Electrnica Anloga I

2017-I
Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Gua de laboratorio No. 2:

DIODOS: CARACTERSTICAS Y APLICACIONES

En esta gua se realiza un primer acercamiento a los dispositivos semiconductores mediante el estudio del compor-
tamiento de diferentes referencias de diodos ante escenarios de variacin de frecuencia y temperatura.
Duracin: Una semana

1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Determinar las caractersticas bsicas de los diodos semiconductores como la relacin tensin-corriente, los tiempos
de recuperacin inversa y sus aplicaciones.

1.2. Objetivos especficos

Obtener experimentalmente la curva caracterstica del diodo en polarizacin directa.
Determinar los parmetros del diodo asociados a su curva caracterstica.
Visualizar los tiempos de respuesta de diferentes tipos de diodos.
Comprender el funcionamiento del fotodiodo mediante un circuito propuesto.

2. Instrumentos requeridos
Generador de seales.
Osciloscopio de doble traza.

2 Multmetros.
Dos sondas.
Fuente Dual.
Diodos 1N4004, 1N4148, leds y fotodiodo.

Cautn
Termocupla

3. Desarrollo de la prctica
A lo largo de esta gua se describen las actividades sugeridas para realizar previo al da de la prctica y durante
su ejecucin. Una lectura completa de la gua le permitir estimar el tiempo total y los recursos necesarios para
desarrollarla completamente

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3.1. Previo al da de la prctica

Consulte las hojas de datos de los diodos 1N4004 y 1N4148 y verifique los valores de referencia de tensin y tem-
peratura, las curvas caractersticas de Id vs Vd , etc.

Investigue y agregue en la bitcora el funcionamiento de un fotodiodo.

Para el desarrollo de la prctica tenga en cuenta los siguientes conceptos:

En la clase terica se establecieron los principios necesarios para la compresin del funcionamiento de la unin
P-N, tambin se explic la ecuacin aproximada 1, mediante la cual se describe el comportamiento esttico del
diodo como funcin de variables fsicas y constructivas del mismo.
Vd
I = Is (e VT ) (1)

En donde Is es la corriente inversa de saturacin, es un parmetro constante llamado coeficiente de emisin y

siempre est en entre 1 y 2, VT es el llamado voltaje trmico y es igual a KT /q, en donde K es la constante de
Boltzman (1,381023 J/K), T es la temperatura en grados Kelvin, y q es la carga del electrn (1,6 1019 C).
El tiempo de recuperacin inversa (trr ) es el tiempo que tarda el diodo en recuperar su funcin de corte despus
de haber estado en conduccin, es decir, es el tiempo que tarda la seal en rectificarse tras el cruce por cero en
el flanco negativo de la seal de entrada.

Tiempo de almacenamiento (ts ): Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la corriente hasta llegar
al pico negativo.
Tiempo de cada (tf ): Es el tiempo transcurrido desde el momento en que la corriente empieza a tender a cero,
hasta el momento en que esta se anula totalmente. En la prctica se suele considerar hasta el instante en que la
corriente alcanza 10 % IR (Corriente inversa).
El tiempo de recuperacin inversa (trr ): Es la suma de ts y tf . Los tiempos anteriormente descritos son ilustrados
en la figura 1.

Figura 1: Visualizacin del tiempo de recuperacin de un diodo.

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3.1.1. Clculos
Para el circuito de la Figura 2, calcule R1 para que la corriente ID = Imax = 50mA.

3.1.2. Simulacin
Simule el circuito mostrado en la Figura 2 con cada uno de los diodos solicitados (1N4004 y 1N4148). Vare la
fuente de tensin DC entre 0 y 25 V realizando incrementos en la corriente de 5 mA aproximadamente. A partir
de los resultados obtenidos construya la curva caracterstica Id vs Vd .
Simule el circuito de la Figura 3 con cada uno de los diodos solicitados (1N4004 y 1N4148) y obtenga el tiempo
de recuperacin inversa, es decir el tiempo que tarda la corriente en tender a 0 A cuando el diodo se polariza en
inverso. Compare los resultados con las hojas de datos.

3.1.3. Montajes
Implemente los circuitos de las Figuras 2, 3 y 4 en protoboard.

Figura 2: Circuito para caracterizacin del diodo

Figura 3: Circuito para visualizacin del tiempo de recuperacin inversa

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Figura 4: Circuito para caracterizacin del fotodiodo

3.2. El da de la prctica
Cada sesin de la prctica tiene una duracin de 90 minutos, por lo que se recomienda seguir el procedimiento en
los tiempos sugeridos para garantizar la realizacin completa de la prctica.

3.2.1. Procedimiento
Variando lentamente, desde 0V, la tensin de la fuente DC en el circuito de la figura 2, obtenga un buen nmero
de parejas de valores (Vd ,Id ) hasta llegar a I = Imax (corriente mxima dada por el diseo inicial, recuerde que
este valor debe ser menor a 50 mA). Por ejemplo, una forma de hacerlo es haciendo incrementos de 5 mA.
Grafique los datos adquiridos en un papel milimetrado de Id (eje y) contra Vd (eje x).
Obtenga de manera aproximada a partir de las curvas trazadas con los datos (ver figura 5): La tensin polarizacin
umbral directa y la resistencia dinmica del diodo. Compare los resultados con los valores consignados por el
fabricante en la hoja de datos.
Realice un grfico en escala semi-logartmica ubicando la corriente en el eje logartmico y la tensin en el eje
decimal. Teniendo en cuenta que el resultado ser una curva con comportamiento lineal, obtenga los parmetros
de la ecuacin y = K x + Y0 de dicha curva. Se dar cuenta que con la grfica ser fcil obtener los valores Y0
y K y por lo tanto, calcular los parmetros Is y presentes en la ecuacin caracterstica.
Acerque el cautn al diodo 1N4004 y observe su comportamiento ante variaciones de temperatura. Repita el
procedimiento descrito anteriormente manteniendo, en lo posible, constante la distancia entre el diodo y el
cautn.
Tiempo dispuesto para el procedimiento: 50 minutos
Utilice el circuito mostrado en la Figura 3 para visualizar el tiempo de recuperacin inversa de cada uno de los
diodos. Vare la frecuencia de la seal de alimentacin y verifique el comportamiento de cada diodo en bajas y
altas frecuencias.
Utilice el circuito mostrado en la Figura 4 para encontrar una relacin entre la tensin del fotodiodo y la distancia
entre el componente emisor y el componente receptor. Determine la distancia mnima en la cual el fotodiodo se
encuentra activo.
Tiempo dispuesto para el procedimiento: 40 minutos

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Figura 5: Curva caracterstica del diodo en polarizacin directa (azul), recta de carga y punto de polarizacin para el
clculo de resistencia dinmica.

4. Preguntas sugeridas
En el circuito de la Figura 2, qu ocurre con la resistencia cuando circula la corriente mxima (con la fuente
en 25 V)?
Cules son las consecuencias de cambiar de polaridad la fuente que alimenta el circuito de la Figura 2?
Por qu es necesario alimentar el circuito de la Figura 3 con una seal cuadrada?

Qu pasa con los tiempos de recuperacin inversa si se vara la resistencia R1 ?

Los resultados obtenidos concuerdan con los valores suministrados por el fabricante?
Qu cambio obtuvo al variar la temperatura en la primera parte de la prctica? Este cambio era predecible?
Justifique su respuesta.

5. Evaluacin
Se evaluar el trabajo realizado durante la prctica y previo a sta de acuerdo con los criterios que defina el docente.

Referencias
Para el desarrollo de este prctica se sugiere consultar:

Manuales y Hojas de Datos de los equipos de laboratorio.

A. S. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition, 5ta ed, Oxford University Press, Inc., 2007.

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D. Neamen, Microelectronics: Circuit Analysis and Design, 4ta ed, McGraw-Hill Higher Education, 2009.
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Circuit Lab - Simulador online de circuitos www.circuitlab.com

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