INSTITUTO TECNOLGICO DE CIUDAD MADERO

DEPARTAMENTO METALMECNICA
INGENIERIA MECNICA

CUADERNO DE APOYO
DE LA MATERIA DE:
INGENIERA DE LOS MATERIALES METLICOS

NOMBRE DEL ALUMNO:

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NOMBRE DEL MAESTRO:

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 Unidad 1.- Configuraciones estructurales
1.1 Imperfecciones cristalinas
La estructura cristalina es un concepto terico que permite comprender cmo estn formados
los materiales. A partir del concepto de estructura cristalina es posible explicar muchas de las
propiedades que exhiben los materiales, sean estos cristalinos o amorfos. El plantear que un
material clasificado como cristalino posee estructura cristalina es una idealizacin que no
siempre se cumple en los materiales reales. La forma como estn colocados los tomos en un
material real normalmente difiere de la posicin ideal que se espera a partir de la estructura
cristalina. Esas diferencias pueden explicarse planteando que el modelo de arreglo atmico
puede poseer defectos. Para propsitos de estudio, los defectos se clasifican de la siguiente
manera:

1.1.1 Imperfecciones puntuales

Se dan a nivel de las posiciones de los tomos individuales. Los principales defectos puntuales
son los siguientes:
Vacancias. Son puntos de red vacos en la estructura del material. Estos lugares deberan
idealmente estar ocupados por tomos, sin embargo, se encuentran vacos.
tomos sustitucionales. En teora un material puro est formado exclusivamente por el
mismo tipo de tomos. Los materiales reales no son 100% puros, sino que poseen
impurezas, las cuales se definen como tomos diferentes a los tomos del material
original. Cuando uno de esos tomos diferentes sustituye a un tomo original ocupando
su punto de red, recibe el nombre de tomo sustitucional.
tomos intersticiales. Son tomos que ocupan lugares que no estn definidos en la
estructura cristalina. En otras palabras, son tomos cuya posicin no est definida por un
punto de red. Normalmente estos tomos se colocan en los intersticios que se forman
entre los tomos originales, por lo que se les llama tomos intersticiales.
Otras imperfecciones puntuales son:

Defecto Frenkel. Es una imperfeccin combinada de vacancia y defecto intersticial. Ocurre cuando
un ion salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial dejando entonces una vacancia.

Defecto Frenkel

Defecto Schottky. Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la
neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

Defecto Schottky
1.2 Defectos lineales

Se dan a nivel de varios tomos confinados generalmente a un plano. Los defectos lineales ms
importantes en los materiales son las dislocaciones. Las dislocaciones se generan durante la
solidificacin o la deformacin plstica de los materiales cristalinos, y consisten en planos extra
de tomos insertados en la estructura cristalina.

Estructura perfecta Estructura con dislocacin

Significado de las dislocaciones
Aunque los deslizamientos o desplazamientos atmicos pueden ocurrir en cermicos y polmeros,
estos procesos son particularmente tiles para entender el comportamiento mecnico de los
metales. Primero que todo, el deslizamiento atmico explica por qu la resistencia de los
metales es mucho ms baja que el valor terico predicho de los enlaces metlicos. Cuando los
deslizamientos ocurren, solo una pequea fraccin de todos los enlaces metlicos a lo largo de la
interface necesita ser roto y la fuerza requerida para deformar el metal es pequea. Segundo, los
deslizamientos proveen ductilidad en los metales. Si no estuvieran presentes las dislocaciones, una
barra de hierro sera frgil y los metales no podran ser moldeados por varios procesos tales
como forjado. Tercero, es posible controlar las propiedades mecnicas de un metal o aleacin
interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido dentro del cristal
evita que una dislocacin se deslice a menos de que se aplique una fuerza muy grande.
Es posible encontrar un gran nmero de dislocaciones en los materiales. La densidad de las
dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por unidad de volumen, se usa generalmente
para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Densidades de dislocaciones de 10 m .
mm-3 son tpicas de los metales ms suaves, mientras que densidades de dislocaciones superiores
a 1000 Km . mm-3 se pueden conseguir deformando el material.
1.2.1 Dislocacin de cua
Se crea por insercin de un semiplano adicional de tomos dentro de la red. Los tomos a
lado y lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados. Los tomos por encima de
la lnea de dislocacin, que se encuentra perpendicular al plano de la pgina, en el punto donde
termina el semiplano insertado, se encuentran comprimidos los que estn por debajo se
encuentran apartados. Esto se refleja en la leve curvatura de los planos verticales de los tomos
ms cercanos del extra semiplano. La magnitud de esta distorsin decrece con la distancia al
semiplano insertado.

Dislocacin de cua
La distancia de desplazamiento de los tomos en torno a una dislocacin se llama DESLIZAMIENTO
o vector de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacin de cua.
1.2.2 Dislocacin helicoidal
Esta dislocacin se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfecto
que ha sido separado por un plano cortante.

Dislocacin helicoidal
Aqu el vector de desplazamiento es paralelo a la lnea de dislocacin.

1.2.3 Dislocaciones mixtas

Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. Su vector de
Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin
fija en el espacio. La estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta es difcil de visualizar,
pero el vector de Burgers proporciona una descripcin conveniente y sencilla.

Dislocacin mixta
1.2.4 Ley de Schmid
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen diferentes
estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de deslizamiento. Suponga que
se aplica una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal que es un cristal simple o mono
cristal. Es posible ubicar el plano de deslizamiento y la direccin del desplazamiento al aplicar la
fuerza, definiendo los ngulos y . es el ngulo entre la direccin del desplazamiento y la
fuerza aplicada, y es el ngulo entre la normal al plano de desplazamiento y la fuerza aplicada.

Para que la dislocacin se mueva en el sistema de deslizamiento, se necesita que acte una
fuerza de cizalladura en la direccin del desplazamiento, producida por la fuerza aplicada.
La resultante de esta fuerza de cizalladura, Fr, est dada por:

Fr = F (cos )

Si esta ecuacin se divide por el rea del plano de deslizamiento, A=Ao/cos , se obtiene la
Ley de Schmid:

r = cos cos
Dnde: r = Fr/A Es la resultante del esfuerzo cortante en la direccin del deslizamiento.

= F/Ao Es el esfuerzo unidireccional aplicado al cilindro.

1.3 Defectos superficiales
Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un material en regiones,
cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente orientacin.
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina
abruptamente. Los tomos de la superficie no estn enlazados al nmero mximo de vecinos que
deberan tener y, por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico que los tomos
de las posiciones internas. Los enlaces de esos tomos superficial que no estn satisfechos dan
lugar a una energa superficial, expresada en unidades de energa por unidad de rea (J/m2 o
Erg/cm2 ). Adems, la superficie del material puede ser rugosa, puede contener pequeas
muescas y puede ser mucho ms reactiva que el resto del material.

1.3.1 Lmite de Grano

Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de diferentes orientaciones
cristalogrficas en materiales poli cristalinos.

El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn uniformemente separados, o
sea que hay tomos que estn muy juntos causando una compresin, mientras que otros
estn separados causando tensin. De cualquier forma, los lmites de grano son reas de
alta energa y hace de esta regin una ms favorable para la nucleacin y el crecimiento de
precipitados
1.3.2 Lmites de macla
Son imperfecciones superficiales que separan dos porciones de un cristal cuyas orientaciones
son imgenes espectaculares una de la otra, con respecto al plano del lmite.
Macla. Es la porcin del cristal cuya orientacin es una imagen espectacular de la orientacin
de la matriz. Las maclas pueden originarse durante el crecimiento cristalino, son producidas
por deformaciones del cristal.

Cristales de yeso sin macla Macla de yeso

1.3.3 Error de apilamiento

Los defectos o fallos de apilamiento (stacking fault) son defectos producidos en una zona local
del cristal donde se interrumpe la secuencia normal de ordenacin de planos. Este defecto se
produce en estructuras con apilamientos compactos en las que se pueden presentar secuencias
del tipo ABCABC... en estos casos, se puede producir un error en la formacin del cristal, por
ejemplo, una secuencia de apilamiento
ABCABABC..., aparece un plano tipo A en
vez de uno C, debido a este error en la
secuencia de apilamiento, en el cristal
aparece una pequea regin hexagonal
en vez de cubica centrada en las caras.
Los stacking fault interfieren en los
procesos de deformacin del material.

En la figura 17 se puede observar como

una dislocacin en una direccin se
desdobla movindose los tomos del
plano tipo C a posiciones tipo A,
produciendo un error de apilamiento de
un espaciado atmico de espesor.
1.4 Movimientos atmicos
Muchas de los procesos involucrados en la produccin y utilizacin de los materiales de
ingeniera estn relacionados con la velocidad a la cual los tomos se mueven en el estado
slido. En muchos de estos procesos ocurren reacciones en estado slido que implican
reordenaciones espontneas de tomos a nuevas y ms estables disposiciones atmicas.

Para que estas reacciones ocurran desde el estado inicial no reaccionado hasta el estado ya
reaccionado, los tomos reaccionantes tienen que tener suficiente energa para superar la
correspondiente barrera de energa de activacin. La energa adicional requerida por
encima de la energa media de los tomos, se llama energa de activacin E*, dada
normalmente en Joules/mol o caloras/mol

1.5 Mecanismos de difusin

La difusin es el mecanismo de transporte de materia a travs de ella misma. sea, el

movimiento de tomos dentro de una disolucin. A causa de que los movimientos de los
tomos individuales o partculas se ven obstruidas por tomos vecinos, resulta una seria sin
fin de recorridos y colisiones, pero el resultado de un gran nmero de acontecimientos es
el desplazamiento de la materia.
El movimiento molecular libre en los fluidos, origina la desaparicin rpida de las diferencias
en la concentracin. En los slidos y en partculas cristalinas (metales) los tomos se hallan
ligados ms fuertemente entre s a sus posiciones de equilibrio, pero aun as existe un
elemento de incertidumbre debido a vibraciones trmicas que tienen un lugar en el slido
y que permiten desplazar algunos tomos a travs de la red cristalina.

1.5.1 Difusin en estado solido

Debido a que la difusin en los cuerpos solidos transcurre mucho ms despacio que en los
lquidos y ms an en los gases, aquella se empez a estudiar ms tarde. Se considera que
el primer experimento cientfico para estudiar la difusin en un slido fue realizado en 1896
por el metalrgico ingles Roberts Austen, al soldar un disco fino de oro con la brida de un
cilindro de plomo puro de 2.5 cm de largo y manteniendo es pareja difusiva 10 das en un
horno a 200C, observo que el oro y el plomo se penetraban mutuamente.

Plomo tomos de plomo

T = 200C

t = 10 das

Disco de oro tomos de oro

 Sin embargo, las ecuaciones bsicas de la difusin fueron escritas mucho antes en 1855 por
Adolf Fick, este considero que las ecuaciones que movieron a la difusin deben ser
parecidas a las de conductibilidad trmica por Furier.
La primera ley de Fick relaciona al flujo difusivo con la concentracin bajo la asuncin de
un estado estacionario. Esta ley postula que el flujo va desde una regin de alta
concentracin a las regiones de baja concentracin, con una magnitud que es proporcional
al gradiente de concentracin (derivada espacial), o en trminos ms simples el concepto
de que el soluto se mover desde una regin de alta concentracin a una de baja
concentracin atravesando un gradiente de concentracin. En una nica dimensin
(espacial), la ley toma la forma:

=

Dnde:
J= Flujo neto de los tomos
D= Coeficiente de difusin

= Gradiente de concentracin

La segunda ley de Frick es una ecuacin diferencial parcial que describe la rapidez a la cual
se redistribuyen los tomos e el material por difusin.

= ( ) =

Donde:
C= es la concentracin en dimensiones de cantidad de sustancia longitud3
t= tiempo
D= es el coeficiente de difusin en dimensiones de longitud2 tiempo1
X= es la posicin
1.5.2 Difusin por vacancias
Las vacancias desempean el papel principal en los procesos de cambio de sitio que se
produce en un cristal.
La difusin por vacancias se explica suponiendo que los lugares vacantes se mueven a travs
de la res, produciendo con ello desplazamientos casuales de los tomos de una posicin
reticular a otra. El principio fundamental de la difusin por vacancias se representa en la
siguiente figura.

1.5.3 Difusin interstisial

En este caso el soluto es una atomo instersticial que migra a salto ente huecos intersticiales,
por ejemplo el carbono en el hierro.
El macanismo interticial es el mecanismo fundamental de migracion de los atomos de
impurezas de pequeos atomos. Los atomos interticiales mas importantes son el Carbono,
Nitrogeno Hierro y Oxigeno.

1.5.4 Difusion sustitucional

Esta difusion se puede llevar acabo por vacancia, intercambio directo de atomos o anillo de
Zener.
tomo sustitucionales

Intercambio directo

Anillo de Zener

Vacancia
1.5.5 Autodifusin
Es el movimiento de tomos, iones o molculas de una sustancia de una especie a travez de
las particulas de la misma sustacia, por ejemplo: tomos de cobre a taves de tomos de
cobre, molculas de agua a traves de molculas de agua, etc.