26.- Sea el circuito de la figura 4. Cul de las siguientes afirmaciones es cierta?

:
a) Si RC aumenta, IC disminuye.
b) Nunca se satura
c) Se puede considerar independiente de B cuando B(RE+RC)>10RB
d) Todas son correctas

El Rc aumenta y el Ic disminuye y nunca se satura se puede considerar independiente

cuando (Re+Rc)>10Rb

Figura 4

27.- Para que un transistor BJT trabaje en la zona de saturacin, la polarizacin de las
uniones deber ser:
a) Unin de emisor en directa y unin de colector en inversa.
b) Depender de si es npn o pnp.
c) Unin de emisor en directa y unin de colector en directa.

Cuando la unin base-emisor est polarizada en directa y existe suficiente corriente en la

base para producir una corriente mxima en el colector, el transistor est en saturacin.

28.- Cmo se distingue el efecto Early de un transistor npn en las curvas caractersticas
en emisor comn?:
a) En las curvas de entrada se ve que cuando VCE aumenta, con VBE constante, IB
disminuye. En las curvas de salida se distingue porque no son horizontales.
b) En las curvas de entrada se ve que cuando VCE aumenta, con VBE constante, IB
aumenta. En las curvas de salida se distingue porque son horizontales.
c) En las curvas de entrada se ve que cuando VCE aumenta, con VBE constante ,IB
aumenta. En las curvas de salida se distingue porque es constante.
Estas curvas representan IB=f(Vbe), con Vce como parametro. las curvas son
similares a las del diodo. al aumentar la polarizacion inversa de la union colector-
base disminuye la anchura de la base y la corriente de recombinacion en la misma

29.- Sea el circuito de la figura 5. Se desea que funcione como interruptor. Tiene =
100, RC = 1 k , VCC= 15 V. Cunto deber valer RB para que cuando la seal de
entrada valga 15 V, el transistor se comporte como un interruptor cerrado?
a) 100 k
b) 0 k
c) 100

Figura 5
30.- En las curvas caractersticas de salida en base comn de un transistor npn, en el
eje horizontal, se representa la variable:
a) VCB
b) -VCB
c) VCE
31.- En las curvas caractersticas de entrada en emisor comn de un transistor pnp, en
el eje vertical se representa la variable:
a) IB (entrante)
b) -IB (saliente)
c) IE (entrante)

32.- En la polarizacin por divisor de tensin de un pnp, se tienen que emplear

a) Tensiones negativas
b) Tensiones positivas
c) Tierras (comunes)

En el transistor PNP se aplica tensiones negativas porque su base es egativa en cambio

en el transistor NPN aplicamos tensiones positivas porque su base es positiva
33.- En un circuito amplificador con transistores, el punto de operacin instantneo
excursiona a lo largo de
a) La lnea de carga de alterna
b) La lnea de carga de continua
c) Ambas lneas de carga

34.- Sea un circuito amplificador por divisor de tensin. Ante una entrada senoidal
tenemos una onda cuadrada, eso implica
a) hay distorsin por corte
b) la tensin de alimentacin continua debe ser reducida
c) la seal de entrada debe ser reducida

35.- La mayor parte de los electrones en la base de un transistor npn fluyen

a) Saliendo de la conexin de base
b) Entrando al colector
c) Entrando al emisor

Lo que sucede en el interior de la estructura npn; La base tiene una baja densidad
de huecos, los cuales son los portadores mayoritarios, representados por los puntos
blancos. Un pequeo porcentaje del nmero total de electrones libres se va hacia la
base, donde se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia
a travs de la base hacia el emisor como corriente de huecos

36.- La potencia disipada por un transistor es aproximadamente igual a la corriente de

colector multiplicada por
a) La tensin base-emisor
b) La tensin colector-emisor
c) La tensin de la fuente de continua del circuito de salida (VCC).

El producto de VCE e IC no debe exceder la disipacin de potencia mxima. Tanto VCE

como
IC no pueden ser mximos al mismo tiempo. Si VCE es mximo, IC se calcula como:
Ic=PDmax/Vce; Si IC es mxima, VCE se calcula reordenando la ecuacin previa

37.- En la regin activa, la corriente de colector no es afectada significativamente por

a) La ganancia de corriente
b) La corriente de base
c) La resistencia del colector.

38.- En corte el punto Q se halla en

a) El extremo superior de la lnea de carga
b) La parte central de la lnea de carga
c) El extremo inferior de la lnea de carga
39.- Si en un circuito con polarizacin de base el valor de la resistencia de colector
tiende a cero, la lnea de carga
a) Tender a la horizontal
b) Tender a la vertical
c) No influye en la recta de carga

Porque Vcc/Rc tendera al infinito.

40.- Si en un circuito con polarizacin por divisor de tensin, la resistencia del emisor
est abierto, la tensin del colector
a) Se necesitan ms datos para poder responder
b) Es VCC
c) Es cero
No afecta en nada ya que para hallar el Vc se necesita a Vcc y Ic.Rc

41.- Una pequea corriente del colector que est presente cuando la corriente de base
es cero proviene de la corriente de fuga de:
a) El diodo emisor-base
b) El diodo de colector-base
c) El diodo de emisor-colector
42.- En la polarizacin por divisor de tensin de un BJT tipo npn, la tensin en el
emisor es 0,7 V menor que
a) La tensin de la base
b) La tensin del colector
c) La tensin de tierra

Ve=Vb-0,7v

43.- Sealar la afirmacin ms correcta en relacin al efecto Early:

a) La corriente de colector aumenta al polarizar ms en inversa el diodo base-
colector, por el estrechamiento de la regin de base y el aumento de la corriente
de emisor.
b) La corriente de emisor aumenta al polarizar ms en inversa el diodo base-colector,
por el ensanchamiento de la base y la mejor movilidad de los portadores
c) La corriente de base disminuye al polarizar ms en inversa el diodo base-colector,
por el ensanchamiento de la base y el aumento de recombinacin en la base.

En un transistor bipolar, un incremento en la tensin colector-base lleva asociado un

incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unin. Este aumento
provoca una disminucin de la anchura efectiva de la base Debido a esto, la corriente de
colector aumenta, pues existe menos camino para la recombinacin en base. La pendiente
positiva de las curvas caractersticas del transistor en zona activa es debida a este efecto.

44.- La corriente de fuga en las curvas caractersticas de salida de un transistor BJT en

emisor comn (corriente de colector cuando la corriente de base es cero):
a) Es la corriente de saturacin del diodo base-colector
b) Es la corriente de saturacin del diodo base-colector ms la del diodo base-emisor
c) Es la corriente de saturacin del diodo base-colector multiplicada por B.

45.- En un circuito amplificador con BJT tipo n alimentado con tensin positiva, el
aumento de la tensin de alimentacin supone
a) Un aumento de la zona activa efectiva
b) Dependiendo del circuito puede aumentar o disminuir la zona activa efectiva
c) Una disminucin de la zona activa efectiva

46.- En el circuito de la figura 6, la relacin IC/IB vale

a) hFE1 hFE2
b) hFE1/ hFE2
c) hFE2/ hFE1
47.- En un circuito amplificador con BJT tipo pnp, de acuerdo al efecto Early cuando la
tensin VCB se hace ms negativa:
a) Aumenta la corriente de base
b) Disminuye la anchura de base efectiva
c) Disminuye el parmetro .

Cuando aumenta la tensin Vcb disminuye Ib

48.- En un transistor trabajando en la zona activa, a efectos prcticos, podemos decir

que la corriente de colector
a) aumenta al aumentar la tensin aplicada a la unin colector-base
b) disminuye al aumentar la tensin aplicada a la unin colector-base
c) Es constante con independencia de la tensin aplicada

La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en

todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.

49.- En un transistor trabajando en la zona de saturacin

a) ICI B1 ICO
b) I CI E ICO
c)

Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula

tambin corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: