Escuela de Ciencia e Ingeniera de los Materiales

Aplicaciones en microelectrnica de las capas delgadas y arquitectura 3D

Jorg Sandoval Sandoval, Betzab Ziga Sancho, J. Steven Umaa*.
CM-5207 Capas Delgadas y Procesamiento de Semiconductores
II Semestre 2017
7 de Noviembre de 2017
Prof. Msc. Jos Alberto Ramrez
* Escuela de Ciencia e Ingeniera de los Materiales (ECIM), Instituto Tecnolgico de Costa Rica (ITCR),
Cartago 159-7050, Costa Rica
betzazuniga.ingmateriales@gmail.com, jis2595@gmail.com, jsteuma@gmail.com

Resumen

Se realiz un estudio de los principales aspectos de la arquitectura 3D, por lo que se recopilan los
fundamentos fsicos, variables y aplicaciones de este proceso. Adems se realiza un recuento de las
aplicaciones de las capas delgadas en la microelectrnica.

Palabras clave: VLSI, capas, 3D ICs, microarquitectura, TSV.

Abstract

This study shows the main aspects of 3D architecture. It shows physics phenomena, variables and
applications of this process. Furthermore, a review of thin films applications in microelectronics is
presented.

Keywords: VLSI, thin films, 3D ICs, microarchitecture, TSV.

1 Introduccin comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que

A partir del descubrimiento del transistor en
1947, que reemplaz a las tradicionales vlvulas
de vaco, uno de los objetivos de los fabricantes
ha sido producir circuitos electrnicos cada vez
ms pequeos, menos costosos, con menor
consumo de energa y con respuesta ms rpida.
Al principio los transistores se fabricaban
individualmente, pero alrededor de 1958 se
desarroll la idea de fabricar el conjunto de
dispositivos (transistores, diodos,
condensadores, etc.) sobre una pieza nica de
silicio, tambin llamada "chip" , ocupando
aproximadamente el mismo espacio que el de un
transistor discreto.[1]
En esencia la tecnologa planar consiste en la
difusin de impurezas en reas previamente
seleccionadas de una oblea de silicio con el fin
de crear zonas de carcter p n, as como
uniones p-n. Todos los componentes se colocan
sobre la misma superficie de una de las caras de
la oblea, y por ello a esta tecnologa se la
denomina planar.[1]
contiene elementos activos y pasivos.[2]
La tecnologa planar para la fabricacin de
CI bipolares y MOS, comprende varios
proceso [2]:
(1) Crecimiento del Cristal del Sustrato.
Un fino cristal de silicio se sujeta a una varilla y
se introduce en un crisol con silicio fundido al
que se han aadido impurezas aceptadoras. Se
retira muy lentamente en condiciones muy
controladas la varilla del silicio fundido.
A medida que se va extrayendo se va formando
un lingote de cristal de unos 10 cm de dimetro
y 50 cm de longitud. Esta tcnica se conoce
como proceso CZOCHRALSKI o simplemente
CZ. Se corta el lingote en obleas circulares de un
espesor aproximado de 0,2 mm que forma el
sustrato sobre el que se fabricaran todos los
componentes integrados. Una de las caras de la
oblea se pule para eliminar las imperfecciones
superficiales antes de proseguir con el siguiente
paso.

Un circuito integrado est formado por un (2) Crecimiento Epitaxial.

monocristal de silicio de superficie normalmente
(3) Oxidacin.

1
Escuela de Ciencia e Ingeniera de los Materiales
(4) Fotolitografia y Grabado Qumico.
(5) Difusin.
(6) Implantacin de Iones.
(7) Mentalizacin
(1) Crecimiento
2 Aplicaciones
Los mayores logros de las capas delgadas se han
alcanzado en el campo de la tecnologa de
circuitos integrados, permitiendo la integracin
de un gran nmero de componentes
directamente sobre la superficie de una oblea de
silicio. De hecho, muchas de las tcnicas de
CVD y PVD, tal como las conocemos ahora,
fueron implementadas por primera vez en la
fabricacin de circuitos y posteriormente
aplicadas a otros sectores tecnolgicos
(recubrimientos pticos, capas duras, etc).[6]
Entre las principales aplicaciones en
microelectrnica se tienen:
Tecnologa planar: Se emplea un substrato de
silicio, este adems de constituir el soporte de
todo el conjunto, se utiliza como 'plantilla' para
el crecimiento de una capa, tambin de Si, de
tipo epitaxial. Esta capa epitaxial se deposita
mediante tcnicas de CVD a partir de la
descomposicin del SiH4, aadiendo otros
componentes (fosfina o arsina) para conseguir el
dopaje adecuado.[6] Es interesante resaltar que
todos los componentes del circuito pueden ser
integrados en la superficie en regiones de
pequeo tamao, bien sea con un dopaje
adecuado (caso de las resistencias) o a travs de
uniones p-n (diodos, transistores
condensadores, en este ltimo caso con una
polarizacin inversa).[6]
Fotolitografa: La delimitacin de reas o islas
sobre la superficie del substrato para modificar y
alterar sus propiedades de modo que puedan
efectuar unas funciones especficas se lleva a
cabo mediante esta tcnica. La fotolitografa al
ser una tcnica de reduccin fotogrfica han
permitido disminuir el tamao de los motivos
hasta dimensiones inferiores al micrmetro, lo
que ha hecho posible la fabricacin simultnea
de cientos de circuitos iguales, de tamao
micromtrico, sobre una oblea nica de silicio,
abaratando as los costes de produccin.[6]
Diodo emisor de luz (LED): Las uniones p-n
construidas especialmente para generar luz
reciben el nombre de diodos emisores de luz
("light-emitting diode " o LED). Los LEDs
comerciales tienen una estructura de capas
obtenidas por deposicin en fase vapor, y el
producto final incluye un encapsulado de
plstico transparente que sirve de proteccin,
lente y filtro. Los LED se usan ampliamente en
pantallas alfanumricas para relojes
despertadores, indicadores de aparatos, pilotos o
luces de control en automviles y aviones,
paneles anunciadores con mensaje en
movimiento en escaparates, estaciones de tren,
autopistas, etc. Como ejemplo, en un automvil
se usan actualmente unos 400 LEDs.[6]
Diodos lser: Un diodo lser o lser de
semiconductor es bsicamente un LED
diseado especialmente para emitir luz
extremadamente monocromtica, direccional y
coherente.[6]
Paneles electroluminiscentes: En este caso la emisin
de luz se produce en todo el material. Al no
necesitar material de alta calidad se pueden
fabricar grandes superficies. Bsicamente un
material electroluminiscente (llamado fsforo)
consiste en un semiconductor policristalino de
banda ancha formado por elementos de las
columnas II y VI de la tabla peridica dopado
con algn in que acta como centro
luminiscente. El color y otras propiedades de la
emisin estn determinados por el dopante. Por
ejemplo se usan para la iluminacin trasera de
pantallas de cristal lquido en televisores,
ordenadores, y otros indicadores
alfanumricos, en paneles luminosos con
informacin fija en aeropuertos, estaciones de
tren, carreteras, etc.[6]
y Fotodetectores: Actualmente la mayora de los
detectores estn formados por varias capas
delgadas de semiconductoras con distintas
composiciones y dopajes. Adems- se aaden
capas aislantes, recubrimientos antirreflectantes
para disminuir las prdidas por reflexin, filtros
multicapa para modular la respuesta espectral y
capas metlicas para los contactos metlicos. Las
capas se depositan sobre un sustrato segn las
tcnicas de deposicin mencionadas
anteriormente y los dispositivos se preparan por
fotolitografa.[6]
Clulas solares: Las clulas solares permiten
convertir directamente la energa de la luz del sol
en electricidad por medio del efecto
fotovoltaico. Para mejorar la eficiencia hay que
aumentar el nmero de fotones absorbidos
cerca de la unin y evitar la recombinacin de
2
Escuela de Ciencia e Ingeniera de los Materiales
los pares electrn-hueco. Esto se logra
fabricando la unin p-n en las proximidades de
la superficie activa con objeto de que la
radiacin solar alcance la unin con la menor
atenuacin posible. Al mismo tiempo es
necesario el uso de recubrimientos
antirreflectantes en la primera superficie para
evitar prdidas por reflexin. Debido a sus
buenas propiedades de transparencia, el xido o
el nitruro de silicio, depositados mediante
tcnicas de CVD, son los materiales
comnmente empleados para la capa
antirreflectante. De este modo, ha sido.posible
conseguir que la eficiencia mxima terica de
una clula solar fotovoltaica sea superior al
20%.[6]
3 Arquitectura 3D
Debido a las caractersticas de eficiencia y
desempeo que son requeridas en los circuitos
integrados, la industria ha definido que para
seguir con la Ley de Moore, es importante
definir nuevas estrategias para el desarrollo de
circuitos integrados (ICs) que permita reducir
los costos y las fallas debido a tunelaje cuntico
que se produce conforme las distancias y
geometras se disminuyen con cada nueva
tecnologa de transistores. [3]
Debido a estas limitantes, se ha buscado formas
de innovar las nanoarquitecturas y modernos contemplan un SoC en un IC, mucho
microarquitecturas de los ICs. Una de las
tecnologas ms prominentes para lograrlo, es la
tecnologa de circuitos integrados 3D o 3DICs.[]
Esta tecnologa convencionalmente se refiere al
empaquetamiento de mltiples capas o niveles
ultradelgados de ICs que se encuentra
interconectados de forma vertical mediante
alguna tcnica para formacin de canalescomo
lo es la tecnologa de vis a travs de silicio
(TSV), o electrodos de funcionamiento
capacitivo. La figura 1 muestra el caso de un
TSV de Cu.
Figura 1. Proceso bsico para la formacin de
un TSV de Cu. [4]
Otras motivaciones que existen para la
implementacin de circuitos integrados es la
posibilidad de reducir la longitud de
interconexiones globales de los ICs, de manera
que aumentan la cantidad de transistores vecinos
a cada transistor, y se reduce el rea transversal
de la conexiones, disminuyendo los retrasos de
los sistemas resistivo-capacitivos de los ICs.
Observndose as, mejoras considerables en el
tiempo de respuesta y el consumo de energa.
Dependiendo de los requerimientos del sistema
integrado, existen diversas formas de apilar ICs
para formar microarquitecturas 3D. Algunos
ejemplos incluyen recristalizacin por haz de
iones, adhesin de wafers procesados,
crecimiento de silicio epitaxial, cristalizacin en
fase slida. [4,5]
Algunas desventajas corresponden a problemas
para disipar el calor, debido a que entre los
apilamientos de los ICs se encuentran materiales
aislantes que dificultan la disipacin del calor.
Asimismo, esto potencializa los mdulos de falla
trmica de la microarquitectura. Otro aspecto
importante a considerar es la interferencia
electromagntica que puede diezmar el
desempeo de las interconexiones globales
empleadas de la arquitectura vertical. [5]
Debido a que los mayora de los integrados
del empleo de las tcnicas de deposicin y
crecimiento de capas delgadas, as como micro-
canales, puede ser decisivo en el empleo de esta
nueva tecnologa.
4 Conclusiones
De esta investigacin se puede concluir que
la tecnologa 3D no slo corresponde a una
mejora de los ICs, sino un nuevo camino a
partir del diseo para continuar con la Ley
de Moore, y expandir las capacidades las
microarquitecturas actuales y futuras.
Asimismo, el proceso mediante el cual es
posible la implementacin de esta
tecnologa, es gracias al avance en tcnicas
de deposicin y fabricacin de capas
delgadas.
3
Escuela de Ciencia e Ingeniera de los Materiales

4 Referencias
[1] M. Hutzler, P. Fromherz, Silicon
chip with capacitors and transistors for
interfacing organotypic brain slice of rat
hippocampus, Eur. J. Neurosci. 19 (2004)
22312238. doi:10.1111/j.0953-
816X.2004.03311.x.

[2] P. Flatresse, G. Cesana, X. Cauchy,

Planar fully depleted silicon technology to
design competitive SOC at 28nm and beyond,
White Pap. STMicroelectronics. (2012) 116.

[3] Sharma, R. (Ed.). (2014). Design of 3D

integrated circuits and systems. CRC Press.

[4] Todri-Sanial, A., & Tan, C. S. (Eds.).

(2016). Physical Design for 3D Integrated Circuits
(Vol. 55). CRC Press.

[5] Tan, C. S., Chen, K. N., & Koester,

S. J. (Eds.). (2016). 3D integration for VLSI
systems. CRC Press.

[6] F. AGULL-RUEDA & J. M.

ALBELLA. (2003). Lminas delgadas y
recubrimientos: preparacin, propiedades y
aplicaciones. Google Books. Retrieved 5
November 2017, from
https://books.google.co.cr/books?id=0ofVZ
0pBh-
4C&pg=PA19&lpg=PA19&dq=APLICACI
ONES+EN+MICROELECTR%C3%93NI
CA+Y+FOT%C3%93NICA+F.+AGULL%
C3%93-
RUEDA+(1+)+Y+J.+M.+ALBELLA+(2)&
source=bl&ots=Ma_izVlCN1&sig=pOoIQ2
kvSxPlJBYBIY7BbFTDfA4&hl=es&sa=X&
ved=0ahUKEwj78Pnat6zXAhVFQSYKHcU
lAEUQ6AEIJTAA#v=onepage&q=APLIC
ACIONES%20EN%20MICROELECTR%C
3%93NICA%20Y%20FOT%C3%93NICA%
20F.%20AGULL%C3%93-
RUEDA%20(1%20)%20Y%20J.%20M.%20
ALBELLA%20(2)&f=false