Transistor

El transistor. Dispositivo
electrnico en estado slido, Transistor
cuyo principio de
funcionamiento se basa en
la fsica de
los semiconductores. Este
cumple funciones de
amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El
trmino transistor es la
contraccin en ingls
de transfer
resistor(resistencia de
transferencia). Actualmente
se los encuentra
prcticamente en todos los
aparatos domsticos de uso
diario: radios, televisores, gr
abadoras, reproductores de
audio y video, hornos de
microondas,
lavadoras, automviles,
equipos de refrigeracin,
alarmas, relojesde
cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, l Componente electrnico en estado slido basado en la fsica de los
mparas fluorescentes, semiconductores
equipos de rayos
X, tomgrafos, ecgrafos,
reproductores mp3, telfonos mviles, etc. Este dispositivo semiconductor permite
el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy
pequea.

Contenido
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1 Generalidades
2 Polarizacin de un Transistor
3 Zonas de Trabajo
4 Tipos de transistores
o 4.1 Transistor de Contacto Puntual
o 4.2 Transistor de Unin Unipolar
o 4.3 Transistor bipolar
 4.3.1 Ejemplos de transistores de Unin Bipolar
4.3.2Configuraciones
o 4.4 Transistor de Efecto de Campo
o 4.5 Fototransistor
5 Encapsulados
6 Vase Tambin
7 Fuentes
8 Referencias

Generalidades
Sus inventores, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, lo llamaron as
por la propiedad que tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente
elctrica entre el emisor y el receptor.
El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que emite electrones (emisor),
otra que los recibe o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de
dichos electrones (base). Una pequea seal elctrica aplicada entre la base y el
emisor modula la corriente que circula entre emisor y receptor.
La seal base-emisor puede ser muy pequea en comparacin con la emisor-
receptor. La seal emisor-receptor es aproximadamente la misma que la base-
emisor pero amplificada. El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador.
Adems, todo amplificador oscila; as que puede usarse como oscilador y tambin
como rectificador y como conmutador on-off. El transistor tambin funciona por
tanto como un interruptor electrnico, siendo esta propiedad aplicada en
la electrnica en el diseo de algunos tipos de memorias y de otros circuitos como
controladores de motores de Corriente directa y de pasos.

Polarizacin de un Transistor

Formacin y polaridad de Transistores

Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP. Generalmente podemos decir que la
unin base - emisorse polariza directamente y la unin base -
colectorinversamente.

Zonas de Trabajo
Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y
Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB es
igual a IC es igual a IE es igual a 0; VCE es igual a Vbat
Saturacin: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento
de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y
Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir
que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.
Activa: Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente
es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la
variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de
base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin
aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera:
= IC / IB

Tipos de transistores
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificacin ms aceptada
consiste en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction
Transistor) y transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor). La
familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia,
englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc...

Transistor de Contacto Puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de
transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin
(W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.
Transistor de Unin Unipolar
Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms
bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.

Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unin de tres cristales de semiconductor
con dopajes diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto
transistores PNP o NPN.
Tecnolgicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El
transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas)
y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al)
o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de
la unin.
Ejemplos de transistores de Unin Bipolar

2N4401, 2n3906 y 2n4402: Transistores de unin bipolar de mediana potencia,

destinados para propsito general en amplificacin y conmutacin, construidos
con semiconductor de silicio en diferentes formatos. Pueden amplificar
 pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias y trabajar a frecuencias
medianamente altas.

Configuraciones

Emisor comn
La construccin interna de un transistor como todo crcuito necesita de dos
terminales de entrada y dos de salida, pero al contar en su fabricacin solo con
tres terminales, se hace necesario adoptar una de las siguientes configuraciones:
Emisor comn, Base comn, Colector comn.

Base comn
Emisor comn: La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la
de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de
corriente y alta impedancia de entrada. Como la base est conectada al emisor
por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg.
Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de
emisor es: VE = VB Vg
Base Comn: La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el
colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de
sa