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Mosfets

Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o


BJT, como son la corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas veces por su
emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas evidente, el
efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores ms avanzados, hasta la llegada de
los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que
ocupen un lugar importante dentro de la industria, desplazando a
los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de potencia son muy
populares para aplicaciones de baja tensin, baja potencia y
conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones
como robtica, CNC y electrodomsticos.
La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado
slido, electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los
cuales controlan el flujo de energa que se transfiere a la carga. Estos
dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo para
regular la tensin de salida. Para realizar la parte de conmutacin,
existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades
entre potencia y velocidad de conmutacin de los tipos de
dispositivos.
QUE ES UN MOSFET?

El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En los MOSFET
de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de
campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin
correspondiente al canal, que tambin es conocida como la zona de inversin.

ESTRUCTURA MOS
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio,
puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que,
posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de
entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio),
que posee caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico,
en contacto con la capsula, como se ve en la figura
La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son
las placas y el xido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero
y la distribucin de portadores es aleatoria y se corresponde al estado de equilibrio en el
semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de Puerta y substrato. La
regin semiconductora p responde creando una regin de empobrecimiento de cargas
libres p+ (zona de deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando
estaba polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la acumulacin
de cargas negativas libres (e) atrados por el terminal positivo. Se dice entonces que la
estructura ha pasado de estar en inversin dbil a inversin fuerte.