UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRNICA

LABORATORIO LNEAS Y ANTENAS
11/06/2013
OSCILADOR GUNN
Manuel Martn Obando Angulo Prez Cdigo.: 2008276607
Nicols de Dios Charry Moreno Cdigo.: 2010193531
Javier Sleyner Pardo Barrero Cdigo: 2010191927
Henry Ortiz Otlora Cdigo.: 2010191811

Resumen: El diodo gunn, presenta la caracterstica

de oscilar cuando se alcanza una determinada
intensidad del campo elctrico. Esta regin de alta
intensidad de campo se mueve en el camino
ctodo-nodo, donde desaparece generndose
inmediatamente otra similar en el ctodo y as
sucesivamente.
Dimensiones menores en el camino darn lugar a
menores tiempos de oscilacin, o lo que es lo
mismo mayores frecuencias. Para mantener estable
la oscilacin se debe acoplar el diodo a una cavidad
resonante que ser en ltima instancia la que
determine la frecuencia de resonancia del conjunto.
Se puede generar as un amplio rango de
frecuencias, entre 1 y ms de 100 GHz, con
potencias de emisin entre 5 y 800 mW.
II. OBJETIVOS
A. GENERAL
Identificar y analizar el comportamiento del
oscilador Gunn y sus caractersticas.
B, ESPECFICOS
Comprender el funcionamiento del
oscilador Gunn y la aplicabilidad de este
en las guas de ondas.
Encontrar los perfiles corriente/tensin en
el oscilador Gunn con resonante.
Comparar las curvas caractersticas del
oscilador con las halladas en la prctica.

I. INTRODUCCION III. MARCO TEORICO

La generacin de frecuencias para el rango

de microondas se puede realizar de varias
maneras, siendo las ms comunes el uso del
Klystron, Magnetrn, sobre todo en aplicaciones
de grandes potencias, para otros fines lo ms
comn es el uso de dispositivos de estado slido
como los transistores de efecto de campo de AsGa
y diodos Gunn, sobre todo por su tamao pequeo
y bajo consumo.
En ste laboratorio, se expondr los principios y el
funcionamiento del oscilador Gunn, el mismo que
se basa en el diodo Gunn, y por ende en el efecto
que lleva el mismo nombre
Un oscilador Gunn se compone bsicamente de un
dispositivo semiconductor (dispositivo Gunn)
acoplado a una cavidad resonante. El principio de
funcionamiento se basa en el hecho que la
estructura de bandas de algunos semiconductores
(GaAs, InP o CdTe) tiene la banda de conduccin
dividida en dos bandas muy cercanas, una de ellas
de baja energa-alta movilidad y la otra de alta
energa-baja movilidad.
Cuando hay ms electrones en la banda de baja
energa-alta movilidad la conductividad es mayor,
que cuando hay ms en la banda de alta energa-
baja movilidad, pues la conductividad se relaciona
directamente con la movilidad de los portadores de
carga.
En trminos de comportamiento como elemento de
circuito se tiene que la caracterstica corriente-
voltaje de un semiconductor de este tipo es como el
de la Figura,
El oscilador Gunn sirve para generar potencias de
microondas. Est compuesto por mdulos y puede
ser separado en los siguientes
elementos componentes:
1. Modulo diodo-Gunn, longitud aprox. 27mm.2.
2. Pared posterior de la cubierta.
3. Diafragma perforado con abertura de 8mm
de dimetro.
4. Adaptador para guas de ondas.
Efecto Gunn
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de la unin misma,
ni de los contactos, tampoco depende de los valores
de tensin y corriente y no es afectado por campos
magnticos. Cuando se aplica una pequea tensin
continua a travs de una placa delgada d e
Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta
caractersticas de resistencia negativa. Todo esto
ocurre bajo la condicin de que la tensin aplicada
a la placa sea mayor a los 3,3voltios/cm.
Si dicha placa es conectada a una cavidad resonant
e, se producirnoscilaciones y todo el conjunto se puede
utilizar como oscilador. Este efecto slo se da en
materiales tipo N (material con exceso de
electrones) y las
oscilaciones se dan slo cuando existe un campo e
lctrico. Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los electrones
necesitan para atravesar la placa de material tipo N
cuando se aplica la tensin continua.
Funcionamiento de resistencia positiva
El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos
materiales semiconductores que en una muestra
con dopado tipo N, tiene una banda de energa
vaca ms alta que la ms elevada de las que se
encuentran ocupadas parcial o totalmente. Cuando
se aplica una tensin a una placa (tipo N) de
Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el
material tiene en exceso, circulan y producen
corriente. Si se aumenta la tensin, la corriente
aumenta.
Funcionamiento de resistencia negativa
Si a la placa anterior se le sigue aumentando la
tensin, se les comunica a los electrones una mayor
energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los
electrones saltan a una banda de energa ms
elevada, que normalmente est vaca, disminuyen
su velocidad y, por ende, la corriente. As, una
elevacin de la tensin en este elemento causa una
disminucin de la corriente. Finalmente, la tensin
en la placa se hace suficiente para extraer
electrones de la banda de mayor energa y menor
movilidad, por lo que la corriente aumentar de
nuevo con la tensin. La caracterstica tensin
contra corriente se parece mucho a la del diodo
Tnel.
Los osciladores Gunn se inventaron justamente
aprovechando el efecto de la zona diferencial
negativa.
Formacin de dominios Gunn
Supongamos que se aplica un voltaje Vo a una
muestra de GaAs de longitud L. El voltaje es
constante y por consiguiente aplica un campo
elctrico que lo podemos obtener con la siguiente
expresin:
Eo = Vo/L
Al aplicar un campo Eo, podemos decir que los
electrones se mueven de ctodo a nodo con una
velocidad V3. Asumamos que una pequea
oscilacin se produce en el instante t=0 la misma
que puede ser ocasionada por la energa termal de
los electrones. Al observar la figura podemos decir
que los electrones que se encuentran en el punto A,
al experimentar el campo elctrico EL1 viajaran al
nodo con una velocidad V4. Los electrones en el
punto B estn sujetos a un campo elctrico EH1 y
tendern hacia el nodo con una velocidad V2, la
misma que es menor que V4. Por consiguiente cada
vez aparecern ms electrones en esta zona lo que
contribuira aumentar la resistencia diferencial
negativa, lo que se traduce en un aumento en la
oscilacin hasta un lmite mximo.
La oscilacin inicial crecer, en un dominio del
dipolo, o dominio Gunn, este dominio crecer hasta
que se forme un dominio Gunn estable. Lo
particular de este dominio es que ha crecido lo
suficiente para que tanto los electrones que viajan
en uno como en otro sentido lo hagan a la misma
velocidad V1. Por esta razn es importante que el
voltaje aplicado al cristal debe ser el apropiado para
permanecer en la regin NDR (Resistencia
Diferencial Negativa) y poder formar un dominio
Gunn estable.
Una vez que se ha formado el dominio estable el
campo elctrico en el resto de la muestra de GaAs
cae bajo la regin NDR, lo que impide la formacin
de un nuevo dominio Gunn, posteriormente
mientras el dominio es absorbido por el contacto
con el nodo, el campo elctrico en la muestra hace
que se alcance la formacin de un nuevo dominio
Gunn. Esto es lo fundamental, la repeticin
sucesiva de la formacin de dominios Gunn hace
que se vea una corriente osciladora en los
contactos. Este es el modo de operacin conocido
como modo Gunn. Es importante notar por tanto
que la frecuencia de operacin defender de la
distancia que los dominios tienen que recorrer antes
que el nodo los absorba, en otras palabras
depender de la longitud de la muestra del cristal
que estemos usando. Y en segunda instancia
depender de la cantidad de voltaje aplicado al
cristal, que ser la que afecte la velocidad del
dominio.
En las figuras podemos observar que la
concentracin de electrones aumenta y disminuye
conforme se alcanza el valor pico en cada dominio
Gunn que luego cae bajo la regin NDR.
 Osciladores de Resistencia Negativa diodo
Gunn
Como ya se mencion en las secciones anteriores
el diodo Gunn, tiene la caracterstica principal de
que posee una regin de resistencia dinmica
negativa, la misma que es usada para fabricar
osciladores. Para hacer un anlisis ms
comprensible de cmo se van a generar estas
oscilaciones consideremos el siguiente circuito
RLC.
Haciendo el anlisis en AC tendremos que la
ecuacin de voltajes es:
Al resolver esta ecuacin tendremos que i(t) tiene
la siguiente forma:
Donde
Si R2 es menor que 4L/C tendremos que el
resultado de la expresin dentro del radical ser
negativa y por tanto A es compleja. Por tanto
podemos decir que,
Donde
Por lo que ahora podemos afirmar que el circuito
posee una resistencia negativa, y que se encuentra
oscilando sinusoidalmente con una frecuencia ,
adems que la amplitud de la oscilacin crece
exponencialmente con el tiempo.
Esta es la base fundamental de los osciladores
Gunn, ya que el circuito resonante se consigue a
travs de cavidades coaxiales, de gua de onda u
otro tipo de dispositivo. En cualquier caso la
resistencia negativa la da la caracterstica del diodo
Gunn, y el circuito resonante la da la geometra de
los elemento.
Si alteramos el circuito anteriormente analizado,
cambiando la resistencia por una resistencia de
carga RL, y un diodo Gunn el mismo que ofrece
una resistencia negativa r(V) bajo ciertas
condiciones, entonces la curva de resistencia
dinmica total del circuito seria:
Como podemos observar la parte comprendida
entre las lneas verticales corresponde a la zona de
resistencia influenciada por el diodo Gunn.
Un voltaje DC debe ser aplicado al diodo Gunn a
travs de una inductancia, este voltaje debe
conducir al diodo a operar en la zona de resistencia
negativa.
Cualquier pequea fluctuacin en la frecuencia de
oscilacin en el circuito tender a crecer debido a
que para voltajes cercanos a Vbias la resistencia total
del circuito ser menor a cero:
La oscilacin har que el voltaje empiece a fluctuar
alrededor de Vbias, y eventualmente podr llegar a
la zona de resistencia positiva, en cuyo caso la
energa de cualquier oscilacin tiende a ser
disminuida por la disipacin de la resistencia. Por
otro lado mientras permanezca dentro de la regin
NDR, la oscilacin tender a ser amplificada, como
resultado de todo este proceso la oscilacin tiende
a estabilizarse en un nivel en el cual como ya se
mencion anteriormente la energa tanto fuera de la
regin NDR como dentro sea la misma. Es
importante mencionar que la secuencia de
oscilacin est determinada por:
La potencia de oscilacin Po generada por la
resistencia negativa proviene del voltaje dc
aplicado. Ahora bien Pin = IVbias, la cual es la
potencia que debemos proveer para asegurar que el
diodo se mantenga operando en el modo Gunn, lo
que quiere decir que para que exista oscilacin se
debe aplicar un voltaje determinado que nunca
puede ser igual a cero, y por ende la potencia
siempre debe ser mayor a 0. De hecho en la prctica
la potencia que se pueda obtener del oscilador
depender de que tan grande es el rango de voltajes
y corrientes que cubre la zona DNR, siempre
podemos esperar que:
Algo importante ya mencionado es que el circuito
modelado anteriormente se logra tambin a travs
del uso de cavidad e coaxiales u otro tipo de
dispositivos, en general la cavidad resonante ser la
que reemplace al circuito LC, esta cavidad es la que
en primera instancia va a determinar la frecuencia
de resonancia del oscilador.
Podemos observar un esquema de oscilador Gunn
en la siguiente figura:
El diodo encerrado en la cavidad induce
fluctuaciones que deben viajar en la cavidad y ser
reflejadas, regresando hacia el diodo despus de un
tiempo t.
Donde;
l Longitud de la cavidad.
c Velocidad de la luz en la cavidad.
 IV. ANLISIS RESULTADOS
PRCTICOS Y SIMULACIN EN
MATLAB

Grfica 1. Corriente contra voltaje con una

distancia de 28 cm.
a.)Cassy Lab

Adems el oscilador puede oscilar a cualquier

frecuencia que cumpa con:

Donde, n es el nmero de medias ondas que entran

en la cavidad dad una frecuencia dada.

En la prctica el diodo tomar un tiempo td para

reaccionar a cualquier cambio de voltaje en el b.) Matlab
diodo, ya que debe reaccionar tamito a incrementos
como a decrementos tendremos que:

Esto significa adems que el oscilador puede operar

a frecuencias que cumplan con;

Se escoge est grfica para hacer el anlisis ya que

Si hacemos la cavidad lo ms pequea posible de
forma que:
el de las siguientes son similares.
Como ya se conoce mientras el voltaje aumente, la
corriente tambin lo har, hasta alcanzar un
determinado valor de voltaje a partir del cual la
corriente empezara a decrecer. Esto guiado por el
tpico comportamiento del Diodo Gunn.

Entonces estaramos asegurando que el nico modo

de oscilacin sea el que n =1, dicho de otra forma Las pendientes de la curva son las siguientes.
el sistema no podr oscilar a frecuencias menores
porque la cavidad es muy pequea, y no podr
hacerlos a frecuencias superiores por que el diodo
es muy lento, de esta forma se asegura que oscile a
una sola frecuencia.
 Y el punto de decrecimiento de la corriente lo
obtenemos en UG= 3.85V y I=190.7 mA que es
donde acontece el cambio abrupto de corriente.

La pendiente A sera:
Entonces observamos que Hasta alcanzar la tensin
2 1 umbral UTH = 3,47 V, la resistencia diferencial RG
= del elemento Gunn es positiva. Para UG > UTH,
2 1
RG resulta negativa. La resistencia diferencial se
115.5 96.8 obtiene a partir de los valores recprocos de las
= pendientes de las curvas caractersticas (1/A).
1.29 1.05

= 79.91 /
R G/ R G/
La pendiente B: 12.83 -116
149.3 156.2
=
6.22 5.42

= 8.62 / Grfica corriente contra voltaje 56cm

Se determina el Umbral mximo para voltaje:

Para este caso en especfico en el que el receptor

estaba a una distancia de 28 cm del transmisor, la
corriente tiene su punto mximo alrededor de un
voltaje de UG= 3.47V y alcanza una I=191.7 mA

La grfica es muy similar a la anterior a simple

vista, pero podemos observar que el Umbral del
voltaje realmente es un poco ms bajo que para
una distancia de 28cm, esta consideracin en
cuanto al voltaje. En cuanto a la corriente el punto
de decrecimiento se da antes a comparacin del
anterior con la distancia de 28 cm. Con eso nos
damos cuenta que a pesar de que los voltajes
umbrales y los picos de corriente son casi iguales,
la corriente se atena ms rpido.

Grfica de corriente contra voltaje 75 cm

Se puede apreciar que para valores de voltaje

En esta grafica se puede observar a diferencia
de las analizadas anteriormente que el cambio
de corriente ocurre cuando el voltaje llega a
los 4 voltios a diferencia de los anteriores que
al llegar a las 3.8 voltios baja; con esto
podemos afirmar que a medida que la
distancia del diodo sea mayor se necesitara
mayor voltaje para que el oscilador Gunn
llegue a su mximo pico de corriente.
aplicados al oscilador se tiene una diferente
respuesta en cuanto a potencia de salida, el punto
en el que empieza a existir una potencia de salida,
es el que corresponde a un UG= 3.75V, mientras se
continu aumentado el voltaje llegar un punto en
el cual la potencia de salida ser mxima, la que se
conoce como potencia de salida pico Ppp, y por
ende el voltaje de potencia pico es el valor de
voltaje aplicado al oscilador para el cual la
oscilacin deseada ofrece una mxima potencia de
salida.
Grfica potencia a 56cm

Grfica potencia a 28cm

a.) Cassy Lab

Grfica potencia a 75 cm

b.) Matlab
 [1] Microondas en el espacio libre- fundamentos
fsicos.
LD DIDACTIC GMBH, Tercera Edicin.

[2] Microonda. Osciladores Gunn

Universidad Tcnica Particular de Loja
Electrnica y Telecomunicaciones. Alvarado

[2] Microonda. Osciladores Gunn

Universidad Tcnica Particular de Loja
Electrnica y Telecomunicaciones. Alvarado
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

estar compensadas las periodicidades

del resonador (potencia til de
microondas)
IV. CONCLUSIONES

No existe el concepto de resistencia

negativa, debido a que la resistencia
esttica es siempre positiva, lo que existe
es la resistencia diferencial negativa.
Se impide la oscilacin superior a la
frecuencia deseada debido a que la
cavidad es muy pequea para
conducirlas, y de frecuencias inferiores
debido a que el diodo es muy lento para
generarlas.
Si vamos a comparar como tal con la
curva caracterstica del oscilador
Gunn con la encontrada, se puede
notar que hay una regin donde se
caracteriza por una pendiente positiva,
y se dice que en esta zona hay una
resistencia positiva, hay un voltaje
umbral, y una zona que su curva se
caracteriza por tener una pendiente
negativa y en el encontramos la regin
de funcionamiento.
El Oscilador Gunn se caracteriza por
ser un dispositivo de resistencia
negativa ya que como se observa en
las grficas obtenidas en el mismo
intervalo donde la pendiente es
negativa la potencia tambin en ese
intervalo es mayor, adems se puede
decir que solamente en esta parte
Recursos disponibles en la web;
http://es.scribd.com/doc/93377160/L1-
OSCILADOR-GUNN
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] Microondas en el espacio libre- fundamentos
fsicos.
LD DIDACTIC GMBH, Tercera Edicin.
[2] Microonda. Osciladores Gunn
Universidad Tcnica Particular de Loja
Electrnica y Telecomunicaciones. Alvarado
Recursos disponibles en la web;
http://es.scribd.com/doc/93377160/L1-
OSCILADOR-GUNN
Al observar la grfica, se puede apreciar que al encender
el oscilador, la corriente empieza a crecer a medida que
se aumenta gradualmente el voltaje; caso diferente
cuando se encuentra a una distancia de 56 cm dado que
la corriente crece en un solo punto de voltaje y ya
despus comienza a variar a medida que aumenta el
voltaje; y sus puntos de corriente mxima son los
mismos en las dos distancias.
esa es de 56 cm
En esta grafica se puede observar a diferencia de las
analizadas anteriormente que el cambio de corriente
ocurre cuando el voltaje llega a los 4 voltios a diferencia
de los anteriores que al llegar a las 3.8 voltios baja; con
esto podemos afirmar que a medida que la distancia del
diodo sea mayor se necesitara mayor voltaje para que el
oscilador Gunn llegue a su mximo pico de corriente.
76 cm
Gunn contiene una regin con pendiente negativa (parte
descendente de la curva). Solo en esta regin de las
caractersticas Gunn no atena y puede compensar las
perdidas en el resonador de tal forma que la oscilacin
se hace permanente y es posible obedecer un potencia
til de microondas, esto se ve representado en el mismo
intervalo donde la pendiente es negativa la potencia
tambin en ese intervalo es mayor, adems se puede
decir que solamente en esta parte estar compensadas
las periodicidades del resonador. Tambin, en ese
momento el diodo Gunn esta en una zona de
funcionamiento y se caracteriza por ser un dispositivo de
resistencia negativa, entonces puede considerarse como
un aparato que transforma una corriente elctrica de
baja intensidad en energa de microondas. CONCLUSIN