejar los transistores como interruptores, no encontramos ningn problema hasta el

momento de probar el motor de 110 ya que no funcionaba, al encontrar que el error era un cable
el que hacia falso contacto. Ya que se nos haba ido el tiempo procedimos a tomar un video el cual
se lo mostramos al profesor para validar la terminacin de la practica

Jose Ricardo Villalba Ibarra