Aula 07 - Teoria

Universidade Federal de So Carlos - UFSCar
Centro de Cincias Exatas e de Tecnologia - CCET

Campus So Carlos
Curso de Graduao em Engenharia Eltrica
Materiais Eltricos e
Medidas
Aula 07 - TEORIA
580031 turmas A, B e C
Prof. Dr. Lus Bara e Prof. Dr. Helder Galeti

E-mail: luisbarea@ufscar.br
E-mail: helder@ufscar.br
1
Materiais Eltricos e Medidas e Prof. Dr. Helder Galeti
A juno p-n
Considere um cristal semicondutor de Si com uma regio tipo-n e uma regio tipo p ,
inicialmente afastadas, sejam colocadas em contato. O que ocorre no plano da juno?
p n
p n Na interface entre os dois materiais (n e p), existe
B- As+
h+-
B As+ um gradiente de concentrao de portadores.
(a)
h+ e - (a) Esses portadores tendem a se difundir para o outro
e- lado da interface, de modo a diminuir esse
M
Metallurgical
M Junction
Metallurgical
gradiente.
Neutral p-region Eo Junction
Neutral n-region
Neutral p-region Eo Neutral n-region
Eltrons do lado n que esto prximos da juno

(b)
(b) tendem a se deslocar da direita para a esquerda e
passar para o lado p, onde existem poucos eltrons
M
- - M- + + Space charge region
livres. Ocorre algo anlogo com os buracos do lado
-W-p +W n+
p
log(n), log(p) -W- -
- -p
+ +
+W n+
n
Space charge region p, que passam ao lado n. Esses portadores livres
log(n), log(p) --- + +
ppo -- - + + iro se recombinar nessa regio e iro depletar a
ppo nno
nno camada. Forma-se uma Zona de Depleo.
d0 ni (c)
ni (c)
I Esse movimento de portadores d origem uma
npo difppno Corrente de Difuso (Idif) : Sentido convencional
nZona no x
po de
net
x=0
x
x=0 (direita para esquerda). 2
net
Depleo M
Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n
p n
p n
B- As+
h+-
B As+
(a)
h+ e - (a)
e-
M
Metallurgical
M Junction
Metallurgical
Neutral p-region Eo Junction
Neutral n-region
(b)
(b)
M
- - M- + + Space charge region
-W-p +W n+
p
log(n), log(p) -W- -
- -p
+ +
+W n+
n
Space charge region
log(n), log(p) --- + +
ppo -- - + +
ppo nno
nno
d0 ni (c)
ni (c)
npo I
difppno
nZona no x
po de
net
x=0
x
x=0 3
net
Depleo M
A juno p-n
pp n
n Mas essa difuso no ocorre indefinidamente, de
B - As
As+
+ forma a eliminar completamente o gradiente de
B-
h
h+
+ (a)
(a)
concentrao em todo o material. Isso ocorrer
-
ee- apenas nas proximidades da juno.
M
M
Metallurgical Junction
Neutral p-region
Neutral p-region E Neutral n-region
Eoo Neutral n-region
Isso porque, na zona de depleo, existir um
(b) campo eltrico que d origem a uma Corrente de
(b)
Deriva (Ider), contrabalanando a corrente de
difuso e fazendo com que um mesmo nmero de
M
M
-WW-p - +W n+
Space charge region
Space charge region
portadores, que continuamente se desloca por
log(n),
log(n), log(p)
log(p) - -p +W n+ difuso, retorne ao seu local de origem pelo
p - - -
- -
+ +
+ +
n
pppo
po
---
-- -
+ +
+ +
mecanismo de deriva. Teremos uma situao de
n
nno
no
(c)
equilbrio quando Ider = Idif e, portanto, de
d0 n
nii (c)
Zona de condies estacionrias, quando a corrente de
Depleo ppno difuso e de deriva forem iguais.
n
npo
po
Idif no
xx
xx =
= 00

net
net
Ider
M
M
eN
eNdd A corrente lquida no equilbrio nula! 4
-W
-Wpp
h+ (a) Eltricos e Medidas
M Materiais
-
Wp Wn
Space charge region e
log(n), log(p)
M
A juno p-n
ppo
nno
A Zona de Depleo formada por duas regies
ni de carga espacial, uma positiva e outra negativa.
(c)
(b)
pno CARGA ESPACIAL: De onde ela vem?
npo
x=0
x
Lado n : ons positivos (impurezas doadoras) ficam
net M fixos e eltrons livres migram para regio p,
M Space charge region
log(n), log(p) W p
Wn recombinando-se com buracos livres. Isso introduz
eNd carga lquida positiva do lado n.
ppo -Wpd
0
Wn nno x (d)
Lado p : ons negativos (impurezas aceitadoras)
ficam fixos e buracos livres migram para regio n,
ni (c)
-eNa recombinando-se com eltrons livres. Isso introduz
M
p carga lquida negativa do lado p.
npo E(x) no
-W p
x = 00 Wn x
net x
(e)
M a carga espacial que gera um Campo Eltrico E(x)
Eo atravs da juno p-n em condies estacionrias,
eN d
-Wp com valor mximo E0 na juno. O potencial eltrico
V(x)
Wn V
V(x) pode ser encontrado pela definio E=-dV/dx.
x (d)
Zona de Depleo o
(f) 5
-eN
A juno p-n
A carga espacial d origem a uma diferena de
potencial de contato V0 entre as extremidades da
zona de depleo.
M
E(x)
essa diferena de potencial que impede que os
-W p 0 Wn
x eltrons e os buracos continuem a atravessar o
(e)
plano da juno.
Eo
Cargas positivas (buracos) tendem a se deslocar para
V(x) regies de baixo potencial eltrico.
Vo
Cargas
(f) negativas (eltrons) tendem a se deslocar
para regies de alto potencial eltrico.
x
PE(x) Energeticamente, a energia potencial PE forma uma
eV o barreira para o movimento de:
Hole PE(x) - eltrons, da direita para a esquerda;
- buracos, da esquerda para a direita.
x (g)
A diferena de potencial V0 funciona como uma
Electron PE(x)
barreira para os portadores em maioria, mas facilita
o movimento dos portadores em minoria. 6
-eVo
A juno p-n
No possvel medir diretamente o
valor de V0 aplicando um voltmetro
E(x)
M
conectado aos terminais do diodo,
-W p 0 Wn
x porque essa tenso existe apenas em
(e)
uma pequena regio prxima juno.
Eo No todo, o componente
V(x)
eletricamente neutro, uma vez que no
Vo
foram
(f) acrescentados nem retirados
portadores do cristal.
x
PE(x)
eV o
Hole PE(x)
x (g)
Electron PE(x)
7
-eVo
A juno p-n - Equilibrio
8
A juno p-n
O que acontece com o nvel de Fermi no equilbrio (quando no h tenso
eltrica externa aplicado juno : Vext = 0)?
9
A juno p-n
Eo (
O que acontece com o nvel
p n
de Fermi no equilbrio M
E
(quando no h campo c
eltrico externo aplicado eV o

juno : Vext = 0)? E E
c
Fp E
Fn
Como em outros casos j E
v
estudados, o Nvel de Fermi se
alinha ao longo do sispositivo E
em equilbrio. p n
v
Um dispositivo semicondutor
que faz uso dessa propriedade
o diodo retificador, cujo
smbolo circuital est
mostrado ao lado
10
A juno p-n: O diodo retificador
O que ocorre quando aplicamos uma tenso eltrica no diodo? Resp. :
Depende da polarizao da juno: Direta ou Reversa
Polarizao Direta ou Positiva
Buracos (positivos) so repelidos pelo

terminal positivo da fonte em direo
a juno.
Eltrons (negativos) so repelidos

pelo terminal negativo da fonte em
direo a juno.
Resultado Reduo da regio de

depleo e da barreira de Potencial.
Para tenses altas, esta regio pode
desaparecer, permitindo o movimento
dos portadores majoritrios de ambos
os lados da juno. 11
)
Eo -E
(b) Polarizao Direta:
E Terminal positivo da fonte ligado
c e(V o -V) no lado p do diodo.
E
c
E - H uma diminuio da barreira de
E eV Fn
Fp potencial efetiva para (V0-V) e do
E campo eltrico da juno.
v
E
v
Um nmero maior de portadores
majoritrios consegue atravessar a
p n barreira, ou seja,
Idif > Ider
- A Zona de depleo se torna mais
I estreita, pois h reduo da carga
espacial 12
V
Polarizao Reversa: Terminal negativo da fonte ligado no lado p do diodo.
Polarizao Reversa ou Negativa
Buracos (positivos) so atrados pelo

terminal negativo da fonte afastando-se
da juno.
Eltrons (negativos) so atrados pelo

terminal positivo da fonte afastando-se
da juno.
Resultado Aumento da regio de

depleo e um aumento na barreira de
potencial. Isto causa um bloqueio no
movimento dos portadores majoritrios
de ambos os lados da juno, porm,
portadores minoritrios ainda podem se http://www.globarena.com/TekEdge-
Demo/courses/Electronic%20Device%20Circuits/PN%20Junction%20Diode/Animation%20Gallery/
mover de um lado para outro. PN%20Junction%20Diode%20Working.swf
13
E o+E (c) - H um aumento da barreira de

Eo +E
potencial efetiva para (V0+Vr) e do campo
E
c E eltrico da juno.
c
e(Vo +V r)
- Um nmero de portadores minoritrios, e
Thermal
E
Fp E que
E so escassos, atravessa a barreira.
generation
E c Fp E
v E Uma
E pequena corrente inversa, chamadac
Fn v E
de corrente de saturao, surge devido Fn
unicamente gerao de pares de

E eltron-buraco na regio de carga
v espacial, temperatura ambiente. Assim, E
v
p n a corrente
p de difuso diminuin ea
corrente de deriva aumenta ligeiramente:
Idif < Ider
- A Zona de depleo se torna mais larga.
Vr Vr I = Very Small
14
O Diodo Retificador
Curva caracterstica corrente-tenso:
Para o caso de Polarizao Direta: Para oocaso

casodedePolarizao
PolarizaoReversa:
Reversa
com tenso acima da ruptura:
Vemos o aumento abrupto da A corrente desprezvel comparada
corrente com o aumento da Ocorre
com a deuma rupturadireta.
polarizao eletrnica na
tenso aplicada. juno e a corrente comea a
aumentar
Essa em direo
corrente contrria
resultado do
de Is, ou
O valor da tenso crtica V0 onde a caso dedapolarizao
seja, correntedireta.
de saturao
corrente inicia o crescimento reversa, e depende das
brusco depende do semicondutor Dois mecanismos
concentraes depodem causar isso:
impurezas dos
utilizado na juno. materiais utilizados na juno p-n.
- Tunelamento
Si 0.6 0.8 V - Avalanche
Ge 0.2 0.4 V
15
O Diodo Retificador
Polarizao Direta
Current
Ge Si GaAs
~0.1 mA
Voltage
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
16
Schematic sketch of the I-V characteristics of Ge, Si and GaAs pn Junctions
O Diodo Retificador
I Reverse diode current (A) at V = 5 V
mA 10-4
323 K Ge Photodiode
10-6 Slope = 0.63 eV
10-8
10-10
V 238 K
Ideal diode 10-12
10-14
nA
Space charge layer 10-16
generation, surface leakage 0.002 0.004 0.006 0.008
current, etc. (b) 1/Temperature (1/K)
(a)
17
O Diodo Retificador
De onde vem essa curva IxV?
18
O Diodo Retificador
19
O Diodo Retificador
20
Vamos analisar novamente essa

parte da curva ....
21
O Diodo Retificador
Tenso reversa de ruptura:
Eo + E
Efeito de Avalanche:
p h+ n
Causado pela ionizao
e- de impacto de eltrons
acelerados pelo campo
I = M Io eltrico que colidem com
tomos da rede e ganham
energia suficiente para
W
Depletion region (SCL) atravessar a barreira.
V
r
Ao atingir uma determinada tenso inversa, a corrente inversa aumenta
bruscamente , causando o efeito Joule, e consequentemente a dissipao da energia
trmica acaba por destruir o dispositivo, no sendo possvel reverter o processo
22
O Diodo Retificador
SCL
p n Efeito de Tunelamento:
E
c
CB Junes altamente dopadas

e(V +V )
E
o r tem espessuras estreitas da
Fp
E
Tunneling camada de depleo. O que
v Ec leva a um grande campo
a E
Fn eltrico interno nesta regio.
VB
E
Para uma determinada tenso
v
reversa, geralmente menor do
que 10V, o fundo da banda de
p Tunneling n conduo em n vai abaixo do
topo da banda de valncia em
I
p, e os eltrons podem ento
tunelar do lado p para o lado
Vr 23
n.
O Diodo Retificador
200
E br (V / m )
100
Avalanche Tunneling
0 Nd (cm -3)
14 15 16 17 18
10 10 10 10 10
24
O Diodo
Retificador
25
O diodo Retificador: Porque retificador?
Retificao: til na transformao
de um sinal alternado em contnuo.
Diodo ideal: Chave aberta na pol.
Reversa e chave fechada na
polarizao Direta
A rede eltrica possui tenso alternada enquanto a grande maioria dos aparelhos
eletrnicos funciona com tenso contnua.
26
(Source: From Electronic Devices, Sixth Edition, by T.L. Floyd, Fig. 1-30. Copyright 2002 Prentice Hall. Reprinted by permission Pearson Education, Inc., Upper Saddle River, NJ.)
Notao dos diodos
27
O Diodo Zener
28
Aplicaes dos Diodos

Os diodos possuem inmeras aplicaes, dentre elas
podemos citar:
Circuito retificador de meia onda, onde a simples associao de

um transformador, um capacitor e um diodo, permite transformar
um sinal alternado em um sinal contnuo;
Detector de pico, empregado na deteco de onda modulada em
amplitude em receptores de rdio;
Diodos emissores de luz, tambm conhecidos como LED (Light
Emitting Diode);
Fotodiodos, utilizados em fotodetectores.
Diodos Laser;
Dentre outras inmeras aplicaes!
29
TRANSISTOR
Transistor: Dispositivo semicondutor de trs terminais que pode ser usado para
amplificar sinais eltricos ou para chavemento de sinais. composto por duas
junes p-n.
Transistor de Juno
Podem ser do tipo
n-p-n ou p-n-p.
Os dois principais
transitores so o
Transistor Bipolar
de Juno (BJT)
eo
Transitor de Efeito
de Campo Metal
xido
Semicondutor
(MOSFET)
30
Transistor de Juno
Input E pnp C Output

p+ n p circuit circuit (c)
B I
B
(a)
Emiter Base Collector
V V
E C EB CB
B
E B C
x E
E
p (0)
I n
I Electron
E I I
p (x) C
E Diffusion C
n Hole
Hole diffusion
n (0) drift
p
(b) n (x) p
p no Recombination
n (d)
po
Electrons Leakage current
W W W
EB B BC
I
V B V
EB CB
I I IB
E
C
31
TRANSISTOR
Uma regio de base (B) muito fina tipo n est Input E pnp C Output
circuit (c)
localizada entre uma regio emissora (E) e circuit
B I
coletora (C), ambas do tipo p. B
V V
O circuito que inclui a juno 1 (emissor-base, EB CB
E B C
EB) possui polarizao direta, enquanto uma
E
tenso reversa aplicada atravs da juno 2
Electron
(base-coletor, BC). I
E Diffusion I
C
Hole
Hole diffusion
drift
Um grande nmero de buracos entra na regio

de base, provenientes do emissor. Recombination
(d)
Electrons Leakage current
Esses buracos so portadores minoritrio na

base tipo n alguns iro se recombinar com
eltrons majoritrios. IB
Entretanto, se a base for extremamente fina, a

maioria desses buracos iro ser levados para
dentro do coletor p atravs da juno 2.
32
Transistor de Juno
O grande aumento na
corrente atravs do
coletor tambm ser
refletido por um aumento
na tenso no resistor de
carga.
Dessa forma, um sinal de

tenso que passa atravs
de um transistor de
juno amplificado.
33
Transistor bipolar de juno
Transistor n-p-n
2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.
(a) Um circuito para um transistor de juno bipolar n-p-n. A entrada cria

tenso direta e reversa que causa o movimento de eltrons do emissor, atravs
da base, entrando no coletor, criando um sinal amplificado. (b) Perfil da seco
34
transversal de um transitor
Transistor bipolar de juno
IC (mA)
3 IE = 3 mA
2 IE = 2 mA
1 IE = 1 mA
IE = 0
-VCB
0 5 10 ICBO
Curva DC caracteristica I-V de um transistor bipolar p-n-p
35
Transistor de Efeito de Campo (FET)
Um monocristal semicondutor fracamente dopado tipo-n serve de substrato.
Atravs de uma forte dopagem, so criados sobre esse substrato,duas ilhas de

material tipo p (fonte e dreno), ligadas por uma fina camada tipo p, conhecida
como canal p.
Uma fina camada de isolante (xido) depositada sobre o canal. Posteriormente,

uma camada metlica depositada sobre o xido, para fazer o papel de porta, e
tambm sobre a fonte e o dreno. 36
A condutividade do canal variada pela presena de um campo eltrico imposto

sobre o Gate. Por exemplo, a aplicao de um campo eltrico positivo sobre o
Gate ir conduzir portadores de carga (neste caso buracos) para fora do canal,
reduzindo, assim, a condutividade eltrica. Assim, tambm uma pequena
alterao no campo no Gate produzir uma variao relativamente grande na
corrente entre a fonte e o dreno.
37
Em alguns aspectos, portanto, a operao de um MOSFET muito semelhante

descrita para o transistor de juno. A principal diferena que a corrente
atravs do Gate muito pequena em comparao com a corrente de um
transistor de juno base. Os MOSFETs so, portanto, usados onde as fontes de
sinal a ser amplificado no pode sustentar uma corrente considervel.
38
Outra diferena importante entre MOSFETs e transistores de juno que,

apesar de portadores majoritrios dominarem o funcionamento dos MOSFETs
(i.e., buracos para o modo de depleo do tipo p do MOSFET acima), portadores
minoritrios desempenham um papel com transistores de juno (i.e., buracos
na regio de base do tipo n).
39
Operao de um transstor n-p-n.

(a) Esquema de um transstor n-p-n. Os
traos indicam os eltrons, o sinal +
indica buracos. Eltrons em regies de
Gate e da Fonte no so mostradas.
(b) O Gate tem uma voltagem positiva.
Eltrons no substrato tipo p
movimentam-se para a regio entre a
fonte e o dreno.
40
(c) Quando a tenso positiva

aplicada a um dreno, os eltrons se
movimentam da fonte para o dreno
atravs da regio de canal entre a
fonte e dreno (criado por uma tenso
de Gate positivo). O transistor est
agora'' Ligado.''
(d) Quando a tenso de Gate
removida, o canal de eltrons entre
a fonte est quebrado e que o
transistor est desligado.
41

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Eltrons do lado n que esto prximos da juno

eltrico externo aplicado eV o

Polarizao Direta ou Positiva

Buracos (positivos) so repelidos pelo

Eltrons (negativos) so repelidos

Resultado Reduo da regio de

Buracos (positivos) so atrados pelo

Eltrons (negativos) so atrados pelo

Resultado Aumento da regio de

E o+E (c) - H um aumento da barreira de

unicamente gerao de pares de

Para o caso de Polarizao Direta: Para oocaso

Curva caracterstica corrente-tenso:

Vamos analisar novamente essa

CB Junes altamente dopadas

Notao dos diodos

Aplicaes dos Diodos

Circuito retificador de meia onda, onde a simples associao de

Input E pnp C Output

Um grande nmero de buracos entra na regio

Esses buracos so portadores minoritrio na

Entretanto, se a base for extremamente fina, a

Dessa forma, um sinal de

(a) Um circuito para um transistor de juno bipolar n-p-n. A entrada cria

Curva DC caracteristica I-V de um transistor bipolar p-n-p

Um monocristal semicondutor fracamente dopado tipo-n serve de substrato.

Atravs de uma forte dopagem, so criados sobre esse substrato,duas ilhas de

Uma fina camada de isolante (xido) depositada sobre o canal. Posteriormente,

A condutividade do canal variada pela presena de um campo eltrico imposto

Em alguns aspectos, portanto, a operao de um MOSFET muito semelhante

Outra diferena importante entre MOSFETs e transistores de juno que,

Operao de um transstor n-p-n.

(c) Quando a tenso positiva

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