5 El campo en medios dielctricos

180 El campo en medios dielctricos

5.1 Introduccin
En este captulo discutiremos el comportamiento de los materiales dielctricos o aislantes. En
este tipo de material los electrones se encuentran fuertemente ligados a los ncleos y no pueden
moverse libremente. Dado que las molculas son electricamente neutras, uno podra pensar
que entonces no interactan significativamente con un campo electrosttico externo. Michael
Faraday descubri que al llenar el espacio entre 2 conductores con un aislante,la capacidad de
este condensador aumenta en un factor que depende nicamente de la naturaleza del material
dielctrico.

Como hemos visto en la seccin 3.7.1, existen molculas polares (por ejemplo el agua) en
las cuales las cargas negativas y las cargas positivas se encuentran suficientemente separadas
espacialmente como para poseer un momento dipolar permanente. Normalmente cada molcula
posee un momento dipolar cuya direccin es aleatoria, siendo la suma de todos estos momentos
dipolares nula en la ausencia de un campo elctrico (ver figura 5.4). Cuando se aplica un campo
elctrico externo, un torque se ejerce sobre las molculas y stas se alinearn en la direccin del
campo elctrico, produciendo un momento dipolar neto. Esto significa que las molculas en la
materia produciran un campo elctrico macroscpico significativo.

Notar que lo mismo puede ocurrir en un material compuesto de molculas no polares. Bajo el
efecto de un campo elctrico, las densidades de carga negativa y positiva de cada molcula se
separaran espacialmente, producindose una polarizacin de las molculas como consecuencia
del campo elctrico aplicado. Estas molculas, una vez polarizadas, tambin se alinearn en la
direccin del campo elctrico resultante.

En ambos tipos de dielctricos (polares y no polares), ante la prescencia de un campo elctrico

externo, se produce una polarizacin global de las molculas. Es necesario entonces considerar
su contribucin al campo elctrico total en la presencia de un medio dielctrico.

5.2 Polarizacin
Si un medio se polariza, se efecta una separacin de cargas positivas y negativas, y todo
elemento de volumen se caracterizara entonces por un momento dipolar elctrico, ~p.
Definicin 5.2.1 Polarizacin. Se define la polarizacin ~
P de un medio en un punto ~x
como el momento dipolar elctrico promedio en un volumen diferencial d 3 x alrededor de ~x:

~P(~x) = ~p(~x)
d3x
 5.2 Polarizacin 181

donde p(~x) corresponde al momento dipolar total contenido en d 3 x.

Estrictamente, ~P debe definirse como el lmite de esta cantidad a medida que d 3 x se hace muy
pequeo desde el punto de vista macroscpico, pero suficientemente grande de forma que d 3 x
contiene un gran nmero de molculas. El vector polarizacin tiene unidades de C/m2 .

5.2.1 Potencial generado por un medio dielctrico

Consideremos un volumen de dielctrico caracterizado por su polarizacin ~P(~x) en todo punto
de .

Cada elemento de volumen d 3 x0 se comporta como un dipolo microscpico, de momento dipolar

~p(~x0 ) = ~P(~x0 )d 3 x0 . El potencial en ~x debido a este elemento de volumen sera entonces el
potencial de un dipolo puntual (ver 3.16)

~p(~x0 ) (~x ~x0 ) P(~x0 ) (~x ~x0 )d 3 x0

d (~x) = =
40 k~x ~x0 k3 40 k~x ~x0 k3
El potencial total en ~x se obtiene sumando sobre todo el volumen

ZZZ ~ 0
1 P(~x ) (~x ~x0 ) 3 0
(~x) = 0 3
d x (5.1)
40 k~x ~x k

Ahora mostraremos que el potencial dado por (5.1) puede escribirse como una integral de la
forma (3.2) con una distribucin de cargas adecuada. Utilizando la identidad (3.1), el potencial
se puede reescribir:

1 1
ZZZ
(~x) = ~P(~x0 ) ~0 d 3 x0
40 k~x ~x0 k

ahora consideramos la siguiente identidad: ~ ( f ~F) = f ~ ~F + ~F ~ f , donde f es un campo

escalar y ~F un campo vectorial. Tomando f = 1/k~x ~x0 k y ~F = ~P(~x0 )
!
1 ~P(~x0 ) 1 ~0 ~ 0
~P(~x0 ) ~0 = ~0 P(~x )
k~x ~x0 k k~x ~x0 k k~x ~x0 k

Con esto

1
ZZZ ~P(~x0 ) 1
ZZZ
1 ~0 ~ 0
(~x) = d 3 x0~0 0
d 3 x0 P(~x )
40 k~x ~x k 40 k~x ~x0 k
182 El campo en medios dielctricos

La primera integral puede transformarse en una integral sobre una superficie cerrada mediante el
teorema de la divergencia de Green-Ostrogradsky, obtenindose

1  ~ 0
ZZ ~P(~x0 ) 1
ZZZ
1 ~0 ~ 0
(~x) =   d S(~x ) 0
d 3 x0 P(~x )
40 k~x ~x k 40 k~x ~x0 k

O, equivalentemente

1  ~ x0 ) n(~x0 )
0 P(~ 1 ~0 ~P(~x0 )
ZZ ZZZ
(~x) =  dS(~
x ) 0
+ d 3 x0 (5.2)
40 k~x ~x k 40 k~x ~x0 k

Vemos entonces que el potencial generado por un material dielctrico, dado por (5.2), puede
escribirse como el potencial generado por una distribucin de cargas sobre el volumen P (~x) =
~ ~P(~x) y sobre la superficie P (~x) = ~P(~x) n(~x). Estas son las densidades de carga de
polarizacin.
Definicin 5.2.2 Densidad de carga de polarizacion. Un dielctrico polarizado
puede ser visto como un volumen que contiene una densidad de carga P en su interior y P
en su frontera. La densidad volumtrica de carga de polarizacin es una medida de la no
uniformidad de ~P dentro del material

P (~x) = ~ ~P(~x) ~x (5.3)

mientras que la densidad superficial de carga de polarizacin est dada por la componente de
polarizacin normal a la superficie

P (~x) = ~P(~x) n(~x) ~x (5.4)

Notar que la carga de poalarizacin total de un dielctrico es:


ZZZ ZZ
Qp = (~0 ~P(~x0 ))d 3 x0 +   dS(~x0 )~P(~x0 ) n(~x0 ) = 0

La cual es nula debido al teorema de la divergencia. Aunque el dielctrico sea globalmente

neutro, la aparicin de un momento dipolar a nivel molecular causa una distribucin de cargas
que es localmente distinta de cero.

En resumen, el potencial debido al material dielctrico es, finalmente

1  0 (~ x0 ) 1 (~x0 )
ZZ ZZZ
(~x) =  dS(~
x ) 0
+ d 3 x0 (5.5)
40 k~x ~x k 40 k~x ~x0 k

El campo elctrico se obtiene usando la identidad ~E(~x) = ~ (~x)

1  x0 )(~x ~x0 )
0 (~ 1 (~x0 )(~x ~x0 )
ZZ ZZZ
~E(~x) =   dS(~x ) 0
+ d 3 x0
40 k~x ~x k 3 40 k~x ~x0 k3
 5.3 Ley de Gauss en un dielctrico 183

5.3 Ley de Gauss en un dielctrico

Supongamos que ahora se tiene una cierta distribucin de cargas qi , con i {1, 2, 3, ..., N}
sumergidas en un medio dielctrico. Consideraremos a las cargas qi como libres, es decir, como
cargas que no forman parte del dielctrico, y que en consecuencia no se encuentran ligadas a
ninguna molcula en particular.

No hay que olvidar que adems de estas cargas libres, el medio dielctrico poseer en general
una densidad de carga no nula, debido a que sus molculas se polarizan bajo la accin del campo
elctrico generado por las cargas externas. La ley de Gauss, una de las leyes fundamentales de la
electrosttica, dice que el flujo del campo elctrico a travs de cualquier superficie cerrada S es
proporcional a la carga total encerrada por ella.


ZZ Qlibre + Qpolarizacion
0
E(~x0 ) =
 d~S(~x ) ~
S 0
Hay que inclur entonces toda la carga encerrada por S, tanto la carga de polarizacin como la
carga libre. Supongamos que el volumen encerrado por S se puede escribir como (S) = 1 +2 ,
donde 1 es el volumen ocupado por las cargas libres, y 2 es la porcin de volumen encerrado
por S ocupado por el dielctrico. Esto se muestra en la figura siguiente.

La frontera de 1 es 1 , mientras que la frontera de 2 se puede descomponer en S ( 1 )

(el signo menos toma encuenta el sentido de la normal). La carga de polarizacin se encuentra
en forma volumtrica P en 2 y en forma superficial P en la interfaz 1 entre 1 y 2 .
Entonces, la ley de Gauss se escribe
 ~ 0 ~ 0 1 1  1
ZZ ZZZ ZZ ZZZ
 d S(~x ) E(~x ) = d x libre (~x ) +   d~S(~x0 )P (~x0 ) +
3 0 0
d 3 x0 P (~x0 )
S 0 1 0 1 0 2

Escribiendo las densidades de carga de polarizacin como P = ~P n y P = ~ ~P de acuerdo a

(5.3) y (5.4):
 184 El campo en medios dielctricos

 ~ 0 ~ 0 Qlibre 1   1
ZZ ZZ ZZZ
 d S(~x ) E(~x ) = +  d~S(~x0 ) ~P(~x0 ) d 3 x0~0 ~P(~x0 )
S 0 0 1 0 2

Utilizando el teorema de la divergencia de Green-Ostrogradsky para la ltima integral:

Qlibre 1   1 
ZZ ZZ
= +   d~S(~x0 ) ~P(~x0 )   d~S(~x0 ) ~P(~x0 )
0 0 1 0 S( 1 )
As
 Q 1 
ZZ ZZ
0
E(~x0 ) = libre  d~S(~x0 ) ~P(~x0 )
 d~S(~x ) ~
S 0 0 S

La idea es obtener una ley equivalente a la ley de Gauss en el vaco, donde la integral de flujo de
un cierto campo ~D sobre toda superficie S siga siendo proporcional a la carga libre encerrada por
sta. Notar que la ecuacin anterior se puede reescribir en la forma:

 ~ 0
ZZ  
~ 0 ~ 0
 d S(~
x ) 0 E(~
x ) + P(~
x ) = Qlibre (5.6)
S

Definicin 5.3.1 Desplazamiento elctrico. Se define el campo desplazamiento elc-

trico como:

~D(~x) = 0 ~E(~x) + ~P(~x) (5.7)

el cual satisface la ley de Gauss generalizada:

 ~ 0 ~ 0
ZZ ZZZ
  d S(~x ) D(~x ) = d 3 x0 libre (~x0 ) = Qlibre (5.8)

Notar que toda la informacin sobre la polarizacin del medio se encuentra contenida en ~D.
En el vaco se tiene ~P(~x)= 0, ~D(~x) = 0 ~E(~x) y (5.8) es equivalente a la ley de gauss en el
vaco, (2.2).

5.3.1 Forma diferencial de la ley de Gauss en un dielctrico

A partir de la ley de Gauss 5.8, y utilizando el teorema de la divergencia de Green-Ostrodradsky
ZZZ ZZZ
~ ~D(~x0 )d 3 x0 = (~x0 )d 3 x0

para todo . Se obtiene entonces la forma diferencial de la ley de Gauss en un dielctrico

~ ~D(~x0 ) = (~x0 ) (5.9)

Esta es la primera ecuacin de Maxwell, y es una generalizacin de 3.24. Notar que ~D tiene
la ventaja de conservar como fuentes nicamente las cargas libres. El efecto de las cargas de
polarizacin est contenido en ~D.
 5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica 185

5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica

Para una gran variedad de materiales, la densidad de polarizacin ~P(~x) depende linealmente del
campo elctrico, y se escribe en la forma:

~P(~x) = (~x)0 ~E(~x)

Donde la cantidad adimensional se llama susceptibilidad electrica del material. As, la

expresin de ~D en un medio homogneo ( independiente de la posicin) es, de acuerdo a 5.7:

~D(~x) = 0 (1 + )~E(~x) = ~E(~x) (5.10)

Definicin 5.4.1 Constante dielctrica. Se define = 0 (1 + ) como la permitividad

del medio, la cual es una constante caracteristica del material. Se define la permitividad
relativa, o constante dilectrica, como la cantidad adimensional

= (5.11)
0

de manera que

~D(~x) = ~E(~x) = 0 ~E(~x)

La constante dielctrica es siempre mayor o igual a 1. En el vaco, se tiene por construccin

= 1. La forma diferencial de la ley de Gauss se puede reescribir como:

~ E(~x) = (~x) = (~x) (5.12)

0

Eso significa que la electrosttica en un medio dielctrico lineal, homogneo e isotrpico es

equivalente a la electrosttica en el vaco, a condicin de renormalizar la permitividad = 0 .
Note que el medio se polariza, produciendo un campo elctrico que se opone al campo elctrico
externo, de forma que el campo elctrico total se debilita en un factor respecto al valor que
tendra en el vaco. Esto ocurre por que la densidad de carga de polarizacin tiende a apantallar a
las cargas libres. En la figura siguiente se ilustra el caso de una carga positiva q en un medio
dielctrico. En la interfaz entre la carga y el medio, una nube de carga negativa rodea a la
carga q, produciendo un efecto de apantallamiento. El campo elctrico generado en el medio es
equivalente al campo de una carga q/ < q en el vaco.
186 El campo en medios dielctricos

Un dielctrico con  1 se comporta como un conductor, en el sentido que el campo elctrico

en su interior tiende a anularse.
 Ejemplo 5.1 Esfera cargada en un dielctrico. Una esfera de radio R con carga libre q
esta sumergida en un medio dielctrico homogneo de constante . Calcular
a) Los vectores campo elctrico y polarizacin a una distancia r de la esfera.
b) La densidad de carga de polarizacin

Solucin
a) Usando la ley de gauss general 5.8, con una superficie esfrica de radio r (r > R) concntrica
a la esfera de carga q:


ZZ
0
D(~x0 ) = 4r2 D(r) = q
 d~S(~x ) ~
S
Con lo que

~D(r) = q
r
4r2
El campo elctrico y la polarizacin pueden evaluarse fcilmente a partir de ~D

~D(r) = 0 ~E(r) ~E(r) = q

r
40 r2
adems
~D(~x) = 0 ~E(~x) + ~P(~x)

luego  
~P(r) = ( 0 ) ~E(r) = q q q 1
2
r 0 2
r = 1 r
4r 40 r 4r2

~P(r) = q( 1) r
4r2

b) Claramente el dielctrico ha debilitado la magnitud del campo elctrico en un factor en

comparacin a su valor en el vaco. El campo elctrico es originado por toda la carga, la de
polarizacin y la carga libre. La carga libre es solo la carga de la esfera q. Sin embargo, la carga
de polarizacin posee dos contribuciones, una densidad volumtrica P (~x) = ~ ~P(~x) y una
densidad superficial P (~x) = ~P(~x) n(~x) sobre la interfaz entre el dielctrico y la carga puntual.
Es claro que en todos los puntos del dielctrico
~ ~E(~x) = 0

y entonces
P (~x) = ~ ~P(~x) = 0
Usando que ~P(r) = q( 1)/(4r2 )r, la densidad superficial ser

( 1)q
= ~P n = ~P(R) r =
4R2
y la carga superficial total es
( 1)q ( 1)q
QS = 4R2 2
=
4R
5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica 187

Esta carga compensa y apantalla a la carga libre q. Notar que la carga total presente en el sistema
es:

( 1)q q
Q = Qlibre + QS = q =



 Ejemplo 5.2 Cscara dielctrica. Considere una cscara esfrica dielctrica de radio
interior a, radio exterior b y permitividad . Se coloca una carga puntual q en su centro. Calcule
el campo elctrico en todo el espacio y las densidades de carga de polarizacin.

Solucin
Tomando una superficie gaussiana esfrica arbitraria de radio r > 0 concentrica con la carga libre
q, se tiene

 ~ 0 ~ 0
ZZ
2
 d S(~x ) D(~x ) = 4r D(r) = qin = q
S

Con esto
q
~D(r) = r
4r2
para todo r > 0. Ahora, podemos obtener el campo elctrico como sigue. En la regin r < a, se
tiene

~EI (r) = q
r
4o r2
para a < r < b
~EII (r) = q
r
4r2
188 El campo en medios dielctricos

y para r > b
q
~EIII (r) = r
4o r2
Notar que el campo se debilita en la regin interior al cascarn dielctrico. Ahora,

P = ~ ~P(~x) = ~ ( o ) ~E(r) = 0
Sea in la densidad superficial de polarizacin en la cscara interior y ext la densidad superficial
de polarizacin en la cscara exterior

q( 0 )
in = ( 0 )~EII (a) (r) =
4a2
q( 0 )
ext = ( 0 )~EII (b) (r) =
4b2

se verifica que la carga total de polarizacin es cero, pues Qin = q( 0 )/ = Qext .



 Ejemplo 5.3 Esfera rodeada por un cascarn dielctrico. Una esfera conductora de

radio a tiene una carga Q. La esfera es rodeada por una cscara no conductora, concntrica,
de radio interno b > a y radio externo c, y de constante dielctrica relativa . El sistema se
encuentra aislado de otros cuerpos
a) Encuentre el campo elctrico en todo el espacio
b) Cul es el potencial elctrico de la esfera conductora relativo al potencial en el infinito?
c) Cul es la energa necesaria para mover una carga q desde el inifnito hasta la superficie exterior
del dielctrico?

Solucin
a) Para encontrar el campo elctrico en todo el espacio se puede utilizar la ley de Gauss general
 ~
ZZ
 d S(~x) ~
D(~x) = Qin
S
Para r < a, el campo es idnticamente nulo (densidad de carga libre nula al interior de un
conductor). Para a < r < b, se puede escoger una superficie esfrica de radio r > 0, de forma que
 ~ 
ZZ ZZ
~ 2
 d S(~x) D(~x) =  dS(~x)r D(r)r = D(r)4r
S S
5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica 189

donde la simetra esfrica de la figura impone la condicin de que el campo ~D debe ser radial.
La carga encerrada por esta superficie es Q, luego

Q
4r2 D(r) = Q D(r) =
4r2
Adems, r con a < r < b, ~D(~x) = 0 ~E(~x), as

~E(~x) = Q
r
40 r2

Para b < r < c, se tiene nuevamente


ZZ
 d~S(~x) ~
D(~x) = 4r2 D(r) = Q
S
y

~D(~x) = ~E(~x)

Luego

~E(~x) = Q
r
40 r2

Finalmente, para r > c se obtiene

~E(~x) = Q
r
40 r2

b) Se tiene
Z
(r) = d~x ~E(~x)
r
Dada la naturaleza radial del campo elctrico, se puede escoger un camino radial para evaluar la
integral de lnea, y entonces el potencial en la esfera conductora es

Z b Z c
Q b Q c Q 
Z
(a) = drE(r) + drE(r) + drE(r) =  
40 r a 40 r b 40 r c

a b c

   
Q 1 1 Q 1 1 Q
(a) = + +
40 a b 40 b c 40 c

   
Q Q 1 cb bc Q 1 (b c)( 1)
(a) = + + = +
40 a 40 bc bc 40 a bcr
190 El campo en medios dielctricos

c) La energa necesaria para mover una carga q desde el infinito hasta r = c es

U = q (c)
donde

Q Q
Z Z
(c) = drE(r) = dr =
c c 40 r 40 c
As
qQ
U=
40 c

 Ejemplo 5.4 Se tienen tres esferas conductoras concntricas de radios a, b, y c. El espacio

entre las dos primeras esta lleno con un dielctrico de constante . Inicialmente la esfera de
radio a esta descargada y las esferas de radios b y c tienen carga q1 y q2 , respectivamente. La
esfera interior de radio a se conecta con la esfera de radio c mediante un cable aislado delgado.

a) Calcular la carga libre en cada esfera.

b) Calcular la carga de polarizacin en la superficie externa (r = b) y en la superficie interna
(r = a) del dielctrico

Solucin
a) Definimos las siguientes regiones

Al conectar las esferas de radio a y c, se distribuir la carga en ambas de modo que quedan al
mismo potencial, luego

q2 = qA + qC
5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica 191

Adems, para la regin dada por r < a , ~E(~x) = ~0 pues corresponde al interior de una esfera
conductora. Para a < r < b se utiliza la ley de Gauss con una superficie esfrica de radio r

ZZ
0
D(~x0 ) = 4r2 D(r) = qA
  d~S(~x ) ~
S(r)

~D = qA r
4r2
y luego
~E(r) = qA
r
40 r2

Para la regin b < r < c

 ~ 0 ~ 0
ZZ
2
  d S(~x ) D(~x ) = 4r D(r) = (qA + q1 )
S(r)

~E(r) = (qA + q1 ) r
40 r2

Por ltimo, para r > c

 ~ 0 ~ 0
ZZ
2
  d S(~x ) D(~x ) = 4r D(r) = q1 + qA + qC
S(r)

En resumen

~0 si 0 < r < a
qA
si a < r < b


40 r2
r
~E(~x) = qA +q1
4 r2
r si b < r < c
qA +q10+qC r


40 r2
si c < r
El potencial en la esfera de radio a es
Z Z b Z c Z
(a) = d~r ~E = d~r ~E(r) + d~r ~E(r) + d~r ~E(r)
a a b c
donde la ltima integral corresponde a
Z
d~r ~E(r) = (c) = (a)
c

Z b Z c
qA dr qA + q1 dr
(a) = 2
+ + (a)
40 a r 40 b r2
luego
   
qA 1 1 qA + q1 1 1
+ =0
40 a b 40 b c
ba cb
+ (qA + q1 )
qA =0
ab cb
 
b b q1 (b c) b(c a) bc
qA 1+1 = qA = q1
a c c ac c
192 El campo en medios dielctricos

Finalmente

q1 (b c)a
qA =
b(c a)
q1 (b c)a
qC = q2 qA = q2
b(c a)

b) Sobre la superficie interna del dielctrico,P = ~P n, con ~P = ( 0 ) ~E,~E = qA (40 a2 )r y

n = r. Luego
 ( 0 ) qA ( 1) qA
= =

P 
r=a 40 a2 4a2

y sobre la superficie externa ~E = qA (40 b2 )r, n = r y entonces

 qA ( 1) qA
= ~P n = ( 0 ) =

P  2
r=b 40 b 4b2


 Ejemplo 5.5 Dielctrico inhomogneo. Un cilindro conductor de radio r1 y largo l lleva

una carga q uniformemente distribuda. Alrededor de el, otro cilindro conductor, coaxial con
el anterior, de radio r2 y mismo largo l, tal como indicado en la figura, lleva una carga -q,
tambin uniformemente distribuda. Se llena la regin entre los dos cilindros con un material
cuya constante dielctrica es funcion de la distancia al eje de los cilindros, = (r). Considere
l mucho mayor que r1 y r2

a) Encuentre una expresin para (r) que genere un campo electrosttico radial e independiente
de la distancia al eje
b) Calcule la capacidad del condensador cilndrico correspondiente
c) Calcule la densidad superficial de cargas de polarizacin en la superficie del material dielc-
trico a r = r1 y r = r2 , para el (r) calculado en el item a)
d) Considerando que, en coordenadas cilndricas , ~ ~A = 1r r (rAr ), calcular la densidad
volumtrica de cargas de polarizacin en el dielctrico
5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica 193

e) Calcular la cantidad total de cargas de polarizacin, incluyndose cargas en la superficie y en

el volumen del dielctrico
f) Calcule la energa potencial electrosttica almacenada en el condensador
g) Suponiendo que uno puede sacar el material dielctrico de entre r1 y r2 deslizndolo fcilmente
sin roce a lo largo del eje del sistema, calcule el trabajo necesario para remover el dielctrico de
entre las placas del condensador

Solucin
Para obtener el campo electrosttico en el interior, utilizamos la ley de Gauss general, con una
superficie cilndrica de radio r, con r1 < r < r2 y largo l

Por simetra, es evidente que ~D es de la forma ~D = D(r)r, con esto

 ~ 0 ~ 0 
ZZ ZZ
0
 d S(~x ) D(~x ) =  dS(~x )r D(r)r = q
S S

D(r)2rlD = q
As
~D = q
r
2rl
adems ~D se relaciona con ~E segn

~D(~x) = ~E(~x) = (r)0 ~E(~x)

luego

~E(r) = q
r
2lr(r)0
para que ~E no dependa de r, (r) debe ser de la forma (r) = r , as

~E(r) = q
r
2l0

b) Calculemos la diferencia de potencial entre las cscaras cilndricas

Z r2
d~x ~E(~x) = (r1 ) (r2 ) =
r1

Z r2 Z r2
q q q(r2 r1 )
drr r = dr =
r1 2l0 2l0 r1 2l0
y la capacidad de este condensador es
194 El campo en medios dielctricos

q 2l0
C= =
r2 r1

c) La densidad superficial de cargas de polarizacin est dada por

P (~x) = ~P(~x) n(~x) ~x S

y
~P = ( 0 ) ~E = 1 0 ~E
 
r
sobre la superficie interior n = r, y
   
~P = 1 0 ~E = 1 q
r
r1 r1 2l
y entonces  
 q
1 = ~P n = 1

r=r1 r1 2l

para la superficie exterior, n = r y

 
 q
2 = ~P n = 1

r=r2 r2 2l

d) La densidad volumtrica de carga de polarizacin es P = ~ ~P, y como ~P = P(r)r

1 1 h  i
P = ~ ~P = rP(r) = r 1 0 ~E
r r r r r
     
1 r q 1 ( r) q
P = r 0 =
r r r 2l0 r r 2l
 
1 q q
P = =
r 2l r2l
e) La carga total de polarizacin es
 
ZZZ ZZ ZZ
Qp = P (~x0 )d 3 x0 +  dS(~x0 )1 (~x0 ) +  dS(~x0 )2 (~x0 )
S1 S2

donde S1 = {r = a}, S2 = {r = b} y = {a < r < b}. Se tiene

 q 
   
q2r1 l
ZZ ZZ
0 0 0
 dS(~x )1 (~x ) = 1  dS(~x ) = 1
S1 r1 2l S1 r1 2l
 q
ZZ
0 0
 dS(~x )1 (~x ) = ( r1 )
S1

del mismo modo

  q
ZZ ZZ
0 0
 dS(~
x )2 (~
x ) = x0 ) = ( r2 )
2  dS(~
S2 S1
5.4 Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica 195

por ltimo, recordando que el elemento de volumen en coordenadas cilndricas es d 3 x0 = rdrddz

Z 2 Z l Z r2 Z r2
q 2lq
ZZZ
P (~x0 )d 3 x0 = d dz drr = dr
0 0 r1 2lr 2l r1

q
ZZZ
d 3 x0 P (~x0 ) = (r2 r1 )

As
q q q
QP = (r2 r1 ) ( r1 ) + ( r2 ) = 0

Esto siempre se cumple, pues un dielctrico siempre es elctricamente neutro.
f) La energa almacenada por el condensador es

1 q2
U=
2C
donde
2l0
C=
(r2 r1 )
as

1 q2 (r2 r1 )
U=
2 2l0

g) Tenemos que la energa inicial es

1 q2 (r2 r1 )
Ui =
2 2l0

y la final

1 q2
Uf =
2 Cf
donde C f es la capacidad final (en vaco). En el ejemplo 4.9 se determin la capacidad de un
condensador cilndrico

2l0
Cf =  
ln rr21

y la energa final es entonces  

2 r2
1 q2 1 q ln r1
Uf = =
2 Cf 2 2l0
Finalmente, el trabajo necesario para remover el dielctrico es

1 q2
  
(r1 r2 ) r2
W = U f Ui = ln
2 2l0 r1


 196 El campo en medios dielctricos

5.5 Condiciones de borde en la frontera

Las condiciones que debe satisfacer el campo elctrico en una zona interfacial que separa dos
medios dielctricos se deducen a partir de las leyes diferenciales

~ ~D(~x) = (~x)

~ ~E(~x) = 0

5.5.1 La componente normal de ~E es discontinua en una interfaz

En cualquier zona interfacial entre dos medios se puede construr una superficie cilndrica como
se muestra en la figura

La normal a las tapas coincide con la normal n entre ambas superficies. La ley de Gauss 5.8 nos
da:

 ~
ZZ ZZZ
 d S(~x) ~
D(~x) = (~x)d 3 x
S (S)

Si h es la altura del cilindro, el rea del manto es 2h. En el lmite cuando h 0, el flujo de ~D
sobre el manto tiende a cero, y queda nicamente el flujo a travs de las tapas, cuyas superficies
suponemos igual a A:

 ~
ZZ  
 d S(~
x) ~
D(~
x) = An ~
D 1 ~
D 2
S

Por otro lado, si admitimos una densidad superficial de cargas libres en la interfaz, entonces la
carga libre encerrada es A . Obtenemos entonces
 
n ~D1 ~D2 A = A

As, la componente normal del campo ~D(~x) es discontinua al atravesar una superficie cargada

n (~D1 ~D2 ) = (5.13)

donde n es la normal que apunta desde el medio 2 hacia el medio 1. Para medios dielctricos
lineales, esto se reescribe

n (1 ~E1 2 ~E2 ) = (5.14)

 5.5 Condiciones de borde en la frontera 197

5.5.2 La componente tangencial de ~E es continua en una interfaz

Ahora veremos que la componente tangencial del campo elctrico es continua. A partir de la
ecuacin
~ ~E(~x) = 0

integremos sobre un camino cerrado rectangular , como se muestra en la figura.

~
H
Utilizando la ley de circulacin x E(~x)
d~ = 0. En el caso en que h1 0 y h2 0, se tiene
que esta integral vale:

lE1t lE2t = 0
donde Eit = ~Ei t, con t la direccin tangente a la interfaz. Se deduce que la componente
tangencial de ~E(~x) es continua en la interfaz entre dos medios

E1t = E2t (5.15)

 Ejemplo 5.6 Esferas con dielctrico. Dos esferas concntricas conductoras de radios
a y b, respectivamente, poseen cargas Q. La mitad del espacio entre ellas se llena con un
dielctrico de constante dielctrica .

a) Encuentre el campo elctrico entre las esferas

b) Calcule la densidad superficial de carga libre en la esfera interior.
c) Calcule la densidad de carga de polarizacin inducida en la superficie del dielctrico en r = a

Solucin
a) Sea S una esfera de radio r concntrica a ambas esferas conductoras, con a < r < b. De la ley
de Gauss general
 ~
ZZ
 d S(~x) ~
D(~x) = Q
S
198 El campo en medios dielctricos

la simetra del sistema impone una dependencia y direccin radial para el campo de desplaza-
miento elctrico

~D(~x) = D(r)r

Sean adems S1 y S2 los hemisferios dados por S1 = {0 } y S2 = { 2}.

S
Notar que S1 S2 = S
 ~
ZZ ZZ ZZ
~
 d S(~x) D(~x) = ~ ~
d S(~x) D(~x) + d~S(~x) ~D(~x) = Q
S S1 S2

 ~
ZZ ZZ ZZ
 d S(~x) ~
D(~x) = d~S(~x) 0 ~E(~x) + d~S(~x) 0 ~E(~x) = 2rE(r)0 (1 + )
S S1 S2

donde es la constante dielctrica de la regin asociada al hemisferio S1 . As

~E(~x) = 2Q
r a r b
40 r2 (1 + /0 )

b) Para encontrar la densidad de carga libre en la esfera r = a, utilizamos (5.14):

~E(~x) = (~x) ~x Sa : {r = a}
(~x)

As
Q0
1 = 0 E(a) =
2a2 ( + 0 )
Q
2 = E(a) =
2a2 ( + 0 )

c) Para encontrar la densidad de carga inducida en la superficie de dielctrico con r = a, utilizamos

la relacin

~D(~x) = 0 ~E(~x) + ~P(~x) = ~E(~x)

As, el vector polarizacin est dado por

~P(~x) = ( 0 ) ~E(~x)
5.5 Condiciones de borde en la frontera 199

La densidad de carga de polarizacin inducida en la superficie del dielctrico con r = a es


P = ~P n

~xSa

donde n es la normal a la superficie Sa que apunta hacia la regin exterior al dielctrico, es decir
n = r

P = ( 0 ) E(r)

r=a
 
0 Q
P =
0 + 2a2


 Ejemplo 5.7 Esfera dielctrica en un campo uniforme. Una esfera dielctrica de radio
a y permitividad se coloca en un campo elctrico inicialmente uniforme ~E = E0 k, como se
muestra en la figura

Encuentre el potencial y el campo elctrico en todo el espacio

Solucin
Dada la simetra del problema, resolveremos el problema en coordenadas esfricas, como se
muestra en la figura

Como no hay cargas libres, el potencial electrosttico satisface la ecuacin de Laplace 4.15

~2 = 0

Dada la simetra azimutal (el potencial no depende del angulo polar ), la solucin general para
toma la forma dada por (4.18)

(r, ) = Al rl Pl (cos ) r < a
l=0

 
(r, ) = Bl rl Pl +Cl r(l+1) Pl (cos ) r a
l=0
200 El campo en medios dielctricos

Lejos de la esfera dielctrica, ~E(~x) = E0 z, o, equivalentemente

lim (r, ) = E0 z = E0 r cos

r

es decir
lim (r, ) = Bl rl Pl (cos ) = E0 r cos
r
l=0
De aqu, es claro que Bl = 0 para l 6= 1, y

B1 r cos = E0 r cos B1 = E0
con esto, el potencial para r a toma la forma

(r, ) = E0 r cos + Cl r(l+1) Pl (cos ) r a
l=0

Ahora utilizaremos las condiciones de contorno en la superficie r = a. En primer lugar, la

componente tangencial del campo elctrico en r = a debe ser continua (Ec 5.15)
 
~Eint  = ~Eext 
r=a + r=a
 
~ (r, )  = ~ (r, ) 
 
r=a r=a+

1 (r, )  1 (r, ) 
 =  +
a r=a a r=a
de forma equivalente, se puede imponer la continuidad de en r = a para todo :

Al al Pl (cos ) = E0 a cos + Cl a(l+1) Pl (cos )
l=0 l=0
 
l (l+1)
Al a Cl a Pl (cos ) = E0 a cos
l=0
De aqui, se obtiene

C1
A1 a = E0 a
a2
y para l 6= 1, Al al Cl a(l+1) = 0. Adems, si no hay densidad de carga libre en la superficie
dielctrica, la componente normal del campo ~D(~x) es continua (Ec. 5.13)
 
~D r = ~D r
r=a + r=a

 
~ (r, ) r = 0~ (r, ) r
 
r=a r=a+

(r, )  (r, ) 
 = 0  +
r r=a r r=a
!

l1 (l+2)
Al la Pl (cos ) = 0 E0 cos (l + 1) Cl a Pl (cos )
l=0 l=0
5.5 Condiciones de borde en la frontera 201

  

Al lal1 + (l + 1)Cl a(l+2) Pl (cos ) = E0 cos
l=0 0
de aqu se obtiene  

A1 + 2C1 a3 = E0
0
 

Al lal1 + (l + 1)Cl a(l+2) = 0 l 6= 1
0

En resumen, las condiciones de borde en r = a imponen:

C1
A1 a = E0 a
a2
Al al Cl a(l+1) = 0 l 6= 1
 

A1 + 2C1 a3 = E0
0
 

Al lal1 + (l + 1)Cl a(l+2) = 0 l 6= 1
0

de la segunda ecuacin
1
Al = Cl l 6= 1
a2l+1
reemplazando en la cuarta
 
1
Cl 2l+1 lal1 + (l + 1)Cl a(l+2) = 0 l 6= 1
0 a
   
l l +1
Cl + = 0 l 6= 1
0 al+2 al+2
Luego
Cl = Al = 0 l 6= 1

Para l = 1, de la primera ecuacin

C1
A1 = E0
a3
reemplazando en la tercera
  
C1
E0 + 2C1 a3 = E0
0 a3
   
C1
+ 2 = E0 1
a3 0 0
Finalmente !

3 0 1
C1 = a E0
0 +2
202 El campo en medios dielctricos

! !
0 1 3
A1 = E0 E0 = E0
0 +2 0 + 2

Con esto, se tiene

! !
3 3
(r, ) = E0 r cos = E0 z r<a
0 + 2 0 + 2

!
a3 0 1
(r, ) = E0 r cos + 2 cos E0 ra
r 0 +2
Notar que el potencial interior de la esfera define un campo elctrico uniforme segn z
!
~Eint = E0 3
z E0 z
0 + 2

La figura muestra las equipotenciales para el caso /0 = = 5, en el que el campo elctrico al

interior de la esfera se reduce en un factor 0.43.

Notar que un dielctrico con permitividad muy grande se compora de forma similar a un
conductor, en efecto, si
~ ~E(~x) = 0

y entonces el campo esta forzado a ser nulo en el interior del dielctrico (conductor). La siguiente
figura muestra la solucin para = 100, para la cual el campo al interior de la esfera se reduce
de un factor 0.03.

En este caso, el potencial es prcticamente constante e igual a cero dentro de la esfera 

 Ejemplo 5.8 Esfera dielctrica y carga puntual. Una carga puntual q esta en el espacio
vaco a una distancia d del centro de una esfera dielctrica de radio a < d y constante dielctrica
= /0
a) Encuentre el potencial en todo el espacio.
5.5 Condiciones de borde en la frontera 203

b) Calcule las componentes rectangulares del campo elctrico cerca del centro de la esfera.
c) Verifique que en el lmite , el resultado es el de una esfera conductora

Solucin
La situacin es la siguiente

Si suponemos que la carga se encuentra en el eje z, su posicin se escribe ~x0 = d k. Para la regin
interior a la esfera, r < a

1 q
(r, ) = Al rl Pl (cos ) +
l=0 40 k rr( ) d zk

Mientras que para la regin exterior r > a

1 q
(r, ) = Bl r(l+1) Pl (cos ) +
l=0 40 k rr( ) d zk

Utilizando la expansin de 1/k~x ~x0 k en polinomios de Legendre (4.27)

q rl
(r, ) = Al rl Pl (cos ) + d l+1 Pl (cos ) r < a
l=0 40 l=0

q rl
(r, ) = Bl r(l+1) Pl (cos ) + d l+1 Pl (cos ) a < r < d
l=0 40 l=0

q dl
(r, ) = Bl r(l+1) Pl (cos ) + rl+1 Pl (cos ) r > d
l=0 40 l=0

Ahora, se deben imponer las condiciones de borde apropiadas en el contorno r = a. La compo-

nente tangencial del campo elctrico debe ser continua

1 (r, )  1 (r, ) 
 =  +
a r=a a r=a

o, equivalentemente (r, )(a ) = (r, )(a+ ), luego

q
al
q
al
Al al Pl (cos ) + 40 d l+1 Pl (cos ) = Bl a(l+1) Pl (cos ) + 40 d l+1 Pl (cos )
l=0 l=0 l=0 l=0
204 El campo en medios dielctricos

de aqu se obtiene

Bl = Al a2l+1

Como adems no hay densidad de carga libre en la esfera, la componente normal de ~D(~x) es
continua en r = a

(r, )  (r, ) 
 = 0  +
r r=a r r=a

y recordando que Bl = Al a2l+1

( )

q
lal1
lAl al1 Pl (cos ) + 40 d l+1 Pl (cos )
0 l=0 l=0

q lal1
= (l + 1)Al a(l1) Pl (cos ) + d l+1 Pl (cos )
l=0 40 l=0

Luego, debe tenerse

q lal1 q lal1
 
l1 l1
lAl a + = (l + 1)Al a +
0 40 d l+1 40 d l+1
   
q l
Al l +l +1 = 1
0 40 d l+1 0

Finalmente
 
ql 1 0
Al =
40 d l+1 (1 + l(/0 + 1))
 
ql 1 0 a2l+1
Bl =
40 d l+1 (1 + l(/0 + 1))

Se obtiene

 
q l 1 0 q rl
l
(r, ) = r
d l+1 (1 + l(/0 + 1)) l P (cos ) + d l+1 Pl (cos ) r < a
40 l=0 40 l=0

 
q l 1 0 a2l+1 q rl
(l+1)
(r, ) = r Pl (cos ) + d l+1 Pl (cos ) a < r < d
40 l=0 d l+1 (1 + l(/0 + 1)) 40 l=0
5.5 Condiciones de borde en la frontera 205

 
q l 1 0 a2l+1 q dl
(l+1)
(r, ) = r Pl (cos ) + rl+1 Pl (cos ) r > d
40 l=0 d l+1 (1 + l(/0 + 1)) 40 l=0

La siguiente figura muestra las lneas de campo y las equipotenciales para el caso d = a y = 5.

b) El potencial dentro de la esfera es

 

q l 1 0 l
r l
(r, ) = d l+1 (1 + l(/0 + 1)) + d l+1 r Pl (cos )
40 l=0

(2l + 1)rl
 
q
(r, ) = d l+1 (1 + l(/0 + 1)) Pl (cos )
40 l=0
El campo elctrico est dado por

~E(r, ) = (r, ) r 1 (r, )

r r

(r, ) q (2l + 1)lrl1

= d l+1 (1 + l(/0 + 1)) Pl (cos )
r 40 l=0

1 (r, ) q (2l + 1)rl1

r
= d l+1 (1 + l(/0 + 1)) Pl0 (cos )
40 l=0

Se tiene entonces, para r/d  1, y utilizando la aproximacin a primer orden en r/d:

5r(3 cos2 1)
 
q 3 cos
Er + 3
40 d 2 (2 + /0 ) d (3 + 2/0 )
 
q 3 sin 15r cos sin
E + 3
40 d 2 (2 + /0 ) d (3 + 2/0 )
 206 El campo en medios dielctricos

Utilizando la aproximacin a cero orden, se tiene

3q cos
Er
40 d 2 (2 + /0 )
3q sin
E
40 d 2 (2 + /0 )

q 3
q
k~Ek = Er2 + E2 =
40 d 2 2 + /0

q
Notar que si 1, k~Ek = 40 d 2
, como debe ser. Finalmente

q 3
Ez = Er cos E sin 2
40 d (2 + /0 )
y se deduce entonces:

Ey Ex 0

c) Es inmediato que en el lmite cuando /0 , ~E 0 al interior de la esfera, como debe

ocurrir en un conductor. La siguiente figura muestra las lneas de campo y las equipotenciales
para el caso d = a y = 100.

5.6 Condensadores con dielctricos

Ahora veremos que cuando se inserta un material dielctrico entre las 2 placas de un condensador,
la capacitancia aumenta de un factor , donde es la constante dielctrica. Consideremos el
caso de un condensador plano, de rea A, separacin d, y con una carga Q en el cual se coloca
un material dielctrico de ancho t d de constante dielctrica .
Para encontrar la capacitancia, calculemos primero la diferencia de potencial entre las placas. En
auscencia de dielctrico, sabemos que la magnitud del elctrico entre las placas est dada por
E0 = 0 = Q0 A . La ley de gauss general 5.8 nos dice que las cargas libres en prescencia de un
5.6 Condensadores con dielctricos 207

medio material son fuentes de un campo ~D, tal que la ley de Gauss se sigue cumpliendo para ~D, en
analoga a lo que pasa en el vaco con el campo elctrico. Matemticamente, ~D es prcticamente
idntico (salvo por una constante de multiplicacion) al campo elctrico que generaran las cargas
libres en el vaco. El campo ~D generado por las placas es entonces homogneo en el espacio entre
placas, y nulo al exterior. En la figura siguiente se muestran las lneas de campo ~D generadas por
ambas placas separadamente.

Utilizando la ley de gauss con el cilindro S1 , cuyas tapas poseen una superficie S, se tiene que el
flujo es no nulo nicamente en la tapa que se encuentra al interior del condensador:

DS = S

con la densidad superficial de carga en las placas. Con esto, D = . En todo punto fuera del
dielctrico = 1 (vaco), se tiene entonces ~D = 0 ~E y el campo elctrico ser, al igual que el
caso sin dielctrico, E0 = 0 .

Ahora bien, al interior del dielctrico, ~D = 0 ~E, y entonces el campo elctrico se debilita de un
factor respecto a su valor en el vaco, ED = E0 . Dado que ~D es uniforme, las nicas cargas de
polarizacin aparecen en la superficie del dielctrico, en donde la orientacin de los dipolos a lo
largo del campo elctrico genera una carga superficial que apantalla las placas del condensador
en todo punto interior al dielctrico, como se puede ver en la figura siguiente

El potencial se puede encontrar integrando el campo elctrico sobre una curva vertical que une
la placa superior a la inferior
Z d
Q Q
= dxE = E0 (d t) + EDt = (d t) t
0 A0 A0
208 El campo en medios dielctricos

Q 1
= (d t(1 ))
A0
Con esto se obtiene la capacitancia

Q 0 A
C= =
d t(1 1 )

Notemos que cuando t = d (el espacio entre placas se llena de dielctrico)

0 A
C= = C0
d
donde C0 es la capacidad en la ausencia de dielctrico.
 Ejemplo 5.9 Condensador esfrico con dielctrico. Se tiene un condensador esfrico

de radio interno a y externo b, el cual se llena con un dielctrico de constante dielctrica .

Cul es la capacitancia de este condensador? Si el condensador esta cargado con una carga Q,
encuentre la energa almacenada en l.

Solucin
Supongamos que el condensador tiene almacenada una carga Q, es decir, la superficie r = a est
cargada con carga Q, mientras que la superficie r = b se encuentra cargada con carga Q. Se
puede calcular la capacitancia al determinar la diferencia de potencial entre estas superficies.
Utilizando la ley de Gauss general 5.8, con una superficie esfrica de radio r, con a < r < b

 ~
ZZ
 d S(~x) ~
D(~x) = Q
S

dada la simetra radial, ~D(~x) = D(r)r y entonces

5.6 Condensadores con dielctricos 209


ZZ
 d~S(~x) ~
D(~x) = 4D(r)r2 = Q
S

de esta forma

~D(~x) = Q r a r b
4r2
Adems ~D(~x) = 0 ~E(~x), donde es la constante dielctrica del material. Luego

~E(~x) = Q
r a r b
40 r2
Ahora, la diferencia de potencial entre los extremos del condensador es
Z b
= (a) (b) = d~x ~E(~x)
a

tomando un camino radial de la forma ~x = rr, entonces d~x = drr

Z b  
drQ Q 1 1
= 2
=
a 40 r 40 a b
Finalmente

Q 40 ab
C= =
(b a)
Es decir, se multiplica de un factor > 1 respecto a la capacidad de un condensador esfrico en
el vaco.


 Ejemplo 5.10 Condensador esfrico con 2 dielctricos. Considere una esfera conduc-
tora de radio interior a y radio exterior c. El espacio entre las 2 superficies es llenado con 2
dielctricos distintos, de manera que la constante dielctrica es 1 entre a y b, y 2 entre b y c.
Determine la capacitancia del sistema.

Solucin
Para encontrar la capacitancia, podemos suponer que el condensador se encuentra cargado con
una carga Q. En este estado, habr una cierta diferencia de potencial = (a) (c) entre
r = a y r = c. Para encontrar , necesitamos determinar el campo elctrico en la regin
: {a r c}. Para ello, utilizamos la ley de Gauss general, para una superficie esfrica de
radio r contenida en
210 El campo en medios dielctricos

 ~
ZZ
D(~x) = 4r2 D(r)
 d S(~x) ~
S

esto ltimo dada la clara simetra esfrica del problema. Por la ley de Gauss

 ~
ZZ
 d S(~x) ~
D(~x) = Q
S

De aqui es posible obtener el campo de desplazamiento elctrico en

~D(r) = Q r a r c
4r2
Ahora utilizamos ~D(~x) = 0 ~E(~x), donde es la constante dielctrica. As, para la regin I
(a r b)

Q
0 1 ~E(~x) = r a r b
4r2
Despejando

~E(~x) = Q
r a r b
40 1 r2
Anlogamente, para la regin II (b r c)

~E(~x) = Q
r b r c
40 2 r2
Con esto
Z c
= (a) (c) = d~x ~E(~x)
a

tomando un camino radial de la forma ~x = rr, entonces d~x = drr

Z b Z c  
drQ drQ Q (b a) (c b)
= + = +
a 40 1 r2 b 40 2 r2 40 1 ab 2 bc
Luego  
Q 1 2 abc
C= = 40
2 c(b a) + 1 a(c b)
5.6 Condensadores con dielctricos 211

Otra forma de resolver el sistema es notando que el condensador equivale a dos condensadores
esfricos en serie. Recordando que la capacidad para un condensador esfrico de radio interior
r1 y radio exterior r2 , lleno de un dielctrico lineal de constante (ejemplo 5.9) est dada por
 
r1 r2
C = 40 k
r2 r1
Con lo que la capacidad equivalente del sistema es

1 (b a) (c b) 2 c(b a) + 1 a(c b)
= + =
C 40 1 ab 40 2 bc 40 1 2 abc

As

40 k1 k2 abc
C=
k2 c(b a) + k1 a(c b)
que es el mismo resultado obtenido anteriormente


 Ejemplo 5.11 Condensadores con distintos dielctricos. Calcular la capacidad del

condensador de la figura

Solucin
El problema se puede tratar como 2 condensadores en paralelo, uno formado por los dielctricos
de constante 1 y 2 , y el otro formado por dielctrico de constante 3 y vaco. El primer
condensador (C1 ), se puede ver como 2 condensadores en serie, llenos de los dielctricos 1 y 2,
as
1 1 1
= 0 + 00
C1 C1 C1
Con
1 0 S1
C10 =
d1

2 0 S1
C100 =
d2

1 d1 d2
= +
C1 1 0 S1 2 0 S1
De donde se obtiene

1 2 0 S1
C1 =
d1 2 + d2 1
212 El campo en medios dielctricos

Para el condensador C2 , se procede de manera similar, esto es

1 1 1
= 0 + 00
C2 C2 C2

Donde
0 S2
C20 =
d1
3 0 S2
C200 =
d2
y se obtiene

3 0 S2
C2 =
d1 3 + d2
Finalmente, como C1 y C2 estan en paralelo, la capacidad total ser

1 2 0 S1 3 0 S2
C = C1 +C2 = +
d1 2 + d2 1 d1 3 + d2


 Ejemplo 5.12 Fuerza sobre una barra dielctrica. Se tiene un condensador plano con
placas cuadradas de largo a, separadas una distancia distancia d, y con una carga total Q. Calcular
la fuerza que se ejerce sobre un material dielctrico cuando se encuentra a una distancia x del
punto O.

Solucin
La energa potencial asociada a esta configuracin es

1 Q2
U(x) =
2 C(x)
Notar que la capacitad total del condensador es funcion de x. El sistema se puede ver como dos
condensadores en paralelo

0 ax 0 a(a x)
Ceq = C1 +C2 = +
d d
0 a(x + (a x))
Ceq =
d

Con esto, la energa potencial almacenada es

5.6 Condensadores con dielctricos 213

1 dQ2
U(x) =
2 0 a(x + (a x))
Y la fuerza que se ejerce sobre el dielctrico sera
2 (1 k)
~F = dU i = Q d i
dx 20 a (x + k(a x))2
Notar que (1 k) < 0, es decir, la fuerza apunta segn - i. Esto significa que la placa dielctrica
es atrada hacia el interior del condensador, lo que minimiza la energa potencial.

 Ejemplo 5.13 Fuerza sobre un bloque dielctrico. Considere el sistema dado en la

figura. Entre las dos placas planas y metalicas de un condensador se encuentra un bloque de
material dielctrico con constante dielctrica . Las placas del condensador (cargadas con carga
Q) tienen largo l y ancho a, y se encuentran a una distancia d. El bloque de dielctrico tiene
las mismas dimensiones y una masa m.

a) Calcule la fuerza que ejerce el condensador sobre el dielctrico dado que el dielctrico ocupa
un largo x adentro del condensador
b) La fuerza de la parte a) actua contra la fuerza gravitacional. Cul es el largo x que ocupa el
dielctrico dentro del condensador en el equilibrio?
c) Cul es la carga minima Qmin que se necesita en las placas del condensador para que el
dielctrico se quede dentro del condensador?

Solucin
a) La prescencia del bloque dielctrico al interior del condensador altera la capacidad de este. Si
el bloque ocupa un largo x en el condensador, la capacidad puede ser vista como la equivalente
etre 2 condensadores en paralelo, un condensador en vaco de largo (l x), y un condensador
con dielctrico de largo x
 
0 a(l x) 0 ax 0 al x l x
C(x) = + = +
d d d l l
Notar que C0 = 0 al/d es la capacidad para x = 0, o equivalentemente, la capacidad del conden-
sador en vaco. Con esta notacin
 x
C(x) = C0 1 + ( 1)
l
214 El campo en medios dielctricos

Esta configuracin tiene asociada una energa potencial dada por

Q2
U(x) =
2C(x)
luego la fuerza que se ejerce sobre el dielctrico es
2 0
~F = dU(x) i = Q C (x) i
dx 2 C2 (x)

con  
0 1
C (x) = C0
l

As !
Q2 C0 1
l Q2 ( 1) 1
F(x) = =
x 2

2
2 2C0 l 1 + ( 1) xl


C02 1 + ( 1) l
Definiendo
Q2 ( 1)
F0 =
2C0 l
F0
F(x) =
2
1 + ( 1) xl

b) Para encontrar la posicin de equilibrio, buscamos x tal que F(x) = mg

 x 2 F0
1 + ( 1) =
l mg
s
x F0
1 + ( 1) =
l mg
 ( s )
x 1 F0
= 1
l 1 mg
5.6 Condensadores con dielctricos 215

La solucin debe ser tal que x/l (0, 1), lo que es posible nicamente para
  (s )
x 1 F0
= 1
l 1 mg

Finalmente
  (s )
l F0
x= 1
1 mg

c) Para que la solucin exista, debe tenerse

x
0 1
l
s !
1 F0
0 1 1
1 mg

s !
F0
0 1 ( 1)
mg
Luego debe tenerse
s
F0
1 r
mg

Equivalentemente

mg F0 r2 mg
La primera condicin es la relevante para obtener la carga minima, en efecto

F0 mg

Q2min ( 1)
mg
2C0 l
As
2C0 lmg
Q2min =
1
r
2C0 lmg
| Qmin |=
1

s
20 al 2 mg
| Qmin |= )
d( 1

216 El campo en medios dielctricos

 Ejemplo 5.14 Condensador sumergido en un lquido dielctrico. Un condensador

cilndrico de altura l y cuyos conductores tienen radios a y b (b > a), est cargado con una carga
Q, es decir, una armadura tiene carga +Q y la otra Q. Entre ellas existe vaco. Este dispositivo
se sumerge en un lquido dielctrico de densidad constante y permitividad , a una profundidad
h.
Determinar la altura h que sube el nivel del lquido que queda dentro del condensador, en
relacin al lquido externo.

Solucin
La diferencia de nivel h estara dada por el equilibrio entre la fuerza elctrica sobre el lquido y
su peso. Sea x = h + h, y dado que la carga en el condensador es constante, se tiene:

1 Q2
U(x) =
2 C(x)
La fuerza electrosttica es

~F = U i
x
Con C(x) la capacidad del condensador cuando el agua esta a una altura x. El condensador puede
considerarse como dos condensadores conectados en paralelo, uno de altura l x y otro de altura
x. La capacidad total ser la suma de las capacidades C1 , C2 . Para calcular la capacidad del
condensador de altura x, supongamos que hay una carga q2 distribuda en el conductor interno.
As, utilizando un cilindro como superficie de gauss de radio r, concntrico al conductor interno
y contenido en la regin con dielctrico, se tiene

 ~ 0 ~ 0
ZZ
 d S(~x ) D(~x ) = q2

Si ~D(r) = D(r)r, se tiene

~D(r) = q2 r
2rx
De donde

~E(r) = q2
r
2rx

Ahora podemos obtener el potencial entre los conductores como

Z b  
~E d~r = q2 b
= ln
a 2x a
5.6 Condensadores con dielctricos 217

Con lo que la capacidad para este condensador ser

2x
C2 =
ln ba

Anlogamente se obtiene la capacidad para el condensador superior, que estar dada por

20 (l x)
C1 =
ln ba

La capacidad total del sistema ser la suma de ambas

2
C = C1 +C2 =
(x + 0 (l x))
ln ab
Y la energa almacenada es

1 Q2 ln(b/a)
U(x) =
4 x( 0 ) + 0 l
Derivando se obtiene la fuerza que tiende a subir el nivel del lquido dielctrico
2
~F = dU i = 1 Q ln(b/a)( o ) i
dx 4 (x( 0 ) + 0 l)2
Y el peso del lquido que es elevado una altura h = x h es

W = (x h)(b2 a2 )
Finalmente la ecuacin para determinar x es

1 Q2 ln(b/a)(0 )
(x h)(b2 a2 ) =
4 (x( 0 ) + 0 l)2
con lo cual se determina h = x h

 218 El campo en medios dielctricos

5.7 Resumen y frmulas escenciales

Un medio material, compuesto por molculas o tomos neutros, est caracterizado por su
vector polarizacin ~P, que representa la polarizacin media por unidad de volumen.

Un medio de volumen puede ser visto como un volumen cargado, que consiste en la
superposicin de una densidad volumtrica P en y una densidad superficial P sobre
, dadas por:

P = ~ ~P P = ~P n

donde n es la normal a la superficie .

La ley de Gauss en un medio material se escribe:

ZZ
 ~D d~S = Q ~ ~


libre D = libre
donde ~D es el vector desplazamiento, definido por
~D = 0~E + ~P

En un medio lineal, los momentos dipolares se alinean segn el campo elctrico ~E, la
polarizacin es entonces proporcional a ~E, ~P = ~E, con > 0. El vector desplazamiento
se puede escribir:
~D = ~E

donde = 0 (1 + ) > 0 es la permitividad del medio. Todo ocurre como en el vaco,

a condicin de renormalizar la permitividad. Las ecuaciones fundamentales de la elec-
trosttica en la materia se escriben entonces:
~ ~E = ~ ~E = ~0

donde representa la densidad de cargas libres. El medio tiende a disminur el campo

elctrico que genera una carga libre, debido a que las cargas de polarizacin inducidas
tienden a apantallar a sta ltima.