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Resumen

El presente informe se basa en el experimento realizado en el laboratorio 6.


En este se llev a cabo un estudio sobre las curvas caractersticas de un
transistor de unin bipolar (BJT) 2N2222 en unin NPN. En este laboratorio
se varia la corriente de base para s obtener una a una las curvas
caractersticas. Adems, se realiza el clculo de la resistencia dinmica y la
resistencia esttica de dicho transistor.

Conclusin
Se obtuvieron las curvas caractersticas del transistor de unin bipolar NPN la cual
est conformada por los valores de VCE e IC; en el eje horizontal irn los valores
del voltaje, mientras que en el eje vertical estn los valores de la corriente. Adems,
mediante este experimento se logr apreciar la zona de saturacin; zona hace que
se comporte parecido a un corto-circuito y la de corte; que hace que se comporte
como un circuito abierto. Tambin se confirm que el valor del parmetro beta difiere
de transistor en transistor, aun cuando sea del mismo tipo. Y se comprob que este
valor vara el punto de operacin de los transistores directamente. Por esto Se
deber tomar en cuenta el factor beta del transistor, para realizar los clculos
adecuadamente.
Introduccin
, adems de esto es importante tener en cuenta la distribucin de patillas del
transistor que se usa. En este informe hablaremos principalmente de las curvas
caractersticas del transistor de unin bipolar 2n2222 en configuracin NPN. El
transistor de unin bipolar posee 3 puntos de operacin los cuales son: regin de
saturacin, regin lineal y regin de corte. La regin de saturacin es la zona en la
que el transistor opera con corriente que puede ser alta y voltaje muy bajo. Es decir,
llevar el transistor a operar en esta regin, hace que se comporte parecido a un
corto-circuito. La regin de corte es la zona en la que la corriente es baja, tiende a
cero, sin importar cuanto aumente el voltaje entre colector y emisor. Es decir, llevar
el transistor a operar en esta regin, hace que se comporte como un circuito abierto.
La regin lineal es la zona En esta regin es donde se cumplen las condiciones de
ganancia de corriente () y el transistor presenta un comportamiento lineal. En esta
regin se desarrollan aplicaciones como amplificadores, controladores de
actuadores, monitoreo de sensores, etc. Una recomendacin de uso en esta regin,
consiste en no llevar el transistor hacia la esquina superior derecha, donde los
niveles de potencia (V*I) son elevados y podran daar al transistor. Al final de este
laboratorio se calcul la resistencia dinmica y la resistencia esttica del transistor
utilizado, esto se logr empleando una corriente de 36,35uA ya que nuestro
transistor no nos permita llegar a la corriente que se solicitaba en el instructivo que
era de 200ua ya que para este valor de corriente el transistor empleado ya se
ubicaba en la regin de saturacin.

Introduccin 2.1
Un transistor tiene cuatro regiones de operacin distintas: activa, corte,
saturacin y disrupcin.

Imagen cur 1
La curva de la Figura 1 presenta diferentes regiones en las que el
funcionamiento del transistor vara. La primera de ellas es la regin intermedia
donde VCE toma valores entre 1 y 40 V, y tiene lugar el funcionamiento
normal del transistor. En esta regin, el diodo de emisor est polarizado en
directa y el diodo de colector est polarizado en inversa. Adems, el colector
captura casi todos los electrones que el emisor ha inyectado en la base. Por
esta razn, los cambios en la tensin del colector no tienen efecto en la
corriente de colector. Esta regin es la regin activa. Grficamente, la regin
activa es la parte horizontal de la curva. En otras palabras, la corriente de
colector es constante en esta regin.

Otra regin de operacin es la regin de disrupcin Figura 2. El transistor


nunca debera funcionar en esta regin porque se destruira. A diferencia del
diodo zener, que est optimizado para trabajar en la zona de disrupcin, el
transistor no est preparado para operar en esta regin.

La tercera es la parte creciente de la curva, donde VCE toma valores entre 0 V


y unas dcimas de voltio. Esta parte de la curva define la regin de saturacin
Figura 3. En esta regin, el diodo de colector no tiene la suficiente tensin
positiva como para capturar todos los electrones libres inyectados en la base.
En esta regin, la corriente de base IB es mayor que la normal y la ganancia
de corriente dc es menor que la normal.

Imagen curvas1 antes de emplear cualquier dispositivo electrnico en un


experimento
La curva inferior de la Figura 4 es una curva inesperada: representa una cuarta
regin de operacin. Observe que la corriente de base es cero, pero existe una
pequea corriente de colector. En un trazador de curvas, esta corriente
normalmente no es tan pequea como para no poder verla y aqu se ha
exagerado al dibujarla ms grande de lo que es habitual. Esta curva de la parte
inferior es la regin de corte del transistor y la pequea corriente de colector
se denomina corriente de corte de colector.

Cuando se emplean transistores en un experimento hay que tomar cosas en


cuenta, como sus valores mx y otros datos como la distribucin de sus patillas
que se obtienen al leer la hoja de datos previamente, la tabla de dados del diodo
que fue empleado se muestra en la figura 5,
Pantallazo 1
El transistor posee resistencia dinmica y esttica dependiendo de si su
entrada es en CA o en CC

Resistencia esttica Disrupcin


La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor
produce un punto de operacin en la curva de caractersticas que no cambia con el tiempo.
Esta resistencia recibe el nombre de resistencia esttica, esta resistencia se halla
determinando los niveles correspondientes de VD e ID aplicando la siguiente ecuacin:

Es obvio de acuerdo con la ecuacin (1.3) que la resistencia de cd de un diodo es


independiente de la forma de las caractersticas en la regin alrededor del punto de inters.

Para esta resistencia hay que tener en cuenta que cuanto mayor sea la corriente a travs de
un diodo, menor ser el nivel de resistencia de cd.

Resistencia dinmica

Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd, la situacin cambiar por completo.
La entrada variable mover el punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo de
una regin de las caractersticas, y por lo tanto define un cambio especfico de la corriente y
voltaje. Esta resistencia se llama resistencia dinamica se calcula empleando la siguiente
ecuacin:

Para esta resistencia hay que tener en cuenta que cuanto ms bajo est el punto de
operacin (menor corriente o menor voltaje), ms alta es la resistencia de ca.

Se definir cada una ms adelante


En el modo de cd los niveles de IC e IB estn relacionados por una cantidad llamada beta y
definida por la siguiente ecuacin:

donde IC e IB se determinan en un punto de operacin particular en las caractersticas. Para


dispositivos prcticos el nivel de b por lo general vara de aproximadamente 50 a ms de
400, con la mayora de los valores en el intervalo medio. Para un dispositivo con una b de

En el laboratorio se construy un circuito como el de la figura. Para el cual se


emple; un diodo rectificador de silicio 1N4001, dos resistencias una de
100 y otra de 10k, un transistor BJT 2N2222, un generador con salida
sinusoidal a 500 Hz de frecuencia con una amplitud de 5Vp y una fuente
CD.

Circuito de medicin