INFORME AVANCE PROYECTO

ETAPA DE SALIDA:
AMPLIFICADOR CLASE AB

IRINA JIMENA AVILA SALAZAR

20151133798
LUIS FERNANDO HOYOS CORREDOR
20151134557

PRESENTADO A:
ING. JULIAN ADOLFO RAMIREZ

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
INGENIERIA ELECTRONICA
NEIVA-HUILA
2017
 RESUMEN

En esta primera parte del proyecto, se realizar el diseo del circuito de clase AB, adems de
las debidas simulaciones para comprobar si el diseo es el adecuado y se conocern los
conceptos de los componentes con los cuales se va a trabajar, adems de la teora del
Amplificador de potencia de clase AB.
En nuestro caso se dar prioridad a la ganancia de corriente, procurando no descuidar otros
aspectos como la estabilidad, la eficiencia, la distorsin armnica, etc.
Para el presente documento se realiza el anlisis y diseo de un amplificador de potencia
usando el Mosfet 2N7000G junto con el complementario que fuera en la mayor medida
posible a este, que para nuestro caso es un BST100
No se usa el encapsulado que se propone en la rbrica, ya que no se encuentra disponible en
los simuladores con los que se cuenta, complicando el proceso de diseo de esta etapa de
salida
Esta etapa de salida es la que se presume que se va a utilizar en el proyecto final de esta
asignatura

INTRODUCCION

El amplificador de potencia de clase AB, es usado en las etapas finales de un circuito

amplificador, cuya funcin es amplificar la corriente que se le entrega a una carga; este tipo
de amplificadores son ampliamente usados en audio, predominando el uso de los transistores
BJT como Q1 y Q2.
El reto propuesto para este avance fue encontrar una forma de realizar el anlisis y diseo
para transistores de tipo MOSFET, que a pesar de no ser muy usado para esta rea debido a
las alinealidades que presenta, presenta la ventaja que tiene una capacidad de respuesta
rpida.

OBJETIVOS

Conocer prcticamente el funcionamiento del amplificador de potencia de clase AB

Determinar la respuesta en frecuencia para conocer el ancho de banda del
amplificador.
Determinar la potencia mxima de salida y la eficiencia del amplificador.
Conocer la distorsin armnica del amplificador.

MARCO TEORICO

Amplificadores de potencia

Se ha utilizado para los circuitos lineales una sola forma de polarizar, que implico tambin
una determinada clase de funcionamiento, pero existe, no obstante, otras clases adems de la
ya utilizada. Entre las cuales estn:
-Clase A: Un amplificador con condiciones de operacin tales que, circule corriente por el
terminal de salida durante los 360 del ciclo de la seal de entrada.

-Clase B: un amplificador con condiciones de operacin tales que, circule corriente por el
terminal de salida durante 180 del ciclo de la seal de entrada.

-Clase AB: un amplificador con condiciones de operacin tales que, circule corriente por el
terminal de salida durante un ngulo de la seal de entrada tal que 180 < < 360.

-Clase C: Un amplificador con condiciones de operacin tales que, circule corriente por el
terminal de salida durante un ngulo de la seal de entrada menor a 180.

Figura 1. Distintas formas de visualizar las clases de funcionamiento

Amplificadores clase AB

Se dice que este amplificador posee un comportamiento en clase A y clase B. En este

amplificador, el funcionamiento del dispositivo de potencia es mayor a los 180 y menor a
360.
El amplificador de simetra complementaria puede ser modificado de acuerdo al esquema
indicado en la Fig. 1. Para lo cual se requiere que VBB 2 = VBE = VEB: lo que asegure que
ambos transistores queden al borde de la conduccin.
 Figura 2. amplificador clase AB de simetra complementaria.

Luego un pequeo voltaje positivo har que conduzca ale transistor NPN, 16 de forma
anloga el transistor funcionar con un pequeo voltaje negativo en la entrada. De acuerdo a
esto se indican las variantes de la Fig. 23, esto permite que los transistores entren en operacin
al recibir la seal de entrada.

Figura 3. Modificacin del amplificador con simetra complementaria (a) Divisor de

voltaje. (b) alternativo. (c) con diodos.

La corriente de salida circula entre medio ciclo y el ciclo completo de la seal de entrada.

Figura 4. Seal de entrada y seal de salida del amplificador de clase AB

Como en los amplificadores de clase A, hay una corriente de polarizacin constante, pero
relativamente baja, evitando la distorsin de cruce. Son los amplificadores de ms calidad.
Es una mejora de la clase B para evitar la distorsin excesiva. Su rendimiento es mejor que
el de la clase A, pero inferior a la B.

Transistor 2N7000

Figura 5. Transistor de efecto de campo 2N7000

Es un transistor de efecto de campo, canal N, desarrollado por la Firma de Componentes

Electrnicos Fairchil Semiconductor en el ao 1995, utilizando para su diseo la tecnologa
de alta densidad celular DMOS (metal-xido semiconductor de doble difusin), patentada
por dicha firma. Este producto ha sido diseado para minimizar su resistencia de estado,
mientras que proporciona un rendimiento de conmutacin robusto, rpido y fiable. Se puede
utilizar en la mayora de las aplicaciones que requieran hasta 400 mA de corriente directa,
capaz de entregar corrientes de pulsos de hasta 2 A. Se suministra en un encapsulado de
tipo TO-92.

Principales caractersticas

Tensin drenaje fuente (VDSS): 60 V

Tensin drenaje puerta (DDGR): 60 V
Tensin puerta fuente continuo (VGSS): 20 V
Corriente de drenaje mxima continua (ID): 200 mA y 500 mA pulsada.
Mxima potencia de disipacin (PD): 400 mW
Rango de temperatura de operacin (TSTG): -55 a 150 C
Mxima temperatura de soldadura en 10 segundos (TL): 300 C

Aplicaciones

Adecuado para baja tensin, y baja corriente, tales como el control de pequeos servo
motores, controladores de puerta MOSFET de potencia, y otras aplicaciones
de conmutacin.
BST100

Figura 6. Configuracin BST100

1 = source 2 = gate 3 = drain

Transistor D-MOS vertical de canal P envolvente variante TO-92 y diseado para uso en
rels, alta velocidad y transformadores de lnea.

Voltaje de la fuente VDS Max 60v

de drenaje
Tensin de la +/- VGSO Max 20v
fuente de la puerta
(drenaje abierto)
Corriente de drenaje ID Max 0.3
(DC)
Disipacin de Ptot Typ 1W
potencia total hasta
Tambiente = 25 C
Fuente de drenaje RDS(ON) Max 4,5
ON- resistencia 6
-ID=200mA -
VGS=10v
Transferencia de Yts Typ 200mS
admitancia
 DESARROLLO DEL DISEO

Se realiz una serie de simulaciones, tanteando los componentes para ubicar el transistor en un punto
de trabajo adecuado.
Para determinar este punto se comienza por evaluar el voltaje VDS de ambos transistores, los cuales
deben estar en puntos de trabajo similares.

Primera prueba:
D1: 5.1v
D2: 5.6v

VDSQ1=40.66V
VDSQ2=1.34V

Para esta primera simulacin, los voltajes de polarizacin de los transistores resulto desequilibrado;
para luego de una detallada observacin en la datasheet y la polarizacin de los transistores, se hall
que la conexin del drenaje y la fuente del BST100 fue hecha de forma inadecua, alterando as el
equilibrio de la polarizacin, por lo cual se corrigi el problema y se volvi a probar el esquema que
se tena.

Segunda prueba:
 VGSQ1=20.856v
VGSQ2=21.144v
ISQ1=ISQ2=323mA

Una vez reconectado Q2, se estabilizan los voltajes de polarizacin, pero se llega a otro problema: La
corriente DC que fluye por Q1 es mayor de la que este puede soportar, haciendo que el transistor se
sobrecaliente, por lo cual se le agregan dos resistencias en la terminal S se los transistores.
Tambin se agregan 2 capacitores conectados en paralelo a las resistencias en los drenajes de los
transistores para que la ganancia de la corriente en ac no se vea tan afectada.

Tercera prueba:

VDSQ1=19.33v
VDSQ2=19.62v
IDQ1=IDQ2=51.6mA

Con la adicin de las resistencias, la corriente de polarizacin de los transistores cae drsticamente,
pero se gana mayor estabilidad en el amplificador.
Luego de polarizado del circuito, se procede a probar la ganancia del amplificador; parara esto se
compara la corriente entrada y la resistencia en RL.

Cuarta prueba:
 Iin= 92.4nApp
Io= 959App

= 0.37%

= = .
.

Se observa que el amplificador tiene una ganancia muy alta, lo cual significa que el diseo
funciono de manera satisfactoria; por ltimo, para optimizar la eficiencia del amplificador,
se reduce el voltaje de polarizacin, procurando evitar que la corriente no disminuya tanto, y
as la ganancia no decaiga ms del 80% de la ganancia inicial; para lo cual se lleg a lo
siguiente:

Iin= 117nApp
Io= 966App

A=8256

Con lo cual se llega a un 80.5 de la ganancia inicial.

Como se posee lmite en el parmetro de polarizacin, el diseo final quedara de la siguiente

manera:
 Io= 971A
Iin=104nA
VCC= 15V
D1=5.1V
D2=5.6V
RS1=RS2=33
RG1=RG2=10M

=5.24%

La eficiencia final mejora un 40.5% respecto a la polarizacin del diseo inicial; por otro
lado, esta eficiencia es relativa, pues seria valida solo si el voltaje de entrada fuera el mximo
que soportara el amplificador, sin embargo, mediante el simulador se prueba que este soporta
hasta un voltaje entre 4Vp sin alterar la ganancia, logrando as una eficiencia de
aproximadamente del 20.9%

El amplificador final tendra aproximadamente un 90% de la ganancia original, con un voltaje

de polarizacin mucho menor que el inicial.

ANALISIS DC

Para poder realizar el analisis correspondiente en DC, se analiza cada polarizacin por
separado, la de NMOS y la de PMOS, esto se hace suponiendo que se tiene en el nodo de
salida una tierra virtual y para luego si suponer el valor de la de los transistores, se
hace el clculo de los parmetros hbridos necesarios para realizar el analisis en AC
Para el 1:

1 1 1 = 0 (1)

Dado que:

1 = 1 (2)

Figura X. Polarizacin DC transistor Q1

Debido a que la resistencia interna al polarizar el diodo zener en inversa, tiene un valor muy
pequeo si se compara con el valor de la resistencia 1 , el voltaje 1 ser el de 1.

1 = 1 1
1 = 5.1 33 1 (3)

Para realizar el analisis se supone en primera instancia que el transistor mosfet se encuentra
en la regin de saturacin.

1 = (1 )2
2

20.78 106 9.7103

1 = (1 2.1)2
2 2106

1 = 0.05(1 2.1)2 (4)

Se reemplaza la ecuacin 4 en la ecuacin 3.

1 = 5.1 33 0.05(1 2.1)2

1 = 5.1 33 0.05(1 2 4.2 1 + 4.41)2

1 = 5.1 1.651 2 + 6.93 1 7.2765

0 = 1.651 2 + 5.93 1 2.1765
Tenemos como resultados a:
1 = 3.18 1 = 0.41
Se toma como valor el 4.51v porque es el que cumple con la condicin de 1 >
3.18V>2.1V

Ahora se puede hallar el valor de la , usando la ecuacin 4.

1 = 0.05(3.18 2.1)2
1 = 58.32
El valor del se puede hallar con la ecuacin 1.

= 1 = 15 33 (58.32)
= 13.07
> ( )
13.07
Para el 2

Figura X. Polarizacin DC transistor Q2

+ 2 2 2 = 0
Dado que: 2 = 2 = 33 2

2 = 2(5)

2 = 2 2 = 5.6 + 33 1 (6)

Vamos a suponer inicialmente que el transistor se encuentra en saturacin.

2 = (1 )2
2

10.61 106 19103

2 = 6
(1 3.1)2
2 210

2 = 0.05(1 3.1)2 (7)

Si reemplazamos, nos da:

2 = 5.6 + 33 0.05(1 3.1)2

2 = 5.61 + 1.65(1 2 6.2 1 + 9.61)

2 = 5.6 + 1. 652 10.23 1 + 15.8565

0 = 1.651 2 9.23 + 10.1604
Los resultados son:

2 = 5.73 1 = 1.5

Se tiene en cuenta la solucin en la que 1 = 1.5 puesto que se debe cumplir la

condicin de 1.07v < 3.1v

Teniendo ya el valor anterior podemos hallar el valor de la 2 la cual se resuelve a partir

de la ecuacin 4

2 = 0.05(1.5 3.1)2
2 = 128

Se tiene entonces que el se obtiene a partir de la ecuacin 1.

= + 2 = 15 + 33 (128)
= 10.776

Teniendo el valor anterior, comparamos si cumple la condicin de saturacin.

2 < (1 )
8.27 < (1.7)

Debido a que se comprob que los valores de la 1 2 satisfacen las condiciones

de saturacin, se procede a realizar la superposicin de los resultados obtenidos.

= 1 2 = 58.32 128 = 69.68

 Figura X. Direccin de corrientes del DC del amplificador.

ANALISIS EN AC

Teniendo los puntos de polarizacin de los transistores, se procede a hacer el analisis en AC

para hallar el valor de la ganancia, teniendo en cuenta que, los transistores en AC actan
como cortocircuitos y el diodo zener se comporta como un diodo comn.

Figura X. Modelo AC del amplificador.

Los parmetros del transistor Q1, 2N7000 son:

2 2 (10.61106 19103 69.68)

= = = 0.11
2106
60
= = = 861.08
69.68
Para Q2, BST100
2 2 (10.61106 19103 69.68)
= = = 0.11
2106
60
= = = 861.08
69.68

Debido a que los parmetros de los dos transistores son similares, solo es necesario analizar
el ciclo positivo, por consiguiente se puede decir que el Q2 se encuentra apagado, as que el
circuito a analizar es el siguiente:

Figura X. Anlisis ciclo positivo.

Pero como se sabe los condensadores se encuentran en cortocircuito, el circuito que se va a

analizar queda as

Figura X. Circuito equivalente ciclo positivo.

Se asume que Rs equivale a 50, por lo cual

1 10
= = 10+50 = 0.9999996Ven
1 +

Se puede asumir que el sin embargo para que esto se cumpla se debe tener que,
1 > 10

Se asume que Vs=Vo


( ) + =0
|| ||
Se hace el despeje para que quede el vo/ven

= + =0
|| ||
( || || ) + 1
= ( )
|| ||

|| |
= ( )
( || || ) + 1

(861.08|861.08|200)
= = 0.11 ( ) = 0.94
0.11(861.08||861.08||200) + 1

Teniendo el valor de la ganancia en voltaje, podemos hallar la ganancia en corriente del

circuito, teniendo en cuenta que:

= y = ( + 1 )

Se tiene entonces que.

(1 + ) 1 +
= = =

1 +

10+50
= 0.94 200 = 47000.235
La ganancia de corriente obtenida mediante clculos fue aproximadamente 5 veces la
ganancia de corriente simulada; pudiendo esto haberse dado por algn parmetro ignorado
durante el clculo de la corriente; sin embargo, se cumple el objetivo, el cual es demostrar
que el amplificador diseado posee una ganancia de corriente muy grande.

Analisis en frecuencias:

Para determinar el ancho de banda del amplificado, basta con realizar el anlisis en frecuencia
de uno de los transistores, pues como son de caractersticas similares, esto nos permite asumir
que tendrn el mismo ancho de banda de trabajo de cada uno; en este caso se hace el anlisis
de Q1:

Para calcular la frecuencia de corte inferior se comienza por la entrada, , de la siguiente

manera:
 - Para C1: el circuito RC queda de la siguiente manera:

Por lo cual como RG<< RD1, entonces este circuito tomara el valor de RD1, y como
el diodo se comporta como una fuente de voltaje, se le asignara el valor resistivo que
se asigna en la datasheet, por tanto:

Para RD1=550
1 1
1 : 211 = 2550250106 =1.56H

- Para C2:

1 1
1 : 1 = 1 = 148.86
2(1||)1 2(33|| )150106
0.11

- Para C2: En este caso la conexin del capacitor se encuentra en serie con
la carga a la salida y a tierra virtual, por lo tanto queda de la siguiente
manera:

1 1
2 : 22 = 2200250106 = 3.18HZ

Una vez halladas todas las frecuencias de corte bajas en cada capacitor, estas se suman:

= 1 + 2 + 3 = 1.56 + 148.86 + 3.18 = 153.6

= 212.68

La frecuencia de corte superior est determinada por la frecuencia de corte en la capacitancia

vista a la entrada del amplificador:

Ci60pF
En la impedancia de entrada se ubicaran nuevamente el resistor RG y la resistencia de diodo,
pero como RG>>RD1, entonces zi=RD1

1
= = 4.8
2 550 60

El anlisis en frecuencia hecho anteriormente mediante el simulador se hizo en base a la

ganancia de voltaje del circuito; a frecuencias medias ser 0dB y en las frecuencias de corte
se reducir a 0.707AvdB, con lo cual se determina que 3.5 y 767.98

Las diferencias vistas entre el ancho de banda calculado y el simulado se deben a que
Multisim usa un modelo ms real que el modelo usado para los clculos.

POTENCIA DISCIPADA POR LA CARGA:

Vopp=193mVpp
 (96.5)2
= = 23.28
2 200

Entonces:

= 2 = 46.56

Se puede comprobar este resultado mediante el simulador:

EFICIENCIA

La eficiencia del amplificador se calcul anteriormente, teniendo sta en funcin de la seal

de entrada un valor mximo del 20.9% sin alterar la ganancia.

DISTORSION ARMONICA
Para este parmetro se evidencia una exagerado nivel de distorsin, pues el simulador arrojo
como resultado un nivel de distorsin del 22755.6%, es decir que en la salida casi toda la
seal de salida corresponde a los ruidos introducidos por el amplificador.

CONCLUSIONES
El diseo queda abierto futuras modificaciones, pues el nivel de distorsin armnica
no fue el deseado (se estima que este no deba superar un 25%).
Se obtuvo un ancho de banda bueno, siendo este aproximadamente 770KHz,
quedando pendiente anlisis para encontrar posibles mejoras a este aspecto.
La ganancia que se estipulo para el amplificador no es adecuado, ya que se tienen una
serie de falencias en la seal de salida.
Se prev que para una futura modificacin del documento se anexen resultados de las
pruebas reales en el laboratorio (por falta de tiempo y espacio no se lleg a realizar.),
ya que sin esto no es 100% seguro que los diseos funcionen correctamente.

BIBLIOGRAFA

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http://www.fceia.unr.edu.ar/eca2/Files/Apuntes/Amplificadores%20de%20Potenc
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http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/AP01a.pdf consultada el 14 de octubre de
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6. C.J Savant, Diseo Electrico, Mexico: Prentice Hall, 2006.

7. A. S. Sedra, Circuito Microelctricos, Mexico D.F, Oxford, 2006.