U14
+ -
A
V3 0.025
12V
DC 1e-009Ohm R3
+ U12
470 V DC 10MOhm
11.854
-
+ U10
-0.593 V DC 10MOhm
S2 U8 - Q2
+ - R4 + U13
A V DC 10MOhm
0.425m 0.146
-
Key = A 10k U11
+
V4 DC 1e-009Ohm V
2N2222A
0.739 DC 10MOhm
5V -
+ U9
0.026 A DC 1e-009Ohm
-
U14
+ -
A
V3 0.153m
12V
DC 1e-009Ohm R3
+ U12
470 V DC 10MOhm
0.072
-
+ U10
11.371 V DC 10MOhm
S2 U8 - Q2
+ - R4 + U13
A V DC 10MOhm
-0.111u 11.928
-
Key = A 10k U11
+
V4 DC 1e-009Ohm V
2N2222A
0.558 DC 10MOhm
5V -
+ U9
0.153m A DC 1e-009Ohm
-
Cuestionario:
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material
tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp,
o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos
hablando de un transistor npn.
3.- Mencione las caractersticas de las regiones de operacin de un BJT:
En este caso la magnitud de la corriente depene del voltaje de alimentacin del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente del colector B veces mas grande.
5.- Explique el comportamiento de la recta de carga, los valores de la corriente IC, IB y el VCE
porque adopta esos parmetros
En esta practica se tocaron temas ya vistos en clases acerca del transistor BJT como son la base
colector y el emisor y se reforzaron llevando el transistor a la practica. El transistor BJT tiene
muchas aplicaciones por lo que se puede tomar muy en cuenta para proyecto o trabajos
realizados, finalmente la practica se concluyo con xito y con tiempo obteniendo los resultados
esperados.