ELECTRNICA INDUSTRIAL

CAPITULO N1
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Concepto de carga no lineal
Serie de Fourier
Rectificadores con diodos
Rectificadores monofsicos de onda completa
Cargadores de batera
Rectificadores con filtro inductivo
Rectificadores con filtro capacitivo
Tiristor
Triac
Tiristor de apagado por puerta (GTO)
Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT))
Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT)
Simetrical Gate Commutated Thyristor (SGCT)
Injection Enhanced Gate Transistor (IEGT)

2
 Dispositivos Semiconductores de Potencia
Desarrollo en el tiempo de los Semiconductores de Potencia

Semiconductores de Potencia de 10KV/20kA

3
 CONCEPTO DE CARGA NO LINEAL

iin vin

vin D
R
wt
iin
vin Vm senwt V

wt

1
i( t ) dt
1 2
I DC I EF
T
i( t ) dt I EF I 2
n I 2
DC I 2
AC I AC I 2
n
T n 0 n 1

T
1 vin V 1 2 Vm
I DC
T
0
2
R
dt m
R
I EF
T
i(t ) dt
2R
I AC I EF
2
I DC
2

Ejemplo : vin 220 2 senwt V R 10

I DC 9,9 A I EF 15,56 A I AC 12 A
4
 SERIE DE FOURIER

f(t) A0 An cos (nwt) Bn sin (nwt)
n 1 f(t) A0 Cn sen(nwt n )
n 1
1 T
A0 f(t)dt
T 0 Cn An2 Bn2
2 T
An f(t) cos (nwt)dt An
T 0
n tan
1
2 T
Bn f(t)sin(nwt)dt Bn
T 0

iin
iin

vin D
R
T T t
2

Vm Vm 2Vm
iin (t ) senwt cos nwt
R 2R n 2 , 4 , 6.... ( n 1) R
2

5
 iin iin

vin D
R T
2
T t

Vm Vm 2Vm
iin (t ) senwt cos nwt
R 2R n 2 , 4 , 6.... ( n 1) R
2

I in

vin I0 I1 I2 I4 I6 In

Vm
I 0 A0
R
Vm
I1
2 2 R I EF n
I 2

n 0
I 2
0 I 1
2
I 2
2 I 2
n
2Vm
I2
3 2 R
1 2 Vm
In 2
2Vm I EF
T i(t ) dt
2R
(n 1) 2 R 6
Ejemplo : vin 220 2 senwt V R 10
iin
iin

vin D
R T
2
T t

Vm Vm 2Vm
iin (t ) senwt cos nwt
R 2R n 2 , 4 , 6.... ( n 2
1) R
I in

Vin I0 I1 I2 I3 I4 In

Vm 2Vm
I 0 A0 9,9 A I2 4,67 A
R 3 2 R
Vm 2Vm
I1 11A I4 0,93 A
2 2 R 15 2 R

7
 Rectificador de i0 D-46/KBPC D-37/KBB GBL

onda completa
iin
vin R v0 D-34/GBPC/MB GBU

vin

wt
vin Vm senwt
v0
v0 Vm senwt
wt

2Vm 2Vm

1 2Vm 1 2 Vm
v0 (t )

sennwt V v dt VEF
T
v dt
n 2 , 4 , 6.... ( n 1)

DC (t ) (t )
2 2
T

Rizado

1 4 VAC 2
VAC V 2
V 2
Vm 2 0.31Vm 100% ( 1)100% 48%
2
EF DC
VDC 8 8
 Rectificadores
vin
Vm
vin i0
v1
R wt

i0

vin Vm senwt
wt
Vm I AC 2

i0 senwt 100% ( 1)100% 48%

R I DC 8

2Vm 4Vm 1 1 1 1
i0
R R 3
cos 2 wt cos 4 wt cos 6 wt ......... cos 2 nwt
15 35 2n 12n 1
2Vm 4Vm 1 2Vm
i0
R R n 2, 4.. (n 1)
2
cos( nwt ) I0
R
2 2Vm
2 I2
2Vm 1 3R
I EF I
n 0
2
n
R
1 2
n 1 4 n 2
1

2 2Vm
I4
15R
1 Vm
I EF i(t ) dt
2
2 2Vm
T 2R I 2n
( 4n 2 1)R 9
 Vm sen1 E
Cargador de Batera
E
vin 1 sen 1
Vm
i0 2 1
wt Vm sen E
i0 1 2
R R
vin i0
2 2 Vm sen E
2 1
E I DC d
R
Vm sen E
2
1 2 wt 2 2
I EF
2 1

R
d

Ejemplo: Calcular R para que la corriente

media de la Batera de 12V sea 5A.
220V / 22V / 22V
i0 E
1 sen 1 22.7 2Vm E E
220VEF Vm I DC cos 1 1
R Vm 2Vm
E R
2 1 157.3

R 1.86
E 2
1 2 2 1 1 sen 21 cos 1
V 1 8 E
I EF m I EF 6.38 A
2 R Vm 90 Vm

PR RI EF
2
76W Respuesta: R=1.86/76W 10
 i0 vin
Rectificadores

Filtro Inductivo L
wt
vin v0 R
v0

wt
i0

L
2Vm 4Vm 1
v0


n 2, 4.. (n 1)
2
cos( nwt ) v0 R Z R j ( nwL) R 2 (nwL) 2 n

2V 4V 1 cos( nwt n ) vS 220VEF / 50 Hz 2Vm

i0 m m
R
2
n 2 , 4.. ( n 1) R 2 (nwL) 2 R 10
I0
R
19,8 A

2 2Vm
L 100mHy I2
3 R 2 (2 wL) 2
2 2Vm
I4
15 R 2 (4 wL) 2
2 2Vm
I6 11
35 R 2 (6 wL) 2
 Filtro Capacitivo
v0
vr ( pp )
iR VM
wt vr ( pp)
iS 2 fRC
v0
vS iR vr ( pp)
C R V0 ( DC ) VM
wt 2
1
iS V0 ( DC ) VM 1
4 fRC
wt

Ejemplo: vS 220VEF / 50 Hz VM
vr ( pp) 31.11V
iR R 100 2 fRC

iS
C 1000uF V0 ( DC ) VM
vr ( pp)
295.57V
v0 2
vS C R 31.11
2 3 100% 3.04%
295.57
12
 t

Filtro Capacitivo Vm e RC

v0
vr ( pp )
iR
iS wt
v0 Vm cos wt
vS Im
C R
iR
wt
vS 220VEF / 50 Hz
R 100
C 1000uF

t

4 RC
Vm cos wt Vm e RC
1
90 sen 1 T 25,2
1
4 RC
1

fRC 2 T
cos e 180 Vm
Im 22.2 A
156,4

R
0, 2
cos e 2 180 23,6 13
 Tiristor o SCR (Rectificador controlado de silicio)

Encapsulados

14
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL SCR
 Tiristor
Circuito
de Control

i gk 1 Vin (1 cos )
iin I DC i( t ) dt
T 2R
SCR
vin R 1 2 Vin sin( 2 )
T
I EF i dt 1
2
(t )
2R 180

i gk
2 3
2 wt
vin v0

2 wt

15
 Control de ngulo de fase

1 2 Vin sin( 2 )
T
I DC 0 I EF i dt 1
2
(t )
Circuito R 180
de Control

T2 1
iin PA
T v( t ) i( t ) dt PS VEF I EF
T1
vin Circuito R
1 2 PA sin( 2 )
de Control
PA R i(t ) dt RI EF
2 FP
PS
1
180

2
T

vin
v0

2 2 wt

16
 TRIAC

Circuito de Control

iin

vin R
Triacs

17
 Circuito de Control

iin

vin R
Triacs
sen 2
VDC 0 A VEF Vin 1
180 2

f(t) A0 An cos (nwt) Bn sin (nwt) A12 B12 A1 V1 V1 1
n 1 V1 tag 1
1 T 2 B1 V 1
2
sen 2
2
A0 f(t)dt V1 m sen 2
1
180
T 0 Vm 2 2
2 T A1 sen 2
An f(t) cos (nwt)dt 1
sen 2
T 0
sen 2 1 tag
1
sen 2
2 T
Bn f(t)sin(nwt)dt B1 Vm 1 1
T 0 180 2 180 2

Si : Vin 220VEF

VEF
2
150 90 30
THDv 2 1 100%
V1 V1 18.62V 130.4V 214.4V

1 - 70.1 - 32.5 - 4.7

VEF 37.4V 155.6V 216.8V

THDv 174% 65% 15%

18
 FORMULAS
1
PA T ( t ) ( t )

1 v i dt
i( t ) dt
1 2
I DC I EF i(t ) dt I EF I 2
n I DC
2
I AC
2
FP
T T n 0
PS VEF I EF

f (t ) A0 An cos( nwt ) Bn sin( nwt )
n 1
I EF I
n 0
2
n I 02 I12 I 22 I 32
I n2

1 T I 0 A0
A0
T 0
f (t )dt
A12 B12 A1
2 T I1 tag 1
An f (t ) cos( nwt )dt 2 B1
T 0
An2 Bn2 An
2 T In tag 1
Bn f (t ) sin (nwt )dt 2 Bn
T 0
SERIE DE FOURIER

I 2 (nI n )2
n2
n
I EF
2
FactorK n 1
THDi 100% 2 1 100% 2
I EF
I1 1I

IEEE 519/92 ANSI/IEEE C57.110

D. S. 327/97
19
 GTO (Tiristor de apagado por puerta)

Circuito
de Control

igk
iin

VDC GTO
VDC R

i gk t
t VDC V
I DC k I EF k DC
iin R R

0 kT T t Calcular I1, I2, I3, I4

20
T
 IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada)

C1

G1
E1C2
C

G2

E2

E

VDC

t
Vge

t
I in
I in IGBT
t
VCE

VDC V ge
t Circuito
R
PCE de Control

0 kT T t
21
T
 Prdidas en la conmutacin en semiconductores
t
V
i (t ) e
I in IGBT
R

t

v(t ) V 1 e

V ge

VDC
Circuito
R p (t ) i (t )v(t )
de Control
1 T
PA
T 0
p (t )dt
2
V2
T

PA 1 e
V
R T
t
Vge toff ton ln 9
t 2
V f toff
ln 9
2 2
f toff
i (t ) PA 1 e o ff
f t V

R ln 9 R ln 9
t
v (t )
Ejemplo :
t
p (t ) V 440V
R 20
0 kT T t
f 40kHz
T
toff ton 0,25useg PA 44W
22
 El IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
1. Es un semiconductor de potencia
integrado de ltima generacin.
2. El IGCT fue diseado para
optimizar el diseo mecnico de
los equipos.
3. Modulo compacto que permte un
rpido reemplazo del IGCT.

Aplicaciones:
Drives de MT
Co-Generacin (G. Elicos)
Sistemas de Transmisin Flexible AC (FACTS)
Breakers de Estado Slido (SSB)
Mejoramineto de la Calidad de energa
Calentamiento por Induccin. 23
 El IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)

Caractersticas:
Diseo compacto
Circuito de disparo integrado
Diodo Freewheling integrado
Red snubber incorporada
Bajas prdidas
Encapsulado de baja Inductancia
Alta velocidad
Menor fallas por fatiga o acoplamiento
Robustez Trmica
Alta Fiabilidad

24
 Diagrama de bloque de la unidad de disparo (gate driver)

Caractersticas:
1. Canales separados para disparo de encendido y de apagado.
2. Link de fibra ptica desde la tarjeta de interface que enva la
informacin del disparo a los IGCTs.
3. LEDs indicadores de estatus.
25
CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT

26
 CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT 5SHY35L4510

Datos sobre el
encendido del IGCT

27
CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT 5SHY35L4510

Datos sobre el
apagado del IGCT

28
 CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT 5SHY35L4510

Informacin de la
unidad electrnica o
gate driver

29
 SGCT (Simetrical Gate Commutated Thyristor)

GTO modificado con circuito de disparo integrado

Disparo por Corriente
Inductancias parsitas bajas.
Bajas prdidas de disparo y conduccin.
Bajo estrs trmico
PIV (Peak Inverse Voltage) simtrico (en ambas
direcciones) de 6.500V
Corriente unidireccional
Red snubber simple.
Frecuencia de Disparo de 420 - 540Hz
Reduccin de n de componentes.
Fcil mantenimiento

30
 IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
Circuito de disparo
separado del semiconductor
Disparo por Tensin

31
 Universidad de Santiago de Chile
Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Elctrica