UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

LABORATORIO N1: CARACTERIZACIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR

CARRERA: INGENIERA ELECTRNICA

ALUMNOS: CANALES ESCALANTE, CARLOS ANDRS 1513220485
HUAMAN YRIGOIN, DENNIS 1513220395
PASCUAL PANDURO, CELSO PAOLO 1513220485
CURSO: DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRNICOS
TURNO: 90G
DOCENTE: LUIS LEONCIO FIGUEROA SANTOS
CICLO: 4 CICLO

2017
1.- OBJETIVO
- Obtener experimentalmente la curva caracterstica ID (VD) de los diodos de unin p-n
1N4001 y 1N4003.
- Comprar los resultados prcticos, con los resultados obtenidos mediante el simulador de
Proteus.
- Comprobar experimentalmente el comportamiento del diodo de juntura como dispositivo
semiconductor y su aplicacin como diodo.
2.- LISTA DE MATERIALES Y EQUIPO
- 1 Fuente de voltaje CD
- 1 Voltmetro
- 1 Ampermetro
- 1 Diodo 1N4001
- 1 Diodo 1N4003
- 1 resistencia de 1k
3.- ANTECEDENTES
El diodo rectificador es el elemento ms sencillo de entre los fabricados a partir de
materiales semiconductores. Tiene la propiedad de conducir la corriente con una polaridad
(polarizacin directa) y no conducir en la polaridad contraria (polarizacin inversa). Esta
caracterstica ser la base de mltiples aplicaciones. De hecho, el smbolo del diodo
rectificador est muy relacionado con su comportamiento: conduce corriente elctrica en
el sentido indicado por la flecha y no conduce en el sentido contrario. Al laboratorio, la
polaridad del diodo rectificador se expresa con una franja oscura dibujada junto a uno de
los terminales del elemento y que indica el lado por el cual no entra la corriente.

Uno de los modelos que reproducen de forma aproximada el comportamiento de un diodo,

es aquel que lo considera equivalente a una fuente de tensin en serie con una resistencia,
cuando trabaja en forma directa, y a un circuito abierto cuando se encuentra en polarizacin
inversa. Entonces, en polarizacin directa:
En consecuencia, la tensin en bornes del diodo, tendr como expresin V= +rI, donde
y r son el parmetros caractersticos del diodo rectificador. Esta expresin se corresponde
con la recta:
v e
I=
r r
Que se representa situando la intensidad al eje de ordenadas y la tensin al eje de abscisas
(tal como dibujamos la caracterstica tensin-intensidad para el diodo). La recta corta el eje
de abscisas en su punto (0,) y tiene una pendiente de valor 1 /r.
Para ajustar el modelo a la curva obtenida en polarizacin directa, tendremos que trazar la
asntota a la curva: el corte con el eje de abscisas da el valor de A y la pendiente, tg =1 /r,
nos permite calcular el valor de la resistencia r. Para el clculo de la pendiente tendris que
hacer uso de los valores de las magnitudes indicadas en los ejes (Tg= I/V), con las
unidades correspondientes (Si A/V=-1 ; si mA/V=k-1 )

4.- DESARROLLO EXPERIMENTAL

Armar el siguiente circuito para valores positivos de VD, se invierte la polarizacin de la

fuente de CD)

1k Ohm

+88.8
mA
1N4001 +88.8
Volts
FUENTE CD

1v
5.- TABLA DE MEDICIONES
Realizar las siguientes mediciones y calcular la resistencia interna del diodo
VD (Volts) ID (mA) RD (Ohm)
-1 -0,0001
-0,9 -0,0001
-0,8 -0,0001
-0,7 -0,0001
-0,6 -0,0001
-0,5 -0,0001
-0,4 -0,0001
-0,3 0
-0,2 0
-0,1 0
0 0
0,1 0
0,2 0
0,3 0
0,4 0,01
0,5 0,15
0,6 1,3
0,7 12,3
0,8 99,2
0,9 589
1 1900

6.- GRFICA DE RESULTADOS

2000

1500

1000
ID(mA)

500

0
-1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5

-500
VD (Volts)
7.- CUESTIONARIO
1. Cmo se obtiene la resistencia del diodo? Realcelo y explique.
Resistencia en las zonas neutras
De acuerdo a lo estudiado con la conductividad, sta es funcin de las movilidades
y de las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios; la conductividad de la
regin p y n ser respectivamente:

P q P p po n qn pno
Si existe conductividad distinta de infinito en las zonas neutras del diodo, existir
resistividad distinta de cero en dichas zonas, es decir:

1 1 1 1
pp pn
p q p p po Y
n qn pno
De donde se infiere que las zonas neutras tendrn una resistencia distinta de cero,
las que sern directamente proporcionales a las longitudes d p y d n de las zonas neutras p
y n respectivamente, e inversamente proporcionales a la seccin transversal A de la pastilla,
dichas resistencias sern:

pd p n dn
Rp Y Rn
A A
Resistencia esttica y dinmica
La ley de Ohm permite definir a la resistencia, como el cociente entre la tensin
aplicada sobre un determinado elemento de circuito y la corriente que circula por l.
Cuando dicha relacin es constante, decimos que la resistencia es lineal; si por el contrario
la relacin tensin-corriente no es constante, la resistencia tendr un valor distinto para
distintos valores de la tensin aplicada y ser una resistencia alineal.
V
R cte
I
El coeficiente angular de dicha recta es
la inversa de la resistencia o sea la
conductancia G; por tal razn, si la resistencia
es igual a cero, ser tg de donde 90
y coincidir con el eje de coordenada; eso se
debe a que si R=0, la corriente ser infinita cualquiera sea el valor de la tensin aplicada.
Y para la resistencia alineal, la definimos por medio de variaciones de tensin, los
valores de ambas resistencias coinciden, de manera que no tiene ningn sentido hacer la
diferenciacin.

I dV1
dI1 dV1 R1
R1 dI1
Como la resistencia no es constante dado que depende de la tensin aplicada,
decimos que es una resistencia alineal. Si superponemos con V una tensin variable dV, la
variacin de corriente dI no estar sobre la recta representativa de R sino sobre otra recta
que ser tangente a la curca en el punto en que estamos derivando; dicha recta
representara a una resistencia dinmica de valor:

dV V
rd R
dI I
Al referirnos a resistencias alineales, toma sentido diferenciar las resistencias
estticas de las dinmicas.
2. Se puede medir, con los datos del software o experimentalmente (hardware) la Tensin
umbral: V ?. Justifique su respuesta.

RPTA: Si se puede medir la tensin umbral V .

SPICE modela el diodo de forma que permite una gran aproximacin a las caractersticas
medidas en un diodo real.
El SPICE tiene un modelo matemtico predefinido para el diodo, que se reduce a la siguiente
ecuacin:

iD ( x) I S (eVD /VT 1)
En la cual:

iD ( x) : Corriente a travs del diodo.

I S : Corriente inversa de saturacin.

VT : Tensin trmica.

: Factor de idealidad.

VD : Tensin umbral.

El SPICE tambin incluye en los clculos la regin de ruptura como una opcin de
usuario.
A continuacin se muestra el cdigo SPICE para los diodos de la Figura 2.a

CODIFICACION:
D1 4 2 KAY
.MODEL KAY D
D3 6 4 TOM
.MODEL TOM D N=2 BV=5.7
D2 3 5 KAY 2.5 Figura 2.a
La funcin de clase es relacionar el diodo con alguna lnea de cdigo .MODEL en
particular. La lnea .MODEL especifica el modelo y tipo de dispositivo y enumera sus
parmetros.
8. CONCLUSIONES
- En la elaboracin de estos circuitos debe quedar muy claro que en su mayora se van a
emplear con diodos reales, as que no siempre se debe esperar resultados tericos.
- Se pudo verificar mediante el uso de Proteus Isis, que los circuitos planteados entregan las
seales que se esperaba mediante aproximacin matemtica.
- Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo aprendido tericamente:
Conduciendo en polarizacin directa y abriendo el circuito en polarizacin inversa.