Intelligent Electrostimulator and artificial cloning system of movement sensors and

adaptive-predictive control, by acupuncture with needle-electrodes and wireless

transmission, evaluated in a design of constructed prototype.

Electroestimulador inteligente y sistema de clonación artificial de sensores de

movimiento y control adaptativo-predictivo, por acupuntura con agujas-electrodos y
transmisión inalámbrica, evaluado en un diseño de prototipo construido.

Ing. Esp.(c) Edgar Mauricio Jaimes Moreno

Joven Investigador COLCIENCIAS
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA
ejaimes@unab.edu.co
Dr. Sc. Antonio Faustino Muñoz Moner Ph. D
Director del Grupo de Investigación de Control & Mecatrónica
UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BUCARAMANGA
amunozm@unab.edu.co
MSc. Ing. Jorge Luís Díaz
Director del programa de Ingeniería Eléctrica
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
jdiaz@unipamplona.edu.co

ABSTRACT

The electro-stimulation is long ago, a tool of “occupational therapy "; most of the pathologies needs a
sensitive treatment and a motive treatment (strengthening and/or stretching of the muscles). Between the
investigations that are realized in the Advanced Computing Center- LCE of the UNAB, for the Control and
Mechatronics research group recognized by Colciencias in this project of investigation on an intelligent
electro-stimulator, which it uses as electrodes, the needles of acupuncture and applies a methodology
based on the artificial cloning of sensors and automatic controllers, extended to biomedical teams, with
wireless broadcast, of the electrical signs of electrical of electro-stimulation.

RESUMEN

La electroestimulación es desde hace mucho tiempo, una herramienta de "terapia ocupacional"; la mayor parte
de las patologías necesitan un tratamiento sensitivo y un tratamiento motor (fortalecimiento y/o estiramiento de
los músculos). Entre las investigaciones que se realizan en el Laboratorio de Computo Especializado- LCE de la
UNAB, por el Grupo de Control y Mecatrónica reconocido por Colciencias, en este proyecto de investigación
sobre un electroestimulador inteligente, que utiliza como electrodos, las agujas de acupuntura y aplica una
metodología basada en la clonación artificial de sensores y controladores automáticos, extendida a equipos
biomédicos, con transmisión inalámbrica, de las señales eléctricas de electroestimulación.

1. INTRODUCCIÓN de algoritmos genéticos y hardware evolutivos,

El electroestimulador inteligente realiza el
procedimiento de electroterapia, a través de un
sistema experto, que garantiza una secuencia y
programación del tratamiento basado en criterios
de especialistas, dotado con las ventajas de la
acupuntura y la transferencia de un potencial
eléctrico (tensión) a la carga (músculo) en el “punto
motor”- aquel punto que mejor responde a la
estimulación con cargas eléctricas; los electrodos
están soportados en agujas de acupuntura y tienen
acoplado un dispositivo piezoeléctrico, generador
de electricidad, que produce un flujo de corriente.
que buscan la solución óptima, para la
programación genética de electroterapia, a
través de la generación de poblaciones de
soluciones codificadas a través de cromosomas
artificiales, integrados por mapeo genético.
El esquema de la figura 1, refleja la novedosa
metodología de clonación artificial, para obtener
el modelo experimental; dónde se desarrollan
procedimientos avanzados para llevar a cabo el
proceso de diseño con alta tecnología y
evaluación de los resultados.

El instrumento desarrollado, permite efectuar la

electroestimulación con la generación de
corrientes constantes de impulsos
rectangulares y simétricos en frecuencias
establecidas de 1 a 80 Hz y es capaz por
clonación artificial de aportar una cantidad de
corriente en un determinado periodo de tiempo. Figura 1 Esquema Metodología de desarrollo
La clonación artificial aplicada al del proyecto.
electroestimulador inteligente, incluye el diseño
 TRANSDUCTOR PIEZOELECTRICO d33
e q q d
g33= 0 ⋅ = = 33 Luego, g33 = (3)
Algunos sólidos al deformarse generan f1 εe0 εf 1 ε kq ⋅ε0
internamente carga eléctrica. Este efecto es
reversible si al material se le aplicase una carga La constante dieléctrica del titanio de bario es
eléctrica este se deformaría en respuesta. Este 1410 y la del cuarzo es 4.58.
fenómeno se denomina piezoeléctrico, esta Para expresar la sensibilidad del cristal en
conversión de energía eléctrica a mecánica y términos de desplazamiento, es necesario
viceversa tiene carias aplicaciones. Cuando la conocer el módulo de elasticidad del material.
entrada es mecánica y la salida es eléctrica, es Para el cuarzo el valor del módulo de elasticidad
posible medir fuerzas, aceleraciones, etc. En el es 8.6·104 MPa y para el titanio de bario 12·104
sentido opuesto se utiliza para sistemas sonoros MPa. La fuerza f1 se expresa, en términos de
dedicados a la detección de acústica y
localización de objetos sumergidos, equipos esfuerzo y de formaciones x como:
industriales ultrasónicos para ensayos no x
destructivos, etcétera. f1 = esfuerzo ⋅ área = E ⋅ bl
El material piezoeléctrico puede exhibir este
h
efecto en diferentes direcciones; transversal, Sustituyendo en la ecuación (2) se tiene que:
longitudinal, cortante, etc. Esto depende de la Ebl
forma de cuerpo y su orientación con respecto a q= ⋅ d 33 ⋅ x Finalmente:
sus ejes cristalográficos y también de la posición
h
de los electrodos. EA EAK q ε 0
En la figura 2 se muestra los ejes que relacionan q= ⋅ d 33 ⋅ x = ⋅ g 33 ⋅ x (4)
el efecto eléctrico y el mecánico, definido por h h
constantes gik y dik. En la expresión (4), A(m2) es el área de la
sección transversal del elemento piezoeléctrico
f y x la deformación con respecto a su espesor
3 ELECTROD
inicial h.
El elemento piezoeléctrico de la figura 1 se
OS
L eo puede interpretar como un generador de cargas
6 entre sus placas, según la deformación del
h elemento, es decir, según se acerquen o alejen
5 b dichas placas. Esta relación está dad por
f
2
Q = K q x[C ]; K q = ⋅ d 33 [C / m]
EA
4 (5)
Figura 2. Elemento piezoeléctrico h
También hay una resistencia entre las placas,
1Así, para el elemento piezoeléctrico de la figura que es la resistencia de fuga del capacitor
1 se define la constante formado por las placas y el elemento
piezoeléctrico. Su valor depende de la
campo producidoen la dirección3 eo ∫ h ⎡ V / m ⎤ (1) resistividad del material y la separación del área
g33 = = de las placas (electrodos).
campo aplicadoen la dirección3 f1 ∫ b.l ⎢⎣N/ m2 ⎥⎦
Es evidente que con un instrumento
Para constantes los valores típicos son: convencional de medición se puede cometer
serios errores debido a la enorme impedancia
[ (
g 33 = 12 ⋅10 −3 (V / m ) / N / m 2 )] tilanato de bario de salida del elemento piezoeléctrico. Por esta
g 33 = 50 ⋅10 −3
[(V / m) / (N / m )]2
cuarzo
razón es necesario un preamplificador con alta
impedancia Rp resistiva de entrada.
El esquema se indica en la figura 3
También se puede definir la constante: PIEZOELÉCTRICO CABLE PREAMPLIFICADOR

c arg a generada en la dirección 3 e ⎡ C ⎤ (2)

g33 = =
esfuerzo aplicado en la dirección 3 f1 ⎢⎣ N ⎥⎦
Ra Ca Cc Cp Rp e0
Para estas constantes los valores típicos son: q = kqx
d 33 = 150. ⋅10 [(C / N )] Titanio de bario.
−12

d 33 = 2.03 ⋅ 10 −12 [(C / N )] Cuarzo. Figura 3 Circuito de medición para un elemento

Ambas constantes no son independientes. La
capacitancia del cristal es ε bl = q entonces
h e0
en la constante g ss en la siguiente ecuación.
piezoeléctrico. Preamplificador de voltaje.
Se ha incluido también la capacitancia Cc del
cable entre el piezoeléctrico y el preamplificador
y la capacitancia de entrada Cp del
preamplificador.
 I z2 (s)

Las tres capacitancias se suman y por lo tanto

C = Ca + Cc + C p ⋅ [F ]
ib (s)
(6)
Las resistencias se suman (en paralelo) y por lo ex (s)
tanto: eo (s)
Ra ⋅ R p i(s) ib (s)
R= ⋅ [Ω] (7)
Ra + R p q = kq x z1 (s)

La impedancia resultante es la suma en paralelo ia (s)

de R y 1/CS
R Figura 4. Circuito de medición para un elemento
Z (s) = (8)
1 + RCS piezoeléctrico Preamplificador de carga
La corriente que circula por el piezoeléctrico
depende de la razón de cambio de la carga q en La impedancia Z1(S) resulta de la capacitancia
la ecuación (5) del piezoeléctrico y del cable en paralelo con la
resistencia de fuga del piezoeléctrico es:
dq ⎛ dx ⎞
i (t ) = = K q ⎜ ⎟; i ( S ) = K q Sx( S ) (9) Z 1( S ) =
Ra (14)
dt ⎝ dt ⎠ 1 + R a (C a + C c ) S
Finalmente el voltaje de salida se determina La impedancia Z1(S) resultante de la resistencia
según: y la capacitancia de retroalimentación del
eo ( S ) = i ( S ) ⋅ Z ( S ) (10) amplificador operacional es:
Rf (15)
Combinando las ecuaciones (8), (9) y (10) se Z 1( S ) =
tiene: 1+ RfC fS

[ ]
eo (S) a τS Kq v Para el circuito de la figura 6 se puede escribir:
= G(S) = 1 ; a1 = ; τ = RC(s) (11) dq ⎛ dx ⎞
x(S) 1+τS C m i(t ) = = Kq⎜ ⎟ ; i ( S ) = K q Sx ( S )
dt ⎝ dt ⎠
Ra ⋅ Rp
R= ⋅ [Ω] ; C = Ca + Cc + C p ⋅ [F ] e x ( S ) = ia ( S ) Z1 ( S ) (16)
Ra + Rp ex ( S ) − eo ( S ) = ib ( S ) Z1 ( S ) (17)
La sensibilidad estática depende de la
constante Kp del generador de cargas, pero i ( S ) = ia ( S ) + ib ( S ) (18)
diminuye con la capacitancia total. La Resolviendo el sistema formado por las
capacitancia del piezoeléctrico y del ecuaciones (13), (9), (16), (17) y (18) se tiene
preamplificador se controlan en la producción,
pero la del cable depende de su longitud (95 f/m e o (S ) K q Z1 ( S ) Sx( S )
=− (19)
es un valor típico para un cable de buena x( S ) 1 1 Z (S )
calidad). Entonces la sensibilidad depende de 1+ + ⋅ 1
la longitud del cable y esto se debe tener bien k k Z1 ( S )
en cuenta. Si es posible por cuestiones de Sustituyendo en la ecuación (19) las ecuaciones
espacio el preamplificador se debe conectar (14) y (15) se tiene que:
junto al transductor, reduciendo a cero la Kq RfCfS
capacitancia del cable. ⋅
La sensibilidad estática debido al cambio de eo (S ) C f 1+ Rf C f S
capacitancia ∆C del cable se puede hallar según =−
x(S ) 1 1 R f 1 + R a (C a + C c ) S
la expresión: 1+ + ⋅ ⋅
cambio de sensibilid ad Δ C c (12) k k Ra 1+ Rf C f S
=−
sensibilid ad inicial C + ΔCc Como la ganancia K del amplificador
operacional es muy grande el denominador vale
Otra solución al circuito necesario para
la unidad. Por lo tanto:
transformar en potencial útil las deformaciones
del elemento piezoeléctrico se muestra en la e o (S ) τS
= G ( S ) = − a1 ⋅ (20)
figura 6. x(S ) 1 + τS
Ahora se coloca un amplificador operacional a la Kq
salida del piezoeléctrico, conectado por un a1 = ( V m ); τ = R f C f [s ]
cable. El amplificador operacional debido a su Cf
alta ganancia y su alta impedancia de entrada Los preamplificadores del tipo recién descritos y
se comporta como un elemento con un potencial representados en la figura 5 se denominan
de entrada prácticamente nulo y que sin preamplificadores de carga.
embargo no deja pasar la corriente. La relación No se desea concluir esta sección sin recordar
entre en voltaje ex a la entrada y ex a la salida es que todo lo expuesto sirve como base a otras
aplicaciones útiles de los elementos
e o = − Ke( x); e o ( S ) = − Ke x ( S ) (13) piezoeléctricos, pero que no se utilizan
directamente para medir desplazamientos
debido a su altísima rigidez (baja flexibilidad de
entrada).
 en grupos autodefinidos cuyos rangos y medias
SISTEMA DE ELECTROESTIMULACIÓN son hallados automáticamente por la aplicación,
PARA DISCAPACITADOS POR CLONACIÓN se basan en la dispersión difusa de los mismos
ARTIFICIAL datos utilizando un método de agrupación
En el aprendizaje y entrenamiento del difusa, de especial interés para el presente
electroestimulador obtenido por clonación, se trabajo, es el algoritmo de agrupación (Fuzzy C-
aplica el tratamiento de las señales recibidas de Means) [2], existen diversas aplicaciones de
los sensores, amplificación, procesamiento agrupación difusa [9]. Este algoritmo asigna un
digital (incluyendo filtrado) producto de la conjunto de datos, caracterizados por sus
actividad muscular, con esto la información respectivos valores de atributos, a un número
completa del mapa genético (genoma), es determinado de conjuntos. Como resultado cada
suficiente para el análisis aprovechando la dato tiene un grado de pertenencia a cada
potencialidad del software basado en algoritmos conjunto, representada por su centro de
genéticos, con el cual se identifican los patrones conjunto, básicamente el algoritmo se realiza
de las señales EMG para realizar el control aplicando los siguientes cuatro pasos:
adaptativo de los movimientos de la extremidad 1) Inicialización.
inferior. 2) Cálculo de centros de conjunto.
El empleo de técnicas de inteligencia artificial 3) Actualización de valores de pertenencia.
basadas en redes neuronales y computación 4) El criterio de detención.
evolutiva, garantiza la estrategia de En la aplicación desarrollada se ha realizado la
accionamiento distribuido, y los operadores segmentación de datos utilizando la llamada
genéticos, la evolución de la técnica de control, agrupación difusa (fuzzy clustering), y selección
para la replicación del comportamiento del automática de atributos, para aumentar las
electroestimulador en el discapacitado. Una tasas de respuesta.
parte importante del proyecto de investigación, Además del cambio de utilización del algoritmo,
se orienta a la novedosa metodología, que se ignora el criterio de detención se opta por el
permita lograr la concepción integral del estudio manual, siendo el usuario final de la aplicación
y desarrollo de sistemas Mecatrónicos por quien aplica el criterio de detección.
clonación artificial en el control de dispositivos
de electroestimulación de miembro inferior –ver Paso 1: Inicialización.
figura 5. Esta matriz se inicializa en forma aleatoria con
5V R e g
LT C 1 96 3A

C o n fi g u r a ti o n
3 .3 V R e g
L T C 19 63 A
2 .5 V R e g
L T1 96 3A
1 .2 V R e g
LT C 19 6 3A
la siguiente restricción:
PROM 2 C h ann e l
X C F 04 1 4 b i t D /A
LT C 1 65 4

∑
2 0 U se r
2 C ha nn e l
I /O
1 6 b it A / D

μ ij = 1, ∀ j = 1,..., J
L TC 1 86 5 L

J T A G I/ F
C a ble T e st LE D s
II I & IV
P u s h B u t to n s
X ilin x S p a r ta n 3
2 5 P in J T A G C o n fi g u r a ti o n X C 3 S40 0 – 4PQ 20 8
D -S u b R S 2 32
C o nn ector In te r s i l
IC L3 23 2

P S 2 I/F 3 2M b
F las h
S T M ic ro
S T 2 9W 3 20
P L L S y s tem
C lo c k 4 bit
G en e r ati on x 2 L V D S I /F
IC S 5 11
W i th C n t r l

L C D D is p la y
2X 24 C haracter
4 M X 16
SD R A M – 64 M B
IS S I i =1
Donde:
• c: es el número de conjuntos a encontrarse.
• J: es el número de datos a agrupar.
• mij; i = 1, ..., c; j = 1, ...,J: es el grado de
pertenencia del dato j al conjunto i
Figura 5. Esquema general del proyecto de
Paso 2: Cálculo de Centros de Conjunto.
investigación.
Dados los valores de pertenencia μij los
CLUSTERIZACIÓN centros Vi de cada conjunto i están dados por:
J m
Lógica difusa que se ha descrito como un punto ∑ μ ij X
Vi = , ∀ i = 1,..., c
j
de vista práctico, robusto, económico e i =1
inteligente alternativa para el modelado y control J m
de sistemas complejos. Esta larga lista de ∑ μ ij
i =1
características superiores, sin embargo, sólo
puede realizarse si existe la calidad de los Donde:
conocimientos de expertos y se pone a • Xj ; j = 1, ...,J: es el vector de atributos del
disposición del ingeniero de control. dato j:
El propósito de la agrupación de datos • m: se denomina difusor (fuzzifier) y
(clustering), es la de segmentar la información determina el grado de difusión (fuzziness)
de acuerdo con unos criterios definidos de para los conjuntos encontrados (1<m<?)
similitud, de cumplimiento de características o para m “cercano a 1” se calcula una
patrones, de esta manera se generan conjuntos solución con conjuntos clásicos.
denominados Cluster, estos por lo general son
de tipo clásico, dentro de los objetivos de este
trabajo está el de generar Cluster de tipo difuso,
Función de pertenencia

que interpreten de mejor manera el mundo real,

además que el análisis de respuesta con la
interpretación de la agrupación apunte a la
elaboración de estrategias para el mejoramiento
del sistema. La tarea de segmentación de datos
 Función de pertenencia

Paso 3: Actualización de valores de

pertenencia.
Dados los centros de conjunto calculados en el
paso 2, los valores de pertenencia m(i,j) son
actualizados utilizando la siguiente fórmula:

μ = 1
,∀i =1,...,c;∀j =1,...,J

Función de pertenencia
ij 2
c ⎡ dij ⎤m−1
∑⎢ ⎥
k−1⎢
⎣ dkj ⎥⎦
Donde:
• dij: es la distancia entre el dato j y el centro
del conjunto i Vi.
• En el cálculo de esta distancia se utilizan Grado de Pertenencia

los centros del conjunto i Vi obtenidos en el

paso 2.

Función multi-objetivo
Paso 4: El Criterio de Detención
Los pasos 2 y 3 se repiten en forma iterativa
hasta cumplir con el siguiente criterio de
detención:
|| A(t+1) - A(t) || < Umbral
Donde:
• A es la matriz de los valores de pertenencia en
la iteración t. En el algoritmo C-Means el umbral Umbral de las variables

ha de ser determinado por el usuario, pero en la

aplicación desarrollada es omitido para permitir
el número máximo de iteraciones posibles
logrando con esto un alto grado de solución
difusa.
Función de pertenencia

Umbral de las variables

TELEMANDOS POR ULTRASONIDO

Aunque los ultrasonidos están hoy todavía muy

distantes de los infrarrojos, al menos en lo
referente a telemandos de TV, su naturaleza
Grado de pertenencia

puramente acústica les abre un vasto dominio

de aplicaciones.

NOCIONES DE ELECTROACUSTICA

Comúnmente, se admite que el margen de

Población frecuencias de los sonidos perceptibles por el
oído humano va, aproximadamente de 20 a
20000 Hz en el mejor de los casos. Esta banda
de paso se reduce notablemente con la edad,
aunque se revela muy superior para ciertos
animales (especialmente los perros). Por tanto,
es difícil fijar con precisión la frontera entre “el
sonido” y los “ultrasonidos”, definidos como
“sonidos demasiado agudos para ser audibles”.
Generalmente, se puede admitir que, más allá
de 20 kHz, cualquier vibración del aire
pertenece al campo de los ultrasonidos.
Realmente, no existe límite superior, cuadriplicar la potencia en caso de utilización de
únicamente en lo que se refiere a las un transductor de ultrasonidos.
posibilidades de los equipos que producen estos La conexión a masa de la entrada del montaje
ultrasonidos; frecuencias de varios mega- inhibe inmediatamente la transmisión de la
hertzios no son extrañas en ámbitos portadora, la cual es fácil de modular para “todo
industriales, científicos o médicos. o nada”
Para producir y detectar los ultrasonidos, se +9v
utilizan los mismos principios que conciernen a SA
los sonidos audibles; sencillamente, las 22 k Ω
soluciones tecnológicas usadas se adaptan a SB
este margen particular de frecuencias. E
MA 40 LIS
Realmente, es más sencillo y más económico 22 k Ω 40 k Hz
MA 40 L4
utilizar las técnicas “piezoeléctricas”.
Un material piezoeléctrico es, en general, una
cerámica especial (un poco como las ferritas),
que se pueden moldear en una gran variedad de 100 k Ω
formas, y metalizar en superficies para crear Figura 6. Un generador de ultrasonidos
zonas conductoras. Este tipo de material (modulador 40 kHz).
presenta la particularidad de producir una
tensión cuando se la somete a una contracción En la práctica se conectará muy sencillamente
mecánica e inversamente, se deforma cuando la entrada del modulador a la salida del
se le aplica una tensión. Es fácil, por tanto, codificador de la Figura 7, para el buen
comprender que delgadas arandelas de funcionamiento del sistema, será importante
piezocerámica, capaces de vibrar fácilmente, ajustar exactamente la frecuencia generada a
puedan servir tanto de emisores como de 40 kHz. Por tanto, habrá que disponer de un
receptores de ultrasonidos. Tales componentes osciloscopio. Llegado el caso, este ajuste se
pueden construirse fácilmente para frecuencias podrá retocar ligeramente durante la puesta a
muy elevadas, y además no son caros. punto final del sistema completo.
En la frontera de los ultrasonidos y los sonidos, R1=100KΩ
se encuentran además los tweeters, auriculares C1=220pF
y micros “piezo”, conocidos por su especial S G
aptitud para reproducir sonidos agudos. G
Sin embargo los “transductores de ultra sonido”
a diferencia de los “transductores de audio”, casi
MM 53 200 G
siempre se estudian para funcionar a una Código fijo
frecuencia muy determinada, o en una estrecha (32 posibilidades)
banda de frecuencias: la utilización óptima del
fenómeno de resonancia mecánica permite
obtener rendimientos muy elevados.
Los fabricantes de transductores pueden añadir, G
al cristal piezo propiamente dicho, diferentes Código ajustable
(128 posibilidades)
accesorios que permiten dar al producto
acabado características muy particulares, Figura 7. Esquema de aplicación.
especialmente en materia de directividad: se
gana así en alcances, ya que la energía Se podrá conectar directamente un transmisor
transmitida se encuentra concentrada en un de ultrasonidos (MA40LIS, por ejemplo) entre
verdadero “haz” poco divergente pero, las salidas Sa y Sb, o bien no utilizar más que
evidentemente, habrá que “enfocar” el receptor una de estas salidas para cualquier otro uso.
con el transmisor.
G 10 μ f +9v

UN CONJUNTO DE TRANSMISOR- 2,2 μ f

RECEPTOR DE ULTRASONIDOS 1,5 n f 22 k Ω
E 3,9 k Ω 1,8 k Ω
TD 4050
Para utilizar cómodamente los transductores 3,3 n f G
transmisores y receptores de ultrasonidos 3,9 k Ω G
disponibles en el comercio, nos hacen falta dos 4,7 n f D1
circuitos especiales: uno capaz de suministrar 1,5 n f
1N 4148 100 k Ω T1
cuando se pida una señal alterna de 40 kHz con G
una amplitud generosa, y el otro susceptible de E 1 nf S
MA 40 22 k Ω
proporcionar una información “todo o nada” LIR G
cuando recibe esta misma frecuencia, pero con O G
un nivel muy débil. MA40L4 G
Comencemos entonces por estudiar el Figura 8. Un demodulador de 40 kHz capaz de
modulador. A pesar de la sencillez del esquema servir de receptor de ultrasonidos debido a su
de la figura 8 éste es bastante universal: en gran ganancia.
efecto, suministra dos señales cuadradas a 40
kHz en oposición de fase, lo que permite
 De hecho, se trata de un componente derivado
de los circuitos integrados que equipan los
receptores de radio. Hereda de ellos una
ganancia muy grande, adaptándose
automáticamente a las variaciones de nivel de
entrada gracias a un CAG (control automático
de ganancia), y un funcionamiento de
amplificador selectivo. Sin embargo, se han
introducido simplificaciones: una red RC (doble
T) que sirve para sintonizar el montaje (y no una
bobina), mientras que la salida suministra
directamente niveles lógicos.
En resumen, si se aplican a la entrada (pin 8)
impulsos de amplitud muy pequeña pero mas
definida, se les recupera en el pin 3 con una
amplitud de 9v, cuando la frecuencia de la señal
sea del orden de 30 a 40 kHz,
aproximadamente. Señales de frecuencia muy
diferentes (especialmente de 50 a 100 Hz) no se
tendrán en cuenta, incluso si son de nivel alto.
Además del esquema de base, directamente
inspirado en las especificaciones del fabricante,
nuestro montaje está provisto de componentes
suplementarios encargados de remodular las
señales a 40 kHz amplificadas por el TDA4050.
Una primera prueba se puede realizar
equipando al demodulador con un transductor
de ultrasonido (MA40LIR) y añadiéndole nuestro
módulo decodificador de la siguiente figura.
R1=100KΩ
S +9v
a G G C1=220pFG
MM 53 200
Código ajustable
G
b
+9
4, k Ω
68 kΩ
1 μF
EA
BC 107
G G
b +9
8, kΩ
2 μF
3 kΩ 1N
4148
G S(t) es una forma de onda arbitraria con la única
G
Figura 9. Esquema del decodificador MM53200.
Sin embargo, es todavía necesario proceder a
dos ajustes:
• Llevar la frecuencia de reloj del codificador
y el decodificador a aproximadamente 4.5
kHz (multiplicar por 10 el valor del
condensador de origen), ya que la
transmisión por ultrasonidos sufre ciertas
“inercias”.
• Ajustar el modulador a las frecuencias de
resonancia exacta de los transductores
para esto, lo ideal es controlar con un
osciloscopio la forma de las señales
suministradas por el demodulador. Cuando
se reencuentre la forma presentada a la
salida del codificador, el ajuste es bueno (y
además, el relé de decodificador debe
cerrarse).
Según la precisión de los ajustes, el alcance útil
puede variar entre uno y tres o cuatro metros.
MODULACIÓN BINARIA EN FASE (MBFa)
Se puede demostrar que el MCP binario es más
eficiente cuando se emplean pulsos bipolares
(dos pulsos de altura A/2 –A/2) en lugar de
pulsos unipolares (pulsos de altura 0 y A).
Cuando estos pulsos rectangulares modulan en
amplitud a una portadora de alta frecuencia, se
produce la modulación binaria en fase
(MBFa).
La onda con modulación binaria en fase se
ilustra en la figura 12. Vemos que se compone
de las formas de onda S1(t) y S 2(t) de la figura
3. S1 transmiten a uno de los símbolos binarios
y S2(t) al otro. Como se ve en la figura 13.
(1)
S 2 (t ) = − S1 (t )
A/2
- A/2
a)
G
Código fijo
b)
A Figura 1. Modulación binaria en fase.
S1(t) S2(t)
a
t t
T
T
-A a) b)
Figura 10. Componentes de la señal MBFa
2N
Consideremos que:
S1 (t ) = − S 2 (t ) = s (t ) (2)
Con el objeto de generalizar, supondremos que
restricción de tener la duración de T segundos.
Sea E la energía de S(t).
La respuesta al impulso del filtro óptimo para s(t)
será:
h(t ) = S (T − t ) (4)
Si S1 (t ) se aplica a la entrada de este filtro, la
salida en el tiempo t=T estará dada por r(T) en
la siguiente ecuación:
r (T ) = E + n (T ) (5)
0
n0 (T ) es una componente aleatoria con
distribución gaussiana y calor cuadrático medio
A 2T ⎛ T ⎞
NE/2. Por lo tanto,
1 2 YE = ; p ( ε ) = erfc ⎜⎜ A ⎟
⎟ (12)
p(r ) = e −( r − E ) NE (6) 2 ⎝ N ⎠
πNE Como la potencia promedio de la señal MBFa es
2
A /2,
Esta distribución se ilustra en la figura 3.a) Así
mismo, cuando la señal S 2 (t ) se aplica a la A2 (13)
Ps =
entrada del filtro acoplado, la salida r (T ) está ⎛2 2 PsT ⎞ (14)
dada por: P(ε ) = erfc⎜⎜ ⎟
⎟
P(r) (cuando S1(t) está presente)
⎝ N ⎠
Comparando esta ecuación con la con la
ecuación para MBA, resulta claro que pera
obtener la probabilidad de error dada, la
potencia promedio que se necesita para MBA es
dos veces la que se necesita para MBFa.
E r
Consecuentemente, MBFa es superior a MBA
P(r) (cuando S2(t) está presente) en 3dB por lo que se refiere a los requisitos de
a)
potencia promedio de la señal.

REFERENCIAS

Muñoz Moner Antonio Faustino Sensórica e

Instrumentación de Alta Precisión,
Republica de Cuba, Editorial MES,282 p.
-E r
b) Muñoz Moner, Antonio Faustino y Pardo García,
Aldo. Nuevos Diseños de Controladores
-E E
P(r) con S1(t)
c) P(r) con s1(t) por Lógica Fuzzy. En: Revista Colombiana
Figura 11. Distribución de no(T). de Computación. Vol. 2, No. 1, Junio-2001.
pp. 35-42.
r (T ) = − E + n0 (T ) (7)
Muñoz, A. F. Artificial Cloning of Industrial
Esto se deduce del hecho de que Sensors. Editorial Ciencia y Técnica,
S1 (t ) = − S 2 (t ) .Por lo tanto, la respuesta a Academia de Ciencias de Cuba, 397
Págs., 2002.
S2(t) será el negativo de la respuesta a S1(t). La
figura 3.b) ilustra la distribución de amplitud r(T) Muñoz, A. F.; Pardo, A. Tecnologías de control
cuando S2(t) está presente. En este caso es avanzado y de Clonación artificial aplicada
evidente que: a sistemas Mecatrónicos de alta precisión.
1 2
IEEE Intelligent Control Houston, Texas
r (T ) = e −( r − E ) NE (8)
2003.
πNE
Las dos distribuciones juntas se ilustran en la Mohammad R, Akbarzadeh T y H. Meghdadi.
figura 3.c). Se debe determinar un umbral de Intelligent Control Systems. Capitulo 19,
decisión que minimice la probabilidad de error. Evolutionary fuzzy systems pag, 409-423.
Con argumentos como los utilizados antes se Sanabria Garzón J. Ingeniería de Sistemas.
puede decir que la suma de las dos áreas es Revista Orinoquia. “Herramienta software
mínima sí: para Implementar minería de datos:
a=0 (9) clusterización utilizando lógica difusa”
Así, si r(T)>0, la decisión es “ S1 (t ) presente”, y Goldberg, David E. Genetic Algorithms in
Search, Optimization and Machine
si r(T)<0, la decisión es “ S 2 (t ) presente”. La Learning. Addison-Wesley Publishing Co.,
probabilidad de error está dada por el área de Reading, Massachusetts, 1989.
p(r), en la figura 3.b), desde 0 hasta ∞
⎛ 2E ⎞
P(ε ) = erfc⎜⎜ ∞ ⎟⎟ (10)
1 ⎝ N − x⎠2 NE
πNE ∫E
= e dx
Véase que esta integral tiene la forma de la
ecuación (10) pero con a en lugar de E. Por lo
tanto

⎛ 2E ⎞ (11)
p(ε ) = erfc⎜⎜ ⎟
⎟
⎝ N ⎠